JPH02196097A - ダイヤモンドの気相合成法 - Google Patents
ダイヤモンドの気相合成法Info
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は燃焼炎を用いたダイヤモンドの合成法、詳しく
は高純度、高結晶性で高熱伝導性、低誘電性、高透光性
、高比弾性、高強度、耐摩耗性、高耐久高温動作性半導
体素子等必要とされる用途の広いダイヤモンドを安価に
、高速でしかも長時間安定して合成可能な気相合成法に
関するものである。
は高純度、高結晶性で高熱伝導性、低誘電性、高透光性
、高比弾性、高強度、耐摩耗性、高耐久高温動作性半導
体素子等必要とされる用途の広いダイヤモンドを安価に
、高速でしかも長時間安定して合成可能な気相合成法に
関するものである。
従来、人造ダイヤモンドは高温高圧下の熱力学的平衡状
態において合成されてきたが、最近は気相からのダイヤ
モンドの合成が可能となっている。
態において合成されてきたが、最近は気相からのダイヤ
モンドの合成が可能となっている。
この気相合成法は、通常１０倍以上の水素で希釈した炭
化水素ガスを用い、このガスをプラズマもしくは熱フィ
ラメントで励起して反応室中の基材上にダイヤモンド層
を形成している。しかし、蒸着速度は０．１〜２μｍ／
ｈと遅く、工業的に利用するには問題があった。
化水素ガスを用い、このガスをプラズマもしくは熱フィ
ラメントで励起して反応室中の基材上にダイヤモンド層
を形成している。しかし、蒸着速度は０．１〜２μｍ／
ｈと遅く、工業的に利用するには問題があった。
又、第３５回応用物理学関係連合講演会（昭和６３年４
月）日本工大、広瀬等は、燃焼炎を用いて、ダイヤモン
ドが合成可能である事を報告した。
月）日本工大、広瀬等は、燃焼炎を用いて、ダイヤモン
ドが合成可能である事を報告した。
またＮｅｗ口ｉａｍｏｎｄ第４巻、第３号、第３４〜３
５頁には燃焼炎を利用したダイヤモンド合成法が報告さ
れている。
５頁には燃焼炎を利用したダイヤモンド合成法が報告さ
れている。
しかし、再現性良く、結晶性の良いダイヤモンドを長時
間安定して合成する事や膜の成長速度等工業的に応用す
るには多くの問題があった。
間安定して合成する事や膜の成長速度等工業的に応用す
るには多くの問題があった。
上記従来技術、特に燃焼炎を用いるダイヤモンドの合成
法に於いては、合成法の歴史は浅く、適正なダイヤモン
ド合成条件等も十分にわかっていない。又、従来の気相
合成技術に対し、炭素の過飽和度の高い状態でのダイヤ
合成技術である為、表面のグラファイト化やアモルファ
ス化が進行し易く、長時間（数時間以上）安定して結晶
性の良いダイヤモンドの析出を行うのは困難であった。
法に於いては、合成法の歴史は浅く、適正なダイヤモン
ド合成条件等も十分にわかっていない。又、従来の気相
合成技術に対し、炭素の過飽和度の高い状態でのダイヤ
合成技術である為、表面のグラファイト化やアモルファ
ス化が進行し易く、長時間（数時間以上）安定して結晶
性の良いダイヤモンドの析出を行うのは困難であった。
本発明の目的は、燃焼炎を用いたダイヤモンドの合成に
於いて、成長速度のさらなる向上、及び長時間安定して
ダイヤモンド膜及び粒子を成長させる合成法を提供する
事にある。
於いて、成長速度のさらなる向上、及び長時間安定して
ダイヤモンド膜及び粒子を成長させる合成法を提供する
事にある。
発明者等は、これらの問題点を解決すべく、可燃性ガス
を支燃性ガスで燃焼させた燃焼炎の還元性雰囲気を用い
、ダイヤモンドを合成する方法に於いて鋭意研究の結果
、合成雰囲気湿度がダイヤモンドの合成の安定化、成長
速度、析出面積、高結晶性に重要な影響がある事を見出
した。
を支燃性ガスで燃焼させた燃焼炎の還元性雰囲気を用い
、ダイヤモンドを合成する方法に於いて鋭意研究の結果
、合成雰囲気湿度がダイヤモンドの合成の安定化、成長
速度、析出面積、高結晶性に重要な影響がある事を見出
した。
即ち、湿度が３５％以上８０％以下の状態で再現性良く
結晶性の良いダイヤモンド膜が得られる。好ましくは４
５％以上６５％以下の条件が良い。
結晶性の良いダイヤモンド膜が得られる。好ましくは４
５％以上６５％以下の条件が良い。
又、湿度の調整が必要な場合はどの様な方法でもよいが
、基材下方に抵抗加熱可能な水槽を設置する方法や超音
波加湿機を用いる方法、燃焼器に供給するガスにあらか
じめ混合する等の方法がある。又超音波加湿機を用い、
水を噴霧状に基材上方より添加し、湿度３５％以上８０
％以下に保つ事によって、ダイヤモンド合成の安定化、
高速成長（数百μｍ／ｈ以上）が促進される。又、この
