JPH02188761A - 電子写真感光体 - Google Patents
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- JPH02188761A JPH02188761A JP784589A JP784589A JPH02188761A JP H02188761 A JPH02188761 A JP H02188761A JP 784589 A JP784589 A JP 784589A JP 784589 A JP784589 A JP 784589A JP H02188761 A JPH02188761 A JP H02188761A
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、電子写真感光体に関し、特に残留電位が小さ
く、高い静電コントラストと耐久安定性に優れた電子写
真感光体に関する。
く、高い静電コントラストと耐久安定性に優れた電子写
真感光体に関する。
[従来の技術]
近年、有機化合物を光導電体として用いた電子写真感光
体が数多く実用化されるようになってきた。これらの電
子写真感光体においては、はとんどの場合、比較的低分
子の光導電性物質を樹脂に溶解あるいは分散して導電性
支持体上に成膜形成し、デバイスとして供している。
体が数多く実用化されるようになってきた。これらの電
子写真感光体においては、はとんどの場合、比較的低分
子の光導電性物質を樹脂に溶解あるいは分散して導電性
支持体上に成膜形成し、デバイスとして供している。
ところで、このような光導電層は、−船釣に導電性支持
体として用いられるアルミニウムや蒸着処理したプラス
チックフィルムに対して接着性が十分でないことが多い
、また、光導電層が電荷発生層上に電荷輸送層を積層し
た形式を採る場合、電荷発生層は一般的に17Lm以下
の薄層であるため、支持体の微細なムラや凹凸の影響を
受けやすく、均一な膜を形成することが困難であり、ま
た支持体との密着性に乏しく、ハガレを生ずることもあ
る。さらに、支持体から電荷の注入により感光体の帯電
特性が著しく劣化する場合がある。
体として用いられるアルミニウムや蒸着処理したプラス
チックフィルムに対して接着性が十分でないことが多い
、また、光導電層が電荷発生層上に電荷輸送層を積層し
た形式を採る場合、電荷発生層は一般的に17Lm以下
の薄層であるため、支持体の微細なムラや凹凸の影響を
受けやすく、均一な膜を形成することが困難であり、ま
た支持体との密着性に乏しく、ハガレを生ずることもあ
る。さらに、支持体から電荷の注入により感光体の帯電
特性が著しく劣化する場合がある。
上述のような接着性の改良、成膜性の改良、電荷の注入
防止といった目的のために、光導電層、特に電荷発生層
と導電性支持体との間に下引き層を設けることが行なわ
れている。
防止といった目的のために、光導電層、特に電荷発生層
と導電性支持体との間に下引き層を設けることが行なわ
れている。
下引き層の材料として上記の理由から、導電性支持体(
特にアルミニウムなどの金属材料)との密着性や成膜性
に優れていることが要求される。
特にアルミニウムなどの金属材料)との密着性や成膜性
に優れていることが要求される。
また、成膜は一般に溶剤に溶解して塗布により行なうた
め、溶液としての安定性も要求される。
め、溶液としての安定性も要求される。
これらのことから、従来、下引き層は熱可塑性樹脂から
適宜選択されることが多い。
適宜選択されることが多い。
しかしながら、このような下引き層の上に電荷発生層お
よび電荷輸送層を設けた電子写真感光体において、電荷
輸送材の物性によって電子写真感光体の残留電位が著し
く増加するという問題があった・ [発明が解決しようとする課題] 本発明は、上述の欠点を改良し、残留電位が小さく、高
い静電コントラストを有する電子写真感光体を提供する
ことを目的とする。
よび電荷輸送層を設けた電子写真感光体において、電荷
輸送材の物性によって電子写真感光体の残留電位が著し
く増加するという問題があった・ [発明が解決しようとする課題] 本発明は、上述の欠点を改良し、残留電位が小さく、高
い静電コントラストを有する電子写真感光体を提供する
ことを目的とする。
[課題を解決するための手段、作用]
本発明は、導電性支持体上に、少なくとも下引き層、電
荷発生層および酸化電位0.7eV以上の電荷輸送材を
