JPH02213172A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
- Publication number
- JPH02213172A JPH02213172A JP1032798A JP3279889A JPH02213172A JP H02213172 A JPH02213172 A JP H02213172A JP 1032798 A JP1032798 A JP 1032798A JP 3279889 A JP3279889 A JP 3279889A JP H02213172 A JPH02213172 A JP H02213172A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- layer
- organic substance
- electrode
- conversion efficiency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 35
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 21
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 abstract description 13
- MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N methylazanide Chemical compound [NH-]C MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- YTDHEFNWWHSXSU-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetrachloroaniline Chemical compound NC1=C(Cl)C(Cl)=CC(Cl)=C1Cl YTDHEFNWWHSXSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 15
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 6
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 6
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M crystal violet Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1[C+](C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- -1 etc.) Chemical compound 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229940107698 malachite green Drugs 0.000 description 2
- FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M malachite green Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=CC(=[N+](C)C)C=C1 FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100264195 Caenorhabditis elegans app-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTWQZJLUUZHJGS-UHFFFAOYSA-N Vat Yellow 4 Chemical compound C12=CC=CC=C2C(=O)C2=CC=C3C4=CC=CC=C4C(=O)C4=C3C2=C1C=C4 ZTWQZJLUUZHJGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192419 itoside Natural products 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical group [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- JOUDBUYBGJYFFP-FOCLMDBBSA-N thioindigo Chemical compound S\1C2=CC=CC=C2C(=O)C/1=C1/C(=O)C2=CC=CC=C2S1 JOUDBUYBGJYFFP-FOCLMDBBSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001052 yellow pigment Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光電変換素子、特に、有機物質を用いた充電変