噴霧状に添加する水には、純水にカリウム（Ｋ）、カル
シウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、塩素（ｃ！り
等のイオンが少量台まれているものがなお良い。
、基材下方に抵抗加熱可能な水槽を設置する方法や超音
波加湿機を用いる方法、燃焼器に供給するガスにあらか
じめ混合する等の方法がある。又超音波加湿機を用い、
水を噴霧状に基材上方より添加し、湿度３５％以上８０
％以下に保つ事によって、ダイヤモンド合成の安定化、
高速成長（数百μｍ／ｈ以上）が促進される。又、この
噴霧状に添加する水には、純水にカリウム（Ｋ）、カル
シウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、塩素（ｃ！り
等のイオンが少量台まれているものがなお良い。
次に他のダイヤモンド合成条件について簡単に説明する
。 原料ガスとしては、前述した可燃性ガス（Ｄ）、支
燃性ガス（Ｅ）があるが、各々のモル比が０．５≦Ｄ／
Ｂ≦１０が良く、口／Ｅ≦０．５の場合、析出物は生じ
ず、１０≦Ｄ／Ｂの場合、ダイヤモンドの膜質が低下す
る。
。 原料ガスとしては、前述した可燃性ガス（Ｄ）、支
燃性ガス（Ｅ）があるが、各々のモル比が０．５≦Ｄ／
Ｂ≦１０が良く、口／Ｅ≦０．５の場合、析出物は生じ
ず、１０≦Ｄ／Ｂの場合、ダイヤモンドの膜質が低下す
る。
次に図１，２に示す内炎の長さ（ｄ内炎）と炎心の長さ
（ｄ炎心）の比及び炎心の先端と基材との距離（ｄ基材
）の長さが各々 １．０≦ｄ内炎／ｄ炎心≦１０ ０（＋ｅｍ）＜ｄ基材≦１００ （ａｍ）なる条件を満
たす事が好ましい。
（ｄ炎心）の比及び炎心の先端と基材との距離（ｄ基材
）の長さが各々 １．０≦ｄ内炎／ｄ炎心≦１０ ０（＋ｅｍ）＜ｄ基材≦１００ （ａｍ）なる条件を満
たす事が好ましい。
基材表面温度は８００℃以上１１００℃以下が好ましい
。
。
即ち、本発明法は可燃性ガスを支持燃性ガスで燃焼させ
た燃焼炎の還元性ｉｌｌ！ｌｌＩ気を用いてダイヤモン
ドを合成する方法に於いて、合成雰囲気の温度を制御す
る事を特徴として基体上にダイヤモンドを生成するもの
である。この方法によると湿度を制御しない従来の燃焼
炎法に比べて数倍以上の成長速度で、均一にしかも長時
間（数時間以上）安定してダイヤモンドを合成出来る事
がわかった。
た燃焼炎の還元性ｉｌｌ！ｌｌＩ気を用いてダイヤモン
ドを合成する方法に於いて、合成雰囲気の温度を制御す
る事を特徴として基体上にダイヤモンドを生成するもの
である。この方法によると湿度を制御しない従来の燃焼
炎法に比べて数倍以上の成長速度で、均一にしかも長時
間（数時間以上）安定してダイヤモンドを合成出来る事
がわかった。
ここで用いる可燃性ガスとは、アセチレン、プロパン、
エチレン、プロｅレン、ブタン、ブチレン、ベンゼン、
メタン、エタン、−酸化炭素等の可燃性単純ガス、ＪＩ
Ｓ規格（Ｋ ２２４０−１９８０）で定められる液化石
油ガス（ＬＰＧ）、ＪＩＳ規格（Ｓ ２１２１−１９７
９）で定められる都市ガス、メタンを主成分とし、他に
若干の軽質炭化水素を含む天然ガス、石油系の燃料を熱
分解、接触分解、水素化分解あるいは部分燃焼などの操
作により低分子化して得られる油ガス、コークス製造の
際、コークス炉から石炭の乾留によって得られるコＪク
ス炉ガス（ＣＯＧ）、製鉄所の高炉で鉄鉱石から銑鉄を
製造する際発生する高炉ガス（ＢＦＧ）、ＣＯを多量に
（約７０％）含む転炉ガス（ＬＤＧ）、Ｃｏ−Ｈ，を主
成分とする石炭ガス化ガス等のガス状のもの、又、この
中にアルコール類、ケトン類、アルデヒド類等、分子に
少量の酸素、窒素。
エチレン、プロｅレン、ブタン、ブチレン、ベンゼン、
メタン、エタン、−酸化炭素等の可燃性単純ガス、ＪＩ
Ｓ規格（Ｋ ２２４０−１９８０）で定められる液化石
油ガス（ＬＰＧ）、ＪＩＳ規格（Ｓ ２１２１−１９７
９）で定められる都市ガス、メタンを主成分とし、他に
若干の軽質炭化水素を含む天然ガス、石油系の燃料を熱
分解、接触分解、水素化分解あるいは部分燃焼などの操
作により低分子化して得られる油ガス、コークス製造の
際、コークス炉から石炭の乾留によって得られるコＪク
ス炉ガス（ＣＯＧ）、製鉄所の高炉で鉄鉱石から銑鉄を
製造する際発生する高炉ガス（ＢＦＧ）、ＣＯを多量に
（約７０％）含む転炉ガス（ＬＤＧ）、Ｃｏ−Ｈ，を主
成分とする石炭ガス化ガス等のガス状のもの、又、この
中にアルコール類、ケトン類、アルデヒド類等、分子に
少量の酸素、窒素。
硫黄を含む液状有機化合物を含むものの１種又は磨
２種以上の混合ガスであ、でも良い。
