JPH02201904A - 高透磁率材料 - Google Patents
高透磁率材料Info
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Landscapes
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は高透磁率材料に関する。更に詳細には、本発明
は良好な高周波特性を有し、飽和磁束密度の大きい高透
磁率材料に関する。
は良好な高周波特性を有し、飽和磁束密度の大きい高透
磁率材料に関する。
[従来の技術]
近年、電子装置の小型化などにより高周波領域で使用す
るものがふえ、そのため、より高周波領域で作動する高
透磁率材料が要求されている。高透磁率材料としては、
強磁性金属を用いたものと、酸化物磁性体を用いたもの
がある。
るものがふえ、そのため、より高周波領域で作動する高
透磁率材料が要求されている。高透磁率材料としては、
強磁性金属を用いたものと、酸化物磁性体を用いたもの
がある。
[発明が解決しようとする課題]
強磁性金属高透磁率材料は電気抵抗が小さいため、高周
波領域では渦電流損失が大きくなり高周波特性が劣化す
るという問題があった。
波領域では渦電流損失が大きくなり高周波特性が劣化す
るという問題があった。
また、高周波領域で渦電流損失の少ない磁性体としては
フェライトなどの酸化物があるが、これらは強磁性金属
に比べ飽和磁束密度が1/2〜2/3と小さいという欠
点があった。
フェライトなどの酸化物があるが、これらは強磁性金属
に比べ飽和磁束密度が1/2〜2/3と小さいという欠
点があった。
この発明は、上記従来技術が持っていた高周波領域での
渦電流損失の増大という欠点を解決し、以て高周波特性
が良く、飽和磁束密度の大きい高透磁率材料を提供する
ことを目的とする。
渦電流損失の増大という欠点を解決し、以て高周波特性
が良く、飽和磁束密度の大きい高透磁率材料を提供する
ことを目的とする。
[課題を解決するための手段]
前記目的を達成するために、本発明では、強磁性金属粒
子間にポリマが析出されており、飽和磁化が800G以
上であり、かつ、抵抗率が180μΩ−cm以上である
ことを特徴とする高透磁率材料を提供する。
子間にポリマが析出されており、飽和磁化が800G以
上であり、かつ、抵抗率が180μΩ−cm以上である
ことを特徴とする高透磁率材料を提供する。
[作用]
強磁性金属とポリマを同時ベーパデポジションすること
により強磁性金属粒子間にポリマが析出し、電気抵抗の
大きい軟磁性膜が得られる。
により強磁性金属粒子間にポリマが析出し、電気抵抗の
大きい軟磁性膜が得られる。
同時真空蒸着すると、強磁性金属はコラム構造をとりや
すく、そのコラム間にポリマが析出する。
すく、そのコラム間にポリマが析出する。
コラム間に絶縁体のポリマが析出しているため、元の強
磁性金属単体に比べ電気抵抗は高くなる。
磁性金属単体に比べ電気抵抗は高くなる。
そのため、渦電流損失は小さくなり、高周波領域での透
磁率の劣化が抑えられる。その結果、飽和磁束密度が大
きくなる。
磁率の劣化が抑えられる。その結果、飽和磁束密度が大
きくなる。
本発明の高透磁率材料は強磁性金属上ポリマーをペーパ
ーデポジション法により同時に基板表面に蒸着させるこ
とにより製造することができる。
ーデポジション法により同時に基板表面に蒸着させるこ
とにより製造することができる。
“ペーパー・デポジション法”とは気体または真空空間
中で、析出させようとする物質あるいは化合物等を蒸気
またはイオン化蒸気として気体上に析出させる方法を意
味する。この方法には、真空蒸着法、イオン・ブレーテ
ィング法、高周波イオン・ブレーティング法、イオン・
クラスタービーム/去、イオンビームデポジション法、
スパッタリング法、CVD法などがある。
中で、析出させようとする物質あるいは化合物等を蒸気
またはイオン化蒸気として気体上に析出させる方法を意
味する。この方法には、真空蒸着法、イオン・ブレーテ
ィング法、高周波イオン・ブレーティング法、イオン・
クラスタービーム/去、イオンビームデポジション法、
スパッタリング法、CVD法などがある。
本発明の高透磁率材料をペーパーデポジション法により
製造する場合、蒸着基板は80℃〜220℃の範囲内の
温度に維持することが好ましい。
製造する場合、蒸着基板は80℃〜220℃の範囲内の
温度に維持することが好ましい。
蒸着基板をこの範囲内の温度に維持しながら強磁性金属
とポリマーを同時にペーパーデポジシリンすると、強磁
性金属の結晶粒界にポリマーおよび金属との炭化物や、
アモルファス状カーボンまたはシリコン含有ポリマーの
場合にはシリコン化物やアモルファス状シリコンなどが
析出し、これらが電気的絶縁層となり、抵抗率が高めら
れる。
とポリマーを同時にペーパーデポジシリンすると、強磁
性金属の結晶粒界にポリマーおよび金属との炭化物や、
アモルファス状カーボンまたはシリコン含有ポリマーの
場合にはシリコン化物やアモルファス状シリコンなどが
析出し、これらが電気的絶縁層となり、抵抗率が高めら
れる。
本発明の高透磁率材料で使用できる強磁性金属は例えば
、Co+ Fe、Niなどの単体およびこれらの合金
類あるいはこれらと別の元素との合金類などである。こ
のような強磁性金属の合金類は当業者に周知である。
、Co+ Fe、Niなどの単体およびこれらの合金
類あるいはこれらと別の元素との合金類などである。こ
のような強磁性金属の合金類は当業者に周知である。
本発明の高透磁率材料の形成に使用できるポリマーは炭
素原子数が10〜1000、好ましくは、30〜500
.更に好ましくは70〜200の範囲内の線杖あるいは
