JPH02216041A - 反射電子線回折装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は反射電子線回折を利用して試料面の微小領域の
構造変化を経時的に追跡解析する装置に関する。

（従来の技術） 半導体集積回路の高性能化にともない必然的に半導体素
子を製作する際にシリコン基板や、絶縁物上に堆積する
多結晶シリコン、ＡｅやＷ、Ｍ。

等の金属薄膜の高品質化が望まれている。この場合不純
物を含まない高高純度の薄膜を堆積さぜなければならな
いが薄膜の結晶性が十分制御されていなければ、信頼性
の高い集積回路を実現することはできない。

例えば、集積回路において、各素子を接続するＡｅ又は
、Ａ３合金の配線は、時に断線と云うＩ・ラブルを生じ
、集積回路の信頼性を低下させている。その原因は大電
流が流れた時に生ずるエレクトロマイグレーシ玉ンや下
地が変化する個所に集中するストレスによるストレスマ
イグレーションによるものと考えられている。事実、配
線金属ＡｅまたはＡ３合金は平坦なウェハ」二に形成さ
れるのではな（、は＼゛１μｍの凹凸のある表面に形成
されるもので、局所的には電流密度として１０６Δ／　
ｃｒ＆もの電流がなかれる。この様な断線が生じないた
めには、結晶方位のそろったＡｅ又はＡ３合金膜を堆積
させる必要と共に、断線の起る状態の実態的な観察によ
る断線発生条件の明確化、断線発生原因の究明等の必要
がある。

このため従来配線に用いられる金属薄膜の最適な薄膜形
成条件を決定する方法として、実際に電流を流して断線
に至るまでの時間の測定をおこなう方法があるが、実際
に配線を形成し、評価するとなると膨大な時間を要する
ことになる。半導体集積回路上の配線金属が電流を流し
た際の断線の状態の分析する別の手段として断線後の断
線部位の電子顕微鏡や光学顕微鏡による形状評価を行う
と云う分析方法もあるが、配線金属の結晶性と断線上い
う物理現象を結びつける評価法がなく、例えば配線金属
の形成条件と断線に至るまでの時間との統計的相関によ
り決定する以外最適な配線金属形成条件を決定する手段
がない。しかし薄膜の結晶性を評価する別の装置を利用
して結晶性評価と、実際の信頼性評価結果を突き合わせ
ることにより、最適薄膜形成条件を決定することができ
る。この場合、半導体集積回路において必要とされる薄
膜の結晶性の評価を行うためには、以下の点が必要とさ
れる。多結晶薄膜では、結晶粒界の大きさがミクロン程
度である場合が多く、ミクロン程度の微小領域の結晶構
造解析が必要である。

半導体集積回路に用いられる薄膜の加工寸法は、１ミク
ロン以下であり、薄膜の結晶構造もやはりミクロン程度
の分解能で決定しなければならない。例えば、現在研究
の進められている配線用のΔｅ又はＡｅ合金薄膜は、結
晶の特定の格子面が薄膜表面に平行に配向しているが、
薄膜表面内で結晶粒かは色）７な方向に回転している。

ぞのため、結晶粒が面内でどの様に回転しており、更に
結晶粒の方位分布をなしているかを評価しなりればなら
ない。しかし、これらの静的な評価手段だけでは、配線
の断線と云うような経時的変化の終着点である現象の解
明には不充分である。例えば堆積された薄膜は、通常熱
処理工程を付加することて、薄膜の緻密化、下地との密
着性の向」二をＷする。その際、結晶構造は変化する。

また、配線金属に大電流を流した際に配線の一部が断線
するエレクトロマイグレーションでは、断線に至るミク
ロン程度の微小部位において結晶構造が変化する。従っ
て熱処理工程や、電流を流した際の微小領域の結晶構造
変化を評価する必要がある。