換素子に関する。
換素子に関する。
【従来の技術］
有機物を用いた太陽電池（光起電力素子）は多く研究さ
れている。それは単結晶、多結晶、アモルファスのシリ
コン素子では達成が困難とされている安価で毒性のない
太陽電池を開発するためである。
れている。それは単結晶、多結晶、アモルファスのシリ
コン素子では達成が困難とされている安価で毒性のない
太陽電池を開発するためである。
太陽電池は光照射により電気エネルギーを取り出す素子
であり、従って変換効率がその評価対象となるが、それ
には内部電界の生成が必要である。
であり、従って変換効率がその評価対象となるが、それ
には内部電界の生成が必要である。
ところで、有機物を用いた太陽電池は無機のものより変
換効率が低い。この要因として最大のものは短絡光電流
（Ｊ Ｓｃ）の低さがある。
換効率が低い。この要因として最大のものは短絡光電流
（Ｊ Ｓｃ）の低さがある。
変換効率５％の素子では７５＊Ｗ／ｃｓ ２の白色光照
射に対し少なくとも ｌＯ厘Ａ／ａｍ ２のＪ ｓｃが
必要である。後述する様に、有機物を用いた太陽電池の
報告例は、それよりもＪｓｅははるかに低い。
射に対し少なくとも ｌＯ厘Ａ／ａｍ ２のＪ ｓｃが
必要である。後述する様に、有機物を用いた太陽電池の
報告例は、それよりもＪｓｅははるかに低い。
またｆｆが大きくなくてはならない。ｒ「の低さの原因
の１つは有機物の示す量子効率が低電界で急激に低下す
ることにあると言われている。従って、この様な低下を
きたさない様な強い内部電界が生成する構成が好ましい
。更に生成電荷が電気的な障壁なしにスムーズに電極に
到達できる素子構成はｒｒを大きくする。
の１つは有機物の示す量子効率が低電界で急激に低下す
ることにあると言われている。従って、この様な低下を
きたさない様な強い内部電界が生成する構成が好ましい
。更に生成電荷が電気的な障壁なしにスムーズに電極に
到達できる素子構成はｒｒを大きくする。
いずれにしてもＪ ｓｃの低さが変換効率の低さの最大
要因である。それは量子効率の低さと、分光感度の限界
による（白色光であるため４００１１１からなるべく長
波長まで分光感度域が広がっていることが望ましい）。
要因である。それは量子効率の低さと、分光感度の限界
による（白色光であるため４００１１１からなるべく長
波長まで分光感度域が広がっていることが望ましい）。
従来研究されている素子は、その生成の方法により、次
のように分類され、その変換効率の最良のものは以下の
通りである。
のように分類され、その変換効率の最良のものは以下の
通りである。
１、シッヴトキー接合または、ＭＩＳ接合を利用したも
の、 金属／半導体接合で生じる内部電界を利用したものであ
る。半導体（有機物）として、メロシアニン染料、フタ
ロシアニン顔料等が報告されている。ＡＩ／メロシアニ
ン／Ａｇ素子に対する７８■ｗｌＣ１２の白色光照射で
変換効率０．７％であったｏ ［Ｖｏｅ＝１．２ Ｖ
％ Ｊｓｃ＝ １．８＊Ａ／ｃｍ’ 、ｒｒ −０，２
５、Ａ、に、ＧｈｏｓｈらＪ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、４
９．５９８２（１９７ｇ）］この型の素子に用いられる
有機半導体で変換効率が高いものはＰ型に限定されてい
る。
の、 金属／半導体接合で生じる内部電界を利用したものであ
る。半導体（有機物）として、メロシアニン染料、フタ
ロシアニン顔料等が報告されている。ＡＩ／メロシアニ
ン／Ａｇ素子に対する７８■ｗｌＣ１２の白色光照射で
変換効率０．７％であったｏ ［Ｖｏｅ＝１．２ Ｖ
％ Ｊｓｃ＝ １．８＊Ａ／ｃｍ’ 、ｒｒ −０，２
５、Ａ、に、ＧｈｏｓｈらＪ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、４
９．５９８２（１９７ｇ）］この型の素子に用いられる
有機半導体で変換効率が高いものはＰ型に限定されてい
る。
従って金属もＡ１．Ｉｎ、Ｍｇ等の仕事関数が低いもの
が使用される。これらは容易に酸化され、ＭＩＳＷにな
ると言われている。
が使用される。これらは容易に酸化され、ＭＩＳＷにな
ると言われている。
この型の素子は、そのＶｏｃは大きくとれるが、電極と
してＡＩＳ Ｉｎ、Ｍｇ等の仕事関数の小さなものが使
用されるため、電極の光透過率の低さや酸化による不安
定さが問題となる。実際、光透過率は通常１０％前後、
よくても３０％程度が現実的な値である。従って、この
素子形態では高い変換効率は望めない。
してＡＩＳ Ｉｎ、Ｍｇ等の仕事関数の小さなものが使
用されるため、電極の光透過率の低さや酸化による不安
定さが問題となる。実際、光透過率は通常１０％前後、
よくても３０％程度が現実的な値である。従って、この
素子形態では高い変換効率は望めない。
２、無機ｎ型半導体／育機ｐ型半導体を利用したヘテロ
Ｐ ／ ｎ接合を有するもの、ｎ型／Ｐ型半導体を接合
