JPH02205013A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02205013A JPH02205013A JP2423189A JP2423189A JPH02205013A JP H02205013 A JPH02205013 A JP H02205013A JP 2423189 A JP2423189 A JP 2423189A JP 2423189 A JP2423189 A JP 2423189A JP H02205013 A JPH02205013 A JP H02205013A
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- film
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Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、表面段差の極めて小さい微細なシリコン膜パ
ターンを形成することができる半導体装置の・製造方法
に関するものである。
ターンを形成することができる半導体装置の・製造方法
に関するものである。
従来の技術
近年、半導体装置の高集積化が急速に進められており、
これに伴い、より微細なパターン形成を可能にする技術
が求められている。
これに伴い、より微細なパターン形成を可能にする技術
が求められている。
絶縁膜上に微細にパターニングされたシリコン膜を得よ
うとする場合、従来、第２図（ａ） 、 （ｂ）に示す
ような工程を用いていた。まず、第２図（ａ）のように
、絶縁膜７の上にシリコン膜８を堆積し、次に、第２図
（ｂ）のように、パターニングしたフォトレジスト９を
用いてウェットエツチングあるいはドライエツチングに
よってパターン形成を行っていた。
うとする場合、従来、第２図（ａ） 、 （ｂ）に示す
ような工程を用いていた。まず、第２図（ａ）のように
、絶縁膜７の上にシリコン膜８を堆積し、次に、第２図
（ｂ）のように、パターニングしたフォトレジスト９を
用いてウェットエツチングあるいはドライエツチングに
よってパターン形成を行っていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このような従来の方法では、堆積したシ
リコン膜８を微細なパターンにエツチング加工するには
寸法限界があった。すなわち、ウェットエツチングを用
いた方法では、等方的なエツチング特性のため、堆積し
たシリコン膜８の膜厚と同程度の寸法分だけサイドエッ
チされるので、ごの膜厚と比較して小さい寸法でパター
ンを形成することは不可能であった。一方、ドライエツ
チングを用いた方法では、サイドエッチなしに、微細な
加工が可能であるが、プラズマ中に存在す、る高エネル
ギーの荷電粒子が衝突し、半導体素子（図示せず）の電
気的特性を劣化させてしまう欠点があった。
リコン膜８を微細なパターンにエツチング加工するには
寸法限界があった。すなわち、ウェットエツチングを用
いた方法では、等方的なエツチング特性のため、堆積し
たシリコン膜８の膜厚と同程度の寸法分だけサイドエッ
チされるので、ごの膜厚と比較して小さい寸法でパター
ンを形成することは不可能であった。一方、ドライエツ
チングを用いた方法では、サイドエッチなしに、微細な
加工が可能であるが、プラズマ中に存在す、る高エネル
ギーの荷電粒子が衝突し、半導体素子（図示せず）の電
気的特性を劣化させてしまう欠点があった。
また、第３図に示しであるように、前記の何れのエツチ
ング方法を用いても、シリコン膜８の膜厚に等しい段差
のため、特に密集したパターンでは、この上に異種の膜
１０を被覆性良く堆積することが困難となっており、半
導体装置の微細化・高密度化が制限される欠点があった
。
ング方法を用いても、シリコン膜８の膜厚に等しい段差
のため、特に密集したパターンでは、この上に異種の膜
１０を被覆性良く堆積することが困難となっており、半
導体装置の微細化・高密度化が制限される欠点があった
。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、半導体素子
特性を劣化させることな（微細なシリコン膜パターンを
形成し、同時に、平坦な表面を得ることを可能にする半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
特性を劣化させることな（微細なシリコン膜パターンを
形成し、同時に、平坦な表面を得ることを可能にする半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明は、シリコン膜を直
接エツチング加工せず、まず、絶縁膜上に窒化シリコン
膜と酸化シリコン膜を順次形成し、酸化シリコン膜をド
ライエツチングにより、所望のパターンに精度良く加工
して開口部を設けた後、シリコン膜を、水素とジグロー
ルシランと塩酸とを用いた気相選択成長技術により、開
口部に露出させた窒化シリコン膜の表面上に選択的に堆
積する工程をそなえたものである。
接エツチング加工せず、まず、絶縁膜上に窒化シリコン
膜と酸化シリコン膜を順次形成し、酸化シリコン膜をド
ライエツチングにより、所望のパターンに精度良く加工
して開口部を設けた後、シリコン膜を、水素とジグロー
ルシランと塩酸とを用いた気相選択成長技術により、開
口部に露出させた窒化シリコン膜の表面上に選択的に堆
積する工程をそなえたものである。
作用
本発明によると、シリコン膜を選択成長させるための核
となる窒化シリコン膜は、ドライエツチングに用いるプ
ラズマから下地の絶縁膜を保護する働きを持ち、半導体
素子特性を劣化させることな（、微細なシリコン膜パタ
ーンを形成することが可能となる。
となる窒化シリコン膜は、ドライエツチングに用いるプ
ラズマから下地の絶縁膜を保護する働きを持ち、半導体
素子特性を劣化させることな（、微細なシリコン膜パタ
ーンを形成することが可能となる。
さらに、選択成長のマスクの働きをする酸化シリコン膜
により、微細なシリコン膜パターンの作る段差が埋めら
れるため、平坦な表面を得ることが可能となる。
により、微細なシリコン膜パターンの作る段差が埋めら
れるため、平坦な表面を得ることが可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例による半導体
