JPH02192722A - 半導体デバイス材料の製造方法 - Google Patents
半導体デバイス材料の製造方法Info
- Publication number
- JPH02192722A JPH02192722A JP1212989A JP1212989A JPH02192722A JP H02192722 A JPH02192722 A JP H02192722A JP 1212989 A JP1212989 A JP 1212989A JP 1212989 A JP1212989 A JP 1212989A JP H02192722 A JPH02192722 A JP H02192722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier concentration
- doping amount
- semiconductor device
- single crystal
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001150538 Iria Species 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Substances OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体デバイス材料の製造方法、特に所定のド
ープ量以下ではドープ量とキャリア濃度とが比例しなく
なるような不純物を含む半導体単結晶からなる半導体デ
バイス材料の製造方法に関し、例えばＺｎを５ Ｘ １
０”（！ｌ−３以下ドープしたＩｎＰ単結晶を基板とす
る半導体デバイスの製造方法に利用して効果のある技術
に関する。
ープ量以下ではドープ量とキャリア濃度とが比例しなく
なるような不純物を含む半導体単結晶からなる半導体デ
バイス材料の製造方法に関し、例えばＺｎを５ Ｘ １
０”（！ｌ−３以下ドープしたＩｎＰ単結晶を基板とす
る半導体デバイスの製造方法に利用して効果のある技術
に関する。
［従来の技術］
ＩｎＰやＧ ａ Ａ ｓ化合物半導体は、電子移動度が
Ｓｉの数倍と高く、高速電子デバイスの基板として期待
されているとともに、化合物半導体は発光ダイオードや
半導体レーザ、受光素子、太陽電池あるいはＦＥＴやＩ
Ｃ１光ＩＣなどシリコンに比べて広い用途を有しており
、将来的に非常に有望である。
Ｓｉの数倍と高く、高速電子デバイスの基板として期待
されているとともに、化合物半導体は発光ダイオードや
半導体レーザ、受光素子、太陽電池あるいはＦＥＴやＩ
Ｃ１光ＩＣなどシリコンに比べて広い用途を有しており
、将来的に非常に有望である。
これらのデバイスを作成する際にはコンタクトの形成工
程、不純物拡散工程、インプラアニール工程等での熱処
理工程が欠かせない、特に化合物半導体はこれらの熱処
理工程に敏感であり、デバイスを作成するとき、結晶基
板の表面処理のみによらず、結晶そのものの性質により
、基板のキャリア濃度等が熱処理によって変化すること
がある。
程、不純物拡散工程、インプラアニール工程等での熱処
理工程が欠かせない、特に化合物半導体はこれらの熱処
理工程に敏感であり、デバイスを作成するとき、結晶基
板の表面処理のみによらず、結晶そのものの性質により
、基板のキャリア濃度等が熱処理によって変化すること
がある。
例えば、ＺｎドープＩｎＰ単結晶においては、デバイス
製造工程での不純物の活性化等の熱処理によって、キャ
リア濃度が変化してしまい、デバイス特性のばらつきの
原因となるという問題点があった・ ［発明が解決しようとする課Ｍ］ 本発明者らは、ＩｎＰ単結晶について、Ｚｎドープ量と
キャリア濃度との関係について調べた。
製造工程での不純物の活性化等の熱処理によって、キャ
リア濃度が変化してしまい、デバイス特性のばらつきの
原因となるという問題点があった・ ［発明が解決しようとする課Ｍ］ 本発明者らは、ＩｎＰ単結晶について、Ｚｎドープ量と
キャリア濃度との関係について調べた。
その結果、第１図および第２図に０印で示すように、Ｚ
ｎドープ量Ｃｏが５ Ｘ １０１７（１ｍ−’以下特に
５ Ｘ １０”ｃｎ−’以下になると、ドープ量とキャ
リア濃度が比例しなくなり、かつ結晶軸方向のキャリア
濃度のバラツキも大きくなることを見出した。
ｎドープ量Ｃｏが５ Ｘ １０１７（１ｍ−’以下特に
５ Ｘ １０”ｃｎ−’以下になると、ドープ量とキャ
リア濃度が比例しなくなり、かつ結晶軸方向のキャリア
濃度のバラツキも大きくなることを見出した。
この発明は上記のような問題点に着目してなされたもの
で、結晶位置によるキャリア濃度のばらつきが少なく、
しかもデバイス製造工程で加熱処理を行っても基板のキ
ャリア濃度が変化しないような化合物半導体デバイス材
料を提供することを目的とする。
で、結晶位置によるキャリア濃度のばらつきが少なく、
しかもデバイス製造工程で加熱処理を行っても基板のキ
ャリア濃度が変化しないような化合物半導体デバイス材