更に上記各種の評価を行う際、例えば、ウェハを数ｍｍ
角サイズに切断したり、薄く研摩する等の特殊な加工を
施すことな（観測できることが望ましい。

従来の結晶構造解析手段には、主にＸ線や電子線の回折
を用いる方法がある。波長１．５人程度のＸ線を用いる
従来のＸ線回折法では、試料表面に平行な面の結晶方位
を決定することができる。

しかし、Ｘ線ビームは細く絞ることがきわめて困難で、
従来のＸ線回折装置における入射Ｘ線のビーム径は、約
１０〜２０ｍｍ程度あり、試料表面の平均的な情報しか
得られない。

多結晶粒界の観察法として透過電子顕微鏡法があり、透
過電子像の観察により、結晶粒界の存在を確認できる。

しかし透過電子顕微鏡法では、結晶粒界で囲まれた各＋
１Ｌ−結晶部分の結晶方位を測定できないし、１．００
　ｋ、　ｅ　Ｖに加速された電子線を用いたとしても試
料厚さを１０００乃至２０００人程度まで薄く加工しな
ければならない。また試料大きさも数ｍｍ角以下にしな
ければならない。この様な特殊加工を必要とするため、
本質的に簡便な測定装置になり得ない。

表面の結晶性評価法として１０〜３０　Ｋ　ｅ　Ｖに加
速された電子線の回折パターンで評価する高速反射電子
線回折法（ＲＩ−Ｉ　Ｅ　Ｅ　Ｄ法）がある。ＲＨＥＥ
Ｄ法では、試料に特殊な加工を施すことなく、ウェハの
ままで表面の面方位や結晶性を評価することができるが
、従来のＲｌ（Ｅ　Ｅ　Ｄ装置では電子線の照射領域が
１００ミクロン乃至数ｍｍもあり、結果として表面の平
均的な結晶性しが評価できない。Ｒ，ＨＥ　Ｅ　Ｄ法を
発展させた方法として、電子線のビーム径を０．１ミク
ロン程度に絞り、ミクロンオーダの微小域の結晶性評価
を行うマイクロプローブＲＨＥ　Ｅ　Ｄ法がある。電子
線で試料面を走査し、電子線回折斑点のうち特定回折斑
点の強度変化により、結晶粒界の分布を測定することが
できる。しかし、従来のマイクロプローブＲＨＥ　Ｅ　
Ｄ法では、試料表面に平行な面の結晶方位が同一のもの
に関する情報が得られるが、試料表面に垂直な面の結晶
方位が試料表面内でどの様に回転しているかの分布を知
ることはできない。

以上、従来の結晶構造解析法では、ミクロン程度の微小
域の分析が不可能であったり、また結晶粒の面内回転分
布を観測することができなかった。また何れの方法にお
いても、通電中或は加熱中等における表面シイ４造の変
化を経時的に追跡できる装置がなかった。

（発明が解決しようとする課題〉 本発明は従来の問題を解決し、試料表面に入射した電子
線の回折を用いる反射電子線回折装置において例えば薄
膜に電流を流したり、加熱し、或はまた、薄膜表面を意
識的に変成させた時の薄膜の任意微小領域の結晶１１変
化を即時経時的に観測できる装置を提供するものである
。

（課題を解決するための手段） 上記課題解決のため本発明においては反射電子線回折法
において、平行に近（、かつ試料面上で微小径に収束す
る電子線ビームを用い、同電子線によって試料表面の指
定領域を走査せしめ、試料表面に平行に近い入射角で入
射した上記電子線の回折パターンに対して演算処理を施
す手段と、試料に通電する手段、試料加熱手段、試料表
面にガスを供給する手段等の試料処理手段を設けた。こ
＼で回折パターンとは個々の回折斑点のみでなく、個々
の回折斑点の二次元的配置およびバックグラウンドの全
体を含むものである。

