JPH0221152B2 - - Google Patents
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- JPH0221152B2 JPH0221152B2 JP56108533A JP10853381A JPH0221152B2 JP H0221152 B2 JPH0221152 B2 JP H0221152B2 JP 56108533 A JP56108533 A JP 56108533A JP 10853381 A JP10853381 A JP 10853381A JP H0221152 B2 JPH0221152 B2 JP H0221152B2
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- magnetoresistive element
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- magnetoresistive
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/82—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は位置検出器等に用いられ、磁界を受
けて電気的抵抗が変化する半導体磁気抵抗素子に
関するものである。
けて電気的抵抗が変化する半導体磁気抵抗素子に
関するものである。
半導体磁気抵抗素子に用いられる半導体として
はInSb，InAS等のホール移動度の大きい物質が
用いられ、一般にホール移動度を低下させないよ
うに不純物の添加は最小限にとどめられる。その
ためにその半導体の抵抗値の温度係数が大きい欠
点があつた。
はInSb，InAS等のホール移動度の大きい物質が
用いられ、一般にホール移動度を低下させないよ
うに不純物の添加は最小限にとどめられる。その
ためにその半導体の抵抗値の温度係数が大きい欠
点があつた。
したがつて、従来の磁気抵抗素子においては、
第１図に示すように基板１１上に２個の磁気抵抗
体１２，１３が配列形成され、これら磁気抵抗体
１２，１３の各抵抗値Rm1，Rm2のバランスの
変化を出力とした。例えば磁気抵抗体１２，１３
を一端を共通端子１４に接続し、各他端を端子１
５，１６にそれぞれ接続し、端子１５，１６間に
電圧Ｅを加えておき、端子１４，１６間の電圧ｅ
を出力とすると、Rm1＝Rm2の時ｅ＝Ｅ／２であ り、磁気抵抗体１２に加わる磁界が変化し、
Rm1が変化するとそれに応じて、出力電圧ｅが
変化する。すなわち出力ｅは ｅ＝Rm2／Rm1＋Rm2Ｅ で表わされる。いま磁気抵抗体１２に加わる磁界
をB1，磁気抵抗体１３に加わる磁界をB2，温度
をＴとすると、各磁気抵抗体の抵抗値は Rm1＝ｆ（B1）・ｆ（Ｔ） Rm2＝ｆ（B2）・ｆ（Ｔ） で表わされ、これら抵抗値Rm1，Rm2は、温度
と磁界との関数となる。したがつて出力ｅは ｅ＝ｆ（B2）ｆ（Ｔ）／ｆ（B1）ｆ（Ｔ）＋ｆ（B2
）ｆ（Ｔ）Ｅ ＝ｆ（B2）／ｆ（B1）＋ｆ（B2）Ｅ となり、この出力ｅは温度と無関係で、磁界B1
とB2との不平衡に相当する出力となる。
第１図に示すように基板１１上に２個の磁気抵抗
体１２，１３が配列形成され、これら磁気抵抗体
１２，１３の各抵抗値Rm1，Rm2のバランスの
変化を出力とした。例えば磁気抵抗体１２，１３
を一端を共通端子１４に接続し、各他端を端子１
５，１６にそれぞれ接続し、端子１５，１６間に
電圧Ｅを加えておき、端子１４，１６間の電圧ｅ
を出力とすると、Rm1＝Rm2の時ｅ＝Ｅ／２であ り、磁気抵抗体１２に加わる磁界が変化し、
Rm1が変化するとそれに応じて、出力電圧ｅが
変化する。すなわち出力ｅは ｅ＝Rm2／Rm1＋Rm2Ｅ で表わされる。いま磁気抵抗体１２に加わる磁界
をB1，磁気抵抗体１３に加わる磁界をB2，温度
をＴとすると、各磁気抵抗体の抵抗値は Rm1＝ｆ（B1）・ｆ（Ｔ） Rm2＝ｆ（B2）・ｆ（Ｔ） で表わされ、これら抵抗値Rm1，Rm2は、温度
と磁界との関数となる。したがつて出力ｅは ｅ＝ｆ（B2）ｆ（Ｔ）／ｆ（B1）ｆ（Ｔ）＋ｆ（B2
