JPH02198177A - 光半導体集積装置 - Google Patents
光半導体集積装置Info
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- JPH02198177A JPH02198177A JP1016350A JP1635089A JPH02198177A JP H02198177 A JPH02198177 A JP H02198177A JP 1016350 A JP1016350 A JP 1016350A JP 1635089 A JP1635089 A JP 1635089A JP H02198177 A JPH02198177 A JP H02198177A
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Links
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Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光半導体集積装置に係り、特に受光素子と受光素子もし
くは受光素子と電子素子を同一基板に集積した光半導体
集積装置に関し、 同一基板上に集積配置された複数の光電干害素子間（例
えば受光素子と受光素子間）の素子分離を改良した光半
導体集積装置を提供することを目的とし、 受光素子と受光素子もしくは受光素子と電子素子を同一
基板上に集積化した光半導体集積装置において、該受光
素子と受光素子もしくは受光素子と電子素子間の該基板
部の該素子形成基板面と反対側の基板面に設けた第１の
開口部上の絶縁層と；前記素子形成面に設けられ且つ該
絶縁層の１部を露出せしめた第２の開口部と；前記絶縁
層上に該第１の開口部補強材と；を設けたことを構成と
する。
くは受光素子と電子素子を同一基板に集積した光半導体
集積装置に関し、 同一基板上に集積配置された複数の光電干害素子間（例
えば受光素子と受光素子間）の素子分離を改良した光半
導体集積装置を提供することを目的とし、 受光素子と受光素子もしくは受光素子と電子素子を同一
基板上に集積化した光半導体集積装置において、該受光
素子と受光素子もしくは受光素子と電子素子間の該基板
部の該素子形成基板面と反対側の基板面に設けた第１の
開口部上の絶縁層と；前記素子形成面に設けられ且つ該
絶縁層の１部を露出せしめた第２の開口部と；前記絶縁
層上に該第１の開口部補強材と；を設けたことを構成と
する。
本発明は光半導体集積装置に係り、特に受光素子と受光
素子もしくは受光素子と電子素子を同一基板に集積した
光半導体集積装置に関する。
素子もしくは受光素子と電子素子を同一基板に集積した
光半導体集積装置に関する。
従来０ＥＩＣ（光電子集積回路）素子は第１の受光素子
と第２の受光素子、もしくは受光素子と電子素子を第１
図に示すように例えばＩｎＰ等の半絶縁性基板１上にそ
れぞれ符号２，３として集積化配置することにより形成
されている。そして第１の受光素子２と第２の受光素子
３ （あるいは受光素子と電子素子）との間の素子分離
は半絶縁基板ｌと、Ｓ ｒ Ｎ ＋ Ｓ ｉ Ｏ□等の
絶縁保護膜４によって行われている。
と第２の受光素子、もしくは受光素子と電子素子を第１
図に示すように例えばＩｎＰ等の半絶縁性基板１上にそ
れぞれ符号２，３として集積化配置することにより形成
されている。そして第１の受光素子２と第２の受光素子
３ （あるいは受光素子と電子素子）との間の素子分離
は半絶縁基板ｌと、Ｓ ｒ Ｎ ＋ Ｓ ｉ Ｏ□等の
絶縁保護膜４によって行われている。
このような０ＢＩＣ素子を形成するエビ層成長時には所
定の温度での加熱を要するため、その熱や熱歪等による
半絶縁性基板１の絶縁性の劣化や、■ｖ族半導体に適当
な絶縁膜が無いことによる基板と保護膜４との界面不良
が発生し、基板内あるいは該基板と保護膜界面を通して
各素子間に電流がリークする問題を生ずる。
定の温度での加熱を要するため、その熱や熱歪等による