含む電荷輸送層が、この順に積層されてなる電子写真感
光体において、該下引き層が、重合度10以下の成分が
loppm以下である熱可塑性樹脂を含有することを特
徴とする電子写真感光体から構成される。
荷発生層および酸化電位0.7eV以上の電荷輸送材を
含む電荷輸送層が、この順に積層されてなる電子写真感
光体において、該下引き層が、重合度10以下の成分が
loppm以下である熱可塑性樹脂を含有することを特
徴とする電子写真感光体から構成される。
下引き層に用いられる熱可塑性樹脂としてはポリエステ
ル、ポリカーボネート、セルロース樹脂フェノキシ樹脂
、ブチラール樹脂などが挙げられる。これらの樹脂の体
積抵抗は、雰囲気の環境により異なるが、lo’2〜1
Q15Ωcm程度であるが、下引層としての膜厚は一般
にlJLm以下の薄層であるため帯電能は極めて小さい
。
ル、ポリカーボネート、セルロース樹脂フェノキシ樹脂
、ブチラール樹脂などが挙げられる。これらの樹脂の体
積抵抗は、雰囲気の環境により異なるが、lo’2〜1
Q15Ωcm程度であるが、下引層としての膜厚は一般
にlJLm以下の薄層であるため帯電能は極めて小さい
。
従って電子写真感光体の下引き層として用いた場合、下
引き層に蓄積される電荷もなく、光照射後の残留電位は
小さいと予想される。
引き層に蓄積される電荷もなく、光照射後の残留電位は
小さいと予想される。
しかしながら、積層される電荷輸送層に用いる電荷輸送
材の酸化電位が0.7eVを超えると、下引き層および
電荷発生層が全く同一の構成であっても残留電位が著し
く上昇してしまうという現象がある。
材の酸化電位が0.7eVを超えると、下引き層および
電荷発生層が全く同一の構成であっても残留電位が著し
く上昇してしまうという現象がある。
本発明者は、この原因を調査した結果、樹脂中−二含ま
れる低重合度成分の濃度に大きく影響を受けていること
を見い出し、本発明を完成したちのである。
れる低重合度成分の濃度に大きく影響を受けていること
を見い出し、本発明を完成したちのである。
理由については明確ではないが、下引き層樹脂の平均重
合度の変化により、下引き層の仕事関数が変化し、低電
界での酸化電位の高い電荷輸送材のキャリア移動を妨げ
ていることにより残留電位が上昇するものと考えられる
。
合度の変化により、下引き層の仕事関数が変化し、低電
界での酸化電位の高い電荷輸送材のキャリア移動を妨げ
ていることにより残留電位が上昇するものと考えられる
。
酸化電位が0.7eV未渦の電荷輸送材を用いた場合の
残留電位は、下引き層樹脂の低重合度成分にはほとんど
影響されない。
残留電位は、下引き層樹脂の低重合度成分にはほとんど
影響されない。
しかしながら、低酸化電位の電荷輸送材は電子写真プロ
セスにおいて用いるコロナ放電の環境下で劣化を受けや
すいことが知られており、十分な耐久性を有する電子写
真感光体を得るためには。
セスにおいて用いるコロナ放電の環境下で劣化を受けや
すいことが知られており、十分な耐久性を有する電子写
真感光体を得るためには。
高酸化電位の電荷輸送材を用いることが要求されている
。
。
従って、本発明の電子写真感光体は、高耐久感光体の実
現には不可欠の技術を具現している。
現には不可欠の技術を具現している。
本発明において、熱可塑性樹脂の重合度10以下の成分
の濃度を下げるためには、不溶性の溶剤中に樹脂溶液を
滴下して、再沈殿させる方法が好ましい。
の濃度を下げるためには、不溶性の溶剤中に樹脂溶液を
滴下して、再沈殿させる方法が好ましい。
不溶性溶剤は、樹脂により適宜選択する。
下引き層を形成するためには、積層する際の耐溶剤性の
点や抵抗のコントロールの目的で、他の樹脂をブレンド
してもよい。
点や抵抗のコントロールの目的で、他の樹脂をブレンド
してもよい。
下引き層の膜厚は0.1〜2gm、好ましくは0.3〜
1牌mが適当である。
1牌mが適当である。
0.1gmより薄い場合は下引き層として要求される機
能が十分に発現しない。
能が十分に発現しない。
また2JLmより厚い場合は帯電能を生じてしまうため
好ましくない。
好ましくない。
次に、具体的な電子写真感光体の態様を説明する。
導電層を有する支持体としては、支持体自体が導電性を
有するもの1例えばアルミニウム、アルミニウム合金、
銅、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロ
ム、チタン、ニッケル、インジウム、金や白金などを用
いることができ、その他にアルミニウム、アルミニウム
合金、酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化
錫合金などを真空蒸着法によって被nλ形成した層を有
するプラスチック、導電性粒子をプラスチックや紙に含
浸した支持体や導電性ポリマーを有するプラスチックな
どを用いることができる。
有するもの1例えばアルミニウム、アルミニウム合金、
銅、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロ
ム、チタン、ニッケル、インジウム、金や白金などを用
いることができ、その他にアルミニウム、アルミニウム
合金、酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化
錫合金などを真空蒸着法によって被nλ形成した層を有
するプラスチック、導電性粒子をプラスチックや紙に含
浸した支持体や導電性ポリマーを有するプラスチックな
どを用いることができる。
さらに、支持体と下引き層との間に、支持体のムラや欠
陥の被覆および画像入力がレーザー光の場合には散乱に
よる干渉縞防止を目的とした導電層を設けることが好適
である。
陥の被覆および画像入力がレーザー光の場合には散乱に
よる干渉縞防止を目的とした導電層を設けることが好適
である。
これは、カーボンブラック、金属粒子、金属酸化物など
の導電性粉体を結着樹脂中に分散して形成することがで
きる。
の導電性粉体を結着樹脂中に分散して形成することがで
きる。
導電層の膜厚は5〜40ILm、好ましくは10〜30
終mが適当である。
終mが適当である。
電荷発生層は、ピリリウム系染料、チアピリリウム系染
料、フタロシアニン系顔料、アントアントロン顔料、ジ
ベンズピレンキノン顔料、ピラントロン顔料、アゾ系顔
料、インジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、キノシアニ
ンなどの電荷発生材を適当なバインダー溶液中に分散し
た塗布液を下引き層上に塗布することによって形成する
。
料、フタロシアニン系顔料、アントアントロン顔料、ジ
ベンズピレンキノン顔料、ピラントロン顔料、アゾ系顔
料、インジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、キノシアニ
ンなどの電荷発生材を適当なバインダー溶液中に分散し
た塗布液を下引き層上に塗布することによって形成する
。
膜厚は0.05〜10pm、好ましくは0.1〜31L
mが適当である。
mが適当である。
電荷輸送材としては、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン
系化合物、スチルベン系化合物、トリフェニルアミン系
化合物、ベンジジン系化合物、オキサゾール系化合物な
どの一般的な材料の中から酸化電位0.7eV以上の材
料を選択する。
系化合物、スチルベン系化合物、トリフェニルアミン系
化合物、ベンジジン系化合物、オキサゾール系化合物な
どの一般的な材料の中から酸化電位0.7eV以上の材
料を選択する。
上記電荷輸送材の酸化電位とは第1酸化波のピーク値(
E o x)を示し、実際には、溶剤としてメタノール
、エタノール、アセトニトリルなどを用い、支持電解質
として過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム、過塩
素酸リチウム、p−)ルエン酸テトラエチルアンモニウ
ムなどの塩類を用い、電極として飽和カロメル電極を使
用し、サイクリックボルタメトリにより測定できる。
E o x)を示し、実際には、溶剤としてメタノール
、エタノール、アセトニトリルなどを用い、支持電解質
として過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム、過塩
素酸リチウム、p−)ルエン酸テトラエチルアンモニウ
ムなどの塩類を用い、電極として飽和カロメル電極を使
用し、サイクリックボルタメトリにより測定できる。
ただし、測定は、この方法に限定されるものではなく、
ボテンシオメトリー、ポーラログラフイーによっても求
めることができる。
ボテンシオメトリー、ポーラログラフイーによっても求