）ｆ（Ｔ）Ｅ ＝ｆ（B2）／ｆ（B1）＋ｆ（B2）Ｅ となり、この出力ｅは温度と無関係で、磁界B1
とB2との不平衡に相当する出力となる。
従来の半導体磁気抵抗素子において、多数の検
知部、すなわち多数の磁気抵抗体を必要とする場
合は、２個の磁気抵抗体を組としてそれを多数配
列していた。端子を少なくすることが小形軽量化
に不可欠なため、第２図に示すように第１図の端
子１５（又は１６）を共通にしたものも考えられ
た。この場合でもｎ個の検知部を作るためには端
子は2n＋１個、磁気抵抗体が2n個必要とした。
知部、すなわち多数の磁気抵抗体を必要とする場
合は、２個の磁気抵抗体を組としてそれを多数配
列していた。端子を少なくすることが小形軽量化
に不可欠なため、第２図に示すように第１図の端
子１５（又は１６）を共通にしたものも考えられ
た。この場合でもｎ個の検知部を作るためには端
子は2n＋１個、磁気抵抗体が2n個必要とした。
この発明の目的は端子数及び磁気抵抗体の個数
が従来のものの約１／２であり、従つて従来のもの より小形、軽量に適し、しかも温度の影響を受け
ないようにすることができる多数の検知部を備え
た半導体磁気抵抗素子を提供することにある。
が従来のものの約１／２であり、従つて従来のもの より小形、軽量に適し、しかも温度の影響を受け
ないようにすることができる多数の検知部を備え
た半導体磁気抵抗素子を提供することにある。
この発明によれば、絶縁板の基板上にｎ個（ｎ
は３以上の整数）の磁気抵抗体が形成され、その
基板上にｎ＋１個の端子が設けられる。そのｎ個
の磁気抵抗体の一端にそれぞれｎ個の端子が接続
され、残りの１個の端子は上記ｎ個の磁気抵抗体
の他端に共通に接続され、ｎ個の検知部を備え
る。
は３以上の整数）の磁気抵抗体が形成され、その
基板上にｎ＋１個の端子が設けられる。そのｎ個
の磁気抵抗体の一端にそれぞれｎ個の端子が接続
され、残りの１個の端子は上記ｎ個の磁気抵抗体
の他端に共通に接続され、ｎ個の検知部を備え
る。
例えば第３図乃至第６図に示すようにガラス、
セラミツクス等の基板１１上に、蒸着により製造
された約1μmの厚さの半導体膜がエポキシ樹脂等
の接着剤１８で接着され、更にホトエツチングや
化学メツキあるいは電気メツキ等により、所定の
形状、配列の磁気抵抗体１７及び端子１９が形成
される。短冊状の磁気抵抗体のｎ個１７1〜１７o
が互に平行に配列され、その各一端にメツキ層の
端子１９1〜１９oが形成され、他端子は共通の接
続配線を通じて、端子１９1〜１９oと同一側に設
けられた端子１９o+1に接続される。
セラミツクス等の基板１１上に、蒸着により製造
された約1μmの厚さの半導体膜がエポキシ樹脂等
の接着剤１８で接着され、更にホトエツチングや
化学メツキあるいは電気メツキ等により、所定の
形状、配列の磁気抵抗体１７及び端子１９が形成
される。短冊状の磁気抵抗体のｎ個１７1〜１７o
が互に平行に配列され、その各一端にメツキ層の
端子１９1〜１９oが形成され、他端子は共通の接
続配線を通じて、端子１９1〜１９oと同一側に設
けられた端子１９o+1に接続される。
その基板１１は接着剤２１により永久磁石２２
上に接着される。永久磁石２２は磁気抵抗体１７
の厚味方向に着磁されている。或は基板１１自体
を永久磁石で作製してもよい。このようにして各
磁気抵抗体１７に対する磁気バイアスが加えられ
る。各端子１９にはリード線２３の一端がそれぞ
れ接続される。磁性体の近接を検出するマルチ磁
気抵抗素子が得られる。
上に接着される。永久磁石２２は磁気抵抗体１７
の厚味方向に着磁されている。或は基板１１自体
を永久磁石で作製してもよい。このようにして各
磁気抵抗体１７に対する磁気バイアスが加えられ
る。各端子１９にはリード線２３の一端がそれぞ
れ接続される。磁性体の近接を検出するマルチ磁
気抵抗素子が得られる。
更に必要に応じて第５図に示すようにそれぞれ
の磁気抵抗体１７をおおうように、ｎ個の磁性体
片２４を接着等により配置することにより、感度
を高く、かつ分解能を上げることができる。その
磁性体片２４は、鉄、パーマロイ等の軟質磁性体
あるいは、希土類コバルト等の硬質磁性体を用い
ることができる。これら半導体層１７、端子１９
上に全体にわたつて保護用樹脂層２５が形成され
