JPH02203100A - 半導体装置の製造装置用ガス供給機構 - Google Patents
半導体装置の製造装置用ガス供給機構Info
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- JPH02203100A JPH02203100A JP2487989A JP2487989A JPH02203100A JP H02203100 A JPH02203100 A JP H02203100A JP 2487989 A JP2487989 A JP 2487989A JP 2487989 A JP2487989 A JP 2487989A JP H02203100 A JPH02203100 A JP H02203100A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 68
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置用ガス供給機構に関する
。
。
ドライエツチング装置やＣＶＤ装置等の半導体装置の製
造装置へ材料ガスを供給する機構としては、例えば第３
図に示すように、材料ガスボンベ３に取付られるガス供
給口４と、このガス供給口４と半導体装置の製造装置８
間に配設された材料ガス配管６と、ガス供給口４に接続
されな掃気ガス配管１とから主に構成されていた。
造装置へ材料ガスを供給する機構としては、例えば第３
図に示すように、材料ガスボンベ３に取付られるガス供
給口４と、このガス供給口４と半導体装置の製造装置８
間に配設された材料ガス配管６と、ガス供給口４に接続
されな掃気ガス配管１とから主に構成されていた。
そして、材料ガスボンベ３を交換する場合は、材料ガス
ボンベ３のバルブをしめたのち、ストップバルブ２．７
を開け、Ｎ２等の不活性ガスを掃気配管より流して、材
料ガス配管６及び半導体装置の製造装置８内の材料ガス
を除去したのち、材料ガスボンベ３から供給口４を取り
ばずしていた。
ボンベ３のバルブをしめたのち、ストップバルブ２．７
を開け、Ｎ２等の不活性ガスを掃気配管より流して、材
料ガス配管６及び半導体装置の製造装置８内の材料ガス
を除去したのち、材料ガスボンベ３から供給口４を取り
ばずしていた。
上述した従来の半導体装置の製造装置用ガス供給機構は
、掃気ガス配管工が材料ガスボンベ３のガス供給口４の
みに取付けられる構造となっているため、材料ガスボン
ベ交換時、掃気ガス配管１よりＮ２等の排気ガスを材料
ガス配管６等に流しながらボンベ交換できるが、材料ガ
スボンベ３からガス供給口４を取りはずした時、材料ガ
ス配管６内に大気中の水分や不純物が入り込み易いとい
う欠点がある。
、掃気ガス配管工が材料ガスボンベ３のガス供給口４の
みに取付けられる構造となっているため、材料ガスボン
ベ交換時、掃気ガス配管１よりＮ２等の排気ガスを材料
ガス配管６等に流しながらボンベ交換できるが、材料ガ
スボンベ３からガス供給口４を取りはずした時、材料ガ
ス配管６内に大気中の水分や不純物が入り込み易いとい
う欠点がある。
本発明の半導体装置の製造装置用ガス供給機構は、材料
ガスボンベと、前記材料ガスボンベに接続されたガス供
給口と、前記ガス供給口と半導体装置の製造装置側に配
設された材料ガス配管と、前記ガス供給口を介して前記
材料ガス配管に接続する掃気ガス配管とからなる半導体
装置の製造装置用ガス供給機構において、前記半導体装
置の製造装置とガス供給口間の前記材料ガス配管にスト
ップバルブを介して掃気ガス配管を接続したものである
。
ガスボンベと、前記材料ガスボンベに接続されたガス供
給口と、前記ガス供給口と半導体装置の製造装置側に配
設された材料ガス配管と、前記ガス供給口を介して前記
材料ガス配管に接続する掃気ガス配管とからなる半導体
装置の製造装置用ガス供給機構において、前記半導体装
置の製造装置とガス供給口間の前記材料ガス配管にスト
ップバルブを介して掃気ガス配管を接続したものである
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の構成図である。
掃気ガス配管工は、ストップバルブ２Ａを介し材料ガス
ボンベ３に接続されたガス供給口４へ接続されており、
更に、ストップバルブ２Ｂを介して、ガス供給口４と半
導体装置の製造装置８間に配設された材料ガス配管６に
も接続されている。
ボンベ３に接続されたガス供給口４へ接続されており、
更に、ストップバルブ２Ｂを介して、ガス供給口４と半
導体装置の製造装置８間に配設された材料ガス配管６に
も接続されている。
このように構成された第１の実施例によれば、材料ガス
ボンベ３を交換する場合、材料ガスボンベ３のバルブを
しめたのちストップバルブ２Ａ。
ボンベ３を交換する場合、材料ガスボンベ３のバルブを
しめたのちストップバルブ２Ａ。
７を開け、ストップバルブ２Ｂを肩とした状態でＮ２等
の掃気ガスを流して材料配管６と半導体装置の製造装置
８内の材料ガスを置換する９次でストップバルブ７を閉
め、スＩ・ツブバルブ２Ｂを開けたのちガス供給口４を
材料ガスボンベ３より取りはずす。この操作によりガス
供給口４寄りの材料ガス配管６には掃気ガスが流出する
なめ、大気中の水分や不純物が材料ガス配管６内に入り
込むことはなくなる。
の掃気ガスを流して材料配管６と半導体装置の製造装置
８内の材料ガスを置換する９次でストップバルブ７を閉
め、スＩ・ツブバルブ２Ｂを開けたのちガス供給口４を
材料ガスボンベ３より取りはずす。この操作によりガス
供給口４寄りの材料ガス配管６には掃気ガスが流出する
なめ、大気中の水分や不純物が材料ガス配管６内に入り
込むことはなくなる。
第２図は本発明の第２の実施例の構成図である。
水弟２の実施例では第１の実施例におけるストップバル