した時に生じる電界を利用したもの、 ｎ型材料としてＣｄＳ、ＺｎＯ等が用いられる。Ｐ型有
機材料としてメロシアニン染料、フタロシアニン（Ｐｃ
）顔料等が報告されている。
Ｐ ／ ｎ接合を有するもの、ｎ型／Ｐ型半導体を接合
した時に生じる電界を利用したもの、 ｎ型材料としてＣｄＳ、ＺｎＯ等が用いられる。Ｐ型有
機材料としてメロシアニン染料、フタロシアニン（Ｐｃ
）顔料等が報告されている。
ＩＴＯ／１４着ＣｄＳ／ＣｌＡｌＣｌＰｃ／Ａｕｊｍ子
に対する７５ｍＶ／ｅｓ ’のＡＭ−２光照射で変換効
率０．２２％［Ｖ ｏｃ −０，８９Ｖ ＳＪ ｓｃ
−０，８９露＾／ｃｍ’ ｒｒ−０，２９、＾、Ｉ
ｆｏｒ 等Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ。
に対する７５ｍＶ／ｅｓ ’のＡＭ−２光照射で変換効
率０．２２％［Ｖ ｏｃ −０，８９Ｖ ＳＪ ｓｃ
−０，８９露＾／ｃｍ’ ｒｒ−０，２９、＾、Ｉ
ｆｏｒ 等Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ。
Ｌｅｔｔ、 ４２．１５（１９８３）］、ＩＴＯ／Ｚｎ
Ｏ／メロシアニン／Ａ ｇＪｔ子に対する７０ｍＶ／ｃ
ｍ’の白色光照射で変換効率的０．５％［ＶｏｅｍＯ，
４Ｖ％ Ｊ ５ｃ−１，１＊Ａ／ｃｍ２ｆｒ −０，３
〜０．４に、Ｋｕｄｏ等Ｊｏｎ、 Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈ
ｙｓ。
Ｏ／メロシアニン／Ａ ｇＪｔ子に対する７０ｍＶ／ｃ
ｍ’の白色光照射で変換効率的０．５％［ＶｏｅｍＯ，
４Ｖ％ Ｊ ５ｃ−１，１＊Ａ／ｃｍ２ｆｒ −０，３
〜０．４に、Ｋｕｄｏ等Ｊｏｎ、 Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈ
ｙｓ。
１９、ＬａＢ５（１９８０）］であった。
この型の素子の電荷生成は主として有機層でなされるた
め、分光感度の制限を受ける。
め、分光感度の制限を受ける。
その理由は、通常有機層は単一のものから作られ、しか
も４００ｎ−から例えば８σ０°ｎ１まで強い光吸収を
もつ有機半導体は現在存在しないためである。
も４００ｎ−から例えば８σ０°ｎ１まで強い光吸収を
もつ有機半導体は現在存在しないためである。
従って、この素子構成は上部電極の光透過性や電極の安
定性の問題は解消できるが、分光感度領域が制限され、
高い変換効率が望めない。
定性の問題は解消できるが、分光感度領域が制限され、
高い変換効率が望めない。
３、有機／有機へテロ接合を利用したもの、ｎ型あるい
は電子吸引性の大きな有機物とｐ型のを根切を接合した
時に生じる電界を利用したものである。
は電子吸引性の大きな有機物とｐ型のを根切を接合した
時に生じる電界を利用したものである。
前者の有機物としてマラカイトグリーン、メチルバイオ
レット、ビリリウム等の染料、フラバンスロン、ペリレ
ン顔料等の縮合多環化合物が報告されており、後者の例
としてフタロシアニン顔料、メロシアニン染料等が報告
されている。
レット、ビリリウム等の染料、フラバンスロン、ペリレ
ン顔料等の縮合多環化合物が報告されており、後者の例
としてフタロシアニン顔料、メロシアニン染料等が報告
されている。
ＩＴＯ／ＣｕＰｃ／ペリレン顔′ｆ４／Ａｇ！子に対す
るｙ５ｓｗ／ｃ■２の＾ト２光照射で変換効率０．９５
％（Ｖ ｏｃ −０，４５Ｖ ％Ｊ ｓｃ−２ＪｍＡ／
ａｍ ’ｒｒ−０，８５、Ｃ，Ｔａｎｇ、 Ａｐｐ！、
Ｐｈｙｓ、Ｉ、ｅｔｔ、 ４８，１８３（１９８６）］
が報告されている。
るｙ５ｓｗ／ｃ■２の＾ト２光照射で変換効率０．９５
％（Ｖ ｏｃ −０，４５Ｖ ％Ｊ ｓｃ−２ＪｍＡ／
ａｍ ’ｒｒ−０，８５、Ｃ，Ｔａｎｇ、 Ａｐｐ！、
Ｐｈｙｓ、Ｉ、ｅｔｔ、 ４８，１８３（１９８６）］
が報告されている。
この値は有機物を用いた太陽電池で最高のものである。
また、同じ発明者による特公昭８２−４８７１号には上
記の素子構成で、別種のペリレン系顔料に対して変換動
ｉ１％（Ｖｏｃ−０゜４４Ｖ ｓ Ｊ ｓｃ＝ ３．
０ｍＡ／ｃｍ’ ｓ Ｈ−０，８＞が報告されている。
記の素子構成で、別種のペリレン系顔料に対して変換動
ｉ１％（Ｖｏｃ−０゜４４Ｖ ｓ Ｊ ｓｃ＝ ３．
０ｍＡ／ｃｍ’ ｓ Ｈ−０，８＞が報告されている。
この型の素子は上記２種のものとくらべ最も望ましいも
のである。透明電極から光照射が行え、また、２ＰＩ！
の材料で光電荷生成が可能であるため、分光感度を広げ
ることができる。実際、Ｔａｎｇによる報告（Ａｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ、ＬｅｔＬ）の分光感度から４５０〜５５０
ｎｍではペリレン系顔料、５５０〜７０ＱｎｓではＣｕ
Ｐｃで電荷が生成していることがうかがえる。また「ｒ
が他の素子構成とくらべ大きいことは生成している内部
電界が大きいことが推定される。しかし、Ｔａｎｇ氏の
技術は次の欠点を有している。
のである。透明電極から光照射が行え、また、２ＰＩ！