装置の製造方法を工程順断面図で示している。まず、第
１図（ａ）のように、絶縁膜１上に、気相成長法を用い
て、５〜２００ｎｍの窒化シリコン膜２と１００〜５０
０ｎｍの酸化シリコン膜３を順次堆積し、次に、第１図
（ｂ）のように、この酸化シリコン膜３をフォトレジス
ト４を用いて所望のパターンにドライエツチングし開口
部を形成する。次に、フォトレジスト４を除去したのち
、さらに、第１図（Ｃ）のように、水素とジグロールシ
ランと塩酸とを用いた気相選択成長技術により、１００
〜５００ｎｍのシリコン膜５を窒化シリコン膜２の表面
が露出した開口部上にのみ選択的に堆積する。尚、第１
図（ｄ）は、さらにこの上に異種の膜６が形成されたと
きの様子を示している。
装置の製造方法を工程順断面図で示している。まず、第
１図（ａ）のように、絶縁膜１上に、気相成長法を用い
て、５〜２００ｎｍの窒化シリコン膜２と１００〜５０
０ｎｍの酸化シリコン膜３を順次堆積し、次に、第１図
（ｂ）のように、この酸化シリコン膜３をフォトレジス
ト４を用いて所望のパターンにドライエツチングし開口
部を形成する。次に、フォトレジスト４を除去したのち
、さらに、第１図（Ｃ）のように、水素とジグロールシ
ランと塩酸とを用いた気相選択成長技術により、１００
〜５００ｎｍのシリコン膜５を窒化シリコン膜２の表面
が露出した開口部上にのみ選択的に堆積する。尚、第１
図（ｄ）は、さらにこの上に異種の膜６が形成されたと
きの様子を示している。
このように、絶縁膜１の表面を直接プラズマに晒すこと
なく、酸化シリコン膜３により決定される寸法精度の高
いシリコン膜５のパターンを絶縁膜１上に形成すること
ができる。また、酸化シリコン膜３の膜厚をシリコン膜
５の膜厚に等しくなるようにあらかじめ選択しておける
めで、シリコン膜５と酸化シリコン膜３との表面段差は
極めて緩和されており、第１図（ｄ）のように、この上
へ異種の膜６を極めて容易に堆積できる。
なく、酸化シリコン膜３により決定される寸法精度の高
いシリコン膜５のパターンを絶縁膜１上に形成すること
ができる。また、酸化シリコン膜３の膜厚をシリコン膜
５の膜厚に等しくなるようにあらかじめ選択しておける
めで、シリコン膜５と酸化シリコン膜３との表面段差は
極めて緩和されており、第１図（ｄ）のように、この上
へ異種の膜６を極めて容易に堆積できる。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、窒化シリコン膜によっ
て保護された絶縁膜上の酸化シリコン膜をドライエツチ
ングして開口部を形成し、この開口部の窒化シリコン膜
上にシリコンの気相選□択成長を行うことで、絶縁膜上
べ微細なシリコン膜パターンを形成することができ、従
来方法の欠点であるプラズマの照射による半導体素子特
性の劣化や、シリコン膜パターン形成後の段差により次
に堆積する異種の膜の被覆性が劣化する問題を解決し、
半導体素子特性を劣化させることな（微細なシリコン膜
パターンを形成し、同時に、平坦な表面を得ることが可
能である。
て保護された絶縁膜上の酸化シリコン膜をドライエツチ
ングして開口部を形成し、この開口部の窒化シリコン膜
上にシリコンの気相選□択成長を行うことで、絶縁膜上
べ微細なシリコン膜パターンを形成することができ、従
来方法の欠点であるプラズマの照射による半導体素子特
性の劣化や、シリコン膜パターン形成後の段差により次
に堆積する異種の膜の被覆性が劣化する問題を解決し、
半導体素子特性を劣化させることな（微細なシリコン膜
パターンを形成し、同時に、平坦な表面を得ることが可
能である。
第１図（ａ）〜（６）は本発明の一実施例を示す工程順
断面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は従来の技術による
製造方法を説明するための工程順断面図、第３図は従来
例装置の要部断面図である。 １・・・・・・絶縁膜、２・・・・・・窒化シリコン膜
、３・・・・・・酸化シリコン膜、５・・・・・・シリ
コン膜、７・・・・・・絶縁膜、８・・・・・・シリコ
ン膜。
断面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は従来の技術による
製造方法を説明するための工程順断面図、第３図は従来
例装置の要部断面図である。 １・・・・・・絶縁膜、２・・・・・・窒化シリコン膜
、３・・・・・・酸化シリコン膜、５・・・・・・シリ
コン膜、７・・・・・・絶縁膜、８・・・・・・シリコ
ン膜。
Claims (2)
- （１）絶縁膜上に窒化シリコン膜と酸化シリコン膜を順
次付設する工程と、前記酸化シリコン膜を所望のパター
ンに加工して開口部を設ける工程と、前記開口部により
露出した前記窒化シリコン膜上に選択的にシリコン膜を
付設する工程とを備えた半導体装置の製造方法。 - （２）シリコン膜を付設する工程が、水素とジグロール
シランと塩酸とを用いた気相選択成長技術により、シリ
コン膜を窒化シリコン膜上に選択的に堆積する工程であ
ることを特徴とする請求項（１）記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2423189A JPH02205013A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2423189A JPH02205013A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205013A true JPH02205013A (ja) | 1990-08-14 |
Family
ID=12132486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2423189A Pending JPH02205013A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205013A (ja) |
-
1989
- 1989-02-02 JP JP2423189A patent/JPH02205013A/ja active Pending
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