JPH02186834A - Line memory - Google Patents

Line memory

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Publication number
JPH02186834A
JPH02186834A JP1006629A JP662989A JPH02186834A JP H02186834 A JPH02186834 A JP H02186834A JP 1006629 A JP1006629 A JP 1006629A JP 662989 A JP662989 A JP 662989A JP H02186834 A JPH02186834 A JP H02186834A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
write
generation circuit
memory cell
cell array
Prior art date
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Pending
Application number
JP1006629A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuaki Suga
須賀 伸晃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP1006629A priority Critical patent/JPH02186834A/en
Publication of JPH02186834A publication Critical patent/JPH02186834A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To enable write to be started from an arbitrary address by setting a start address on a write address generation circuit from the outside by a start address setting means. CONSTITUTION:The initial values A1-Am (m is positive integer) of write addresses are supplied from the outside to the write address generation circuit 3 consisting of a counter to which the initial value can be inputted, and also, the initial values A1-Am are inputted by supplying a load signal, the inverse of LD, and are set on the counter. Also, a write address generated at the write address generation circuit 3 is returned to '0' when an address progresses to the final address of a memory cell array 1, and hereafter, it is incremented again. Thus, since the start address can be set on the write address generation circuit 3 from the outside by the start address setting means, the write can be started from the arbitrary address.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、例えば有料放送において映像信号をスクラ
ンブルするのに使用して好適なラインメモリに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a line memory suitable for use in scrambling video signals in pay broadcasting, for example.

[従来の技vFI] 近年、ディジタル信号処理技術の発展により、画像処理
用のデュアルポートメモ1ハ フレーl、メモリ等、用
途別のメモリが種々開発されている。
[Conventional Technique vFI] In recent years, with the development of digital signal processing technology, various types of memories have been developed for different purposes, such as dual-port memory cards and memory for image processing.

ラインメモリもそのひとつであり、このラインメモリは
映像信号の1水平走査問間分のデータを記憶するための
メモリである。
Line memory is one such memory, and this line memory is a memory for storing data for one horizontal scanning period of a video signal.

第3図は、Iだ来のラインメモリの構成を示すものであ
る。同図において、1は映像信号のl水甲走査問間分の
データを記憶できるメモリセルアレイ、2はメモリ七ル
アレイl(こ丁]ヒ・ソ1−(nは正の整数)のデータ
Dil−D目1を書き込むための人カハッファ、3はカ
ウンタて構成され書き込みアドレスを発生させるための
書き込みアドレス発生回路、4はメモリセルアレイ】か
ら11ヒツトのデータDol〜Donを読み出すための
出力ハッフ7.5はカウンタで構成され読み出しアドレ
スを発生させるための読み出しアドレス発生回路である
FIG. 3 shows the configuration of the original line memory. In the figure, 1 is a memory cell array that can store data for one scanning interval of a video signal, and 2 is a memory cell array that can store data for one scanning interval of a video signal, and 2 is a memory cell array that stores data Dil- (n is a positive integer) in a memory array. 3 is a write address generation circuit configured as a counter and generates a write address; 4 is an output huffer for reading 11 pieces of data Dol to Don from the memory cell array; 7.5 is a read address generation circuit composed of a counter and for generating a read address.

以上の構成において、メモリセルアレイ!への得き込み
は、以下のようにして行なわれろ。
In the above configuration, the memory cell array! To obtain it, proceed as follows.

すなわち、書き込みアドレス発生回路3に愕き込みリセ
ット信号n(第4図Bに図示)が供給されてその内のカ
ウンタがrQJにリセットされると共に、書き込みアド
レス発生回路3に書き込みクロックWCK (第4図A
に図示)が供給されて書き込みアドレスが順次インクリ
メントされる(第4図Cに図示)。
That is, the start-up reset signal n (shown in FIG. 4B) is supplied to the write address generation circuit 3, the counter therein is reset to rQJ, and the write clock WCK (fourth Diagram A
(shown in FIG. 4C) is supplied, and the write address is sequentially incremented (shown in FIG. 4C).

