JPH0220088A - 半導体レーザモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、読み取り時の光出力の揺らぎによる戻り光ノ
イズを低減するために高周波電流重畳回路が付加された
半導体レーザモジュールの改良に関する。

（従来の技術） 例えば、光デイスク装置、光磁気ディスク装置、レーザ
カード装置等の光情報処理装置の光源として半導体レー
ザを用いるに際しては、読み取り時の光出力の揺らぎに
よる戻り光ノイズを低減するために、高周波電流重畳回
路を付加してモジュールを構成することが多い。

第２図に、従来の高周波重畳回路付半導体レーザモジュ
ールの一例を示す、第２図（ａ）は正面図、同図（ｂ）
は平面図である。半導体レーザ１は、シールドケース２
上に配置されており、シールドケース２上には、該半導
体レーザ１の発光点を位置決めするためにフィン３が固
定されている。

第２図では明らかではないが、半導体レーザ１を駆動す
るために複数本のリード端子が半導体レーザ１から引出
されている。シールドケース２内には高周波電流を発生
させるための回路が設けられており、該回路は回路基板
上に搭載されたトランジスタ５．８、コイル６．９、及
びコンデンサ７等から成る。

上述した半導体レーザ１のリード端子は、フィン３を通
り、シールドケース２内に至る長さとされている。シー
ルドケース２の側壁には、貫通コンデンサ４が取り付け
られている。第２図においては図示されていないが、貫
通コンデンサ４の内側のリード端子は、上述した半導体
レーザ１のリード端子とシールドケース２の内部で電気
的に接続されている。

また、シールドケース２内には、読取り時の光出力の揺
らぎによる戻り光ノイズを低減するための高周波電流重
畳回路が基板上に構成されており、該高周波電流重畳回
路の引出し端子も、貫通コンデンサ４と同様の貫通コン
デンサ（図示されず）に接続されており、該貫通コンデ
ンサのリード端子によりシールドケース２外に引出され
ている。

即ち、第２図の従来例では、貫通コンデンサのリード端
子４ａがモジュール全体の引出し端子を構成している。

尚、貫通コンデンサ４は、高周波電流を半導体レーザ駆
動電流に重畳する際の高周波発振により生じる不要電磁
波輻射（ノイズ）を除去するために設けられている。

（発明が解決しようとする課題） 上述のように、従来の半導体レーザモジュールでは、半
導体レーザ１及び高周波電流重畳回路をモジュール外に
引き出すためのリード端子として、貫通コンデンサのリ
ード端子４ａを利用していたため、モジュール全体の寸
法が比較的大きくならざるを得す、光情報処理装置のピ
ックアップ等の小型化を阻む大きな要因となっていた。

また、半導体レーザ１自体のリード端子とは別に、リー
ド端子（即ち貫通コンデンサ４のリード端子４ａ）を用
意し接続するものであるため、部品点数が増加するだけ
でなく、作業工程も煩雑であった。

よって、本発明の目的は、モジュール全体を効果的に小
さくすることができ、しかも比較的簡単な工程で製造す
ることが可能な半導体レーザモジュールを提供すること
にある。

（課題を解決するための手段） 本発明の半導体レーザモジュールは、半導体レーザと該
半導体レーザを駆動する高周波電流重畳回路とが本体に
実装された半導体レーザモジュールにおいて、前記半導
体レーザのリード端子及び前記高周波電流重畳回路のリ
ード端子が本体外に延設されて前記半導体レーザモジュ
ールとしての電極端子を兼用しており、該電極端子には
電磁波の不要輻射を吸収するリング状のフェライトビー
ズフィルタが外挿されており、この構成により上記目的
が達成される。

尚、半導体レーザ近傍に他の素子、例えば、半導体レー
ザの光出力をモニタするためのホトダイオードが配設さ
れている場合には、そのような素子のリード端子も上記
半導体レーザのリード端子に包含される。

（作用） 本発明の半導体レーザモジュールでは、半導体レーザの
リード端子及び高周波電流重畳回路に接続されたリード
端子が、そのままモジュール外に引き出されており、モ
ジュールのリード端子として兼用されている。よって、
半導体レーザのり−ド端子に、貫通コンデンサのリード
端子のような他のリード部材を接続する必要が無いため
、全体の形状が効果的に低減されると共に、製造工程も
簡略化される。

また、高周波電流の重畳に起因する不要電磁波輻射を除
去するためのフィルタとしては、半導体レーザモジュー
ルの電極端子に設けられたリング状のフェライトビーズ
を用いることができるので、半導体レーザのリード端子
及び高周波電流重畳回路に接続されたリード端子をその
まま利用して電磁波ノイズ除去フィルタを構成すること
が可能となる。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。

第１図（ａ）に本発明の一実施例の平面図を示す。

本実施例では、半導体レーザ１１がシールドケース１２
に、固定されている。この半導体レーザ１１において、
ｌｌａはレーザチップを、ｌｌｂは発光点位置決め用溝
を示している。尚、本実施例では、レーザ出力光をモニ
タするために、半導体レーザ１１内にはホトダイオード
（不図示）も設けられている。