る。
の磁気抵抗体１７をおおうように、ｎ個の磁性体
片２４を接着等により配置することにより、感度
を高く、かつ分解能を上げることができる。その
磁性体片２４は、鉄、パーマロイ等の軟質磁性体
あるいは、希土類コバルト等の硬質磁性体を用い
ることができる。これら半導体層１７、端子１９
上に全体にわたつて保護用樹脂層２５が形成され
る。
このような構成のこの発明による磁気抵抗素子
２６は、例えば第６図に示すような電気回路に接
続されて使用される。ｎ個の演算増幅器２７1〜
２７o及び（ｎ−１）個の比較器２８1〜２８oが
設けられ、演算増幅器２７1〜２７oの反転入力端
子に磁気抵抗素子２６の各磁気抵抗体１７1〜１
７oの一端が端子２１1〜２１oをそれぞれ通じて
接続される。磁気抵抗素子２６の共通端子２１o+
１は接地され、演算増幅器２７1〜２７oの非反転
入力端子には電源２９より一定の電圧E1が同一
抵抗値の抵抗器をそれぞれ通じて加えられる。ｎ
個の演算増幅器２７1〜２７oのどれか１個、例え
ば27oの出力は比較器２８1〜２８o-1の設定電圧
として非反転入力端子に供給される。他の（ｎ−
１）個の演算増幅器２７1〜２７o-1の出力はそれ
ぞれ（ｎ−１）個の比較器２８1〜２８o-1の反転
入力端子にそれぞれ供給される。演算増幅器２７
１〜２７oの反転入力端子と出力端子との間にはそ
れぞれ同一抵抗値の帰還抵抗器３１が接続されて
ある。
２６は、例えば第６図に示すような電気回路に接
続されて使用される。ｎ個の演算増幅器２７1〜
２７o及び（ｎ−１）個の比較器２８1〜２８oが
設けられ、演算増幅器２７1〜２７oの反転入力端
子に磁気抵抗素子２６の各磁気抵抗体１７1〜１
７oの一端が端子２１1〜２１oをそれぞれ通じて
接続される。磁気抵抗素子２６の共通端子２１o+
１は接地され、演算増幅器２７1〜２７oの非反転
入力端子には電源２９より一定の電圧E1が同一
抵抗値の抵抗器をそれぞれ通じて加えられる。ｎ
個の演算増幅器２７1〜２７oのどれか１個、例え
ば27oの出力は比較器２８1〜２８o-1の設定電圧
として非反転入力端子に供給される。他の（ｎ−
１）個の演算増幅器２７1〜２７o-1の出力はそれ
ぞれ（ｎ−１）個の比較器２８1〜２８o-1の反転
入力端子にそれぞれ供給される。演算増幅器２７
１〜２７oの反転入力端子と出力端子との間にはそ
れぞれ同一抵抗値の帰還抵抗器３１が接続されて
ある。
例えば磁気抵抗体１７1に磁性体が接近し、磁
気抵抗体１７1の抵抗値Rm1が増大すると、演算
増幅器２７1の増幅度が減少し、比較器２８1の反
転入力端子に加わる電圧が減少し、比較器２８1
はONの信号を出力する。磁気抵抗体１７1から、
その磁性体が遠ざかると比較器２８1はOFFの信
号を出力する。
気抵抗体１７1の抵抗値Rm1が増大すると、演算
増幅器２７1の増幅度が減少し、比較器２８1の反
転入力端子に加わる電圧が減少し、比較器２８1
はONの信号を出力する。磁気抵抗体１７1から、
その磁性体が遠ざかると比較器２８1はOFFの信
号を出力する。
ｋ番目の演算増幅器２７ｋの出力をek磁気抵抗
体１７ｋの抵抗値をRmk、帰還抵抗器３１の抵
抗値をR1とすると、 ek＝（１＋R1／Rmk）E1 ｋ＝１，２，３…（ｎ−１）となる。
体１７ｋの抵抗値をRmk、帰還抵抗器３１の抵
抗値をR1とすると、 ek＝（１＋R1／Rmk）E1 ｋ＝１，２，３…（ｎ−１）となる。
この出力ekを温度Ｔ及び磁界Bkで表わすと
ek＝（１＋R1／ｆ（Ｔ）ｆ（Bk））E1
ｋ＝１，２，…（ｎ−１）
となり、すべての演算増幅器の出力が温度Ｔの関
数となるが、比較器２８1〜２８o-1における動作
は、例えば演算増幅器２７ｎの出力eoを比較器２
８1〜２８o-1に対する設定電圧とした場合、eo−
ekが正か負かにより比較器２８ｋの出力はONか
OFFになる。従つて比較器２８1〜２８o-1の出力
は、温度とほゞ無関係になる。
数となるが、比較器２８1〜２８o-1における動作
は、例えば演算増幅器２７ｎの出力eoを比較器２
８1〜２８o-1に対する設定電圧とした場合、eo−
ekが正か負かにより比較器２８ｋの出力はONか
OFFになる。従つて比較器２８1〜２８o-1の出力
は、温度とほゞ無関係になる。