めることができる。
本発明では、溶媒としてアセトニトリル、支持電解質と
して過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム、電極と
して飽和カロメル電極を使用し、サイクリックボルタメ
トリーにて酸化電位を測定した。
して過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム、電極と
して飽和カロメル電極を使用し、サイクリックボルタメ
トリーにて酸化電位を測定した。
これを適当なバインダー溶液中に溶解した塗布液を電荷
発生層上に塗布する。
発生層上に塗布する。
膜厚は5〜40終m、好ましくは10〜30ルmが適当
である。
である。
これら各層の塗布には浸漬法、スプレー法、ビーム法、
ブレードコート、スピンナーコートなどの公知の塗布法
を用いることができる。
ブレードコート、スピンナーコートなどの公知の塗布法
を用いることができる。
[再沈殿による樹脂の低重合度成分の除去]市販のブチ
ラール樹脂(商品名工スレツクBX−・1.積水化学工
業株製)20gをメチルセロソルブ100gおよびメタ
ノールxoogの混合溶剤に溶解する。2500gのア
セトンを攪拌しつつ、これに前記ブチラール樹脂溶液を
約40分間かけて滴下し、再沈を行なった。得られた沈
殿分をフッチエ上で分離、アセトン洗浄した後、80℃
で一晩真空乾燥した。
ラール樹脂(商品名工スレツクBX−・1.積水化学工
業株製)20gをメチルセロソルブ100gおよびメタ
ノールxoogの混合溶剤に溶解する。2500gのア
セトンを攪拌しつつ、これに前記ブチラール樹脂溶液を
約40分間かけて滴下し、再沈を行なった。得られた沈
殿分をフッチエ上で分離、アセトン洗浄した後、80℃
で一晩真空乾燥した。
ここで、重合度10以下の成分の測定に関し、下引き層
材料としてブチラール樹脂を用いた場合について説明す
る。
材料としてブチラール樹脂を用いた場合について説明す
る。
再沈処理前後のブチラール樹脂におけるゲルパーミェー
ションクロマトグラフィー1を下、GPCと称す)を測
定する。
ションクロマトグラフィー1を下、GPCと称す)を測
定する。
条件としては以下の通りである。
装置:高速液体クロマトグラフ244、ウォーターズ社
カラム:ポリスチレンゲル1.5X104A、3X10
3A、700A、350A 計4本標準物買:標準ポリ
スチレン 最大分子量448X104 試料溶液:ブチラール樹脂(商品名工スレックBX−1
.積水化学工業婚製)0,5%THF溶液 注入量:200給見 流速:1mJl/min 温度:23±1℃ 検出器:示差屈折率計 ブチラール樹脂の構成単位が以下の通りであると仮定し
、 C:s H? 重合度10以下の成分を分子量1400以下とする。G
PCのクロマトグラムの面植強度よりこの成分の濃度を
求める。
3A、700A、350A 計4本標準物買:標準ポリ
スチレン 最大分子量448X104 試料溶液:ブチラール樹脂(商品名工スレックBX−1
.積水化学工業婚製)0,5%THF溶液 注入量:200給見 流速:1mJl/min 温度:23±1℃ 検出器:示差屈折率計 ブチラール樹脂の構成単位が以下の通りであると仮定し
、 C:s H? 重合度10以下の成分を分子量1400以下とする。G
PCのクロマトグラムの面植強度よりこの成分の濃度を
求める。
その結果、再沈前の樹脂については分子量1400以下
の成分濃度は2ooppmであったが、再沈後について
は存在が認められなかった。
の成分濃度は2ooppmであったが、再沈後について
は存在が認められなかった。
一方、再沈処理後のアセトン中から除去成分を分離し、
定量を行なったところ、220 p pmであり、GP
Cの結果と近い値となった。
定量を行なったところ、220 p pmであり、GP
Cの結果と近い値となった。
[実施例]
実施例1
30φX260mmのアルミニウムシリンダーを支持体
とした。
とした。
これに以下の材料より構成される導電層を支持体上に浸
漬法で塗布し、 導電性顔料:酸化錫コート処理酸化チタン(商品名クロ
メスECT−62,チタン工業■)10部(重量部、以
下同様) 抵抗調節用顔料:酸化チタン(商品名タイトーン5R−
IT、堺化学輛製)10部 結着樹脂:フェノール樹脂(商品名J−325大日本イ
ンキ化学工業(財)製)10部表面粗さ付与剤二球状シ
