JPH03125507A - 周波数変換回路 - Google Patents

周波数変換回路

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JPH03125507A
JPH03125507A JP1262868A JP26286889A JPH03125507A JP H03125507 A JPH03125507 A JP H03125507A JP 1262868 A JP1262868 A JP 1262868A JP 26286889 A JP26286889 A JP 26286889A JP H03125507 A JPH03125507 A JP H03125507A
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frequency
intermediate frequency
frequency mixing
output terminal
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進 松本
Masaru Hashimoto
勝 橋本
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Toshiba Electronic Device Solutions Corp
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/12Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes

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  • Power Engineering (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、周波数変換回路に係り、例えばFM受信機の
FM受信信号を中間周波信号に変換するために使用され
る。
(従来の技術) 従来、例えばFM受信機のFM受信信号を中間周波信号
に変換するために使用される周波数変換回路は、第3図
乃至第5図に示すように構成されている。
第3図の回路において、31はFM受信信号(高周波信
号)と局部発振信号とを混合するための周波数混合回路
であり、バイポーラ集積回路30に形成されている。3
2は周波数混合回路31の出力から10.7MHzの中
間周波成分を取り出すための中間周波トランスであり、
集積回路30の外部でVcc電源端子34と周波数混合
出力端子35との間に接続されている。33は中間周波
トランス32の2次側に接続された所望の選択度を得る
ためのセラミック・フィルタ(中心周波数は10.7M
Hz)である。
なお、周波数混合回路3]は、FM受信信号(高周波信
号)入力がベースに与えられる第1のNPN トランジ
スタQllと、直流バイアス電位がベースに与えられる
第2のNPN )ランジスタQ12と、これらのNPN
 )ランジスタQllおよびQ 1.2のエミッタ相互
間に接続された抵抗Rと、第1のNPNトランジスタQ
11のエミッタと接地電位GNDとの間に接続されてい
る第1の電流源Iaと、第2のNPN トランジスタQ
12のエミッタとGNDとの間に接続されている第2の
電流源Ibと、VCC電源端子34と第1のNPN )
ランジスタQ11および第2のNPNトランジスタQ1
2の各コレクタとの間にそれぞれのコレクタ・エミッタ
間が接続された第3のNPNトランジスタQ13および
第4のNPNトランジスタQ14と、第3のNPN )
ランジスタQ13とエミッタ相互が接続され、第4のN
PNトランジスタQ14とベース相互が接続され、コレ
クタが前記周波数混合出力端子35に接続された第5の
NPN )ランジスタQユ5と、第4のNPN トラン
ジスタQ14とエミッタ相互が接続され、第3のNPN
 )ランジスタQ13とベース相互が接続され、コレク
タが周波数混合出力端子35に接続された第6のNPN
 トランジスタQ16とからなり、第3のNPNトラン
ジスタ013、第5のNPNトランジスタQ15の各ベ
ース間および第6のNPNトランジスタQ16、第4の
NPN )ランジスタQ、14の各ベース間に局部発振
信号入力が与えられている。
第3図の回路においては、中間周波トランス32の2次
側をセラミックーフィルタ33のインピーダンスと整合
させるために、中間周波トランス32の2次側コイルの
巻数比を小さくする必要があるので、中間周波変換利得
を大きくとることが困難であるという問題がある。
一方、第4図の回路においては、周波数混合回路4ユお
よびその出力側に接続されたインピーダンス変換用のエ
ミッタフォロア42およびその出力側に一端側が接続さ
れた抵抗43がバイポーラ集積回路40に形成されてい
る。44はVcc電源端子、45は周波数混合回路41
の出力端に接続された第1の周波数混合出力端子、46
は抵抗43の他端側に接続された第2の周波数混合出力
端子である。47は周波数混合回路41の出力中の10
.7MHzの中間周波成分に同調するり、C同調回路か
らなる中間周波同調回路であり、集積回路40の外部で
Vcc電源端子44と第1の周波数混合出力端子45と
の間に接続されている。
48は集積回路40の外部で第2の周波数混合出力端子
46に接続された所望の選択度を得るためのセラミック
・フィルタである。
第4図の回路においては、エミッタフォロア42によっ
て周波数混合回路41の出力インピーダンスとセラミッ