（作用） 試料面におけるミクロン程度の微小領域の構造解析に対
してＸ線を用いる方法は適当な収束手段が得難いことか
ら、利用できないことは明らかである。微小領域の観察
に電子線が適していることは周知であり、電子線回折法
を用いれば結晶面の方位決定は容易である。本発明は試
料面を微小径に絞った電子線で照射して回折パターンを
観測するものである。このとき、回折パターン上の複数
の点における電子線強度間の関係は、試料に人！４−１
している電子線が試料面における単一結晶領域を走査し
ている間は変わらないが、照射電子線が隣の結晶に移っ
たときはその結晶における結晶面の方向の違い等により
、上記複数の点における電子線強度間の関係は変化する
。この関係の変化が複数点の検出出力に対する電子線の
一走査の間の演算処理によって抽出され、試料面の微小
領域の構造およびその経時的変化が明確に認識できるの
で、試料に対して通電、加熱その他の処理を行う機能と
相まって、試料の微小領域の色々な条件下における構造
の経時的変化を追跡的に観測することができることにな
る。

（実施例） 本発明による走査型反射高速電子線回折装置と微小域構
造解析の実施例を示す。

第１図は、本発明による走査型反射高速電子線回折装置
を示す。以下主要な装置部分について以下に説明する。

】は、反射電子線回折用電子銃（ＲＨＥ　Ｅ　Ｄ銃〉で
ある。ミクロンオーダの微小域観察のため電子線４の径
は、０．１μｍ以下が望ましく、また電子線の開７き角
も１．　Ｘ　］、　Ｏ−３ラジアン以下であることが望
ましい。加速電圧は、１０〜５ｏ１（Ｖで望ましくは略
３０　ｋ　Ｖである。６は、反射電子線回折パターン観
測用蛍光板である。ＲＨＥ　ＥＤ銃１ら出射した電子線
４による回折電子線５により、一般に回折パターンが」
−に形成される。回折斑点からの信号は、光ファイバー
７．８’、９を介して光電子増倍器１．０，１１．．１
２に導がれて増幅され、演算回路１３において演算され
る。演算回路においては、各回折斑点の強度に任意定数
による乗算処理と乗算処理の施された各回折斑点強度間
の加減処理等をおこなう。演算処理の施さレタ（ｆ号１
４　Ｌｔ　ＣＲ’、　Ｔ　１５に輝度信号として入力さ
れる。ＲＨＥＥＤ銃からの電子線の走査信号］６に同期
した走査信号によりＣＲＴ上には試料表面からの回折強
度像（以下走査ＲＨＥ　Ｅ　Ｄ像と呼ぶ）が表示される
。

本実施例では、光ファイバーは、真空外に設置され、機
械的に任意の回折斑点を選択することが出来る。光ファ
イバーの数は、本実施例では、３本であるが、４水辺」
二てあっても良い。複数本の光ファイバーを設け、同時
に信号を検出することにより以下に述べる結晶粒界の方
位決定のほかに、光ファイバーの一つを回折斑点の無い
部分にセットすることによりバックグラウンドの除去を
おこなうことができる。３は試料である。本実施例では
、前径２インチまでの試料を観察できる。

４５は試料ホルダで、窒化ポロン上にＴａ製ヒータを配
置した試料加熱手段が設けられている。３０は試料移動
機構で、Ｚ軸に対して試料を傾けることができ、傾けた
面内で試料をｘ、ｙ両方向に動かすと共に、Ｚ軸方向の
移動および回転が可能である。試料移動機構３０により
、電子線の入射位置２つを２インチウェハの全面の任意
の点に移動することができる。更に二次電子の他に反射
電子、試料吸収電流を検出する手段を設けてもよい。２
５は、真空排気設備である。後述のように、装置内に何
等かのガスが導入される場合には、ターボ分子ポンプ２
５′を用いて排気する。

