JPH02190011A - ダブルバランスミキサ半導体集積回路 - Google Patents
ダブルバランスミキサ半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH02190011A JPH02190011A JP1051389A JP1051389A JPH02190011A JP H02190011 A JPH02190011 A JP H02190011A JP 1051389 A JP1051389 A JP 1051389A JP 1051389 A JP1051389 A JP 1051389A JP H02190011 A JPH02190011 A JP H02190011A
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- JP
- Japan
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- fet
- signal
- fets
- electrodes
- circuit
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
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- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 101150073536 FET3 gene Proteins 0.000 description 2
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Landscapes
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板上に形成されたFET素子を用いて
構成されたダブルバランス型の周波数変換(ミキサ)半
導体集積回路に関し、特に、ダブルバランスミキサ回路
を形成した同一基板上に、その信号出力部に接続される
差動増幅回路を形成したダブルバランスミキサ半導体集
積回路に関する。
構成されたダブルバランス型の周波数変換(ミキサ)半
導体集積回路に関し、特に、ダブルバランスミキサ回路
を形成した同一基板上に、その信号出力部に接続される
差動増幅回路を形成したダブルバランスミキサ半導体集
積回路に関する。
従来、この種のダブルバランスミキサは、第2図(a)
、 (b)に示すように同一半導体基板上に周波数変換
部を構成する定電流理工、と第1の差動FETI、2と
第20差動FET3.4と第3の差動FET5,6とそ
の負荷抵抗11.12のみを形成していた。その動作が
バランスモードである為、信号の入力、出力端には同図
(a)に示すように出力ソースフォロワFET21を接
続するか、同図(b)に示すようにトランスコイル22
を接続してアンバランス−バランス変換回路として使用
したり、もしくは、入力端子については、差動増幅回路
を用いたバランス−アンバランス変換回路を用いていた
。
、 (b)に示すように同一半導体基板上に周波数変換
部を構成する定電流理工、と第1の差動FETI、2と
第20差動FET3.4と第3の差動FET5,6とそ
の負荷抵抗11.12のみを形成していた。その動作が
バランスモードである為、信号の入力、出力端には同図
(a)に示すように出力ソースフォロワFET21を接
続するか、同図(b)に示すようにトランスコイル22
を接続してアンバランス−バランス変換回路として使用
したり、もしくは、入力端子については、差動増幅回路
を用いたバランス−アンバランス変換回路を用いていた
。
しかし、信号出力部は、第2図(b)のように、コイル
トランス22によるバランス・アンバランス変換器を接
続しアンバランスモードに変換して信号をとり出すか、
第2図(a)のようにバランスミキザ負荷部にインピー
ダンス変換のソースフォロワFET21を接続し、回路
的にアンバランスモードで取り出すかの方法でとり出し
て使用していたので、同図(1))の場合は実現出来る
コイルトランス22がせいぜい500MHz程度と低く
、ダブルバランスミキサが数GHz迄動作することを考
えると高周波域での特性劣化があり、同図(a)の場合
は本来バランスモードで動作しているものをアンバラン
スモードでとり出す為にミキサ部の製造上のアンバラン
ス等があった場合、そのアイソレーション特性が良くな
いという欠点がある。
トランス22によるバランス・アンバランス変換器を接
続しアンバランスモードに変換して信号をとり出すか、
第2図(a)のようにバランスミキザ負荷部にインピー
ダンス変換のソースフォロワFET21を接続し、回路
的にアンバランスモードで取り出すかの方法でとり出し
て使用していたので、同図(1))の場合は実現出来る
コイルトランス22がせいぜい500MHz程度と低く
、ダブルバランスミキサが数GHz迄動作することを考
えると高周波域での特性劣化があり、同図(a)の場合
は本来バランスモードで動作しているものをアンバラン
スモードでとり出す為にミキサ部の製造上のアンバラン
ス等があった場合、そのアイソレーション特性が良くな
いという欠点がある。
本発明によれば、同一半導体基板上に形成されたFET
素子で構成されたダブルバランスミキサ回路と、これの
出力に接続され、同一基板上に構成さり、た差動増幅回
