JPH02205305A - 高分子複合型希土類磁石の製造方法 - Google Patents
高分子複合型希土類磁石の製造方法Info
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- JPH02205305A JPH02205305A JP1024784A JP2478489A JPH02205305A JP H02205305 A JPH02205305 A JP H02205305A JP 1024784 A JP1024784 A JP 1024784A JP 2478489 A JP2478489 A JP 2478489A JP H02205305 A JPH02205305 A JP H02205305A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
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- H01F1/0571—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5 and IIIa elements, e.g. Nd2Fe14B in the form of particles, e.g. rapid quenched powders or ribbon flakes
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- H01F1/0577—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5 and IIIa elements, e.g. Nd2Fe14B in the form of particles, e.g. rapid quenched powders or ribbon flakes pressed, sintered or bonded together sintered
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、いわゆるゴム磁石やプラスチック磁石を典型
とする高分子複合型磁石の中でも、特にNd−Fe−B
永久磁石を代表とする希土類金属(R)と遷移金属(T
)とホウ素CB)を主成分としてなるR z T ra
B系の希土類磁石粉末を用いた高分子複合型希土類磁石
の改善に関する。
とする高分子複合型磁石の中でも、特にNd−Fe−B
永久磁石を代表とする希土類金属(R)と遷移金属(T
)とホウ素CB)を主成分としてなるR z T ra
B系の希土類磁石粉末を用いた高分子複合型希土類磁石
の改善に関する。
[従来の技術]
高分子複合型磁石は、高分子樹脂中に磁石粉末を分散さ
せたもの、あるいは磁石粉末を高分子樹脂で結着させた
ものである。この種の磁石は、鋳造磁石や焼結磁石等に
は見られない梯々の特徴、例えば弾力性や加工容易性を
備えており、種々の方面に用いられている。しかしなが
ら、磁石粉末と非磁性の樹脂で形成されているため、焼
結磁石等に比べ、磁気特性が低いという欠点を有してい
る。そのため、粉末を磁界中で配向させる等の異方性化
により、高い磁石特性を達成しようとしている。分散、
結着される磁石粉末としては、これ迄、種々のものが用
いられているが、本発明では、現在最も高い磁石特性を
示しているNd*Fe・B系を代表とするR 2 T
14B系磁石粉末を使用している。
せたもの、あるいは磁石粉末を高分子樹脂で結着させた
ものである。この種の磁石は、鋳造磁石や焼結磁石等に
は見られない梯々の特徴、例えば弾力性や加工容易性を
備えており、種々の方面に用いられている。しかしなが
ら、磁石粉末と非磁性の樹脂で形成されているため、焼
結磁石等に比べ、磁気特性が低いという欠点を有してい
る。そのため、粉末を磁界中で配向させる等の異方性化
により、高い磁石特性を達成しようとしている。分散、
結着される磁石粉末としては、これ迄、種々のものが用
いられているが、本発明では、現在最も高い磁石特性を
示しているNd*Fe・B系を代表とするR 2 T
14B系磁石粉末を使用している。
[発明が解決しようとする課題]
従来の希土類磁石粉末を使用した高分子複合型磁石は、
原料を溶解して得た合金インゴットを熱処理後、粉砕し
、その粉末を高分子樹脂と混合し、磁界中で成形して製
造されていた。ここで使用されていた磁石合金粉末は、
磁界中での結晶配向性を向上させるため、微細な単結晶