もっとも２５′はガスを導入しても超高真空を維持し得
るものであればターボ分子ポンプてなくてもよい。本実
施例では、主排気系２５としてイオンポンプとチタンザ
ブリメーションポンプから構成されるが、略ｌＸｌ０　
　’Ｐａ以下に排気できかつ、真空チャンバ−２８全体
の振動を略０．　１μｍ以下に抑えることができるなら
ば上記構成に限定しない。２７は試料交換予備室で、真
空チャンバー２８を大気に開放することな（試料を交換
するものである。

４１は、試料表面の必要個所に電流を流すための金属針
である。金属針は、Ｗを用いているが、材質はＷ以外で
あっても良い。４２は、金属針を試料上の任意の位置に
配置するためのマニピュレータである。

試料への電流供給は、真空外に配置された電源４６から
４４の電流端子を経て電線４３を通しておこなわれる。

電源は、直流電流、交流電流、パルス電流等を流すこと
ができる。５０は、試料表面に、不活性な膜を形成する
ためのイオン銃である。ガスとしては、Ｎ２　、Ｎ２．
０２の他Ｎ０２、ＮＨ３を用いる。５２は試料表面に不
活性な膜を形成させるために、Ｎ２．０２等のガスを導
入するガス導入口である。

本実施例による観測例を以下に示す。まず基本的な観測
手法を述べる。試料３を装填した後、Ｒ１（Ｅ　Ｅ　Ｄ
銃１からの電子！ｌ！４による反射電子線５による回折
パターンを測定し、回折パターン上の特定の回折斑点か
らの強度により走査ＲＨＥＤ像を観測する。第２図に回
折パターンと回折斑点の例を示す。番号は、第１図と同
一のものを同一番号で示ず。ＩＲＨＥ　Ｅ　Ｄ銃１から
の入射電子線、４は、試料３表面に入射角θで入射する
。入射角θは１゛°乃至３°である。入射電子線４は、
試料表面の結晶性に依存した回折電子線５を生ずる。回
折電子線は、第２図の回折パターン３２に示される黒い
点の位ｆｆ１（Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｍ点等）及び０次、１次ラ
ウェリング」１に強い強度を有する。第１図の蛍光板６
には、第２図の回折パターン３２が可視的に表示される
。回折パターン３２のうちＭ点は、鏡面反射点と呼ばれ
、試料表面で鏡面反射した電子線により生ずる。その他
の回折斑点（Ａ、Ｂ、Ｃ点等）は、試料表面の結晶面の
向きに依存して生ずる。電子線の入射するサジタル面３
１と検出面６との直交する線上に生ずる回折斑点（例え
ば、ＡもしくはＢ）は、試料表面に平行な結晶格子面か
らの回折点である。試第４表面に平行な結晶格子面が異
なれば、回折斑点ＡとＣの距離が変化する。従って、サ
ジタル面３１と検出面６の直交する線上に生ずる回折斑
点の位置から試料表面に平行な結晶面が何であるかを決
定することができる。サジタル面３１と検出面６と直交
する線に平行な線上に生ずる回折斑点（例えばＣ〉は、
サジタル面に平行な格子面からの回折斑点である。従っ
て、試料表面に平行な面の格子面が同一であっても、サ
ジタル面３１に平行な格子面が回転していると、回折斑
点Ｃの強度は変化する。