路を有しているダブルバランスミキサ半導体集積回路を
得る。
素子で構成されたダブルバランスミキサ回路と、これの
出力に接続され、同一基板上に構成さり、た差動増幅回
路を有しているダブルバランスミキサ半導体集積回路を
得る。
次に、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。第
1図(a)、 (b)は本発明の各実施例の等価回路図
である。これらの実施例はダブルバランスミキサ回路の
出力の取出点のみが異っている。
1図(a)、 (b)は本発明の各実施例の等価回路図
である。これらの実施例はダブルバランスミキサ回路の
出力の取出点のみが異っている。
FETIと2のソース電極を接続して成る第1のFET
差動回路のソース電極に、それぞれのソース電極を接続
したFET3.4から成る第2のFET差動回路のソー
ス電極を接続し、このFET2のドレイン電極に、それ
ぞれのソース電極を接続したFET5,6から成る第3
のFET差動回路のソース電極を接続し、FET3と5
とのドレイン電極を接続し、これを負荷抵抗11に接続
し、FET4と6とのドレイン電極を接続し、これを負
荷抵抗12に接続し、FET4と5とのゲート電極間を
接続し、FET3と6とのゲート電極間を接続する。
差動回路のソース電極に、それぞれのソース電極を接続
したFET3.4から成る第2のFET差動回路のソー
ス電極を接続し、このFET2のドレイン電極に、それ
ぞれのソース電極を接続したFET5,6から成る第3
のFET差動回路のソース電極を接続し、FET3と5
とのドレイン電極を接続し、これを負荷抵抗11に接続
し、FET4と6とのドレイン電極を接続し、これを負
荷抵抗12に接続し、FET4と5とのゲート電極間を
接続し、FET3と6とのゲート電極間を接続する。
次に動作について説明する。
FETIとFET2のゲート電極間に局部発振信号又は
高周波信号を入力し、FET3とFET4のゲート電極
間に高周波信号又は局部発振信号を入力すると、端子2
3.24には、高周波信号周波数f+と局部発振信号周
波数f2の信号成分に加えて、これら信号周波数f1と
f2の混合信号周波数f、±f2およびn激高周波周波
数nf、。
高周波信号を入力し、FET3とFET4のゲート電極
間に高周波信号又は局部発振信号を入力すると、端子2
3.24には、高周波信号周波数f+と局部発振信号周
波数f2の信号成分に加えて、これら信号周波数f1と
f2の混合信号周波数f、±f2およびn激高周波周波
数nf、。
nftの信号成分、およびその他のスプリアスが生じる
。この信号が、FET7と定電流理工、およびFET8
と定電流源I、とからなるバッファを通じて、FET3
,10、抵抗13.14および定電流理工、から成るF
ET差動回路に入力されると、差動回路の同相信号除去
機能により、偶数次(前記n=偶数)の高周波信号が除
去される。
。この信号が、FET7と定電流理工、およびFET8
と定電流源I、とからなるバッファを通じて、FET3
,10、抵抗13.14および定電流理工、から成るF
ET差動回路に入力されると、差動回路の同相信号除去
機能により、偶数次(前記n=偶数)の高周波信号が除
去される。
以上説明したように、本発明はバランスミキサ回路の2
つの出力端子の後段にFET差動回路を接続し、同一半
導体基板上に構成することにより、局部発振入力信号と
高周波入力信号の偶数次高周波を除去でき、出力信号を
コイル・トランス等のバランス・アンバランス変換器等
を用いることなく取出すことができ、更にバランスモー
ド又はアンバランスモードの両方でも取出すことができ
る効果がある。
つの出力端子の後段にFET差動回路を接続し、同一半
導体基板上に構成することにより、局部発振入力信号と
高周波入力信号の偶数次高周波を除去でき、出力信号を
コイル・トランス等のバランス・アンバランス変換器等
を用いることなく取出すことができ、更にバランスモー
ド又はアンバランスモードの両方でも取出すことができ
る効果がある。
力投を有するものの回路で、同図(b)はコイルトラン
スを用いた出力段を有するものの回路である。
スを用いた出力段を有するものの回路である。
1〜10.21・・・・・・FET、11.14・・・
・・・抵抗、22・・・・・・トランス、23.24・
・・・・・接続端子。
・・・抵抗、22・・・・・・トランス、23.24・
・・・・・接続端子。
代理人 弁理士 内 原 晋
第1図(a)、 (b)は本発明の各実施例の等価回路
図で、同図(a)はアンバランスモードのものの回路、
同図(b)はバランスモードのものの回路である。 第2図(a)、 (b)は従来の等価回路図で、同図(
a)はソースフォロア回路(バッファ回路)の出67ノ 茗 乙 図
図で、同図(a)はアンバランスモードのものの回路、
同図(b)はバランスモードのものの回路である。 第2図(a)、 (b)は従来の等価回路図で、同図(
a)はソースフォロア回路(バッファ回路)の出67ノ 茗 乙 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、第1のFETと第2のFETのソース電極を接続し
て成る第1のFET差動回路と、該第1と第2のFET
のソース電極に定電流源を接続し、前記第1のFETの
ドレイン電極にそれぞれのソース電極を接続した第3、
第4のFETを有する第2のFET差動回路と、前記第