また、大力バッファ2には、書き込みイネーブル信号T
1が供給されると共に、書き込みクロ・ンクWCKが供
給され、nビットのデータDil〜D「1は人力バッフ
ァ2を介してメモリセルアレイ1に順次供給される。
In addition, the write enable signal T
1 is supplied, a write clock WCK is also supplied, and n-bit data Dil to D'1 are sequentially supplied to the memory cell array 1 via the manual buffer 2.

これにより、メモリセルアレイlにはアドレス「0」よ
りnヒツトのデータDil〜Dinが順次書き込まれる
As a result, n pieces of data Dil-Din are sequentially written into the memory cell array l starting from address "0".

一方、メモリセルアレイlからの読み出しは、以下のよ
うにして行なわれる。
On the other hand, reading from the memory cell array l is performed as follows.

すなわち、読み出しアドレス発生回路5に読み出しリセ
ット信号r丁T下(第5図Bに図示)が供給されてその
内のカウンタが「0」にリセットされると共に、この読
み出しアドレス発生回路5に読み出しクロックRCK 
(第51Aに図示)が供給されて読み出しアドレスが順
次インクリメントされる(第5図Cに図示)。
That is, the read reset signal R (shown in FIG. 5B) is supplied to the read address generation circuit 5, the counter therein is reset to "0", and the read address generation circuit 5 is supplied with the read clock. R.C.K.
(shown in FIG. 51A) is supplied, and the read address is sequentially incremented (shown in FIG. 5C).

また、出力バッフ74には、読み出しイネーブル信号■
1が供給されると共に、読み出しりaツクRCKが供給
され、メモリセルアレイ1からのnビットのデータDo
l〜Donは出力バッファ4を介して順次出力される。
The output buffer 74 also has a read enable signal ■
1 is supplied, read a clock RCK is supplied, and n-bit data Do from memory cell array 1 is supplied.
1 to Don are sequentially outputted via the output buffer 4.

これにより、メモリセルアレイ1からはアドレスr O
Jより11ヒツトのデータDol〜Donが順次読み出
される。
As a result, from the memory cell array 1, the address r O
Eleven pieces of data Dol to Don are sequentially read from J.

なお、書き込みおよび読み出しは非同關で行なわれる。Note that writing and reading are performed non-synchronously.

このようなラインメモリは、例えばテレビジョン受像機
、ビデオテープレコーダのシステムんおけるライン遅延
、時間軸変換用メモ1ハ あるいは多入力信号の同期合
わせ用メモリとして使用されている。
Such a line memory is used, for example, as a memory for line delay, time axis conversion, or synchronization of multiple input signals in television receivers and video tape recorder systems.

[発明が解決しようとする課題] ところで、第3図例のラインメモリでは、メモリの途中
のアドレスから書き込みを始めることができないため、
映I!!信号の1水平走査問間分のデータを仕口の部分
で切って左右を入れ換えるということがてきながった◇ そこで、この発明では、任章のアドレスから書き込みを
始めることができるう、インメモリを提供することを目
的とするものである。
[Problems to be Solved by the Invention] By the way, in the line memory shown in the example in FIG. 3, writing cannot be started from an address in the middle of the memory, so
Movie I! ! It has become common practice to cut the data for one horizontal scanning interval of a signal at the junction and swap the left and right sides. Therefore, in this invention, writing can be started from the address of the designated person, and the input Its purpose is to provide memory.

[課題を解決するための手段] この発明は、書き込みアドレス発生回路と、読み出しア
ドレス発生回路と、映像信号の1水平走査問間分のデー
タを記憶できるメモリセルアレイとを有してなるライン
メモリであって、書き込みアドレス発生回路に、外部よ
り開始アドレスを設定てきる開始アドレス設定手段が設
けられるものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a line memory comprising a write address generation circuit, a read address generation circuit, and a memory cell array capable of storing data for one horizontal scanning period of a video signal. The write address generation circuit is provided with a start address setting means for externally setting a start address.

[作 用] 上述構成においては、書き込みアドレス発生回路3に、
開始アドレス設定手段によって外部より開始アドレスを
設定できるので、任意のアドレスから書き込みを始める
ことができるようになる。
[Function] In the above configuration, the write address generation circuit 3
Since the start address can be set externally by the start address setting means, writing can be started from any address.