ク・フィルタ48とのインピーダンス整合をとるので中
間周波変換利得を大きくとることが可能になる。しかし
、エミッタフォロア42は信号振幅制限作用を持たない
ので、セラミック・フィルタ48の次段に接続される中
間周波増幅器(図示せず)に必要以上のレベルの中間周
波信号を供給するという問題がある。
さらに、第5図の回路においては、周波数混合回路51
およびその負荷側と出力側とに接続された抵抗52と中
間周波リミッタ53とがバイポーラ集積回路50に形成
されてC)る。54はVcc電源端子、55は中間周波
リミッタ53の出力端に接続された周波数混合出力端子
である。56は集積回路50の外部で周波数混合出力端
子55に接続された所望の選択度を得るためのセラミッ
ク・フィルタである。
第5図の回路においては、中間周波リミッタ53による
信号振幅制限作用によって、後段の中間周波増幅器に必
要以上のレベルの中間周波信号を供給することを防止す
ることが可能になる。しかし、周波数混合回路51の負
荷側に中間周波トランスあるいは中間周波同調回路が接
続されていないので、周波数混合回路51から発生する
中間周波信号以外の不要周波数成分の信号を抑制できず
、スプリアス特性が悪化するという問題がある。
(発明が解決しようとする課題) 上記したように従来の周波数変換回路は、周波数混合回
路の出力から中間周波トランスを介して中間周波信号を
取り出す場合には中間周波変換利得を大きくとることが
困難であり、周波数混合回路の出力からエミッタフォロ
アを介して中間周波信号を取出す場合には後段の中間周
波増幅器に必要以上のレベルの中間周波信号を供給する
ことになり、周波数混合回路の出力から中間周波リミッ
タを介して中間周波信号を取出す場合にはスプリアス特
性が悪化するという問題がある。
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、そ
の目的は、中間周波変換利得を大きくとることができ、
後段の中間周波増幅器に必要以上のレベルの中間周波信
号を供給することを防止でき、周波数混合回路から発生
する中間周波信号以外の不要周波数成分の信号を十分に
抑制することが可能になり、スプリアス特性の悪化を招
かない周波数変換回路を提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明の周波数変換回路は、半導体集積回路に形成され
た周波数混合回路およびこの出力側に接続されたインピ
ーダンス変換・信号振幅制限用の差動増幅回路を有し、
上記周波数混合回路の出力端および上記差動増幅回路の
出力端がそれぞれ対応して上記半導体集積回路の外部端
子である第1の周波数混合出力端子および第2の周波数
混合出力端子に接続されていることを特徴とする。
(作 用) インピーダンス変換・信号振幅制限用の差動増幅回路に
よって、周波数混合回路の出力インピーダンスと次段の
中間周波フィルタとのインピーダンス整合をとるので中
間周波変換利得を大きくとることが可能になると共に、
後段の中間周波増幅器に必要以上のレベルの中間周波信
号を供給することを防止することが可能になる。
また、周波数混合回路の負荷側に中間周波同調回路を接
続することにより、周波数混合回路がら発生する中間周
波信号以外の不要周波数成分の信号を十分に抑制でき、
スプリアス特性の悪化を招くことはない。
(実施例) 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
第1図は、例えばFM受信機において、FM受倍信号を
中間周波信号に変換するために使用される周波数変換回
路を示している。即ち、11はFM受信信号(高周波信
号)と局部発振信号とを混合する周波数混合回路、12
は周波数混合回路11の出力側に接続されているインピ
ーダンス変換・信号振幅制限用の差動増幅回路であり、
これらはバイポーラ集積回路10に形成されている。
13はVCC電源端子、14は周波数混合回路11の出
力端に接続された第1の周波数混合出力端子、15は差
動増幅回路12の出力端に接続された第2の周波数混合
出力端子であり、これらは集積回路10の外部端子であ
る。16は周波数混合回路11の出力中の10.7MH
zの中間周波成分に同調するLC同調回路(しはコイル
、Cは容量)からなる中間周波同調回路であり、集積回
路10の外部でVce電源端子13と第1の周波数混合
出力端子14との間に接続されている。17は集積回路
10の外部で第2の周波数混合出力端子15に接続され
た所望の選択度を得るための中間周波フィルタ、例えば
セラミック・フィルタ(中心周0 波数は10.7MHz)であり、このセラミック・フィ
ルタ17の次段には中間周波増幅器(図示せず)が接続
されている。
周波数混合回路ユ1の構成は、例えば第3図中に示した
周波数混合回路31と同様である。また、差動増幅回路
12は、周波数混合回路11の出力端にベースが直流的
に接続された第1のNPN )ランジスタQ1と、この
第1のNPN )ランジスタQ1とエミッタ相互が直流
的に接続され、ベースがVcc電源端子13に接続され
た第2のNPNトランジスタQ2と、これらの第1のN
PN トランジスタQ1および第2のNPN )ランジ
スタQ2の各エミッタの直流接続点と接地電位GNDと
の間に接続された電流源Iとを具備し、第1のNPN 
l−ランジスタQ1および第2のNPNトランジスタQ
2の少なくとも一方のコレクタから周波数混合出力を取
出すように構成されている。本例では、第1のNPN 
)ランジスタQ1のコレクタがVec電源端子13に接
続され、第2のNPNトランジスタQ2のコレクタとV