半絶縁性基板１の絶縁性の劣化や、■ｖ族半導体に適当
な絶縁膜が無いことによる基板と保護膜４との界面不良
が発生し、基板内あるいは該基板と保護膜界面を通して
各素子間に電流がリークする問題を生ずる。
このようなリーク電流が大きくなると受光素子の最小受
信レベルの低下を招き、受光素子及び電子素子のノイズ
の原因となる。
信レベルの低下を招き、受光素子及び電子素子のノイズ
の原因となる。
本発明は同一基板上に集積配置された複数の光電干害素
子間（例えば受光素子と受光素子間）の素子分離を改良
した光半導体集積装置を提供することを目的とする。
子間（例えば受光素子と受光素子間）の素子分離を改良
した光半導体集積装置を提供することを目的とする。
上記課題は本発明によれば受光素子と受光素子もしくは
受光素子と電子素子を同一基板上に集積化した光半導体
集積装置において、該受光素子と受光素子もしくは受光
素子と電子素子間の該基板部の該素子形成基板面と反対
側の基板面に設けた第１の開口部上の絶縁層と；前記素
子形成面に設けられ且つ該絶縁層の１部を露出せしめた
第２の開口部と；を設け、前記絶縁層上に該第１の開口
部補強材と；を設けたことを特徴とする光半導体集積装
置によって解決される。
受光素子と電子素子を同一基板上に集積化した光半導体
集積装置において、該受光素子と受光素子もしくは受光
素子と電子素子間の該基板部の該素子形成基板面と反対
側の基板面に設けた第１の開口部上の絶縁層と；前記素
子形成面に設けられ且つ該絶縁層の１部を露出せしめた
第２の開口部と；を設け、前記絶縁層上に該第１の開口
部補強材と；を設けたことを特徴とする光半導体集積装
置によって解決される。
本発明によれば同一基板上に形成された複数の光素子間
あるいは光素子電子素子間が完全に絶縁物により絶縁さ
れる構造が得られる。
あるいは光素子電子素子間が完全に絶縁物により絶縁さ
れる構造が得られる。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の基本構成図を示す模式断面図である。
第１図において基板１０の素子形成面（１０ａ 。
１０ｂ）とその裏面１２のそれぞれぼり中央部に溝１１
、１３が形成されており、裏面１２側及び溝１３上に
ＳｉＮ膜等の絶縁膜１４を被着し、特に溝部にポリイミ
ドからなる補強材１５が設けられている基板１０は溝部
中央で絶縁膜１４の一部が溝１１表面に突出した形状と
なっている。
、１３が形成されており、裏面１２側及び溝１３上に
ＳｉＮ膜等の絶縁膜１４を被着し、特に溝部にポリイミ
ドからなる補強材１５が設けられている基板１０は溝部
中央で絶縁膜１４の一部が溝１１表面に突出した形状と
なっている。
すなわち第１図では基板１０がその中央に設けられた絶
縁物により素子分離されることになる。
縁物により素子分離されることになる。
本発明では基板１０ａ、１０ｂにそれぞれ受光素子、受
光素子あるいは受光素子、電子素子が形成されそれぞれ
の素子が絶縁分離される。なお溝１３上に補強材１５と
してポリイミド等で埋める。
光素子あるいは受光素子、電子素子が形成されそれぞれ
の素子が絶縁分離される。なお溝１３上に補強材１５と
してポリイミド等で埋める。
第２Ａ図ないし第２Ｅ図はＰＩＮＴホトダイオードを２
個集積した１実施例の工程図である。
個集積した１実施例の工程図である。
まず第２Ａ図に示すようにＩｎＰ基板２０上にＮ”Ｉｎ
Ｐ層、１ｌｎＧａＡｓ層、Ｎ−ＩｎＰ Ｒを順次形成し
たＰＩＮエビ層２１を形成する。
Ｐ層、１ｌｎＧａＡｓ層、Ｎ−ＩｎＰ Ｒを順次形成し
たＰＩＮエビ層２１を形成する。
次に通常通りＰ゛の選択拡散を行ないＰＮ接合部を作成
した後、メサエッチングを行い、Ｐ電極２２とＮ電極２
３を形成する（第２Ｂ図）。
した後、メサエッチングを行い、Ｐ電極２２とＮ電極２
３を形成する（第２Ｂ図）。
次にＩｎＰ基板２０を約１００ｍの厚さに加工した後、
ＨＢｒ ＋ Ｂｒ ＋ ＨｚＯの湿式エツチングにより
約８０〜９０趨の深さにメサエッチングを行ない、溝２