の材料で光電荷生成が可能であるため、分光感度を広げ
ることができる。実際、Ｔａｎｇによる報告（Ａｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ、ＬｅｔＬ）の分光感度から４５０〜５５０
ｎｍではペリレン系顔料、５５０〜７０ＱｎｓではＣｕ
Ｐｃで電荷が生成していることがうかがえる。また「ｒ
が他の素子構成とくらべ大きいことは生成している内部
電界が大きいことが推定される。しかし、Ｔａｎｇ氏の
技術は次の欠点を有している。
第１は有機物層の厚さが薄いため（３００〜５００人が
望ましいことが特に記載されている）、ピンホールの確
率が高いことである。我々の実験ではピンホールによる
と思われる２つの電極間の短絡が比較的高い確率で認め
られる。Ｔａｎｇ氏の論文の電極面積は０．ｔｃｓ’と
なっており、実使用の而ｆａ（ｌｃ■）以上が必要）と
なれば歩留まりの向上が大問題となるであろう。
望ましいことが特に記載されている）、ピンホールの確
率が高いことである。我々の実験ではピンホールによる
と思われる２つの電極間の短絡が比較的高い確率で認め
られる。Ｔａｎｇ氏の論文の電極面積は０．ｔｃｓ’と
なっており、実使用の而ｆａ（ｌｃ■）以上が必要）と
なれば歩留まりの向上が大問題となるであろう。
第２は電極材料の問題である。彼の発明では電極は各々
の６機物層とオーミック接触する必要がある。上；己論
文には素子構成をＩＴＯ／ペリレン顔料層／ Ｃｕ Ｐ
ｃ ／ Ａ ｇにするとＶＯＣが低下すると書かれて
いる。これはＩＴＯ／ペリレン顔料層及びＣｕ Ｐ ｃ
／ Ａ ｇの二つの界面でオーミック接触がそこなわ
れたためと推定される。オーミック接触を達成する場合
、特に電子受容性の有機物と接触する金属の安定性が問
題となる。この要求を満足する金属は仕事関数が低い必
要があり、実際、特許公報中にはＩｎ。
の６機物層とオーミック接触する必要がある。上；己論
文には素子構成をＩＴＯ／ペリレン顔料層／ Ｃｕ Ｐ
ｃ ／ Ａ ｇにするとＶＯＣが低下すると書かれて
いる。これはＩＴＯ／ペリレン顔料層及びＣｕ Ｐ ｃ
／ Ａ ｇの二つの界面でオーミック接触がそこなわ
れたためと推定される。オーミック接触を達成する場合
、特に電子受容性の有機物と接触する金属の安定性が問
題となる。この要求を満足する金属は仕事関数が低い必
要があり、実際、特許公報中にはＩｎ。
Ａｇ、Ｓｎ、ＡＩが例示されている。これは全て酸化さ
れ易いものである。
れ易いものである。
［発明が解決しようとする課ｊＡ］
本発明は、透明性の高い電極を入射電極として使用でき
、有機物としては高いＪｓｃｓｒｒを有し、電極間の短
絡の可能性が小さく、かつ、安定性の高い電極材料を使
用できるような、６機物を用いた素子構成によって、従
来の技術の上記問題を解決しようとするものである。
、有機物としては高いＪｓｃｓｒｒを有し、電極間の短
絡の可能性が小さく、かつ、安定性の高い電極材料を使
用できるような、６機物を用いた素子構成によって、従
来の技術の上記問題を解決しようとするものである。
１課局を解決するための手段］
上記課題を解決するための本発明の構成は、少なくとも
一方が透光性である二つの電極の間に、透光性である電
極の側から順に無機半導体層、電子受容性有機物層、電
子供与性有機物層が積層されている光電変換素子である
。
一方が透光性である二つの電極の間に、透光性である電
極の側から順に無機半導体層、電子受容性有機物層、電
子供与性有機物層が積層されている光電変換素子である
。
上記構成を図面を参照して具体的に説明すると、透明性
絶縁支持体ｌの片面に順次、透明電極２、透光性ｎ型無
機半導体層３、電子受容性有機物層４、電子供与性有機
物層５、下部電極６を有し、この下部電極６と上記透明
電極２とにそれぞれリード線７を接続したものである。
絶縁支持体ｌの片面に順次、透明電極２、透光性ｎ型無
機半導体層３、電子受容性有機物層４、電子供与性有機
物層５、下部電極６を有し、この下部電極６と上記透明
電極２とにそれぞれリード線７を接続したものである。
上記支持体ｌは下部電極側にあってもよく、また、電子
受容性層４と電子供与性層５の順序が図面のものと反対
の場合は、ｎ型無機半導体層は透光性でなくてもよく、
下部電極６の側に設ける。しかし、好ましいのは図面に
示した構成のものである。
受容性層４と電子供与性層５の順序が図面のものと反対
の場合は、ｎ型無機半導体層は透光性でなくてもよく、
下部電極６の側に設ける。しかし、好ましいのは図面に
示した構成のものである。
上記構成によって、有機物を用いた光電変換素子として
は高い変換効率のものが得られる。
は高い変換効率のものが得られる。
ｎ型無機半導体が存在すると変換効率の向上、（Ｖｏｃ
の向上、Ｊｓｃの向上、ｆｒの向上が達成できる）短絡
の低減ができる。また、下部電極として安定性の高い仕
事関数の大きな金属が使用できるので電極酸化の問題が
なくなる。
の向上、Ｊｓｃの向上、ｆｒの向上が達成できる）短絡
の低減ができる。また、下部電極として安定性の高い仕
事関数の大きな金属が使用できるので電極酸化の問題が