料を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するためこの発明は、所定のドープ量以
下ではドープ量とキャリア濃度とが比例しなくなるよう
な不純物を含有した半導体単結晶を基板とする半導体デ
バイスを製造する場合において、育成された化合物半導
体結晶を半導体デバイス製造工程の前に熱処理するよう
にした。
下ではドープ量とキャリア濃度とが比例しなくなるよう
な不純物を含有した半導体単結晶を基板とする半導体デ
バイスを製造する場合において、育成された化合物半導
体結晶を半導体デバイス製造工程の前に熱処理するよう
にした。
［作用コ
上記した手段によれば、例えばドープ量の少ないＺｎ含
有ＩｎＰ単結晶を材料とするデバイスを製造する場合に
おいても、デバイス製造工程前に全不純物が活性化され
、デバイス製造工程中の加熱で活性化されるようなこと
がないので、キャリア濃度が変化したり、ばらつくこと
がない。
有ＩｎＰ単結晶を材料とするデバイスを製造する場合に
おいても、デバイス製造工程前に全不純物が活性化され
、デバイス製造工程中の加熱で活性化されるようなこと
がないので、キャリア濃度が変化したり、ばらつくこと
がない。
また、化合物半導体単結晶を薄板またはブロック状に切
断してから熱処理を行なうようにすれば、インゴットの
まま熱処理する場合に比べて結晶内温度分布が均一にな
り易いため、結晶全体に亘って電気的特性を均一化させ
ることができる。
断してから熱処理を行なうようにすれば、インゴットの
まま熱処理する場合に比べて結晶内温度分布が均一にな
り易いため、結晶全体に亘って電気的特性を均一化させ
ることができる。
［実施例］
液体封止チョクラルスキー法によって、Ｚｎのドープ量
が４ 、４ Ｘ １０”〜４ 、９ Ｘ １０１Ｇｃｎ
−’で、直径約２インチ、長さ約１００ｏｎのＩｎＰ単
結晶を３本育成した。次に、育成された単結晶（インゴ
ット）の両端をそれぞれ切断するとともに、円筒研削を
行なった後、厚さ０．７ｍｍのウェーハ（薄板）を切り
出した。そして、切り出されたアズカットウェーハをＢ
ｒ−メタノール２％溶液でエツチングし、洗浄した後、
熱処理を行なった。
が４ 、４ Ｘ １０”〜４ 、９ Ｘ １０１Ｇｃｎ
−’で、直径約２インチ、長さ約１００ｏｎのＩｎＰ単
結晶を３本育成した。次に、育成された単結晶（インゴ
ット）の両端をそれぞれ切断するとともに、円筒研削を
行なった後、厚さ０．７ｍｍのウェーハ（薄板）を切り
出した。そして、切り出されたアズカットウェーハをＢ
ｒ−メタノール２％溶液でエツチングし、洗浄した後、
熱処理を行なった。
熱処理は、インゴットの上端、中央および下端から切り
出した各３枚計９枚のウェーハを熱処理用加熱炉内に入
れて、０．５気圧のリン雰囲気中で６５０℃まで昇温し
で行ない、６５０℃で３時間保持した後、室温まで徐冷
してから取り出した。
出した各３枚計９枚のウェーハを熱処理用加熱炉内に入
れて、０．５気圧のリン雰囲気中で６５０℃まで昇温し
で行ない、６５０℃で３時間保持した後、室温まで徐冷
してから取り出した。
取す出されたウェーハについてキャリア濃度を測定した
結果を、熱処理前のウェーハについて測定した結果とと
もに、表１および第２図に示す。
結果を、熱処理前のウェーハについて測定した結果とと
もに、表１および第２図に示す。
第２図において、・印で示されているのが、本実施例の
熱処理を施したウェーハについてのキャリア濃度測定値
、Ｑ印は熱処理前のウェーハについての測定値である。
熱処理を施したウェーハについてのキャリア濃度測定値
、Ｑ印は熱処理前のウェーハについての測定値である。
また、第２図において、点線ＡはドープしたＺｎがすべ
て電気的に活性化してキャリアとして働き、かつ残留ｎ
型不純物濃度を５ Ｘ １０１′′Ｃ１１−”とした場
合の理想キャリア濃度線を示す。
て電気的に活性化してキャリアとして働き、かつ残留ｎ
型不純物濃度を５ Ｘ １０１′′Ｃ１１−”とした場
合の理想キャリア濃度線を示す。
表１
表１より、熱処理によって、ウェーハ間でのキャリア濃
度のばらつきが小さくなることが分かる。
度のばらつきが小さくなることが分かる。
また、第２図より、熱処理によってキャリア濃度が大幅
に変化し、Ｚｎのドープ量に近づくことが分かる。
に変化し、Ｚｎのドープ量に近づくことが分かる。
第２図には、さらにＺｎのドープ量を多くして上記実施
例と同一条件で熱処理を行なった場合のＩｎＰ単結晶基
板のキャリア濃度をム印で示しである。同図より、本発
明はドープ量が５ Ｘ １０１７（！ｌ−’以下のＩｎ
Ｐ単結晶のキャリア濃度安定化に有効であり、ドープ量
が５ Ｘ １０”ｃｓ−３以下のＩｎＰ単結晶に最も有
効であることが分かる。
例と同一条件で熱処理を行なった場合のＩｎＰ単結晶基
板のキャリア濃度をム印で示しである。同図より、本発
明はドープ量が５ Ｘ １０１７（！ｌ−’以下のＩｎ
Ｐ単結晶のキャリア濃度安定化に有効であり、ドープ量
が５ Ｘ １０”ｃｓ−３以下のＩｎＰ単結晶に最も有
効であることが分かる。
また、表１には、上記実施例の熱処理を施したＩｎＰウ
ェーハに、再び同一条件（リン雰囲気、６５０℃、３時