５を形成する（第２Ｃ図）。この溝は基板の最深部に突
出端を有する図の如き３角形形状が製造工程を容易にす
るため好ましい。
ＨＢｒ ＋ Ｂｒ ＋ ＨｚＯの湿式エツチングにより
約８０〜９０趨の深さにメサエッチングを行ない、溝２
５を形成する（第２Ｃ図）。この溝は基板の最深部に突
出端を有する図の如き３角形形状が製造工程を容易にす
るため好ましい。
次に第２Ｄ図に示すようにＩｎＰ基板２０の溝形成側に
プラズマＣＶＤ法により約１−厚さのＳｉＮ膜２６を被
着しその後、溝内とその近傍の基板面にかへるようにポ
リイミド等の樹脂２７で溝部を強度的に補強する。
プラズマＣＶＤ法により約１−厚さのＳｉＮ膜２６を被
着しその後、溝内とその近傍の基板面にかへるようにポ
リイミド等の樹脂２７で溝部を強度的に補強する。
次に第２Ｅ図に示すように、ＰＮ電極２２ａ。
２２ｂ；及び２３ａ、２３ｂ；をそれぞれ有する２つの
ＰＩＮ−ホトダイオードが形成された基板面のはり中央
、（溝２５の突出端上）をＨＢｒ＋Ｂｒ＋■２０等でエ
ツチングしＳｉＮ膜２６の突出端を露出させる。第２Ｆ
図から明らかなように２つのＰＩＮホトダイオードはＳ
ｉＮ膜２６で完全に絶縁される。
ＰＩＮ−ホトダイオードが形成された基板面のはり中央
、（溝２５の突出端上）をＨＢｒ＋Ｂｒ＋■２０等でエ
ツチングしＳｉＮ膜２６の突出端を露出させる。第２Ｆ
図から明らかなように２つのＰＩＮホトダイオードはＳ
ｉＮ膜２６で完全に絶縁される。
第２Ｂ図の横に示した第３図はホトダイオード等の受光
素子３０と電子素子３１の２つの素子が集積された図で
あり、以下の工程は第２Ｃ図以下と同様に行なわれる。
素子３０と電子素子３１の２つの素子が集積された図で
あり、以下の工程は第２Ｃ図以下と同様に行なわれる。
以上説明したように本発明によれば受光素子と受光素子
あるいは受光素子と電子素子が集積された装置において
各素子間を絶縁物により完全に絶縁することが出来るの
で従来の半絶縁性基板と絶縁膜との界面を介して流れる
電流（リーク電流）を防止できる。
あるいは受光素子と電子素子が集積された装置において
各素子間を絶縁物により完全に絶縁することが出来るの
で従来の半絶縁性基板と絶縁膜との界面を介して流れる
電流（リーク電流）を防止できる。
第１図は本発明の基本構成図を示す模式断面図であり、
次に第２Ａ図ないし第２Ｅ図にＰＩＮ−ホトダイオード
を２個集積した１実施例の工程図であり、第３図は第２
Ｂ図に代わる他の実施例を示す図であり、 第４図は従来例を説明するための断面図である。 １・・・半絶縁性基板、 ２・・・受光素子、３・・
・受光素子あるいは電子素子、 ４・・・絶縁保護膜、 １０・・・基板、１１
、１３・・・溝、 １４・・・絶縁膜、１５・
・・補強材、 ２０・・・ＩｎＰ基板、２１・・
・ＰＩＮエビ層、 ２２・・・Ｐ電極、２３・・・
Ｎ電極、 ２５・・・溝、２６・・・ＳｉＮ膜、
２７・・・樹脂、３０・・・受光素子、
３１・・・電子素子。 本発明 第１図 第２Ａ図 手 続 補 正 書（方式） 事件の表示 平成１年特許願第１６３５０号 発明の名称 光半導体集積装置 補正をする者 事件との関係 特許出願人 第２Ｆ図 名称 （５２２）富士通株式会社 ４、代理人 住所 〒１０５ 東京都港区虎ノ門−丁目８番１０号 第 図 ５゜ 補正命令の日付 ６、補正の対象 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２）図
面 ７、補正の内容 （１）発明の詳細な説明 （イ） 明細書第７頁第４行のｒ２Ｆ図」を１２Ｅ図
１に補正する。 （２）図面 「第２Ｅ図」をｒ第２ Ｄ図Ｊ ニｒ第２ Ｆ図Ｊをｒ
第２Ｅ図」に補正する。 ８、添付書類の目録 図面（第２Ｄ図、第２Ｅ図） １通２６・・・Ｓ
ｉＮ膜 第２Ｅ図
を２個集積した１実施例の工程図であり、第３図は第２
Ｂ図に代わる他の実施例を示す図であり、 第４図は従来例を説明するための断面図である。 １・・・半絶縁性基板、 ２・・・受光素子、３・・