又支燃性ガスとは、酸素又は酸素を主成分とし、窒素、
アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスを含む１種又は２種
以上の混合ガスであってもよいが、支燃性ガス（Ａ）、
酸素ガス（Ｂ）酸素以外のガス（（２）とするとＡ＝Ｂ
＋Ｃとなるのであるが、ＡとＢの間に次の関係Ｂ／Ａ≦
０．６（但し、Ａ。
アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスを含む１種又は２種
以上の混合ガスであってもよいが、支燃性ガス（Ａ）、
酸素ガス（Ｂ）酸素以外のガス（（２）とするとＡ＝Ｂ
＋Ｃとなるのであるが、ＡとＢの間に次の関係Ｂ／Ａ≦
０．６（但し、Ａ。
Ｂ、Ｃはモル量を示す）にある事が、燃焼炎のガス温度
の低下が少く好ましい。
の低下が少く好ましい。
第１図に燃焼炎の構造を示す。１．２．３は各々炎心、
内炎、外炎であり、可燃性ガスと支燃性ガスが完全燃焼
している場合には、内炎は存在しなく、炎心と外炎のみ
の構造となる。しかし、この場合炎は酸化性の炎となる
為、この状態からはダイヤモンドの合成は出来ない。こ
の状態から可燃性ガスの流量を増加させて、内炎の存在
する状態にし、この内炎を第２図に示す様、基材に接触
させる事により、ダイヤモンドを合成する事が可能とな
る。
内炎、外炎であり、可燃性ガスと支燃性ガスが完全燃焼
している場合には、内炎は存在しなく、炎心と外炎のみ
の構造となる。しかし、この場合炎は酸化性の炎となる
為、この状態からはダイヤモンドの合成は出来ない。こ
の状態から可燃性ガスの流量を増加させて、内炎の存在
する状態にし、この内炎を第２図に示す様、基材に接触
させる事により、ダイヤモンドを合成する事が可能とな
る。
次に具体的な例を示し説明する。
第１図、第２図は本実験で用いたバーナー装置の具体例
の１つである。本構造は可燃性ガス、支燃性ガスの内部
混合型であり、支燃性ガスの流速を調整出来るよう針弁
のついたインゼクタ構造を有している。燃焼炎は還零性
の強い炎心、内炎及び酸化性の外炎により構成されてい
る。
の１つである。本構造は可燃性ガス、支燃性ガスの内部
混合型であり、支燃性ガスの流速を調整出来るよう針弁
のついたインゼクタ構造を有している。燃焼炎は還零性
の強い炎心、内炎及び酸化性の外炎により構成されてい
る。
第３図、第４図、第５図は各々通常大気中で合成する場
合の概略図であって、第４図は水蒸気を超音波振動子に
よって、ミスト状で合成雰囲気中に添加する場合の概略
図、第５図は水蒸気を抵抗加熱式バブラーで添加する場
合の概略図である。
合の概略図であって、第４図は水蒸気を超音波振動子に
よって、ミスト状で合成雰囲気中に添加する場合の概略
図、第５図は水蒸気を抵抗加熱式バブラーで添加する場
合の概略図である。
基材は１０ Ｘ １０ Ｘ Ｏ，４（１００）単結晶Ｓ
ｉ（シリコン）の表面を＃ ５０００のダイヤモンド粉
末を用いて表面研磨したものを用い第２図〜５図に示す
様に冷却可能な支持台の上に固定している。可燃性ガス
。
ｉ（シリコン）の表面を＃ ５０００のダイヤモンド粉
末を用いて表面研磨したものを用い第２図〜５図に示す
様に冷却可能な支持台の上に固定している。可燃性ガス
。
支燃性ガスはマスフローコントローラーによす制御され
、バーナーに送り込まれている。湿度は高精度、静電容
量型湿度計他複数の湿度計にて厳重に管理した。基材表
面温度は光学式パイロメーターにてモニターした。作製
した膜は、光学式顕微鏡、走査型電子顕微鏡（ｓＥＭ＞
により表面及び断面の表面構造観察を行い、Ｘ線回折、
ラマン分光分析、透過型電子顕微鏡により結晶構造の評
価を行った。
、バーナーに送り込まれている。湿度は高精度、静電容
量型湿度計他複数の湿度計にて厳重に管理した。基材表
面温度は光学式パイロメーターにてモニターした。作製
した膜は、光学式顕微鏡、走査型電子顕微鏡（ｓＥＭ＞
により表面及び断面の表面構造観察を行い、Ｘ線回折、
ラマン分光分析、透過型電子顕微鏡により結晶構造の評
価を行った。
表１に実験条件及び結果全示す。
これより合成雰囲気湿度が３５％以上８０％以下の場合
は高速にダイヤモンドが安定して合成出来るのに対し、
この領域外では成長速度が極端に低下し、非ダイヤモン
ド成分を含む粗悪な膜質になる事がわかった。
は高速にダイヤモンドが安定して合成出来るのに対し、
この領域外では成長速度が極端に低下し、非ダイヤモン
ド成分を含む粗悪な膜質になる事がわかった。
また、第４図、第５図に示す様に超音波振動子加湿法及
び抵抗加熱加湿法により、水蒸気を合成雰囲気中に添加
