JPH05315845A - 周波数変換回路 - Google Patents

周波数変換回路

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JPH05315845A
JPH05315845A JP4141096A JP14109692A JPH05315845A JP H05315845 A JPH05315845 A JP H05315845A JP 4141096 A JP4141096 A JP 4141096A JP 14109692 A JP14109692 A JP 14109692A JP H05315845 A JPH05315845 A JP H05315845A
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JP
Japan
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terminal
circuit
distributed amplifier
distributed
high frequency
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Pending
Application number
JP4141096A
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English (en)
Inventor
Yuuki Imai
祐記 今井
Makoto Nakamura
誠 中村
Shunji Kimura
俊二 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 広帯域で低スプリアスの動作が可能な周波数
変換回路を提供する。 【構成】 ソース接地のFET21を単位回路として、
これを多段(図では3段)に接続して分布増幅器を構成
し、この分布増幅器の入力端子にあたる端子をRF端子
13とし、出力側の一端をLO端子14とし、出力端子
にあたる他端をIF端子15とし、FET21の容量と
インダクタからなる定K型フィルタ回路の繰り返しから
なる分布線路により構成したことを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、広帯域動作と低スプリ
アス動作を可能とした周波数変換回路(ミキサ)に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】図6は従来の典型的な電界効果トランジ
スタ(以下、FETと略す)を用いたミキサの構成であ
る。図中、1は2重ゲート型のFET、2は高周波(R
F)端子、3は局発(LO)端子、4は中間周波(I
F)端子、5は電気的な接地、6,7,8は各々の端子
の整合回路である。
【0003】本回路では、RF,LO信号の帯域は端子
10,11からみたFET1の容量と、RF,LO信号
源の抵抗からなる時定数で制限され、広帯域化が困難で
あるという欠点を有している。具体的に数値をあげる
と、本回路のRF,LO信号の帯域fおよび変換利得G
は端子10,11からみたFET1の容量をC、相互コ
ンタクタンスをgmとすると以下のようになる。なお、
Aは係数で、約0.5である。
【0004】 f=1/(2・π・50・C) ……(1) G=50・A・gm ……(2) 例えば、ゲート長0.3μm、ゲート幅400μmのG
aAsMESFETを用いた場合、RF信号の帯域は3
GHz程度となり、これ以上の高周波化は本回路では困
難となる。さらに、本回路では、RF信号に対してはソ
ース接地増幅器として働くため、IF端子4にRF信号
が漏洩し、スプリアスが大きい欠点をもつ。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のミ
キサは広帯域化が困難で、高周波化も限界であり、スプ
リアスが大きいという問題点があった。
【0006】本発明の目的は、従来のミキサの欠点を解
決し、広帯域で低スプリアスの動作が可能なミキサを提
供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる周波数変
換回路は、ソース接地またはエミッタ接地のトランジス
タを単位回路とし、これを多段に接続して分布増幅器を
構成し、この分布増幅器の入力端子にあたる端子を高周
波端子とし、分布増幅器の出力側の一端を局発端子と
し、分布増幅器の出力端子にあたる出力側の他端を中間
周波端子としたものである。
【0008】また、上記の周波数変換回路を2つ使用
し、各々の中間周波端子を共通に接続して共通中間周波
数端子とし、各々の高周波端子に互いに180°位相の
ずれた信号が加えられ、各々の局発端子に互いに180
°位相のずれた信号が加えられるものである。
【0009】
【作用】本発明においては、高周波端子,局発端子の整
合回路がトランジスタの容量とインダクタンスからなる
定K型フィルタ回路の繰り返しからなる分布線路により
構成されているので、広帯域化がはかれる。
【0010】また、2つの周波数変換回路を2つ用いて
いるので、広帯域なミキサ動作が可能であるとともに、
低スプリアス動作が可能である。
【0011】
【実施例】本発明の第1の実施例を図1に示す。図中、
5は図1と同じく電気的な接地を示し、21はFET、
11はインダクタ、12は終端用抵抗、13はRF端
子、14はLO端子、15はIF端子、16,17は単
位回路の入力側,出力側の端子を示す。本実施例は、ソ
ース接地のFET21からなる単位回路を3段接続した
例であり、さらに、多段化する場合は図中の破線部分を
繰り返す構成となる。なお、100は入力側の分布線
路、200は出力側の分布線路である。
【0012】この実施例で、RF部はインダクタ11と
端子16からみた単位回路の入力容量、LO部はインダ
クタ11と端子17からみた単位回路の出力容量を、各
々並列素子,直列素子として定K型フィルタ回路を多段
化した分布線路で形成されている。本伝送線路の帯域
f,特性インピーダンスZは以下の式で示される。
【0013】
【数1】 単位回路のFETの相互コンダクタンスをgmo、容量
をCo、単位回路の個数をn個とすると、帯域fと変換
利得Gは以下の式となる。
【0014】
【数2】 例えば、単位回路のFET21としてGaAsMESF
ETで、ゲート長0.3μm、ゲート幅100μmとす
ると、gmo=30mS、Co=0.20pFとなり、
整合するためにZ=50Ωとすると、(5)式からL=
0.250nHとなり、段数nを4とすると、(5)
式,(6)式から変換利得G,帯域fは以下のようにな
る。
【0015】G=3(9dB) f=32GHz 一方、図6の従来の回路で、FET1のゲート幅を10
0μmの4倍の400μmとして利得を増加すると、
(1)式,(3)式から変換利得G,帯域fは以下のよ
うになる。
【0016】G=3(9dB) f=3GHz したがって、従来の回路にくらべ広帯域化が可能である
ことがわかる。
【0017】図2は本発明の第2の実施例を示すもの
で、第1の実施例のミキサを2つ使用し、IF端子15
を共通にして共通IF端子15′とした構成である。第
2の実施例では、2つのRF端子13に、互いに180
°位相のずれた信号RF1,RF2を入力し、かつ2つ
のLO端子14に互いに180°位相のずれた信号LO
1,LO2を入力して使用する。この実施例2も実施例
1と同様の広帯域化が可能である。
【0018】図3,図4は第3,4の実施例を示すもの
で、第1,2の実施例に容量18が追加されている点が
異なる。なお、以上の実施例で、インダクタ11は伝送
線路により置き換えることも可能である。さらに、FE
T21は、バイポーラトランジスタに置き換えることが
可能である。
【0019】また、2つのミキサを用いた実施例2,4
では上記実施例1,2の広帯域な特性を維持すると共
に、RF信号,LO信号が2つのミキサに互いに180
°位相がずれて入力されるため、IF端子15にRF信
号、LO信号がもれずスプリアスが小さい利点を有す
る。
【0020】以上を要約すると、本発明の実施例では、
RF,LO部が定K型フィルタ回路を多段化した分布線
路で形成され、トランジスタの容量を分布線路の構成要
素としているため、容量による劣化が補償されるため、
広帯域なミキサ動作が可能である。また、2つのミキサ
を用いIF端子15を共通にして共通IF端子15′と
し、RF信号,LO信号に互いに180°位相がずれた
信号を入力するミキサでは、広帯域なミキサ動作が可能
であると共に、低スプリアス動作が可能である特徴をも
つ。これらの特徴は、従来の回路の欠点を解決するもの
である。
【0021】図5従来の構成と本発明の実施例のミキサ
の変換利得Gの周波数特性の比較結果を示したものであ
る。この結果から、本発明の実施例では、従来にくらべ
変換利得Gの周波数特性が改善されていることがわか
る。
【0022】なお、上記ではFET21を用いたが、本
発明は、前述したように、通常のバイポーラトランジス
タでもよい。その場合、ソースはエミッタ、ドレインは
コレクタ、ゲートはベースとなる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ソース
接地またはエミッタ接地のトランジスタを単位回路と
し、これを多段に接続して分布増幅器を構成し、この分
布増幅器の入力端子にあたる端子を高周波端子とし、分
布増幅器の出力側の一端を局発端子とし、分布増幅器の
出力端子にあたる他端を中間周波端子としたので、広帯
域・低スプリアスに動作可能なミキサが実現できるた
め、広帯域特性を必要とする光伝送方式の受信器などの
高性能化に効果が大きい。
【0024】また、周波数変換回路を2つ使用し、各々
の中間周波端子を共通に接続して共通中間周波数端子と
し、各々の高周波端子に互いに180°位相のずれた信
号が加えられ、各々の局発端子に互いに180°位相の
ずれた信号が加えられるようにしたので、低スプリアス
の動作が可能である利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す回路図である。
【図2】本発明の第2の実施例を示す回路図である。
【図3】本発明の第3の実施例を示す回路図である。
【図4】本発明の第4の実施例を示す回路図である。
【図5】従来の構成と本発明の実施例の特性の比較図で
ある。
【図6】従来の構成を説明する回路図である。
【符号の説明】
5 電気的な接地 11 インダクタ 12 終端用抵抗 13 RF端子 14 LO端子 15 IF端子 15′ 共通IF端子 16 端子 17 端子 18 容量 21 FET