なくなる。
上記ｎ型無機半導体が存在すると変換効率が向上し、短
絡が低減する理由は正確には解明できないが、下記の理
由が考えられる。
絡が低減する理由は正確には解明できないが、下記の理
由が考えられる。
（変換効率向上の要因）
（１）ｎ型無機半導体層と電子受容性６機物層の界面に
、光照射の際に、生成した正電荷が有機物層へ移動し、
電子が無機物質層へ移動するような接合が形成され、こ
の界面でも光電荷が生成する。
、光照射の際に、生成した正電荷が有機物層へ移動し、
電子が無機物質層へ移動するような接合が形成され、こ
の界面でも光電荷が生成する。
（２）一つの電極、それに接しているｎ型無機半導体層
、電子受容性有機物層がオーミック接触し、電子受容性
有機物層と電子供与性有機物層との界面で生じた光電荷
のうちの電子が障壁なしに移動できる。
、電子受容性有機物層がオーミック接触し、電子受容性
有機物層と電子供与性有機物層との界面で生じた光電荷
のうちの電子が障壁なしに移動できる。
（３）ｎ型無機半導体から電子受容層へ暗時に電子が供
給され、電子受容性有機物層と電子供与性有機物層との
界面の電界が強くなる。
給され、電子受容性有機物層と電子供与性有機物層との
界面の電界が強くなる。
（短絡の低減）
（１）上部電極のエツジ部の段差（ＩＴＯを用いると普
ａ １０００五以上ある）がｎ型無機半導体層で低減ま
たは緩やかになる。
ａ １０００五以上ある）がｎ型無機半導体層で低減ま
たは緩やかになる。
（２）有機物層にピンホールが生じても、電極に比較し
て抵抗が大きいｎ型無機半導体層が介在するため、短絡
が生じない。
て抵抗が大きいｎ型無機半導体層が介在するため、短絡
が生じない。
以下、本発明の光電変換素子を構成する各層について説
明する。
明する。
（１）透明絶縁支持体
材料はガラス、合成樹脂フィルム等が適当であるが、耐
熱性は１５０℃程度が必要である。
熱性は１５０℃程度が必要である。
（２）透明電極
酸化スズインジウムＣＩＴＯ）、酸化スズ、酸化インジ
ウム等が用いられるが、透明性、導電性等の性質が必要
であり、ＩＴＯ。
ウム等が用いられるが、透明性、導電性等の性質が必要
であり、ＩＴＯ。
酸化スズが好ましい。電極層の厚さは １００〜１０．
０００人が適当である。
０００人が適当である。
（３）ｎ型無機半導体層
酸化亜鉛、３価の金属がドープされた酸化亜鉛、硫化カ
ドミウム、酸化チタン、リンをドープしたアモルファス
シリコン等が用いられるが、酸化亜鉛、硫化カドミウム
が好ましい。適当な層の厚さは１０〜１０．０００人で
ある。
ドミウム、酸化チタン、リンをドープしたアモルファス
シリコン等が用いられるが、酸化亜鉛、硫化カドミウム
が好ましい。適当な層の厚さは１０〜１０．０００人で
ある。
（４）電子受容性有機物層
ペリレン系顔料（Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ （以下Ｐ
Ｒと記す） １７９ 、ＰＲｌ９０ 、ＰＲｌ４．９
、ＰＲｌ８９ 、 Ｐ Ｒ１３、Ｐｉｇｓｅｎｔ
１ｌｒｏｖｎ２Ｂ 等） 、ペリノン系顔料（Ｐｔ
ｇｓ＋ｅｎｔ Ｏｒａｎｇｅ ４３． Ｐ Ｒ１，９４
等）、 アントラキノン系顔料（ＰＲｌ、（ｉ８、ＰＲｌ７７
、ｖａｔ Ｙｅｌｌｏｗ ４等）、フラバンスロン等の
含キノン黄色顔料 クリスタルバイオレット、メチルバイオレット、マラカ
イトグリーン等の染料、 これらは蒸着、スピンコード、ディッピングにて成膜さ
れる。薄膜化、均一化には蒸着が好ましい。膜厚は１０
０〜３０００ Ｘが適当であるが、水層が電子供与性層
より光照射側にある場合は １（１０〜１ｏｏｏスが好
ましい。
Ｒと記す） １７９ 、ＰＲｌ９０ 、ＰＲｌ４．９
、ＰＲｌ８９ 、 Ｐ Ｒ１３、Ｐｉｇｓｅｎｔ
１ｌｒｏｖｎ２Ｂ 等） 、ペリノン系顔料（Ｐｔ
ｇｓ＋ｅｎｔ Ｏｒａｎｇｅ ４３． Ｐ Ｒ１，９４
等）、 アントラキノン系顔料（ＰＲｌ、（ｉ８、ＰＲｌ７７
、ｖａｔ Ｙｅｌｌｏｗ ４等）、フラバンスロン等の
含キノン黄色顔料 クリスタルバイオレット、メチルバイオレット、マラカ
イトグリーン等の染料、 これらは蒸着、スピンコード、ディッピングにて成膜さ
れる。薄膜化、均一化には蒸着が好ましい。膜厚は１０
０〜３０００ Ｘが適当であるが、水層が電子供与性層
より光照射側にある場合は １（１０〜１ｏｏｏスが好
ましい。
（５）電子供与性有機物層
フタロシアニン顔料（中心金属がＣｕ。
Ｚ ｎ ｓ Ｃｏ ｓ Ｎ ｉ ｓ Ｐ ｂ −、Ｐ
ｔ ｓ Ｆ ｅ ｓ Ｍ ｇ ｓＡＩ、Ｔｉ等あるいは
中心金属がないもの）、インジゴ系またはチオインジゴ
系顔料 （Ｐｌｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ ６６、Ｐｌｇｍｅｎｔ
Ｖｉｏｌｅｔ ３８等）、キナクリドン系顔料（Ｐｉｇ
ｍｅｎｔ Ｖｆｏｌｅｔ １９、Ｐｌｇｓｓｎｔ Ｒｅ
ｄ ２２２等）、メロシアニン染料 これらは蒸着、スピンコード、デイ１ピングにて製膜さ
れる。薄膜化、均一化には蒸着が好ましい。！！厚は
１００〜３０００スが適当であるが、水層が電子受容性