2のFETのドレイン電極に、それぞれのソース電極を
接続した第5、第6のFETを有する第3のFET差動
回路と、前記第3と第5のFETのドレイン電極に共通
に接続された第1の負荷抵抗と、前記第4と第6のFE
Tのドレイン電極に共通に接続された第2の負荷抵抗と
を含み、前記第4、第5のFETのゲート電極間が共通
に接続され、かつ前記第3、第6のFETのゲート電極
間が共通に接続したダブルバランスミキサ回路を単一の
半導体基板に有することを特徴とするダブルバランスミ
キサ半導体集積回路。 2、前記第1のFETと第2のFETのゲート電極間を
局部発振信号又は高周波信号の差動モード入力端子とし
、かつ前記第3のFETと第4のFETのゲート電極間
を高周波信号又は局部発振信号の差動モード入力端子と
したことを特徴とする請求項1記載のダブルバランスミ
キサ半導体集積回路。 3、前記第1及び第2の負荷抵抗に、第2、第3の定電
流源とそれぞれのソース電極へ接続した第7、第8のF
ETのゲート電極を接続し、該第7、第8のFETのソ
ース電極に、ソース電極同志を接続した第9、第10の
FET及び第4の定電流源を含む差動増幅回路の前記第
9、第10のFETのゲート電極を接続し、更に、前記
第9のFETのドレイン電極又は前記第10のFETの
ドレイン電極へ前記第3又は第4の負荷抵抗を接続した
ことを特徴とする請求項2記載のダブルバランスミキサ
半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1051389A JPH02190011A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | ダブルバランスミキサ半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1051389A JPH02190011A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | ダブルバランスミキサ半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02190011A true JPH02190011A (ja) | 1990-07-26 |
Family
ID=11752301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1051389A Pending JPH02190011A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | ダブルバランスミキサ半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02190011A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5448772A (en) * | 1994-08-29 | 1995-09-05 | Motorola, Inc. | Stacked double balanced mixer circuit |
WO2003009465A1 (fr) * | 2001-07-12 | 2003-01-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit melangeur |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6411404A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-17 | Nippon Telegraph & Telephone | Double balance type mixer circuit |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP1051389A patent/JPH02190011A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6411404A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-17 | Nippon Telegraph & Telephone | Double balance type mixer circuit |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5448772A (en) * | 1994-08-29 | 1995-09-05 | Motorola, Inc. | Stacked double balanced mixer circuit |
WO2003009465A1 (fr) * | 2001-07-12 | 2003-01-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit melangeur |
US6759887B2 (en) | 2001-07-12 | 2004-07-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mixer circuit |
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