・受光素子あるいは電子素子、 ４・・・絶縁保護膜、 １０・・・基板、１１
、１３・・・溝、 １４・・・絶縁膜、１５・
・・補強材、 ２０・・・ＩｎＰ基板、２１・・
・ＰＩＮエビ層、 ２２・・・Ｐ電極、２３・・・
Ｎ電極、 ２５・・・溝、２６・・・ＳｉＮ膜、
２７・・・樹脂、３０・・・受光素子、
３１・・・電子素子。 本発明 第１図 第２Ａ図 手 続 補 正 書（方式） 事件の表示 平成１年特許願第１６３５０号 発明の名称 光半導体集積装置 補正をする者 事件との関係 特許出願人 第２Ｆ図 名称 （５２２）富士通株式会社 ４、代理人 住所 〒１０５ 東京都港区虎ノ門−丁目８番１０号 第 図 ５゜ 補正命令の日付 ６、補正の対象 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２）図
面 ７、補正の内容 （１）発明の詳細な説明 （イ） 明細書第７頁第４行のｒ２Ｆ図」を１２Ｅ図
１に補正する。 （２）図面 「第２Ｅ図」をｒ第２ Ｄ図Ｊ ニｒ第２ Ｆ図Ｊをｒ
第２Ｅ図」に補正する。 ８、添付書類の目録 図面（第２Ｄ図、第２Ｅ図） １通２６・・・Ｓ
ｉＮ膜 第２Ｅ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、受光素子と受光素子もしくは受光素子と電子素子を
同一基板上に集積化した光半導体集積装置において、 該受光素子と受光素子もしくは受光素子と電子素子間の
該基板部の該素子形成基板面と反対側の基板面に設けた
第１の開口部上の絶縁層と；前記素子形成面に設けられ
且つ該絶縁層の１部を露出せしめた第２の開口部と； 前記絶縁層上に該第１の開口部補強材と；を設けたこと
を特徴とする光半導体集積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1016350A JPH02198177A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 光半導体集積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1016350A JPH02198177A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 光半導体集積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198177A true JPH02198177A (ja) | 1990-08-06 |
Family
ID=11913919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1016350A Pending JPH02198177A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 光半導体集積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02198177A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015012118A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 京セラ株式会社 | 受発光素子、および受発光素子の製造方法 |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1016350A patent/JPH02198177A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015012118A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 京セラ株式会社 | 受発光素子、および受発光素子の製造方法 |
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