間）の熱処理を施した後のキャリア濃度測定値を併せて
記載した（最右欄参照）。
ェーハに、再び同一条件（リン雰囲気、６５０℃、３時
間）の熱処理を施した後のキャリア濃度測定値を併せて
記載した（最右欄参照）。
これより、本実施例の熱処理を実施したウェーハを用い
てデバイスを製造すれば製造工程中での加熱によってキ
ャリア濃度が変化したすせず、特性の安定したデバイス
を製造できることが予想できる。
てデバイスを製造すれば製造工程中での加熱によってキ
ャリア濃度が変化したすせず、特性の安定したデバイス
を製造できることが予想できる。
なお、上記実施例では・６５０℃で熱処理を行なったが
、熱処理温度は６５０℃に限定されず、５５０℃〜８５
０℃の範囲で可能である。また、熱処理時間も３時間に
限定されず０．５〜１０時間の範囲で良い。
、熱処理温度は６５０℃に限定されず、５５０℃〜８５
０℃の範囲で可能である。また、熱処理時間も３時間に
限定されず０．５〜１０時間の範囲で良い。
さらに、実施例では、ＺｎをドープしたＩｎＰ単結晶に
ついて説明したが、この発明はこれに限定されず、所定
のドープ量以下ではドープ量とキャリア濃度とが比例し
なくなるような不純物を含有した半導体単結晶一般に適
用することができる。
ついて説明したが、この発明はこれに限定されず、所定
のドープ量以下ではドープ量とキャリア濃度とが比例し
なくなるような不純物を含有した半導体単結晶一般に適
用することができる。
［発明の効果コ
以上説明したようにこの発明は、所定のドープ量以下で
はドープ量をキャリア濃度とが比例しなくなるような不
純物と含有した半導体単結晶を基板とする半導体デバイ
スを製造する場合において、育成された化合物半導体結
晶を半導体デバイス製造工程の前に熱処理するようにし
たので１例えばドープ量の少ないＺｎ含有ＩｎＰ単結晶
を材料とするデバイスを製造する場合においても、デバ
イス製造工程前に全不純物が活性化され、デバイス製造
工程中の加熱で活性化されるようなことがないので、キ
ャリア濃度が変化したり、ばらつくことがない。その結
果、特性の均一な安定した半導体デバイスを製造するこ
とができるという効果がある。
はドープ量をキャリア濃度とが比例しなくなるような不
純物と含有した半導体単結晶を基板とする半導体デバイ
スを製造する場合において、育成された化合物半導体結
晶を半導体デバイス製造工程の前に熱処理するようにし
たので１例えばドープ量の少ないＺｎ含有ＩｎＰ単結晶
を材料とするデバイスを製造する場合においても、デバ
イス製造工程前に全不純物が活性化され、デバイス製造
工程中の加熱で活性化されるようなことがないので、キ
ャリア濃度が変化したり、ばらつくことがない。その結
果、特性の均一な安定した半導体デバイスを製造するこ
とができるという効果がある。
第１図はＺｎドープＩｎＰ単結晶の結晶位置と熱処理前
のキャリア濃度との関係を示すグラフ、第２図はＩｎＰ
単結晶のＺｎドープ量と熱処理前後のキャリア濃度との
関係を示すグラフである。 ’ｆ＜ｑ リア５１（Ｃ，７１−３１ ■イリア；を虚（ａｍ″３）
のキャリア濃度との関係を示すグラフ、第２図はＩｎＰ
単結晶のＺｎドープ量と熱処理前後のキャリア濃度との
関係を示すグラフである。 ’ｆ＜ｑ リア５１（Ｃ，７１−３１ ■イリア；を虚（ａｍ″３）
Claims (4)
- （１）所定のドープ量以下ではドープ量とキャリア濃度
とが比例しなくなるような不純物を含有した半導体単結
晶を基板とする半導体デバイスを製造する場合において
、育成された化合物半導体結晶を半導体デバイス製造工
程の前に熱処理するようにしたことを特徴とする半導体
デバイス材料の製造方法。 - （２）上記半導体単結晶は５×１０＾１＾７ｃｍ＾−＾
３以下のＺｎが注入されたＩｎＰ単結晶であることを特
徴とする請求項１記載の半導体デバイス材料の製造方法
。 - （３）上記半導体単結晶を薄板もしくはブロック状に切
断した後、熱処理を行うことを特徴とする請求項１また
は２記載の半導体デバイス材料の製造方法。 - （４）上記半導体単結晶を５５０℃〜８５０℃の温度で
熱処理することを特徴とすることを特徴とする請求項１
〜３記載の半導体デバイス材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1012129A JPH06102598B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 半導体デバイス材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1012129A JPH06102598B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 半導体デバイス材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02192722A true JPH02192722A (ja) | 1990-07-30 |