また抵抗値R1を充分大きな値にすると磁気抵
抗体１７1〜１７oに流れる電流は、例えば数μA
〜数nAと小さなものにすることができ、磁気抵
抗素子２６の内部発熱を極めて小さくすることが
できる。
抗体１７1〜１７oに流れる電流は、例えば数μA
〜数nAと小さなものにすることができ、磁気抵
抗素子２６の内部発熱を極めて小さくすることが
できる。
従来の磁気抵抗素子の使用法と全く異るもので
ある。すなわち、従来の磁気抵抗素子においては
先に述べたように出力ｅは、 ｅ＝Rm2／Rm1＋Rm2Ｅ となり、印加電圧Ｅに比例した出力となるため、
感度を上げるには、Rm1及びRm2を充分大きな
抵抗値とし、電圧Ｅをできるだけ大きくしてい
た。電圧Ｅの大きさの上限は、素子の内部発熱量
と、熱方散面積等で決定される熱的抵抗などで決
まるものである。電圧Ｅを大とするための抵抗値
Rm1，Rm2を大きくすることと、熱的抵抗を小
とすることとは両方とも磁気抵抗素子を大形にす
ることにつながる。
ある。すなわち、従来の磁気抵抗素子においては
先に述べたように出力ｅは、 ｅ＝Rm2／Rm1＋Rm2Ｅ となり、印加電圧Ｅに比例した出力となるため、
感度を上げるには、Rm1及びRm2を充分大きな
抵抗値とし、電圧Ｅをできるだけ大きくしてい
た。電圧Ｅの大きさの上限は、素子の内部発熱量
と、熱方散面積等で決定される熱的抵抗などで決
まるものである。電圧Ｅを大とするための抵抗値
Rm1，Rm2を大きくすることと、熱的抵抗を小
とすることとは両方とも磁気抵抗素子を大形にす
ることにつながる。
この発明の磁気抵抗素子においては、それらの
制限は無く１つの磁気抵抗体１７1〜１７oの抵抗
値は従来のものより１／10〜１／100の数＋Ω〜Ｐ百Ω あるいはそれ以下であつても良い。
制限は無く１つの磁気抵抗体１７1〜１７oの抵抗
値は従来のものより１／10〜１／100の数＋Ω〜Ｐ百Ω あるいはそれ以下であつても良い。
第７図はこの発明による磁気抵抗素子を用いた
デジタル回転角度計を示す。磁性体でできた回転
板３３に磁性体の突起３４を第８図に示すように
又は非磁性円板に磁性体を埋込み、円板を同心リ
ングに分割し、その各リングを例えば最も外周程
最下位桁になるように２進法で重みを付け、円板
３３の中心とする単位角度ごとに２進コードで突
起３４を形成する。その回転板３３に相対するよ
うに磁気抵抗素子２６を配置し、その各磁気抵抗
体１７1〜１７o-1が円板３３の各２進法で重み付
けられたリングと対向させる。
デジタル回転角度計を示す。磁性体でできた回転
板３３に磁性体の突起３４を第８図に示すように
又は非磁性円板に磁性体を埋込み、円板を同心リ
ングに分割し、その各リングを例えば最も外周程
最下位桁になるように２進法で重みを付け、円板
３３の中心とする単位角度ごとに２進コードで突
起３４を形成する。その回転板３３に相対するよ
うに磁気抵抗素子２６を配置し、その各磁気抵抗
体１７1〜１７o-1が円板３３の各２進法で重み付
けられたリングと対向させる。
磁気抵抗素子２６の磁気抵抗体１７の数をｎと
し、１回転を測る分解能は、 で表わされ、例えばｎ−１を８とすると ｎ−１を10とすると 360゜／1023≒0.3519゜ となる。
し、１回転を測る分解能は、 で表わされ、例えばｎ−１を８とすると ｎ−１を10とすると 360゜／1023≒0.3519゜ となる。
この角度計は、デジタル信号として高速処理が
できる利点があり、例えばポテンシヨンメーター
などを利用した角度計でデジタル信号を得ようと
する場合、アナログ信号をデジタル信号に変換す
る、いわゆるＡ−Ｄ変換器の変換速度は、時定数
回路を使用するなどのため高速処理が基本的にむ
ずかしい。従つて高速度で変化する角度をデジタ
ル信号として検出して処理する場合にこの発明の
磁気抵抗素子は利用できる。
できる利点があり、例えばポテンシヨンメーター
などを利用した角度計でデジタル信号を得ようと
する場合、アナログ信号をデジタル信号に変換す
る、いわゆるＡ−Ｄ変換器の変換速度は、時定数
回路を使用するなどのため高速処理が基本的にむ
ずかしい。従つて高速度で変化する角度をデジタ
ル信号として検出して処理する場合にこの発明の
磁気抵抗素子は利用できる。