第１図（ｂ）及び同図（ｃ）は、第１図（ａ）のＢ−Ｂ
線及びＣ−Ｃ線に沿ってシールドケース１２内を断面で
示す部分断面図である。

シールドケース１２内には、高周波電流を発生するチッ
プ部品を搭載した混成集積回路用の回路基板１３が収納
されている０回路基板１３を利用して、高周波電流を半
導体レーザ駆動電流に重畳するための高周波電流重畳回
路１３ａが構成されている０回路基板１３上に実装され
た状態に図示されている電子部品は、この高周波電流重
畳回路１３ａを構成するために設けられているものであ
る。高周波電流重畳回路１３ａをシールドケース１２内
に埋め込み固定するために、ポリイミド、エポキシ樹脂
等の合成樹脂１４がケース１２内に充填されている。

半導体レーザ１１からは、レーザチップ用リード端子１
５、ホトダイオード用リード端子１７、及び共通リード
端子１６が突出している。これらのリード端子１５〜１
７は、第１図（ｂ）及び（Ｃ）から明らかなように、比
較的長いリード部材により構成されている。これは、こ
れらのリード端子１５〜１７をそのままモジュール全体
のリード端子として用いるためである。即ち、リード端
子１５〜１７はシールドケース１２の下方からシールド
ケース１２外へ引き出されてモジュール全体の電極端子
をも構成している。同様に、回路基板１３を利用して構
成された高周波電流重畳回路１３ａに接続されたリード
端子１８もシールドケース１２外へ引き出されている（
第１図（Ｃ）参照）。

このように、半導体レーザ（ホトダイオードを含む）１
１に接続されたリード端子１５〜１７及び高周波電流重
畳回路１３ａに接続された端子１８が、共に、モジュー
ル全体の電極端子として用いられているため、全体形状
を非常に小さくすることができる。即ち、従来例のよう
に別体の貫通コンデンサのリード部をモジュールのリー
ド端子として利用するものでないため、シールドケース
１２内の構造を簡略化することができ、かつ全体形状を
小さくすることができる。

リード端子１５．１７及び端子１８の周囲には、フェラ
イトビーズよりなるノイズ除去フィルタ２１〜２３がそ
れぞれ固定されている。これらのノイズ除去フィルタ２
１〜２３は、高周波電流を半導体レーザ駆動電流に重畳
する際に高周波発振により生じる不要輻射を低減するた
めの電磁波ノイズ除去フィルタを構成するものである。

即ち、第２図に示す従来例に於ける貫通コンデンサ４に
代えて、このようなノイズ除去フィルタ２１〜２３が用
いられている。

上述のように、ノイズ除去フィルタ２１〜２３はフェラ
イトビーズにより構成されているので、リード端子１５
．１７及び端子１８に外挿するだけで簡単に取付けるこ
とができる。よって、半導体レーザのリード端子１５〜
１７をモジュール端子として使用した場合においても、
上述した高周波発振により生じる不要輻射を効果的に低
減することが可能である。

しかも、本実施例では、ノイズ除去フィルタ２１〜２３
はシールドケース１２内において各リード端子１５．１
７及び端子１８の周囲に配設されているので、シールド
ケース１２外の形状も簡略化される。

もっとも、フェライトビーズよりなるノイズ除去フィル
タ２１〜２３については、シールドケース１２外に於い
てリード端子１５．１７及び端子１８に取付けてもよい
。

更に、図示の実施例では、各リード端子１５〜１７及び
端子１８を直線状リード部材により構成しシールドケー
ス１２の下方に引出していたが、直角に曲げられたリー
ド部材を用いてシールドケース１２の側方に引出すよう
に構成してもよい。

要するに、半導体レーザのリード端子及び高周波電流重
畳回路に接続されるリード端子をそのままモジュールの
電極端子として用いるものである限り、その形状は問わ
ない。

（発明の効果） 以上のように、本発明によれば、半導体レーザのリード
端子及び高周波電流重畳回路に接続されるリード端子が
そのままモジュール外へ引き出されてモジュール全体の
リード端子を構成しており、このリード端子にＶング状
のフェライトビーズより成る電磁波吸収フィルタが嵌挿
されている。よって、第２図に示したような従来のモジ
ュール装置に比べて、全体を飛躍的に小型とすることが
可能となる。

また、第２図の従来例では、シールドケース内で半導体
レーザのリード端子と貫通コンデンサのリード部を接続
していたが、本発明ではそのような接続作業を省略する
ことができるので、製造工程も大幅に簡略化することが
でき、しかも部品点数の低減も図ることができる。

従って、本発明によれば、光デイスク装置、光磁気ディ
スク装置やレーザカード装置のような光情報処理装置の
ピックアップとしてｉ″ａな半導体レーザモジュールを
実現することが可能となる。

ｔ；日 第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を示すもので
あり、同図（ａ）はその実施例の概略平面図、同図（ｂ
）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う部分断面図、同図（ｃ
）は同図（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う部分断面図、第２図（
ａ）は従来例の正面図、同図（ｂ）はその平面図である
。

１１・・・半導体レーザ、１３・・・回路基板、１３ａ
・・・高周波電流重畳回路、１５〜１７・・・半導体レ
ーザのリード端子、１８・・・高周波電流重畳回路１３
ａに接続された端子、２１〜２３・・・フェライトビー
ズ。

以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．半導体レーザと該半導体レーザを駆動する高周波電
   流重畳回路とが本体に実装された半導体レーザモジュー
   ルにおいて、 前記半導体レーザのリード端子及び前記高周波電流重畳
   回路のリード端子が本体外に延設されて前記半導体レー
   ザモジュールとしての電極端子を兼用しており、該電極
   端子には電磁波の不要輻射を吸収するリング状のフェラ
   イトビーズフィルタが外挿されていることを特徴とする
   半導体レーザモジュール。