網状重合体である。具体的には、ポリエチレン、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリブテン、
ポリスチレン、ポリテトラフロロエチレン、ポリブタジ
ェン、ポリカーボネイト、ポリアミド、ポリイミド、ポ
リウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、シリコ
ン系ポリマーなどが挙げられる。
素原子数が10〜1000、好ましくは、30〜500
.更に好ましくは70〜200の範囲内の線杖あるいは
網状重合体である。具体的には、ポリエチレン、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリブテン、
ポリスチレン、ポリテトラフロロエチレン、ポリブタジ
ェン、ポリカーボネイト、ポリアミド、ポリイミド、ポ
リウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、シリコ
ン系ポリマーなどが挙げられる。
強磁性金属とポリマーとの混合比率は一般的に、ポリマ
ーが5volX以上、望ましくは10volX以上、更
に望ましくは12VO+%以上で、40vo1%以下の
量である。ポリマーが5vo1%未満では抵抗率が18
0μΩ−cm未満となる。一方、4Qvo1%を越える
量のポリマーが存在すると、ポリマーによる強磁性金属
粒子の分離が大きくなり飽和磁化が800G未満となる
ばかりか、磁気特性も次第にハードになり好ましくない
。
ーが5volX以上、望ましくは10volX以上、更
に望ましくは12VO+%以上で、40vo1%以下の
量である。ポリマーが5vo1%未満では抵抗率が18
0μΩ−cm未満となる。一方、4Qvo1%を越える
量のポリマーが存在すると、ポリマーによる強磁性金属
粒子の分離が大きくなり飽和磁化が800G未満となる
ばかりか、磁気特性も次第にハードになり好ましくない
。
本発明の高透磁率材料は基板上に膜として形成させるこ
ともできるが、この基板から掻き落として粉末状にし、
適当なビヒクル、バインダー等の液体または固体材料と
混合して使用することもできる。このようにすれば、所
望の時と所で、塗布。
ともできるが、この基板から掻き落として粉末状にし、
適当なビヒクル、バインダー等の液体または固体材料と
混合して使用することもできる。このようにすれば、所
望の時と所で、塗布。
噴霧または成型等の任意の手段により様々な形状の成形
物を製造することが可能となる。
物を製造することが可能となる。
従って、本発明の新規な高透磁率材料はペーパーデポジ
ション法により微細な基板−Lにも形成できるためマイ
クロトランスのコア材料や高周波インダクタの高透磁率
材料として使用でき、また、磁気テープ、フロッピーデ
ィスク、磁気ディスクなどのような磁気記録媒体の下地
層の他に、磁気ヘッドのコア材の形成材料として使用す
ることもできる。
ション法により微細な基板−Lにも形成できるためマイ
クロトランスのコア材料や高周波インダクタの高透磁率
材料として使用でき、また、磁気テープ、フロッピーデ
ィスク、磁気ディスクなどのような磁気記録媒体の下地
層の他に、磁気ヘッドのコア材の形成材料として使用す
ることもできる。
[実施例コ
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施(口ご−4
第1図に示されるような真空蒸着装置を用い、以下の条
件で高磁率材料を製造した。
件で高磁率材料を製造した。
1、強磁性金属:鉄
2、ポリマ 、ポリブテン(実施例1)ポリスチレン
(実施例2) ガラス 150°C 強磁性金属 50人/5ee 3、基板 4.7λ板調度 5、蒸着レート :ポリマ 10人/see 膜厚5μmの膜を基板上に形成した。
(実施例2) ガラス 150°C 強磁性金属 50人/5ee 3、基板 4.7λ板調度 5、蒸着レート :ポリマ 10人/see 膜厚5μmの膜を基板上に形成した。
災五肚にL
第2図に示されるような高周波スパッタ装置を用い、以
下の条件で高透磁率材料を作製した。
下の条件で高透磁率材料を作製した。
1、強磁性金属 鉄
2、ポリマ ポリブテン(実施例3)ポリスチレン
(実施例4) 3、基板 °ガラス 4、基板温度 150℃ 5、A r圧 、10 mTorr B、投入電力 ’1.5kW(13,56MHz )
膜厚5μmの膜を基板上に形成した。
(実施例4) 3、基板 °ガラス 4、基板温度 150℃ 5、A r圧 、10 mTorr B、投入電力 ’1.5kW(13,56MHz )
膜厚5μmの膜を基板上に形成した。
止校旌上
方向性3%5iFeを10μmまで圧延し、真空中で7
50℃で1時間焼鈍することにより対照物を得た。
50℃で1時間焼鈍することにより対照物を得た。
比1舛2−
第1図に示されるような真空蒸着装置を用い、FeAJ
!Si(センダスト)膜を以下の条件で作製した。
!Si(センダスト)膜を以下の条件で作製した。
1、インゴット:FeAJ!Si合金インゴット2、基
板 ニガラス 3、基板温度 二300℃ 4、蒸着レート:50人/sec 膜厚5μmのものを作製した。
板 ニガラス 3、基板温度 二300℃ 4、蒸着レート:50人/sec 膜厚5μmのものを作製した。
前記の実施例1〜4で得られた本発明の高透磁率材料お
よび前記の比較例1と2で得られた材料の各々の磁気特
性(飽和磁束密度および保磁力)、電気抵抗率及び複素
透磁率の実数部μ゛の0.1MHz及び25MHzの値
を下記の表1に示す。
よび前記の比較例1と2で得られた材料の各々の磁気特