層より光照射側にある場合は１００〜１０００人が好ま
しい。
ｔ ｓ Ｆ ｅ ｓ Ｍ ｇ ｓＡＩ、Ｔｉ等あるいは
中心金属がないもの）、インジゴ系またはチオインジゴ
系顔料 （Ｐｌｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ ６６、Ｐｌｇｍｅｎｔ
Ｖｉｏｌｅｔ ３８等）、キナクリドン系顔料（Ｐｉｇ
ｍｅｎｔ Ｖｆｏｌｅｔ １９、Ｐｌｇｓｓｎｔ Ｒｅ
ｄ ２２２等）、メロシアニン染料 これらは蒸着、スピンコード、デイ１ピングにて製膜さ
れる。薄膜化、均一化には蒸着が好ましい。！！厚は
１００〜３０００スが適当であるが、水層が電子受容性
層より光照射側にある場合は１００〜１０００人が好ま
しい。
（６）下部電極
Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｒ等の仕事関数の高
い金属。特にＡｕは安定で好ましい。膜厚は５０〜３０
００人が好ましい。
い金属。特にＡｕは安定で好ましい。膜厚は５０〜３０
００人が好ましい。
〔実施例］
以下実施例および比較例によって、本発明を具体的に説
明する。
明する。
実施例１
よく洗浄したＩＴＯガラス（松崎真空製、ＩＴＯ厚さ約
９００Ｘ）上に基板温度約３００人でＤＣマグネトロン
スパッタにて、導入ガスとしてアルゴンを用い、酸化亜
鉛を約２８００ Ａの厚さで設けた。
９００Ｘ）上に基板温度約３００人でＤＣマグネトロン
スパッタにて、導入ガスとしてアルゴンを用い、酸化亜
鉛を約２８００ Ａの厚さで設けた。
更にその上に真空蒸着で室温基板上に電子受容性物質で
あるペリレンテトラカルボン酸メチルイミドを約５００
人の厚さに蒸着し、次いでアルミニウムフタロシアニン
クロライド（ＡＩＣＩＰｃ）を約４００人の厚さで設け
た。
あるペリレンテトラカルボン酸メチルイミドを約５００
人の厚さに蒸着し、次いでアルミニウムフタロシアニン
クロライド（ＡＩＣＩＰｃ）を約４００人の厚さで設け
た。
更にその上に金を蒸着した。ＩＴＯと金がなす面積は０
．２５ｃ＊’とした。
．２５ｃ＊’とした。
２つの電極に銀ペーストにてリード線を取り付けた。
この素子のＩＴＯ側から強度７５ｓＶ／ｃｓ ’の疑似
太陽光（ＡＭ−１，５）を照射し、（ｆｓＶ／Ｓで掃引
される電圧を印加して変換効率を３−１定したところ、
Ｖｏｃ＝０．４７Ｖ ％ Ｎ−０，４５、Ｊｓｃ−２，
５８ｍ＾八１２へなり０．７４％の変換効率が得られた
。
太陽光（ＡＭ−１，５）を照射し、（ｆｓＶ／Ｓで掃引
される電圧を印加して変換効率を３−１定したところ、
Ｖｏｃ＝０．４７Ｖ ％ Ｎ−０，４５、Ｊｓｃ−２，
５８ｍ＾八１２へなり０．７４％の変換効率が得られた
。
比較例１
酸化亜鉛を設けないこと以外は実施例１と同様に素子を
作製し、変換効率をお１定したところＶ ｏｃ＝ ０．
２ｆｌＶ 、 ｒｒ−０ｙ３３、 Ｊ ｓｃ−２，
Ｏ＊Ａ／ｃｍ’ となり０．２３％の変換効率であっ
た。尚、本例でのＶＯＣのばらつきは大きく 、０．２
［ｉＶ以下のものが大半であった。
作製し、変換効率をお１定したところＶ ｏｃ＝ ０．
２ｆｌＶ 、 ｒｒ−０ｙ３３、 Ｊ ｓｃ−２，
Ｏ＊Ａ／ｃｍ’ となり０．２３％の変換効率であっ
た。尚、本例でのＶＯＣのばらつきは大きく 、０．２
［ｉＶ以下のものが大半であった。
実施例２
実施例１のａｌｌ供与性物質をチタニルフタロシアニン
（ＴｉＯＰｃ）に代え、ペリレンテトラカルボン酸メチ
ルイミド層の膜厚を８００人、ＴｉｏＰｃ層の膜厚を３
００人に変えた以外は実施Ｈ１と同様に素子を作製し、
変換効率を測定した。その結果Ｖｏｃ−０，５Ｖ、ｒｒ
−０，４Ｂ、Ｊ ｓｃ＝ １．８ｇ＋Ａ／Ｃｓ’となり
０．５％の変換効率が得られた。
（ＴｉＯＰｃ）に代え、ペリレンテトラカルボン酸メチ
ルイミド層の膜厚を８００人、ＴｉｏＰｃ層の膜厚を３
００人に変えた以外は実施Ｈ１と同様に素子を作製し、
変換効率を測定した。その結果Ｖｏｃ−０，５Ｖ、ｒｒ
−０，４Ｂ、Ｊ ｓｃ＝ １．８ｇ＋Ａ／Ｃｓ’となり
０．５％の変換効率が得られた。
比較例２
酸化亜鉛層を設けないこと以外は実施例２と同様に素子
を作製し、変換効率を測定したところＶ ｏｃ＝ ０．
４４Ｖ ５ｒｒ−０，３９、Ｊｓｃ−０，９９擺＾／ｃ
ｓ ’となり０．２２％の変換効率であった。
を作製し、変換効率を測定したところＶ ｏｃ＝ ０．
４４Ｖ ５ｒｒ−０，３９、Ｊｓｃ−０，９９擺＾／ｃ
ｓ ’となり０．２２％の変換効率であった。
実施例３．４
実施例１の酸化亜鉛層を５００人と８０００五のものに
変えた以外は実施例１と同様に素子を作製し、変換効率
を測定した。
変えた以外は実施例１と同様に素子を作製し、変換効率
を測定した。
ソノ結果、それぞれＶ ｏｃ−０，４７Ｖ 、 ｒｒ
−０，４５、Ｊ ｓｃ＝ ２．４Ｂ−＾１Ｃ−２、変換
効率０．６９％、ＶＯＣ−０，４８、ｒｒ−０，４８、
Ｊ ｓｅ−２，５５＊Ａ／ａｍ’ 、変換効率０．７％
であった。
−０，４５、Ｊ ｓｃ＝ ２．４Ｂ−＾１Ｃ−２、変換
効率０．６９％、ＶＯＣ−０，４８、ｒｒ−０，４８、