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ソース接地またはエミッタ接地のトラン
    ジスタを単位回路とし、これを多段に接続して分布増幅
    器を構成し、この分布増幅器の入力端子にあたる端子を
    高周波端子とし、前記分布増幅器の出力側の一端を局発
    端子とし、前記分布増幅器の出力端子にあたる前記出力
    側の他端を中間周波端子としたことを特徴とする周波数
    変換回路。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の周波数変換回路を2つ使
    用し、各々の中間周波端子を共通に接続して共通中間周
    波数端子とし、各々の高周波端子に互いに180°位相
    のずれた信号が加えられ、各々の局発端子に互いに18
    0°位相のずれた信号が加えられることを特徴とする周
    波数変換回路。
JP4141096A 1992-05-07 1992-05-07 周波数変換回路 Pending JPH05315845A (ja)

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JP4141096A JPH05315845A (ja) 1992-05-07 1992-05-07 周波数変換回路

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JP4141096A Pending JPH05315845A (ja) 1992-05-07 1992-05-07 周波数変換回路

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JP (1) JPH05315845A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016116200A (ja) * 2014-12-18 2016-06-23 日本電信電話株式会社 分布増幅器と分布ミキサ
JP6078133B1 (ja) * 2015-10-06 2017-02-08 日本電信電話株式会社 分布型回路

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016116200A (ja) * 2014-12-18 2016-06-23 日本電信電話株式会社 分布増幅器と分布ミキサ
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