粒子からなっていることが望ましかった。
原料を溶解して得た合金インゴットを熱処理後、粉砕し
、その粉末を高分子樹脂と混合し、磁界中で成形して製
造されていた。ここで使用されていた磁石合金粉末は、
磁界中での結晶配向性を向上させるため、微細な単結晶
粒子からなっていることが望ましかった。
しかしながら、Nd−Fe−B系磁石で代表されるR2
T、、B系合金においては、粉砕時における機械的応力
により、保磁力(+Hc)と減磁曲線の角形性低下が生
じるため、粉末が単結晶粒子からなる微細な領域では、
著しく磁石特性が低下していた。そのため、溶解インゴ
ットを出発原料として使用した製法においては、高、H
cを有する焼結磁石を粉砕して、磁石粉末として使用し
ても、著しく低い磁石特性を示す高分子複合型磁石とな
っていた。まして、インゴットを熱処理後、粉砕して高
分子複合磁石とする製法では、存在価値のない極めて劣
悪な磁石特性を示すのみであった。
T、、B系合金においては、粉砕時における機械的応力
により、保磁力(+Hc)と減磁曲線の角形性低下が生
じるため、粉末が単結晶粒子からなる微細な領域では、
著しく磁石特性が低下していた。そのため、溶解インゴ
ットを出発原料として使用した製法においては、高、H
cを有する焼結磁石を粉砕して、磁石粉末として使用し
ても、著しく低い磁石特性を示す高分子複合型磁石とな
っていた。まして、インゴットを熱処理後、粉砕して高
分子複合磁石とする製法では、存在価値のない極めて劣
悪な磁石特性を示すのみであった。
一方、粉砕による 、Heの低下が殆んど生じないR−
T−B系磁石合金の作製法としては、溶融している合金
を回転ロール等に噴射し、超急冷することによって、磁
石合金を得る液体急冷法が知られていた。しかしながら
、この製法によって得られた粉末では、異方性化は実現
できなかった。
T−B系磁石合金の作製法としては、溶融している合金
を回転ロール等に噴射し、超急冷することによって、磁
石合金を得る液体急冷法が知られていた。しかしながら
、この製法によって得られた粉末では、異方性化は実現
できなかった。
その後、この液体急冷合金を熱間塑性加工することによ
って、異方性化が可能な磁石粉末の得られることがわか
った。この方法は、高温で高圧を必要とするため、設備
が高価で、大がかりなものとなるのに加え、製造状態に
おける特性の安定化には不安が残っており、大量生産で
特性バラツキの小さい粉末を得るのはまだ困難であり、
工業的には有益なものとはいいがたい。
って、異方性化が可能な磁石粉末の得られることがわか
った。この方法は、高温で高圧を必要とするため、設備
が高価で、大がかりなものとなるのに加え、製造状態に
おける特性の安定化には不安が残っており、大量生産で
特性バラツキの小さい粉末を得るのはまだ困難であり、
工業的には有益なものとはいいがたい。
そこで、本発明の技術的課題は、通常実施されているR
−T−B系焼結磁石の製造工程を活用して、高性能な異
方性高分子複合型希土類磁石を製造する方法を提供する
ことにある。
−T−B系焼結磁石の製造工程を活用して、高性能な異
方性高分子複合型希土類磁石を製造する方法を提供する
ことにある。
[課題を解決するための手段]
本発明によれば、Nd、Fe、Bを主成分として含有す
るR、T、4B系焼結体粉末(ここでRはY及び希土類
元素、Tは遷移金属をあらわす)を高分子樹脂で結着し
て高分子複合型希土類磁石を製造する方法において、前
記高分子樹脂の添加前に前記焼結体粉末又は前記焼結体
粉末の成形体を水素を主成分とする雰囲気中で900〜
1100℃の温度範囲で熱処理することを特徴とする高
分子後1合型希土類磁石の製造方法が得られる。
るR、T、4B系焼結体粉末(ここでRはY及び希土類
元素、Tは遷移金属をあらわす)を高分子樹脂で結着し
て高分子複合型希土類磁石を製造する方法において、前
記高分子樹脂の添加前に前記焼結体粉末又は前記焼結体
粉末の成形体を水素を主成分とする雰囲気中で900〜
1100℃の温度範囲で熱処理することを特徴とする高
分子後1合型希土類磁石の製造方法が得られる。
本発明の高分子複合型希土類磁石の製造方法においては
、R,T、B (RはY及び希土類元素、Tは遷移金属
を表わす)磁石材料を溶解して得られた合金インゴット
を微粉砕した後、磁場中で成形して得られた粉末成形体
を焼結し、高い結晶配向度(高異方性)の焼結体とする
。次に、焼結体を粉砕後、この焼結体粉末又は、圧縮成
形体に含有される焼結体粉末を900℃〜1100℃の