Ｊ ｓｅ−２，５５＊Ａ／ａｍ’ 、変換効率０．７％
であった。
実施例５．６
実施例１の酸化亜鉛の作製条件として、導入ガスを等量
のアルゴンと酸素の混合ガスに変え、その膜厚を１００
０人と ６００五に変えた以外は実施Ｆ１′４１と同様
に素子を作製し、変換効率をハ１定した。
のアルゴンと酸素の混合ガスに変え、その膜厚を１００
０人と ６００五に変えた以外は実施Ｆ１′４１と同様
に素子を作製し、変換効率をハ１定した。
ソノ結果、それぞれＶ ｏｃ −０，４７Ｖ 、 ｒｒ
−０，４５、Ｊ ｓｃ−２，２ｍｋ１ｃｍ２、変換効率
０．６２％とＶＯＣ−０，４７Ｖ、 ｆＴ−０，４３、
Ｊ ｓｃ−１，９ａＡ／ｃｍ’ 、変換効率０．５１％
が得られた。
−０，４５、Ｊ ｓｃ−２，２ｍｋ１ｃｍ２、変換効率
０．６２％とＶＯＣ−０，４７Ｖ、 ｆＴ−０，４３、
Ｊ ｓｃ−１，９ａＡ／ｃｍ’ 、変換効率０．５１％
が得られた。
実施例７
実施例１の酸化亜鉛を、アルミニウムを２％ドープした
酸化亜鉛に変えた以外は実施例１と同様にして素子を作
製し、変換効率を測定した。
酸化亜鉛に変えた以外は実施例１と同様にして素子を作
製し、変換効率を測定した。
ソ（７）結果Ｖｏｃ−０，４ＴＶ、 ｆｒ−０，４１Ｓ
Ｊ ５ｃ−２，７ｓＡ／ｃｓ’ 、変換効率０．７％が
得られた。
Ｊ ５ｃ−２，７ｓＡ／ｃｓ’ 、変換効率０．７％が
得られた。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の光電変換素子は、電子受
容性物質及び電子供与性物質として有機物質を用いたに
もかかわらず高い変換効率のものを得ることができる。
容性物質及び電子供与性物質として有機物質を用いたに
もかかわらず高い変換効率のものを得ることができる。
図面は本発明の充電変換素子の構成の一例を示す断面の
模式図である。 １・・・透明絶縁支持体、 ２・・・透明電極（光入射側）、 ３・・・透光性ｎ！２無機半導体層、 ４・・・電子受容性ａ根切層、 ５・・・電子供与性有機物層、６・・・下部電極、７・
・・リード線。 −４４：
模式図である。 １・・・透明絶縁支持体、 ２・・・透明電極（光入射側）、 ３・・・透光性ｎ！２無機半導体層、 ４・・・電子受容性ａ根切層、 ５・・・電子供与性有機物層、６・・・下部電極、７・
・・リード線。 −４４：
Claims (1)
- 少なくとも一方が透光性である二つの電極の間に、透光
性である電極の側から順に無機半導体層、電子受容性有
機物層、電子供与性有機物層が積層されていることを特
徴とする光電変換素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1032798A JPH02213172A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 光電変換素子 |
| US07/477,484 US5006915A (en) | 1989-02-14 | 1990-02-09 | Electric device and photoelectric conversion device comprising the same |
| US07/605,489 US5126802A (en) | 1989-02-14 | 1990-12-26 | Electric device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1032798A JPH02213172A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02213172A true JPH02213172A (ja) | 1990-08-24 |
Family
ID=12368865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1032798A Pending JPH02213172A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02213172A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334856A (en) * | 1990-07-03 | 1994-08-02 | Mitsubishi Kasei Corporation | Image readout element with oxytitanium phthalocyanine |
| JP2013179181A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機光電変換素子 |