| JPH06102598B2 JPH06102598B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=11796925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1012129A Expired - Lifetime JPH06102598B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 半導体デバイス材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06102598B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8143702B2 (en) | 2005-04-11 | 2012-03-27 | Hitachi Cable, Ltd. | Group III-V nitride based semiconductor substrate and method of making same |
| WO2014156596A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 化合物半導体ウエハ、光電変換素子、およびｉｉｉ－ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136225A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Nec Corp | ＩｎＰへの不純物拡散方法 |
| JPS6270298A (ja) * | 1985-09-21 | 1987-03-31 | Showa Denko Kk | リン化インジウム単結晶の製造方法 |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1012129A patent/JPH06102598B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136225A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Nec Corp | ＩｎＰへの不純物拡散方法 |
| JPS6270298A (ja) * | 1985-09-21 | 1987-03-31 | Showa Denko Kk | リン化インジウム単結晶の製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8143702B2 (en) | 2005-04-11 | 2012-03-27 | Hitachi Cable, Ltd. | Group III-V nitride based semiconductor substrate and method of making same |
| WO2014156596A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 化合物半導体ウエハ、光電変換素子、およびｉｉｉ－ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法 |
| CN105247117A (zh) * | 2013-03-26 | 2016-01-13 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 化合物半导体晶片、光电转换元件、以及iii-v族化合物半导体单晶的制造方法 |
| JPWO2014156596A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2017-02-16 | Ｊｘ金属株式会社 | リン化インジウムウエハ、光電変換素子、およびリン化インジウム単結晶の製造方法 |
| JP2018083754A (ja) * | 2013-03-26 | 2018-05-31 | Ｊｘ金属株式会社 | 化合物半導体ウエハ、および光電変換素子 |
| CN108977888A (zh) * | 2013-03-26 | 2018-12-11 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 化合物半导体晶片、光电转换元件、以及iii-v族化合物半导体单晶的制造方法 |
| US11211505B2 (en) | 2013-03-26 | 2021-12-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium phosphide wafer, photoelectric conversion element, and method for producing a monocrystalline indium phosphide |