[実 施 例] 以下、第1図を参照しながら、この発明の一実施例につ
いて説明する。この第1図において、第3図と対応する
部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. In FIG. 1, parts corresponding to those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.

本例においては、書き込みアドレス発生回路3は期間1
直を人力することができるカウンタをもって構成される
。この書き込みアドレス発生回路3には書き込みアドレ
スの初期値AI −Am  (mは正の整数)が外部よ
り供給されると共に、この初期値Al xAmはロード
信号「下が供給されろことによって人力されてカウンタ
にセットされる。
In this example, the write address generation circuit 3
It consists of a counter that can be manually operated. This write address generation circuit 3 is supplied with the initial value AI - Am (m is a positive integer) of the write address from the outside, and this initial value Al set on the counter.

また、この書き込みアドレス発生回路3で発生される書
き込みアドレスは、メモリセルアレイ1の最終アドレス
まで進むと「0」に戻り、それ以降は再びインクリメン
トされるように構成される。
The write address generated by the write address generation circuit 3 returns to "0" when it reaches the final address of the memory cell array 1, and is incremented again thereafter.

その他は第3図例と同様に構成される。The rest of the structure is the same as the example shown in FIG.

以上の構成において、メモリセルアレイ1への書き込み
は、以下のようにして行なわれる。
In the above configuration, writing to the memory cell array 1 is performed as follows.

すなわち、書き込みアドレス発生回路3にロート信号r
T(第2図Bに図示)が供給されることにより、期間値
At−Am(第2図Cに図示)が人力されてカウンタに
セットされる。これにより、書き込み開始アドレスは初
pjl値Al−Amで指定されるrx」 (0≦X≦2
−1)となる。そして、書き込みアドレス発生回路3に
書き込みクロックW CK (第2図Aに図示)が供給
されて書き込みアドレスが1111次インクリメントさ
れる〈第2図りに図示)。この書き込みアドレスはメモ
リセルアしイ1の最終アドレス21−1となると「0」
に戻り、再びインクリメントされていく。
That is, the write address generation circuit 3 receives the rotat signal r.
By supplying T (shown in FIG. 2B), a period value At-Am (shown in FIG. 2C) is manually set in the counter. As a result, the write start address is specified by the initial pjl value Al-Am (0≦X≦2
-1). Then, the write clock W CK (shown in FIG. 2A) is supplied to the write address generation circuit 3, and the write address is incremented by 1111th (shown in the second diagram). This write address is "0" when it becomes the final address 21-1 of memory cell A1.
and is incremented again.

また、人力バッフ72には、書き込みイネーブル信号V
下が供給されると共に、書き込みクロック\VC+(が
供給され、nビットのデータD11〜Dnは大力バッフ
72を介してメモリセルアレイlに順次供給される。
In addition, the human buffer 72 receives a write enable signal V.
At the same time, a write clock \VC+ (is supplied), and n-bit data D11 to Dn are sequentially supplied to the memory cell array l via a large-power buffer 72.

これにより、メモリセルアレイlにはアドレスrXJよ
りnビットのデータDil〜Dinが順次書き込まれる
As a result, n-bit data Dil to Din are sequentially written into the memory cell array l from the address rXJ.

一方、メモリセルアレイ1からの読み出しは、第3図例
と同様に以下のようにして行なわれる。
On the other hand, reading from the memory cell array 1 is performed as follows, similar to the example in FIG.

すなわち、読み出しアトシス発生回路5に読み出しリセ
ット信号WミTi(第511Bに図示)が供給されてそ
の内のカウンタがrQ」にリセットされると共に、この
読み出しアトシス発生回路5に読み出しクロックRCK
 (、第5図Aに図示)が供給されて読み出しアドレス
が順次インクリメントされろく第5図Cに図示)。
That is, the read reset signal WmiTi (shown at No. 511B) is supplied to the read atosis generation circuit 5, and the counter therein is reset to "rQ", and the read atsis generation circuit 5 is supplied with the read clock RCK.
(, shown in FIG. 5A) is supplied, and the read address is sequentially incremented (shown in FIG. 5C).