CC電源端子131 との間に負荷抵抗R1−が接続され、このコレクタが第
2の周波数混合出力端子15に接続されている。
第2のNPN )ランジスタQ2のベース電位は、直流
的には上記第1のNPN トランジスタQ1のベース電
位(LC同調回路16のコイルLを介してVcc電位が
与えられている。)にほぼ等しいが、交流的には接地さ
れている。また、負荷抵抗Rl−は、前記セラミック・
フィルタ17の入力抵抗にほぼ等しく設定されている。
周波数変換回路においては、インピーダンス変換・信号
振幅制限用の差動増幅回路12によって、周波数混合回
路11の出力インピーダンスと次段のセラミック・フィ
ルタ17とのインピーダンス整合をとるので中間周波変
換利得を大きくとることが可能になると共に、後段の中
間周波増幅器に必要以上のレベルの中間周波信号を供給
することを防止することが可能になる。この場合、電流
源Iの電流値により差動増幅回路12の利得を決定し、
中間周波変換利得を設定することができる。
2 また、周波数混合回路11の負荷側に中間周波同調回路
16が接続されているので、周波数混合回路11から発
生する中間周波信号以外の不要周波数成分の信号を十分
に抑制でき、スプリアス特性の悪化を招くことはない。
また、集積回路10の周波数混合出力端子14.15は
、従来例の第3図あるいは第5図の回路と比較して1個
多いが、従来例の第4図の回路と同数である。
第2図は、第1図の周波数変換回路の変形例を示してお
り、差動増幅回路12の利得を変えるために、第1のN
PN )ランジスタQ1および第2のNPNトランジス
タQ2の各エミッタに抵抗R1、R2を挿入し、差動増
幅回路12の入力インピーダンスを高めると共にダイナ
ミックレンジを大きくするために、第3のNPNトラン
ジスタQ3および抵抗R3からなる第1のエミッタフォ
ロアを第1のNPNトランジスタQ1の入力側に挿入し
、第4のNPN トランジスタQ4および抵抗R4から
なる第2のエミッタフォロアを第2の3 NPN トランジスタQ2の入力側に挿入している。
第2図の周波数変換回路によれば、第1図の周波数変換
回路と同様の効果が得られるほか、特性が向上すると共
に中間周波変換利得の設定が容易になる。
[発明の効果] 上述したように本発明の周波数変換回路によれば、周波
数混合回路の出力側に接続された差動増幅回路によって
、周波数混合回路の出力インピーダンスと次段の中間周
波フィルタとのインピーダンス整合をとるので中間周波
変換利得を大きくとることが可能になると共に、後段の
中間周波増幅器に必要以上のレベルの中間周波信号を供
給することを防止することが可能になる。また、周波数
混合回路の負荷側に中間周波同調回路を接続することに
より、周波数混合回路から発生する中間周波信号以外の
不要周波数成分の信号を+どCに抑制することが可能に
なり、スプリアス特性の悪化を招くことはない。従って
、本発明の周波数変換回路はF M受信機等に採用して
極めて有効である。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の周波数変換回路の一実施例を示す回路
図、第2図は第1図の周波数変換回路の変形例を示す回
路図、第3図乃至第5図はそれぞれ従来の周波数変換回
路を示す回路図である。 10・・・バイポーラ集積回路、11・・・周波数混合
回路、12・・・インピーダンス変換・信号振幅制限用
の差動増幅回路、]3・・・Vcc電源端子、14.1
5・・・周波数混合出力端子、16・・・中間周波同調
回路、17・・・中間周波フィルタ、Ql、Q2・・・
N P N l−ランジスタ、■・・・電流源、RL・
・・負荷抵抗。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体集積回路に形成された周波数混合回路およ
    びこの出力側に接続されたインピーダンス変換・信号振
    幅制限用の差動増幅回路を有し、前記周波数混合回路の
    出力端および前記差動増幅回路の出力端がそれぞれ対応
    して前記半導体集積回路の外部端子である第1の周波数
    混合出力端子および第2の周波数混合出力端子に接続さ
    れていることを特徴とする周波数変換回路。
  2. (2)前記半導体集積回路の外部で、前記第1の周波数
    混合出力端子と電源との間にLC同調回路からなる中間
    周波同調回路が接続されると共に前記第2の周波数混合
    出力端子に中間周波フィルタが接続されていることを特
    徴とする請求項1記載の周波数変換回路。
  3. (3)前記差動増幅回路は、前記周波数混合回路の出力
    端にベースが直流的に接続された第1のバイポーラトラ
    ンジスタと、この第1のバイポーラトランジスタとエミ
    ッタ相互が直流的に接続され、ベース電位は直流的には
    前記第1のバイポーラトランジスタのベース電位にほぼ
    等しいが交流的には接地された第2のバイポーラトラン
    ジスタと、これらの第1のバイポーラトランジスタおよ
    び第2のバイポーラトランジスタの各エミッタの直流接
    続点に接続された電流源と、前記第1のバイポーラトラ
    ンジスタおよび第2のバイポーラトランジスタの少なく
    とも一方のコレクタと電源電位との間に接続された負荷
    抵抗とを具備し、このコレクタから周波数混合出力を取
    出すことを特徴とする請求項1または2記載の周波数変
    換回路。
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