した試料（Ｎｎ２．３．５．７．８゜９ 、１０．１２
）に関しては著しく成長速度が向上（数百μｍ／ｈ以上
）する事もわかった。
び抵抗加熱加湿法により、水蒸気を合成雰囲気中に添加
した試料（Ｎｎ２．３．５．７．８゜９ 、１０．１２
）に関しては著しく成長速度が向上（数百μｍ／ｈ以上
）する事もわかった。
本発明のより好ましい実施態様
■可燃性ガスにアセチレン、支燃性ガスに酸素を用いる
。
。
■アセチレンの酸素に対するモル比が１．２以上２．２
以下である。
以下である。
■バーナーの内炎の長さ（ｄ内炎）と炎心の長さ（ｄ炎
心）の比が１．５以上４．０以下である。
心）の比が１．５以上４．０以下である。
■基材の表面温度が８００℃以上１０００℃以下である
。
。
■合成雰囲気温度が３５％以上８０％以下である。
■合成雰囲気中に噴霧状の水蒸気を添加している事。
■基材と炎心の先との距ｆｉ（ｄ基材−ｄ炎心）が０．
１ｔｔｎａ以上３０ｍｍ以下である事。
１ｔｔｎａ以上３０ｍｍ以下である事。
従来の気相合成装置に比べ、真空排気設備や反応容器等
必要なく安価な合成装置であるが、燃焼炎を用いたダイ
ヤモンド合成では数時間以上の安定制御が困難であった
もめか、本発明のごとく湿度を制御する事により長時間
の安定合成が可能となり、ダイヤモンドの結晶性の再現
性も向上する。
必要なく安価な合成装置であるが、燃焼炎を用いたダイ
ヤモンド合成では数時間以上の安定制御が困難であった
もめか、本発明のごとく湿度を制御する事により長時間
の安定合成が可能となり、ダイヤモンドの結晶性の再現
性も向上する。
又、水蒸気を合成雰囲気中に添加する事により更なる合
成の安定化、ダイヤモンド結晶性の向上を図る事が可能
となる為、高熱伝導性低誘電性。
成の安定化、ダイヤモンド結晶性の向上を図る事が可能
となる為、高熱伝導性低誘電性。
高透光性、高比弾性、高強度、耐摩耗性等を必要とされ
る分野、例えばヒートシンク、超高速、ＩＣ基板ＩＣボ
ンダ、窓材、振動板、切削工具、耐環境素子として擾供
される事が期待される。
る分野、例えばヒートシンク、超高速、ＩＣ基板ＩＣボ
ンダ、窓材、振動板、切削工具、耐環境素子として擾供
される事が期待される。
第１図は本発明で用いたバーナー火口部の一例である。
第２図〜第５図は本発明でダイヤモンドを合成する場合
の概略図である。第２図は、基材の温度調整用の冷却機
構を備え内炎を基材に接触させた状態を示す。第３図は
本願の１つの実施例を示したものである。第４図は超音
波式加湿機によって合成雰囲気中に水を添加する場合の
概略図であり、第５図は抵抗加熱式加湿機によって合成
雰囲気中に水を添加する場合の概略図である。 １ ・−−−−・−・・ 炎心 ２、−・・−内炎 ３−１．・・・−外炎 六却（ 第 図
の概略図である。第２図は、基材の温度調整用の冷却機
構を備え内炎を基材に接触させた状態を示す。第３図は
本願の１つの実施例を示したものである。第４図は超音
波式加湿機によって合成雰囲気中に水を添加する場合の
概略図であり、第５図は抵抗加熱式加湿機によって合成
雰囲気中に水を添加する場合の概略図である。 １ ・−−−−・−・・ 炎心 ２、−・・−内炎 ３−１．・・・−外炎 六却（ 第 図
Claims (2)
- （１）可燃性ガスを支燃性ガスで燃焼させた燃焼炎の還
元性雰囲気を用い、ダイヤモンドを基材上に合成する方
法に於いて合成雰囲気湿度を３５％以上８０％以下とす
る事を特徴とするダイヤモンドの気相合成法。 - （２）可燃性ガスを支燃性ガスで燃焼させた燃焼炎の還
元性雰囲気を用い、ダイヤモンドを基材上に合成する方
法に於いて水蒸気または水滴を燃焼炎に混入する事を特
徴とするダイヤモンドの気相合成法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1015456A JPH0794360B2 (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | ダイヤモンドの気相合成法 |
| US07/466,992 US5075096A (en) | 1989-01-24 | 1990-01-18 | Method of vapor-phase synthesizing diamond |
| EP90101099A EP0379994B1 (en) | 1989-01-24 | 1990-01-19 | Method of vapor-phase synthesizing diamond |