範囲で、水素を主成分とする雰囲気中で熱処理すること
により、高い磁石特性を有するR−T−B系高分子複合
型希土類磁石を実現するものである。
、R,T、B (RはY及び希土類元素、Tは遷移金属
を表わす)磁石材料を溶解して得られた合金インゴット
を微粉砕した後、磁場中で成形して得られた粉末成形体
を焼結し、高い結晶配向度(高異方性)の焼結体とする
。次に、焼結体を粉砕後、この焼結体粉末又は、圧縮成
形体に含有される焼結体粉末を900℃〜1100℃の
範囲で、水素を主成分とする雰囲気中で熱処理すること
により、高い磁石特性を有するR−T−B系高分子複合
型希土類磁石を実現するものである。
本発明の高分子複合型希土類磁石の製造方法による磁石
特性の向上は、R−T−B系磁石粉末を水素を主成分と
して含有する雰囲気中で熱処理することにより、粉砕時
に導入された機械的な歪からの回復が、アルゴン等の不
活性雰囲気中熱処理よりも著しく向上するためである。
特性の向上は、R−T−B系磁石粉末を水素を主成分と
して含有する雰囲気中で熱処理することにより、粉砕時
に導入された機械的な歪からの回復が、アルゴン等の不
活性雰囲気中熱処理よりも著しく向上するためである。
その結果、粉末成形体の HHCs減磁曲線の角形性が
向上し、高い磁石特性を示すようになる。
向上し、高い磁石特性を示すようになる。
本発明の高分子複合型希土類磁石の製造方法では、水素
を主成分として含有する雰囲気中での熱処理温度を90
0℃から1100℃の範囲に限定している。900℃以
上としたのは、それ以下の温度(特に700℃近傍)で
は体心立方品系の軟磁性相が生成するために、著しい磁
石特性の劣化が生ずるためである。一方、1ioo℃以
上の温度範囲の熱処理では、粉末粒子の焼結が進行し、
高分子複合磁石の特徴が極めて希薄となるのに加え、
、HCが著しく低下するためである。
を主成分として含有する雰囲気中での熱処理温度を90
0℃から1100℃の範囲に限定している。900℃以
上としたのは、それ以下の温度(特に700℃近傍)で
は体心立方品系の軟磁性相が生成するために、著しい磁
石特性の劣化が生ずるためである。一方、1ioo℃以
上の温度範囲の熱処理では、粉末粒子の焼結が進行し、
高分子複合磁石の特徴が極めて希薄となるのに加え、
、HCが著しく低下するためである。
以下、実施例について説明する。
実施例1
5 wt、%のCe、 15vt、%のPr、残部Nd
(ただし、他の希土類元素はNdとして含めた。)から
なるセリウムジジム、DY、フェロボロン、電解鉄、電
解コバルト及びアルミニウムを使用し、Ar雰囲気中で
、高周波溶解により、(Ce−Pr−Nd)が32.O
wt、%、Dyが3wt、%、Coが10、Ovt、%
、lがり、Ovt、%、Bが1.Ovt、% 、残部が
FeのR−T−B系インゴットを得た。
(ただし、他の希土類元素はNdとして含めた。)から
なるセリウムジジム、DY、フェロボロン、電解鉄、電
解コバルト及びアルミニウムを使用し、Ar雰囲気中で
、高周波溶解により、(Ce−Pr−Nd)が32.O
wt、%、Dyが3wt、%、Coが10、Ovt、%
、lがり、Ovt、%、Bが1.Ovt、% 、残部が
FeのR−T−B系インゴットを得た。
次に、このインゴットを粗粉砕した後、ボールミルを用
いて、平均粒径約2μ麿に微粉砕した。
いて、平均粒径約2μ麿に微粉砕した。
この粉末を、約20 KOeの磁界中、1 ton/c
−の圧力で直方体状に成形した。次に、この成形体を、
1000℃で真空中、1時間保持した後、Ar中3時間
保持し、焼結体を得た。この焼結体密度は約7.5g/
am”であり、平均粒径が約5.5μmの結晶粒からな
っていた。これら焼結体の一部を、600℃で2時間時
効した磁石特性は、B r 12.1KG。
−の圧力で直方体状に成形した。次に、この成形体を、
1000℃で真空中、1時間保持した後、Ar中3時間
保持し、焼結体を得た。この焼結体密度は約7.5g/
am”であり、平均粒径が約5.5μmの結晶粒からな
っていた。これら焼結体の一部を、600℃で2時間時
効した磁石特性は、B r 12.1KG。
+Hc14.5KOe、 (on)、、、 33.5J
・G・Oeであった。
・G・Oeであった。
一方、時効処理を施さない焼結体を、約65μm以下に
粗粉砕した。この粉末を、約20 KOeの磁界中、4
ton/cdの成形圧力で円盤状に成形した。
粗粉砕した。この粉末を、約20 KOeの磁界中、4
ton/cdの成形圧力で円盤状に成形した。