第９図は磁気駆動により移動体を移動させ、例
えばスクリーンあるいはカーテンの開閉に利用す
ることができる。即ち第１相コイル列３５と第２
相コイル列３６とが、第１０図に示すように電気
角で４分のπだけずらされて重ねて配され、この
コイル列３５，３６の配列方向に沿つて磁性体に
よる位置記録部、例えば２進コード記録を有する
移動用ガイドバー３７が設けられ、このガイドバ
ー３７上に移動体３８が挿通される。移動体３８
にはコイル列３５，３６とＮ，Ｓが対向する磁石
３９及びガイドバー３７の磁気２進コードを読取
る磁気抵抗素子２６を備えている。
えばスクリーンあるいはカーテンの開閉に利用す
ることができる。即ち第１相コイル列３５と第２
相コイル列３６とが、第１０図に示すように電気
角で４分のπだけずらされて重ねて配され、この
コイル列３５，３６の配列方向に沿つて磁性体に
よる位置記録部、例えば２進コード記録を有する
移動用ガイドバー３７が設けられ、このガイドバ
ー３７上に移動体３８が挿通される。移動体３８
にはコイル列３５，３６とＮ，Ｓが対向する磁石
３９及びガイドバー３７の磁気２進コードを読取
る磁気抵抗素子２６を備えている。
第１０図に示すように第１相コイル列３５のコ
イル３５Ａ，３５Ｂ…と第２相コイル列３６のコ
イル３６ａ，３６ｂ，…それぞれそのコイル列の
配列方向に配列された一対のコイルより成り、そ
の各コイル対はそれぞれの端子４１，４２より選
択的に電流を流すことができ、その一対のコイル
は逆向きの磁束を発生する。端子４１を正側、端
子４２を負側として電流を流すと実線矢印のよう
に電流が流れる。磁石３９の磁極Ｎ，Ｓの間隔は
各コイルの間隔と等しくされている。ガイドバー
３７上の磁気的位置記録部は例えば電気角でπ／４ ごとに１増加するように第１１図に示すように記
録されている。移動体３８に取付けた磁気抵抗素
子２６からの信号をデジタル演算し、コイル列３
５，３６を駆動して設定した位置に移動体３８を
移動させる。その時の第１相コイル列３５、第２
相コイル列３６に対する駆動電流は第１２図に示
すようにして移動体３８を第９図において右側に
移動させる。
イル３５Ａ，３５Ｂ…と第２相コイル列３６のコ
イル３６ａ，３６ｂ，…それぞれそのコイル列の
配列方向に配列された一対のコイルより成り、そ
の各コイル対はそれぞれの端子４１，４２より選
択的に電流を流すことができ、その一対のコイル
は逆向きの磁束を発生する。端子４１を正側、端
子４２を負側として電流を流すと実線矢印のよう
に電流が流れる。磁石３９の磁極Ｎ，Ｓの間隔は
各コイルの間隔と等しくされている。ガイドバー
３７上の磁気的位置記録部は例えば電気角でπ／４ ごとに１増加するように第１１図に示すように記
録されている。移動体３８に取付けた磁気抵抗素
子２６からの信号をデジタル演算し、コイル列３
５，３６を駆動して設定した位置に移動体３８を
移動させる。その時の第１相コイル列３５、第２
相コイル列３６に対する駆動電流は第１２図に示
すようにして移動体３８を第９図において右側に
移動させる。
以上述べたようにこの発明によれば、温度に影
響されない多数の磁気抵抗体をもつ磁気抵抗素子
を小形に作ることができる。
響されない多数の磁気抵抗体をもつ磁気抵抗素子
を小形に作ることができる。
第１図は従来の磁気抵抗素子を示す図、第２図
は従来の磁気抵抗素子を多数設けた例を示す接続
図、第３図はこの発明による磁気抵抗素子の一例
を示す平面図、第４図は第３図のAA′線断面図、
第５図は第３図のBB′線断面図、第６図はこの発
明による磁気抵抗素子を用いた電気的回路を示す
図、第７図はこの発明の磁気抵抗素子を用いた角
度検出器を示す図、第８図は円板３３を示す図、
第９図は移動体の磁気駆動装置を示す図、第１０
図は第９図の第１相コイル列、第２相コイル列及
び移動体との関係を示す図、第１１図はガイドバ
ー上の磁気的位置記録の例を示す図、第１２図は
コイル列に対する駆動電流の供給例を示す図であ
る。 １１……基板、１７，１７1〜１７o……磁気抵
抗体、１８，２１……接着剤層、１９，１９1〜
１９o+1……端子、２２……磁石、２３……リー
ド線、２４……磁性体片、２５……保護樹脂層。
は従来の磁気抵抗素子を多数設けた例を示す接続