すなわち回折斑点ΔもしくはＢの走査ＲＩ−（Ｅ　Ｅ　
Ｄ像では、強度の強い部分でも試料面内で格子面が回転
していると、回折斑点Ｃによる走査Ｒ−１−ｒ　Ｅ　Ｅ
Ｄ像では、強度が変化する。第３図を用いて具体］　３ 的に説明する。第３図では、試料３が二つの結晶粒（３
４と３５）からなっている。表面に平行な格子面が（０
０１）面と仮定して説明する。結晶粒３４．３５共に、
試料表面に平行な面は（００１）面である。（００１）
面に直交する（１１０〉面は結晶粒３４ては、サジタル
面に平行であるが、結晶粒３５では、φだけ回転してい
る。入射電子線４が、結晶粒３４の領域に入射する場合
に、第２図の回折パターン３２が生ずる。一方、入射電
子線が、結晶粒３５の領域にに入射する場合結晶粒３５
の試料表面に平行な格子面は（００１）面であるので第
２図の回折パターン３２のＡおよびＢの位置および強度
は変化しないが試料表面に垂直な格子面（１１０）面は
、φだけ回転しているので、回折パターン３２における
０点の回折斑点は、結晶粒３４と異る位置に生ずる。す
なわち、結晶粒３４と結晶粒３５では、回折パターン３
２上の回折斑点ＡやＢの強度は変化ぜす、回折斑点Ｃの
強度が変化する。

試料３全体をφだけ回転させると、結晶粒３５の（１１
０）面がサジタル面と平行となるので、結晶粒３５から
の回折斑点強度は、Δ、Ｂ、Ｃ共に強くなり、一方結晶
３４からの回折斑点強度は、ＡとＢは変らず、Ｃの強度
は弱くなる。従ってφを決定することで、結晶粒３４−
及び３５において、結晶格子が試料面内で何度回転して
いるか決定できる。

以上説明した様に、回折パターン上の複数の回折斑点を
用いた走査ＲＨＥＥＤ像を同時に測定することで試料表
面に平行な面の結晶方位と試料表面に垂直な面の結晶方
位の決定ができる。

本発明による走査型反射高速電子線回折装置を用いた具
体的な試料観測例を説明する。

観測例は、多結晶シリコンの熱処理による結晶粒の成長
過程及び酸素ガス処理による表面改質過程の観察と、Ａ
ｅ配腺の断線に至る過程の観察である。

（多結晶シリコンの観測例） 試料は、酸化シリコンの形成されたシリコン１クエハ上
に化学気相成長法により堆積した多結晶シリコンである
。まず上述した所により、初期の試料表面構造の観測を
行う。

次に、試料３を加熱し走査ＲＨＥＥＤ像が変化する様子
を観測する。走査ＲＨＥＥＤ像の観測は本実施例におい
ては、数秒で完了するため通常分ないし時間オーダで変
化する結晶性の変化を十分観測することができる。

走査ＲＩ（Ｅ　Ｅ　Ｄ像の測定速度は、走査ＲＨＥ　Ｅ
Ｄ像をＣＲＴ１５に表示させるのではなく、高速のメモ
リに記憶させる手段を用いれば、更に早くすることがで
きる。第４図を用いて観察例を説明する。

第４図は、第２図に示される異なる回折斑点を用いた走
査ＲＨＥＥＤ像を加減乗除演算をおこなうことで、異な
る結晶粒を濃淡表示で観測したものを模式的に示したも
のである。第４図ａ、ｂ共に５種類の結晶方位の異なる
結晶粒が観測された。各結晶粒の結晶方位は、各々の結
晶粒部分にＲｉ−Ｉ　Ｅ　Ｅ　Ｄ銃１からの電子線を固
定して、回折パターンを観察し、各々（１，００）、（
１，１０）。

（３１１）及、びアモルファスであることを確認した。

第４図ａは熱処理前の結晶粒分布であり、１μｍ以下の
小さな結晶粒とアモルファス部分を観測することができ
る。次に試料を加熱し、走査ＲＨＥＥＤ像を時々刻々と
測定することにより、小さな結晶粒が拡大してゆく様子
を観測することができた。本測定例では、第４１図に示
される様に９５０℃２時間の熱処理を行うことで結晶粒
は、数μｍまで大きくなった。また、アモルファス部分
が消失し全て結晶化していることがわかった。