次に、この成形体を、水素雰囲気中、又はアルゴン雰囲
気中、700℃、800℃、900℃、1000℃、1
050℃、1100℃で、それぞれ2時間熱処理した後
、急冷した。
気中、700℃、800℃、900℃、1000℃、1
050℃、1100℃で、それぞれ2時間熱処理した後
、急冷した。
次に、これら成形体を真空引き後、エポキシ樹脂を含浸
した後、90℃で3時間保持し、硬化させ、高分子複合
磁石とした。この磁石に約30に00の磁界を印加して
測定した磁石特性を第1図に示す。図中、G、 D、は
粉末のみの磁石密度である。
した後、90℃で3時間保持し、硬化させ、高分子複合
磁石とした。この磁石に約30に00の磁界を印加して
測定した磁石特性を第1図に示す。図中、G、 D、は
粉末のみの磁石密度である。
第1図から水素雰囲気中、900℃〜1100℃の範囲
で熱処理した試料の方が明らかに高い磁石特性を示して
いる。
で熱処理した試料の方が明らかに高い磁石特性を示して
いる。
実施例2
純度97vt、%のNd(残部はCe、Prを主体とす
る他の希土類元素)、フェロボロン及び電解鉄を使用し
、実施例1と同様にして、Ndが33.5vt、%、B
が1.ovt、%、残部Feなる組成のインゴットを得
た。
る他の希土類元素)、フェロボロン及び電解鉄を使用し
、実施例1と同様にして、Ndが33.5vt、%、B
が1.ovt、%、残部Feなる組成のインゴットを得
た。
次に、実施例1と同様にして、粗粉砕、微粉砕、磁場中
成形、1030℃での焼結を行なった。この焼結体の密
度は約7.55g/cm’であり、平均粒径が約6μl
の結晶粒となっていた。これらの一部を600℃で2時
間時効し、磁石特性を測定したところ、B r 13.
7KG、 +Hc12.0KOc、 (BH)、、、
44M・G・Oz程度の値を得た。
成形、1030℃での焼結を行なった。この焼結体の密
度は約7.55g/cm’であり、平均粒径が約6μl
の結晶粒となっていた。これらの一部を600℃で2時
間時効し、磁石特性を測定したところ、B r 13.
7KG、 +Hc12.0KOc、 (BH)、、、
44M・G・Oz程度の値を得た。
一方、時効処理を施さない焼結体については、約75μ
■以下に粗粉砕した。この粉末を、実施例1と同様にし
て、磁場中成形、水素雰囲気又はアルゴン雰囲気中で1
000℃での熱処理、樹脂含浸、磁石特性の測定を行な
った。その結果を第1表に示す。
■以下に粗粉砕した。この粉末を、実施例1と同様にし
て、磁場中成形、水素雰囲気又はアルゴン雰囲気中で1
000℃での熱処理、樹脂含浸、磁石特性の測定を行な
った。その結果を第1表に示す。
第1表
第1表において、水素雰囲気中で熱処理した試料の方が
、明ら応)に高い磁石特性を示している。
、明ら応)に高い磁石特性を示している。
以上の実施例で示されたように、異方性を有するR2T
14B系焼結合金の粉砕粉末を、水素雰囲気中で、90
0℃から1100℃の温度範囲で熱処理することにより
、磁石特性の著しく向上した高分子複合型磁石が実現で
きる。
14B系焼結合金の粉砕粉末を、水素雰囲気中で、90
0℃から1100℃の温度範囲で熱処理することにより
、磁石特性の著しく向上した高分子複合型磁石が実現で
きる。
以上の実施例では、Nd−Fe−B系、Ce−Pr−N
d−Dy−Co−Fe−Ag−B系ニツいてのみ述べた
が、Ndの一部をY又は、他の希土類元素例えば、Gd
、Tb、Ho等で置換したりFeの一部を他の遷移金属
例えば、Mn、Cr。
d−Dy−Co−Fe−Ag−B系ニツいてのみ述べた
が、Ndの一部をY又は、他の希土類元素例えば、Gd
、Tb、Ho等で置換したりFeの一部を他の遷移金属
例えば、Mn、Cr。
Nt等で置換したり、Bの一部を他の半金属例えばSt
、C等で置換しても、磁石合金の組成が、NdaFe*
Bを主成分の一部としており、また磁石の化合物系でN
d2Fe+4B系で代表されるようなR2T14Bが磁
性に寄与しているものであれば、本発明の効果が十分に
期待できるものであることは容易に推測できる。
、C等で置換しても、磁石合金の組成が、NdaFe*
Bを主成分の一部としており、また磁石の化合物系でN
d2Fe+4B系で代表されるようなR2T14Bが磁
性に寄与しているものであれば、本発明の効果が十分に
期待できるものであることは容易に推測できる。
また、実施例では水素雰囲気とアルゴン雰囲気のそれぞ
れの単体についてのみ述べたが、水素及び他の気体との
混合気体(例えば)(2+Ar等)であっても、水素を