性(飽和磁束密度および保磁力)、電気抵抗率及び複素
透磁率の実数部μ゛の0.1MHz及び25MHzの値
を下記の表1に示す。
磁気特性は試料振動型磁束計で測定し、電気抵抗率は4
端子法により測定し、透磁率はコイルを巻いたフェライ
トコアを各試料に押し当てて磁気回路を作り、ベクトル
インピーダンスメータを用いて測定した。
端子法により測定し、透磁率はコイルを巻いたフェライ
トコアを各試料に押し当てて磁気回路を作り、ベクトル
インピーダンスメータを用いて測定した。
(以下余白)
表1に示された結果から明らかなように、本発明の高透
磁率材料は電気抵抗率が高く、そのため高周波領域での
透磁率の減少が小さく、高周波領域での特性に優れた高
透磁率材料であることが理解される。
磁率材料は電気抵抗率が高く、そのため高周波領域での
透磁率の減少が小さく、高周波領域での特性に優れた高
透磁率材料であることが理解される。
また、フェライトなどの酸化物磁性体を用いた高透磁率
材料は飽和磁束密度が0.4〜0.6Tであることから
、本発明の高透磁率材料は、酸化物磁性体を用いた高透
磁率材料に比べ、飽和磁束密度が大きい。
材料は飽和磁束密度が0.4〜0.6Tであることから
、本発明の高透磁率材料は、酸化物磁性体を用いた高透
磁率材料に比べ、飽和磁束密度が大きい。
[発明の効果]
以上説明したように、強磁性金属粒子間にポリマが析出
した電気抵抗率の大きい磁性材料を用いることにより、
高周波領域での劣化の小さい、かつ、飽和磁束密度の大
きい高透磁率材料が得られる。
した電気抵抗率の大きい磁性材料を用いることにより、
高周波領域での劣化の小さい、かつ、飽和磁束密度の大
きい高透磁率材料が得られる。
第1図は本発明の高透磁率材料の製造に使用される真空
蒸着装置の一例の概要模式図であり、第2図は本発明の
高透磁率材料の製造に使用されるスパッタリング装置の
一例の概要模式図である。
蒸着装置の一例の概要模式図であり、第2図は本発明の
高透磁率材料の製造に使用されるスパッタリング装置の
一例の概要模式図である。
Claims (1)
- (1)強磁性金属粒子間にポリマが析出されており、飽
和磁化が800G以上であり、かつ、抵抗率が180μ
Ω−cm以上であることを特徴とする高透磁率材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1020287A JP2750722B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 高透磁率材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1020287A JP2750722B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 高透磁率材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02201904A true JPH02201904A (ja) | 1990-08-10 |
JP2750722B2 JP2750722B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=12022954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1020287A Expired - Lifetime JP2750722B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 高透磁率材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2750722B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6134079A (en) * | 1997-09-17 | 2000-10-17 | Fujitsu Limited | Magnetic head including a pole piece with soft magnetic particles dispersed therein and manufacturing method therefor |
WO2005086184A1 (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Nec Tokin Corporation | 電磁雑音抑制薄膜 |
US7371471B2 (en) | 2004-03-08 | 2008-05-13 | Nec Tokin Corporation | Electromagnetic noise suppressing thin film |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPS4978733A (ja) * | 1972-12-04 | 1974-07-30 | ||
JPS62226603A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Hitachi Metals Ltd | アモルフアス圧粉磁心およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1020287A patent/JP2750722B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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