リコーン樹脂粉末(商品名トスパール120.東芝シリ
コーン■製)1.5部 溶剤:メタノール/メチルセロツル121フ120部 140″C130分間熱硬化して18部mの散乱防止導
電層を形成した。
漬法で塗布し、 導電性顔料:酸化錫コート処理酸化チタン(商品名クロ
メスECT−62,チタン工業■)10部(重量部、以
下同様) 抵抗調節用顔料:酸化チタン(商品名タイトーン5R−
IT、堺化学輛製)10部 結着樹脂:フェノール樹脂(商品名J−325大日本イ
ンキ化学工業(財)製)10部表面粗さ付与剤二球状シ
リコーン樹脂粉末(商品名トスパール120.東芝シリ
コーン■製)1.5部 溶剤:メタノール/メチルセロツル121フ120部 140″C130分間熱硬化して18部mの散乱防止導
電層を形成した。
次に、下引き層として、前述したブチラール樹脂10部
をメタノール60部およびメチルセロソルブ60部に溶
解して塗布液を調製し、上記導電層上に浸漬塗布して0
.8ルmの層を形成した。
をメタノール60部およびメチルセロソルブ60部に溶
解して塗布液を調製し、上記導電層上に浸漬塗布して0
.8ルmの層を形成した。
次いで、下記構造式を有するトリスアゾ顔料をポリメチ
ルメタクリレート(商品名ダイヤナールB−25、三菱
化成■製)4部およびメチルイソブチルケトン200部
を1φガラスピーズを用いたサンドミル装置で30時間
分散し、これにテトラヒドロフラン300〜450(適
宜)部加えて下引き層上に塗布し、0.151Lmの電
荷発生層を形成した。
ルメタクリレート(商品名ダイヤナールB−25、三菱
化成■製)4部およびメチルイソブチルケトン200部
を1φガラスピーズを用いたサンドミル装置で30時間
分散し、これにテトラヒドロフラン300〜450(適
宜)部加えて下引き層上に塗布し、0.151Lmの電
荷発生層を形成した。
次に、電荷輸送層として下記構造式を有するスチルベン
化合物10部、ビスフェノールZ型ポリた。
化合物10部、ビスフェノールZ型ポリた。
比較例1
再沈処理しないブチラール樹脂を用いて、他は実施例1
と同様に電子写真感光体を作成した。
と同様に電子写真感光体を作成した。
実施例1および比較例1で作成した電子写真感光体を半
導体レーザーを光源とする電子写真レーザープリンター
に装着し、暗部電位Voを一700vに設定した。78
5nmの像露光レーザー光量を2・OJL J / c
m 2とし、ノ\ロゲンランプによる除電露光の光量
を6見ux@secとして明部電位vしおよび残留電位
Vllを測定した。
導体レーザーを光源とする電子写真レーザープリンター
に装着し、暗部電位Voを一700vに設定した。78
5nmの像露光レーザー光量を2・OJL J / c
m 2とし、ノ\ロゲンランプによる除電露光の光量
を6見ux@secとして明部電位vしおよび残留電位
Vllを測定した。
なお、測定環境は23℃、55%RHである。
結果を示す。
カーボネート10部をクロロベンゼン55部に溶解し、
塗布液を調製した。なお、上記スチルベン化合物の酸化
電位は0.81であった。
塗布液を調製した。なお、上記スチルベン化合物の酸化
電位は0.81であった。
この塗布液を電荷発生層上に塗布し、19μmの電荷輸
送層を形成し、電子写真感光体を作成し実施例1 −
200V/−20V −190V/−20V比較
例1 −240V/−80V −280V/−
140Vこのように低分子成分を含有するブチラール樹
脂を下引き層に用いる(比較例1)と残留電位。
送層を形成し、電子写真感光体を作成し実施例1 −
200V/−20V −190V/−20V比較
例1 −240V/−80V −280V/−
140Vこのように低分子成分を含有するブチラール樹
脂を下引き層に用いる(比較例1)と残留電位。
明部電位の上昇また繰り返しプリントによりさらじ電位
が上昇するのに対し、実施例1の感光体は安定して高い
コントラストが得られている。
が上昇するのに対し、実施例1の感光体は安定して高い
コントラストが得られている。
実施例2
下引き層に用いる樹脂として、飽和ポリエステル樹脂(
商品名パイロン200、東洋紡&lv4製)をブチラー
ル樹脂と同様の方法で再沈処理を行なった。ただし、樹
脂を溶解する溶剤としてキシレン/トルエン/MEK=
3/1/lの混合溶剤を用いた。また、再沈溶剤として
はメタノールを用いた。得られたポリエステル樹脂のG