| DE9090101099T DE69001485T2 (de) | 1989-01-24 | 1990-01-19 | Verfahren zur gasphasen-herstellung von diamant. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1015456A JPH0794360B2 (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | ダイヤモンドの気相合成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02196097A true JPH02196097A (ja) | 1990-08-02 |
| JPH0794360B2 JPH0794360B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=11889304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1015456A Expired - Fee Related JPH0794360B2 (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | ダイヤモンドの気相合成法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
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| US (1) | US5075096A (ja) |
| EP (1) | EP0379994B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0794360B2 (ja) |
| DE (1) | DE69001485T2 (ja) |
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| US5492770A (en) * | 1990-08-03 | 1996-02-20 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for vapor deposition of diamond film |
| US5260106A (en) * | 1990-08-03 | 1993-11-09 | Fujitsu Limited | Method for forming diamond films by plasma jet CVD |
| EP0491521B1 (en) * | 1990-12-15 | 1997-03-12 | Fujitsu Limited | Process for producing diamond film |
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| US5674572A (en) * | 1993-05-21 | 1997-10-07 | Trustees Of Boston University | Enhanced adherence of diamond coatings employing pretreatment process |
| US5433977A (en) * | 1993-05-21 | 1995-07-18 | Trustees Of Boston University | Enhanced adherence of diamond coatings by combustion flame CVD |
| CA2127832C (en) * | 1993-07-20 | 2001-02-20 | Grant Lu | Cvd diamond radiation detector |
| US7067097B1 (en) * | 2002-02-12 | 2006-06-27 | Wojak Gregory J | Process for preparing a diamond substance |
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| JPH01282193A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-11-14 | Yoichi Hirose | 気相法ダイヤモンドの合成法 |