また、出力バッフ74には、読み出しイネーブル信号R
Eが供給されると共に、読み出しクロックP CI(が
供給され、メモリセル7レイ1からのnヒツトのデータ
Doi〜Donは出カバソファ4を介して111α次出
力されろ。
The output buffer 74 also has a read enable signal R.
At the same time as E is supplied, a read clock PCI (is supplied), and n pieces of data Doi to Don from the memory cell 7 ray 1 are output 111α times via the output sofa 4.

これにより、メモリセルアレイ1からはアj・レス「0
」よりnピットノデータDo1〜Donが順次読み出さ
れろ。
As a result, from memory cell array 1, address “0” is sent from memory cell array 1.
”, the n pit data Do1 to Don are sequentially read out.

このように本例によれば、メモリセルアレイ1にはアド
レス「x」よりf1ビットのデータDil〜Dinが順
次書き込まれろと共に、このメモリセルアレイ1か番ら
はアトしスrQJよりデータ[)ol〜Donが順次読
み出されるので、アドレス「xJを指定する期間値A1
〜Amを変更することにより、映(ヤ(3号の1水平走
査期間分のデータを汗Iの部分て切って左右を入れ換え
たデータを得ることができる。
As described above, according to this example, data Dil to Din of f1 bits are sequentially written from address "x" to memory cell array 1, and data [)ol to Since Don is read out sequentially, the period value A1 that specifies the address "xJ" is read out sequentially.
By changing ˜Am, it is possible to obtain data in which the left and right sides are swapped by cutting off the data for one horizontal scanning period of image (No. 3) by the portion of sweat I.

な、ぢ、x=Oに設定すれば、第3図例と同様の動作を
することは明らかである。
It is clear that if x=O is set, the same operation as in the example in FIG. 3 will occur.

[発明の効宋] Lノ上説明し・たように、この発明;こよれば1Mき込
みアドレス発生回路に、開始アドレス設定手段によって
外部より開始アドレスを設定てきろので、汗念のアドレ
スから書き込みを始めることができる。したがって、開
始アドレスを変更することにより映像信号の1水平走査
問間分のデータを任意の部分て切って左官を入れ換えた
データを得ることができ1例えば有料放送において映像
信号をスクランブルするのに使用して好適なものとなる
[Effects of the Invention] As explained above, this invention allows the start address to be externally set in the 1M write address generation circuit by the start address setting means, so it is possible to set the start address from the outside using the start address setting means. You can start writing. Therefore, by changing the start address, data for one horizontal scanning interval of the video signal can be arbitrarily cut off to obtain data with the plastering replaced.1 For example, it can be used to scramble the video signal in pay broadcasting. This makes it suitable.

成図、第4図および第5図はその説明のための図である
The drawings, FIGS. 4 and 5 are diagrams for explaining the same.

参メモリセルフしイ 9人カバソファ ・青き込みアトシス発生回路 骨出力バッフ7 ◆読み出しアドレス発生回路Reference memory selfie 9 person hippo sofa ・Blue color atsis generation circuit Bone output buff 7 ◆Read address generation circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)書き込みアドレス発生回路と、読み出しアドレス
発生回路と、映像信号の1水平走査期間分のデータを記
憶できるメモリセルアレイとを有してなるラインメモリ
において、 上記書き込みアドレス発生回路に、外部より開始アドレ
スを設定できる開始アドレス設定手段が設けられること
を特徴とするラインメモリ。
(1) In a line memory comprising a write address generation circuit, a read address generation circuit, and a memory cell array capable of storing data for one horizontal scanning period of a video signal, an external signal is input to the write address generation circuit. A line memory characterized in that a start address setting means for setting an address is provided.
JP1006629A 1989-01-13 1989-01-13 Line memory Pending JPH02186834A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1006629A JPH02186834A (en) 1989-01-13 1989-01-13 Line memory

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JP1006629A JPH02186834A (en) 1989-01-13 1989-01-13 Line memory

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JPH02186834A true JPH02186834A (en) 1990-07-23

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ID=11643652

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JP1006629A Pending JPH02186834A (en) 1989-01-13 1989-01-13 Line memory

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JP (1) JPH02186834A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04143992A (en) * 1990-10-04 1992-05-18 Nec Corp Address generation circuit for image memory

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