| JP2014112610A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-19 | Sekisui Chem Co Ltd | 有機薄膜太陽電池 |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1032798A patent/JPH02213172A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334856A (en) * | 1990-07-03 | 1994-08-02 | Mitsubishi Kasei Corporation | Image readout element with oxytitanium phthalocyanine |
| JP2013179181A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機光電変換素子 |
| JP2014112610A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-19 | Sekisui Chem Co Ltd | 有機薄膜太陽電池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hiramoto et al. | Effect of thin gold interstitial-layer on the photovoltaic properties of tandem organic solar cell. | |
| CA2346294C (en) | Solid-state photoelectric device | |
| Gregg | Bilayer molecular solar cells on spin-coated TiO2 substrates | |
| JPH06318725A (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
| JPH06120536A (ja) | 光起電力素子 | |
| US5006915A (en) | Electric device and photoelectric conversion device comprising the same | |
| CN112018100A (zh) | 一种硅/钙钛矿叠层太阳能电池 | |
| CN106887482A (zh) | 一种机械式叠层太阳能电池及其制备方法 | |
| Hiramoto et al. | Conduction type control from n to p type for organic pigment films purified by reactive sublimation | |
| Kudo et al. | Photoelectric pn junction cells using organic dyes | |
| US11744089B2 (en) | Multijunction organic photovoltaics incorporating solution and vacuum deposited active layers | |
| Shichiri et al. | Three-Layer Organic Solar Cell. | |
| Takahashi et al. | Enhanced quantum yield in porphyrin/electron-donor double-layer solar cells | |
| US9978968B2 (en) | Photovoltaic cells with a graded active region achieved using stamp transfer printing | |
| JPH02213172A (ja) | 光電変換素子 | |
| CN108336231A (zh) | 一种宽光谱响应的有机光电探测器 | |
| Tracey et al. | Sol-gel derived TiO2/lead phthalocyanine photovoltaic cells | |
| Hiramoto et al. | Efficient organic pin solar cells having very thick codeposited i-layer composed of highly purified organic semiconductors | |
| JP2849157B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| Grätzel | Photoelectrochemical solar energy conversion by dye sensitization | |
| JPH03114274A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH05275728A (ja) | 有機光起電力素子 | |
| JPH07240530A (ja) | 有機太陽電池およびその製造方法 | |
| JPH03219679A (ja) | 光起電力素子 | |
| JP2935998B2 (ja) | 光起電力素子 |