ブ２Ａとストップバルブ２Ｂの掃気ガス供給側へ逆止弁
５Ａ、５Ｂを取り付けたものであり、その他は第１の実
施例と同じである。
ブ２Ａとストップバルブ２Ｂの掃気ガス供給側へ逆止弁
５Ａ、５Ｂを取り付けたものであり、その他は第１の実
施例と同じである。
このように構成された第２の実施例によれば、ストップ
バルブ２Ａ、２Ｂの弁座が損傷しても、材料ガスが掃気
ガス配管１内へ混入するのを防止できる利点がある。
バルブ２Ａ、２Ｂの弁座が損傷しても、材料ガスが掃気
ガス配管１内へ混入するのを防止できる利点がある。
以上説明したように本発明は、掃気ガスを材料ガス配管
の半導体装置の製造装置側からも流せる様に配管を結合
する事により、材料ガスボンベ交換時、材料ガス配管の
製造装置側から掃気ガスを流せるため、ガス供給口を取
りはずした時、水分や不純物が材料ガス配管内に混入す
るのを防止できる効果がある。このため半導体装置の歩
留りを向上させる事ができる。
の半導体装置の製造装置側からも流せる様に配管を結合
する事により、材料ガスボンベ交換時、材料ガス配管の
製造装置側から掃気ガスを流せるため、ガス供給口を取
りはずした時、水分や不純物が材料ガス配管内に混入す
るのを防止できる効果がある。このため半導体装置の歩
留りを向上させる事ができる。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の構
成図、第３図は従来例の構成図である。 １・・・掃気ガス配管、２Ａ、２Ｂ・・・ストップバル
ブ、３・・・材料ガスボンベ、４・・・ガス供給口、５
Ａ、５Ｂ・・・逆止弁、６・・・材料ガス配管、７・・
・ストップバルブ、８・・・半導体装置の製造装置。
成図、第３図は従来例の構成図である。 １・・・掃気ガス配管、２Ａ、２Ｂ・・・ストップバル
ブ、３・・・材料ガスボンベ、４・・・ガス供給口、５
Ａ、５Ｂ・・・逆止弁、６・・・材料ガス配管、７・・
・ストップバルブ、８・・・半導体装置の製造装置。
Claims (1)
- 材料ガスボンベと、前記材料ガスボンベに接続されたガ
ス供給口と、前記ガス供給口と半導体装置の製造装置間
に配設された材料ガス配管と、前記ガス供給口を介して
前記材料ガス配管に接続する掃気ガス配管とからなる半
導体装置の製造装置用ガス供給機構において、前記半導
体装置の製造装置とガス供給口間の前記材料ガス配管に
ストップバルブを介して掃気ガス配管を接続したことを
特徴とする半導体装置の製造装置用ガス供給機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1024879A JPH07109280B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造装置用ガス供給機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1024879A JPH07109280B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造装置用ガス供給機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02203100A true JPH02203100A (ja) | 1990-08-13 |
| JPH07109280B2 JPH07109280B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=12150478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1024879A Expired - Fee Related JPH07109280B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造装置用ガス供給機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109280B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6224879A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-02-02 | O S G Kk | 摩擦圧接法 |
| JPS62141400A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-24 | Motoyama Seisakusho:Kk | 超高純度ガス切替供給装置 |
-
1989
- 1989-02-02 JP JP1024879A patent/JPH07109280B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6224879A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-02-02 | O S G Kk | 摩擦圧接法 |
| JPS62141400A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-24 | Motoyama Seisakusho:Kk | 超高純度ガス切替供給装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109280B2 (ja) | 1995-11-22 |
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Legal Events
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