| US11349037B2 (en) | 2013-03-26 | 2022-05-31 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium phosphide wafer, photoelectric conversion element, and method for producing a monocrystalline indium phosphide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06102598B2 (ja) | 1994-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Powell et al. | Amorphous silicon‐silicon nitride thin‐film transistors | |
| JPH02185038A (ja) | 熱処理装置 | |
| KR20010092733A (ko) | 고유 게터링을 가지는 에피택시얼 실리콘 웨이퍼 및 그제조 방법 | |
| KR20010031923A (ko) | 실리콘웨이퍼의 열처리방법 및 실리콘웨이퍼 | |
| US3165811A (en) | Process of epitaxial vapor deposition with subsequent diffusion into the epitaxial layer | |
| US11967659B2 (en) | Semiconductor wafer, radiation detection element, radiation detector, and production method for compound semiconductor monocrystalline substrate | |
| US5435264A (en) | Process for forming epitaxial BaF2 on GaAs | |
| JPH04215439A (ja) | ＧａＡｓ単結晶基板の製造方法 | |
| JPS6324056A (ja) | デバイスの製造方法 | |
| KR20030019472A (ko) | 디누디드 존을 갖는 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 형성하는방법 및 장치 | |
| Conway et al. | Thermal pulse annealing of boron‐implanted HgCdTe | |
| JPH02192722A (ja) | 半導体デバイス材料の製造方法 | |
| JPS6158879A (ja) | シリコン薄膜結晶の製造方法 | |
| JPH02192500A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH0750692B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼―▲ｖ▼族化合物半導体の熱処理方法 | |
| JPH02253622A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| US20220158007A1 (en) | Semiconductor wafer, radiation detection element, radiation detector, and production method for compound semiconductor monocrystalline substrate | |
| US4266990A (en) | Process for diffusion of aluminum into a semiconductor | |
| JP3793934B2 (ja) | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 | |
| KR910008979B1 (ko) | 금속열처리에 의한 고품위 다결정실리콘 박막형성방법 | |
| JP2906120B2 (ja) | ＧａＡｓ基板の製造方法 | |
| JPH08259396A (ja) | ＧａＡｓ基板及びその製造方法 | |
| JPS6270300A (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶 | |
| JPH01102924A (ja) | 半導体基板の熱処理方法 | |
| JPH0480878B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081214 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081214 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091214 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091214 Year of fee payment: 15 |