図、第３図はこの発明による磁気抵抗素子の一例
を示す平面図、第４図は第３図のAA′線断面図、
第５図は第３図のBB′線断面図、第６図はこの発
明による磁気抵抗素子を用いた電気的回路を示す
図、第７図はこの発明の磁気抵抗素子を用いた角
度検出器を示す図、第８図は円板３３を示す図、
第９図は移動体の磁気駆動装置を示す図、第１０
図は第９図の第１相コイル列、第２相コイル列及
び移動体との関係を示す図、第１１図はガイドバ
ー上の磁気的位置記録の例を示す図、第１２図は
コイル列に対する駆動電流の供給例を示す図であ
る。 １１……基板、１７，１７1〜１７o……磁気抵
抗体、１８，２１……接着剤層、１９，１９1〜
１９o+1……端子、２２……磁石、２３……リー
ド線、２４……磁性体片、２５……保護樹脂層。
Claims (1)
- １ 絶縁板の基板と、その基板上に形成されたｎ
個（ｎは３以上の整数）の磁気抵抗体と、そのｎ
個の磁気抵抗体の一端にそれぞれ接続され、上記
基板上に設けられたｎ個の端子と、上記ｎ個の磁
気抵抗体の他端に共通に接続され上記基板上に設
けられた共通端子とを具備する半導体磁気抵抗素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108533A JPS5810879A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 半導体磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108533A JPS5810879A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 半導体磁気抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810879A JPS5810879A (ja) | 1983-01-21 |
| JPH0221152B2 true JPH0221152B2 (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=14487214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56108533A Granted JPS5810879A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 半導体磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810879A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0556660U (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-27 | 河西工業株式会社 | ピラーガーニッシュの取付構造 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0672915B2 (ja) * | 1988-04-04 | 1994-09-14 | シャープ株式会社 | 磁気パターン検出装置 |
| JP2000088868A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転数センサ |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56108533A patent/JPS5810879A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0556660U (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-27 | 河西工業株式会社 | ピラーガーニッシュの取付構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5810879A (ja) | 1983-01-21 |
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