以上の測定例では多結晶シリコン薄膜の結晶粒変化を測
定した。

本発明の特徴とする異なる複数の回折斑点を用いた走査
ＲＨＥ　Ｅ　Ｄ像観察機能と加熱機能４１により結晶粒
変化は、多結晶シリコンに限らず、金属や磁性体試料に
おいても測定可能であった。

（Ａｅ配線に電流を流した際の結晶粒変化と断線の観察
） 試料は、酸化シリコンの形成されたシリコンウェハ上の
Ａｅ−８ｉ配線である。

第５図はＡｅ配線の施された試料の例である。

熱酸化膜の形成されたＳｉウェハ上に例えばスパッタ法
などでΔｅ薄膜を形成し、フォトリソグラフィー技術を
用いて、線幅はマ１μｍのΔｅ配線を形成する。電流を
流すために、先端の鋭利な金属針（第１図４１）を接触
させるパッド部分を形成している。試料表面には第５図
の様なパターンが多数形成されるのでＡｅ配線を形成す
る際に位置決めが容易な様にマーカーを設けて、試料を
区別することができる。本実施例による観測例を以下に
示す。

試料３を装填した後、　ＲＨＥＥＤ銃１からの電子線４
による反射電子線５による回折パターンを測定し、回折
パターン」−の特定の回折斑点からの強度により走査Ｒ
ＨＥ　Ｅ　Ｄ像を観測する。

次に電流導入用プローブ４１を観測したいＡｅ配線のパ
ッド部に接触させ電流を流し結晶粒の変化を観測した。

第６図を用いてＡｅ配線の電流を流した際の結晶粒変化
の測定例を説明する。

第６図は、Ａｅ配線部分のみを取出した観測例である。

配線の長さ方向に垂直に結晶粒界面が存在している。各
々の結晶粒は、およぞ４０種類に分類された。回折斑点
パターンからどの結晶粒も（１１１）面を表面としてい
るが、試料表面で回転した結晶粒であることがわかった
。試料を略ｈ１５０℃に加熱し、略々５×１０６Δ／　
Ｃ１１の電流密度の電流を流したところ、第６図すの結
晶粒１が拡大することが観測できた。また、略々］○時
間後に結晶粒２と結晶粒３の界面で断線が生じた。

従来の測定法では、断線個所を断線後に電子顕微鏡で形
状を観測する以外には断線の状態を観測することができ
ない。走査形反射高速電子線回折装置（マイクロＲｌ−
Ｉ　Ｅ　Ｅ、Ｄ　）を用い回折パターンについて上述し
たような解析を行えば、断線後に第６図すの様な結晶粒
の分布を測定できるが、単にそれだけでは電流を流した
際の断線過程を測定することがてきない。電流を流して
いる途中での結晶粒の拡大や、断線個所での結晶粒変化
をその場観測できる所に本発明装置の特徴がある。

く他の測定例） 本発明による走査形反射高速電子線回折装置には、実施
例で詳述した様に表面に不活性膜を形成するためのイオ
ン銃５０及びガス導入機能５２が設けられている。

例えば、金属は空気中に放置すると空気中の水分に反応
して酸化膜が形成される。

空気中で形成される酸化膜は、組成が均一でなくまた、
保護膜として安定ではない場合が多い。

本装置において不活性膜形成機能を用いると、安定な不
活性膜の形成条件を見い出すことができる。

第７図に観察例を示し説明する。

試料を成膜後、大気に触れさせることなく、本装置に装
填する。試料は、Ｓｉウェハ上のＡｅである。試料装填
後、前述の実施例と同様の手順で金属表面の結晶粒の配
向性を測定する。その結果は第７図ａに示すようになっ
ていた。本試料は、４ｆｆｆｊ類の結晶粒から構成され
ていた。結晶粒は、試料表面に平行な結晶面が（１１１
）（１００）（１１０）（３１１）の４種類である。本
測定例ではイオン銃から酸素イオンを照射したところ結
晶粒界の界面からの回折強度か弱（なってゆく様子が観
測され、第７図す、ｃの様に結晶粒界面が不明瞭になっ
ていった。これは、表面に電子線の侵入長より厚い酸化
膜が形成されたためである。