| JPH0255294A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Showa Denko Kk | 気相法ダイアモンドの合成法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3449168A (en) * | 1965-08-03 | 1969-06-10 | United Aircraft Corp | Method for catalytically reforming carbonaceous feedstock to produce hydrogen for use in fuel cells |
| US3599610A (en) * | 1970-08-03 | 1971-08-17 | Air Prod & Chem | Combustion of high-sulfur coal with minimal ecological trauma |
| WO1982000458A1 (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-18 | Apollonov V | Method of obtaining diamond and/or diamond-like modifications of boron nitride |
| EP0092405B1 (en) * | 1982-04-15 | 1986-07-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing crystals |
| JPS63107898A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | プラズマを用いるダイヤモンドの合成法 |
| DE3884653T2 (de) * | 1987-04-03 | 1994-02-03 | Fujitsu Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung von Diamant. |
| US4830702A (en) * | 1987-07-02 | 1989-05-16 | General Electric Company | Hollow cathode plasma assisted apparatus and method of diamond synthesis |
-
1989
- 1989-01-24 JP JP1015456A patent/JPH0794360B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-18 US US07/466,992 patent/US5075096A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-19 EP EP90101099A patent/EP0379994B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-19 DE DE9090101099T patent/DE69001485T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282193A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-11-14 | Yoichi Hirose | 気相法ダイヤモンドの合成法 |
| JPH01203297A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-16 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 燃焼炎によるダイヤモンドの合成法 |
| JPH0255294A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Showa Denko Kk | 気相法ダイアモンドの合成法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0379994B1 (en) | 1993-05-05 |
| DE69001485T2 (de) | 1993-08-12 |
| US5075096A (en) | 1991-12-24 |
| EP0379994A1 (en) | 1990-08-01 |
| JPH0794360B2 (ja) | 1995-10-11 |
| DE69001485D1 (de) | 1993-06-09 |
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