PC測定を行なったところ、重合度10以下の成分は検
出されなかった。
商品名パイロン200、東洋紡&lv4製)をブチラー
ル樹脂と同様の方法で再沈処理を行なった。ただし、樹
脂を溶解する溶剤としてキシレン/トルエン/MEK=
3/1/lの混合溶剤を用いた。また、再沈溶剤として
はメタノールを用いた。得られたポリエステル樹脂のG
PC測定を行なったところ、重合度10以下の成分は検
出されなかった。
次に鏡面加工した80φX360mmのアルミニウムシ
リンダーを支持体とし、この上に下引き層として上記の
ポリエステル樹脂10部をキシレン50部、メチルイソ
ブチルケトン50部に溶解した溶液を塗布し、0.フル
mの層を形成した。
リンダーを支持体とし、この上に下引き層として上記の
ポリエステル樹脂10部をキシレン50部、メチルイソ
ブチルケトン50部に溶解した溶液を塗布し、0.フル
mの層を形成した。
次に、下記構造式を有するジスアゾ顔料を10部、
ポリビニールブチラール(商品名BL−1.積水化学工
業■製)5部およびn−ブタノール300部を1φガラ
スピーズな用いたサンドミtv装置で20時間分散し、
これにメタノール200〜350(適宜)部加えて下引
き層上に塗布し、0.131Lmの電荷発生層を形成し
た。
業■製)5部およびn−ブタノール300部を1φガラ
スピーズな用いたサンドミtv装置で20時間分散し、
これにメタノール200〜350(適宜)部加えて下引
き層上に塗布し、0.131Lmの電荷発生層を形成し
た。
次に、電荷輸送層として下記構造式を有するベンズカル
バゾール化合物を10部、 ビスフェノールZ型ポリカーボネートを10部をクロロ
ベンゼン55部に溶解し、塗布液を調製した。
バゾール化合物を10部、 ビスフェノールZ型ポリカーボネートを10部をクロロ
ベンゼン55部に溶解し、塗布液を調製した。
なお、上記化合物の融化電位は0.88eVであった。
この塗布液を電荷発生層上に塗布し、20JLmの電荷
輸送層を形成し、電子写真感光体を作成した。
輸送層を形成し、電子写真感光体を作成した。
実施例3
実施例2で用いた下引き層塗布液に、前述した再沈によ
る分離低分子量成分を、再沈したポリエステル樹脂に対
してlOppmとなるようにドーピングし、その他は実
施例2と同様にして電子写真感光体を作成した。
る分離低分子量成分を、再沈したポリエステル樹脂に対
してlOppmとなるようにドーピングし、その他は実
施例2と同様にして電子写真感光体を作成した。
比較例2
実施例2で用いた下引き層塗布液に、前述した再沈によ
る分離低分子量成分を、再沈したポリエステル樹脂に対
して30ppmとなるようにドーピングし、その他は実
施例2と同様にして電子写真感光体を作成した。
る分離低分子量成分を、再沈したポリエステル樹脂に対
して30ppmとなるようにドーピングし、その他は実
施例2と同様にして電子写真感光体を作成した。
実施例2.3および比較例2で作成した電子写真感光体
を普通紙複写機に装着し、Voを一650vに設定した
。
を普通紙複写機に装着し、Voを一650vに設定した
。
ハロゲンランプによる除電露光の光量を2.21ux@
sec、ヒユーズランプによる除電露光の光量を6文U
X・secとしてVLおよびVを測定した。結果を示す
。
sec、ヒユーズランプによる除電露光の光量を6文U
X・secとしてVLおよびVを測定した。結果を示す
。
実施例2 −150V/−20V −180V
/−307実施V43 −150V/−30V
−170V/−40V比較例2 −180V/−5
0V −230V/−110V実施例4 下引き層樹脂としてポリカーボネートAを用い、再沈処
理における樹脂溶液の溶剤はジクロロメタン/ジオキサ
ン=1/1、再沈溶剤はアセトンとした。再沈後の重合
度10以下の成分は検出されなかった。
/−307実施V43 −150V/−30V
−170V/−40V比較例2 −180V/−5
0V −230V/−110V実施例4 下引き層樹脂としてポリカーボネートAを用い、再沈処
理における樹脂溶液の溶剤はジクロロメタン/ジオキサ
ン=1/1、再沈溶剤はアセトンとした。再沈後の重合
度10以下の成分は検出されなかった。
上記再沈処理した下引き層樹脂を用い、他は実施例1と
同様にして電子写真感光体を作成した。
同様にして電子写真感光体を作成した。
なお、下引き層塗布の際の塗料溶剤は再沈時の溶液溶剤
と同一溶剤を用いた。