雰囲気の主成分とするものであれば、本発明の効果は十
分に期待できるものである。したがって、本発明の範囲
に含まれるものである。
れの単体についてのみ述べたが、水素及び他の気体との
混合気体(例えば)(2+Ar等)であっても、水素を
雰囲気の主成分とするものであれば、本発明の効果は十
分に期待できるものである。したがって、本発明の範囲
に含まれるものである。
また、本実施例に示した高分子複合磁石化の製法は、成
形後、熱処理した後、樹脂を含浸する方法についてのみ
述べたが、これのみに限定されるものでなく、熱処理後
、成形が実施される場合(例えば、圧縮成形型、射出成
形型、押出成形型等)にも有効である。使用する樹脂も
エポキシ系に限定されるものでなく、磁石の形状を保持
し、磁石特性の劣化をきたすものでなければ良いことは
、当業者であれば、容易に理解できる。
形後、熱処理した後、樹脂を含浸する方法についてのみ
述べたが、これのみに限定されるものでなく、熱処理後
、成形が実施される場合(例えば、圧縮成形型、射出成
形型、押出成形型等)にも有効である。使用する樹脂も
エポキシ系に限定されるものでなく、磁石の形状を保持
し、磁石特性の劣化をきたすものでなければ良いことは
、当業者であれば、容易に理解できる。
[発明の効果]
以上、説明したように、本発明の高分子複合型希土類磁
石の製造方法によれば、通常実施されているR−T−B
系焼結磁石の製造工程を活用し、焼結体粉末又は焼結体
粉末成形体を900℃〜1100℃の温度範囲で、水素
を主成分とする雰囲気中で熱処理することにより高性能
な異方性高分子複合型希土類磁石を提供することができ
、工業上非常に有用な製造方法である。
石の製造方法によれば、通常実施されているR−T−B
系焼結磁石の製造工程を活用し、焼結体粉末又は焼結体
粉末成形体を900℃〜1100℃の温度範囲で、水素
を主成分とする雰囲気中で熱処理することにより高性能
な異方性高分子複合型希土類磁石を提供することができ
、工業上非常に有用な製造方法である。
第1図は、実施例1において、粉末成形体の熱処理雰囲
気・温度と試料の磁石特性との関係を示す図である。 図中、○印(実線)は熱処理用雰囲気が水素、Δ印(点
線)はアルゴンの試料を夫々表している。 U) N U)
気・温度と試料の磁石特性との関係を示す図である。 図中、○印(実線)は熱処理用雰囲気が水素、Δ印(点
線)はアルゴンの試料を夫々表している。 U) N U)
Claims (1)
- 1.Nd,Fe,Bを主成分として含有するR_2T_
1_4B系焼結体粉末(ここで、RはY及び希土類元素
、Tは遷移金属をあらわす。)を高分子樹脂で結着して
高分子複合型希土類磁石を製造する方法において、前記
高分子樹脂の添加前に前記焼結体粉末又は前記焼結体粉
末の成形体を水素を主成分とする雰囲気中で900℃か
ら1100℃の温度範囲で熱処理することを特徴とする
高分子複合型希土類磁石の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1024784A JPH02205305A (ja) | 1989-02-04 | 1989-02-04 | 高分子複合型希土類磁石の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1024784A JPH02205305A (ja) | 1989-02-04 | 1989-02-04 | 高分子複合型希土類磁石の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02205305A true JPH02205305A (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=12147812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1024784A Pending JPH02205305A (ja) | 1989-02-04 | 1989-02-04 | 高分子複合型希土類磁石の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02205305A (ja) |
-
1989
- 1989-02-04 JP JP1024784A patent/JPH02205305A/ja active Pending
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