本測定例では、酸化が結晶粒界面から進行すること、及
び酸化が容易に生ずる結晶面が存在することが測定でき
た。イオンを用いなくとも、酸素カスを導入すると同様
の酸化が進行することがわかった。

（発明の効果） 本発明による走査形反射電子線回折装置を用いれば、結
晶性を有する試料の加熱或は電流に流した際の結晶粒界
の変化の途中経過を観測することができる。従来の観察
法では、加熱等の処理の前後の情報しか得られなかった
。本装置では、例えばどの結晶粒界が加熱処理すること
によりサイズが大きくなるのか、粒界界面の移動がある
かを観測することができる。

また試料表面上の金属等に電流を流せる機能により例え
ば半導体集積回路において形成されるＡｅ配線金属がど
の様な個所で、更に、どの様な結晶性を有する個所で断
線しゃずいがを測定することができる。また、試料を加
熱した上で、電流を流すと室温では、］、　ＯＯＯ乃至
１．　ＯＯＯＯ時間要する断線までの時間を略々１乃至
１０時間に短縮できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例装置の縦断側面図、第２図は
単結晶の電子線回折パターンの図、第３図は本発明装置
による結晶の方位の変化検出法の説明図、第４図ａ、ｂ
は本発明の上記実施例により得られるＳｉ試料の試料面
結晶の加熱による変化を示す表示画像、第５図は他の試
料の斜視図、第６図は同試料の通電による変化の模型図
、第７図は更に他の試料の表面膜形成過程の変化を示す
表示画像である。 １・・・反射電子線回折電子銃（Ｒｌ−Ｉ　Ｅ　Ｅ　Ｄ
銃）、３・・・試料、４・・・ＲＨＥ　Ｅ　Ｄ銃からの
電子線、５・・反射電子線回折線、６・・・反射電子線
回折斑点観測用蛍光板（検出面）、７・・・光ファイバ
ー１．８・・・光ファイバー２．９・・・光ファイバー
３．１０・・・光電子増倍管１．１１・・・光電子増倍
管２．１２・・・光電子増倍管３．１３・・・演算回路
、１４・・・反射電子線回折斑点強度から得られた電気
信号、１５・・・ＣＲＴＩ、１６・・・ＲＨＥ　Ｅ　Ｄ
銃からの電子線を走査するための走査信号、１７・・・
ＳＥＭ銃からの電子線、１８・・・入射電子線により試
料表面から発生した二次電子、１つ・・・二次電子検出
器、２０・・・二次電子信号、２１・・・ＣＲＴ２．２
２・・・ＲＩ−Ｉ　ＥＥ　Ｄ銃からの電子線を走査する
ための走査信号、２４・・・試料観察用窓、２５・・・
真空排気設備、２６・・・ゲートバルブ、２７・・・試
料装填予備室、２８・・・真空チャンバー、２９・・・
電子線入射点、３０・・・試料移動機構、４１・・・電
流導入用プローブ、４２・・・プローブ用マニピレータ
、４−５・・・試料ホルダ（ヒータつき）、４６・・・
電源、５０・・・表面不活１に膜形成用イオン銃、５２
・・・ガス導入［コ。 口 ０面目囚 ＝２９８ 第６図 （ｃｔ）呂り流を〃た■ 第７図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 微小立体角で試料面上に微小径に収束せしめられる電子
   線束で、試料面に平行に近い入射角で試料面を照射する
   手段と、上記電子線束を試料面上で走査させる手段と、
   試料に入射した上記電子線の回折パターンについて解析
   演算を行う手段と、試料に通電する手段、試料加熱手段
   、試料表面にガスを供給する手段等の試料処理手段を有
   する反射電子線回折装置。