と同一溶剤を用いた。
実施例5
下引き層樹脂として酪酢酸セルロースを用い、再沈処理
における樹脂溶液の溶剤はMEK/シクロヘキサノン=
3/1、再沈溶剤はメタノールとした。再沈後の重合度
lO以下の成分は検出されなかった。上記再沈処理した
下引き層樹脂を用い、他は実施例1と同様にして電子写
真感光体を作成した。なお、下引き層塗布の際の塗料溶
剤は再沈時の溶液溶剤と同一溶剤゛を用いた。
における樹脂溶液の溶剤はMEK/シクロヘキサノン=
3/1、再沈溶剤はメタノールとした。再沈後の重合度
lO以下の成分は検出されなかった。上記再沈処理した
下引き層樹脂を用い、他は実施例1と同様にして電子写
真感光体を作成した。なお、下引き層塗布の際の塗料溶
剤は再沈時の溶液溶剤と同一溶剤゛を用いた。
実施例4および実施例5で作成した電子写真感光体につ
いて実施例1と同様な評価を行なった。
いて実施例1と同様な評価を行なった。
結果を示す。
実施例4 −210V/−30V −220V
/−40V実施例5 −200V/−20V
−210V/−35V[発明の効果] 本発明の電子写真感光体は、高酸化電位の電荷輸送材を
用いた電子写真感光体において初期および繰り返し耐久
における残留電位の上昇を極めて小さく押えることがで
きるという顕著な効果を奏する。
/−40V実施例5 −200V/−20V
−210V/−35V[発明の効果] 本発明の電子写真感光体は、高酸化電位の電荷輸送材を
用いた電子写真感光体において初期および繰り返し耐久
における残留電位の上昇を極めて小さく押えることがで
きるという顕著な効果を奏する。
Claims (1)
- 1、導電性支持体上に、少なくとも下引き層、電荷発生
層および酸化電位0.7eV以上の電荷輸送材を含む電
荷輸送層が、この順に積層されてなる電子写真感光体に
おいて、該下引き層が、重合度10以下の成分が10p
pm以下である熱可塑性樹脂を含有することを特徴とす
る電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1007845A JP2631735B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1007845A JP2631735B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02188761A true JPH02188761A (ja) | 1990-07-24 |
JP2631735B2 JP2631735B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=11676954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1007845A Expired - Fee Related JP2631735B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2631735B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015172733A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-10-01 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02103557A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP1007845A patent/JP2631735B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02103557A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015172733A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-10-01 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2631735B2 (ja) | 1997-07-16 |
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