JPH02185036A - 電気的接続接点 - Google Patents
電気的接続接点Info
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- JPH02185036A JPH02185036A JP1005237A JP523789A JPH02185036A JP H02185036 A JPH02185036 A JP H02185036A JP 1005237 A JP1005237 A JP 1005237A JP 523789 A JP523789 A JP 523789A JP H02185036 A JPH02185036 A JP H02185036A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＩＣチップに代表される電気マイクロ回路素子
を基板上の端子電極群と接続するために用いる電気的接
続接点に関するものである。
を基板上の端子電極群と接続するために用いる電気的接
続接点に関するものである。
従来の技術
従来、電気マイクロ回路の接点領域と回路基板上の導体
端子部との接続には、半田付けがよく利用されていた。
端子部との接続には、半田付けがよく利用されていた。
最近では電卓、電子時計あるいは液晶デイスプレィ等に
あっては裸のＩＣチップをガラス基板上の電極に直付け
して接続端子の増加に対応し、実装面積の効率的使用を
図ろうとする動きがある。
あっては裸のＩＣチップをガラス基板上の電極に直付け
して接続端子の増加に対応し、実装面積の効率的使用を
図ろうとする動きがある。
裸の半導体チップを半田付けに代わり有効かつ微細な電
気的接続を得る手段として、たとえば半導体チップの入
出力電極パット上に公知のメツキ技術により電気的接続
接点を構成したり、特願昭６１−１２８６５３号に示さ
れているように、金属ワイヤを用い前記の入出力電極上
に平坦な電気的接続接点を構成し電気的接続接点と回路
基板上の導体端子部との間に導電性接着剤を設けて、接
合することにより電気的接続を得ようとする方法が提案
されている。
気的接続を得る手段として、たとえば半導体チップの入
出力電極パット上に公知のメツキ技術により電気的接続
接点を構成したり、特願昭６１−１２８６５３号に示さ
れているように、金属ワイヤを用い前記の入出力電極上
に平坦な電気的接続接点を構成し電気的接続接点と回路
基板上の導体端子部との間に導電性接着剤を設けて、接
合することにより電気的接続を得ようとする方法が提案
されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では半導体チップの入出
力電極パット上に形成された電気的接続接点と回路基板
上の導体端子部との電気的接続は、この間に形成した導
電性接着剤による固着により得ようとするもので接着面
積が小さいことから個個の接着力が弱く熱応力などが生
じた場合に応力歪を吸収できず接続抵抗値がばらついた
り信転性評価上での変動が大きいことなどの構造的な問
題を有していた。
力電極パット上に形成された電気的接続接点と回路基板
上の導体端子部との電気的接続は、この間に形成した導
電性接着剤による固着により得ようとするもので接着面
積が小さいことから個個の接着力が弱く熱応力などが生
じた場合に応力歪を吸収できず接続抵抗値がばらついた
り信転性評価上での変動が大きいことなどの構造的な問
題を有していた。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とする所は、微細かつ密に形成されている電気マ
イクロ回路上の入出力電極パットと回路基板上の導体端
子部を固着によらず圧接により信幀性よく接続しようと
するものである。
の目的とする所は、微細かつ密に形成されている電気マ
イクロ回路上の入出力電極パットと回路基板上の導体端
子部を固着によらず圧接により信幀性よく接続しようと
するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明の電気的接続接点は、
半導体チップの電極パット上に構成した突起状ｔｔｉの
接点頂部が接点底部から見て突出した弾力性性質を持つ
導電性樹脂からなる二層の接点構造を備えていることを
特徴とするものである。
半導体チップの電極パット上に構成した突起状ｔｔｉの
接点頂部が接点底部から見て突出した弾力性性質を持つ
導電性樹脂からなる二層の接点構造を備えていることを
特徴とするものである。
作用
しかして本発明の上記した接点構造によれば、先端部に
弾力性性質の導電性樹脂で構成した接点領域を備えてい
るので接続接点に設けた接点頂部と導体端子部とが当接
し、接点頂部の弾力・反発力により常時、圧接状態で電
気的接続を得ることができ熱応力などの応力歪を受けて
も電極間の接続を信顛性よく形成することができる。
弾力性性質の導電性樹脂で構成した接点領域を備えてい
るので接続接点に設けた接点頂部と導体端子部とが当接
し、接点頂部の弾力・反発力により常時、圧接状態で電
気的接続を得ることができ熱応力などの応力歪を受けて
も電極間の接続を信顛性よく形成することができる。
実施例
以下本発明の一実施例の電気的接続接点について図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例による電気的接続接点の構成
を示す断面図、第２図は電気的接続接点を回路基板上の
導体端子部に接合したときの構成を示す断面図である。
を示す断面図、第２図は電気的接続接点を回路基板上の
導体端子部に接合したときの構成を示す断面図である。
第１図及び第２図において、１は半導体チップ、２は半
導体チップの能動領域、３は入出力電極パット、４は電
気的接続接点、４ａは接点底部。
導体チップの能動領域、３は入出力電極パット、４は電
気的接続接点、４ａは接点底部。
４ｂは接点頂部、５は回路基板、６は導体端子部、７は
絶縁性接着樹脂である。
絶縁性接着樹脂である。
以上のように構成された電気的接続接点について以下第
１図及び第２図を用いて詳細に説明する。
１図及び第２図を用いて詳細に説明する。
本発明の実施例では、半導体チップｌ上の入出力電極パ
ット３に、入出力電極パット３に相当する接点底部４ａ
、及び接点頂部４ｂの上下二層構造からなる電気的接続
接点４を構成する。
ット３に、入出力電極パット３に相当する接点底部４ａ
、及び接点頂部４ｂの上下二層構造からなる電気的接続
接点４を構成する。
この前記接点底部４ａは、公知のホトエツチング法やメ
ツキ技術を用いて材質を金で構成し、その接点底部４ａ
の高さは１０〜７０ミクロンである。そして前記接点頂
部４ｂは前記接点底部４ａの突出部上に導電性フィラー
として銀粉を混入したシリコーン系導電性接着樹脂をス
タンピング等の方法により転写し加熱やＵＶ照射するこ
とにより固化反応させて構成し、その接点頂部４ｂの高
さは数１０ミクロンに構成しである。
ツキ技術を用いて材質を金で構成し、その接点底部４ａ
の高さは１０〜７０ミクロンである。そして前記接点頂
部４ｂは前記接点底部４ａの突出部上に導電性フィラー
として銀粉を混入したシリコーン系導電性接着樹脂をス
タンピング等の方法により転写し加熱やＵＶ照射するこ
とにより固化反応させて構成し、その接点頂部４ｂの高
さは数１０ミクロンに構成しである。
なお前記接点頂部４ｂの高さについては、１０ミクロン
以上で導電性樹脂の弾力性性質を有することができれば
、その高さは特に制限を加えるものではなく、さらに前
記電気的接続接点４の外径形状としては、円、角状など
任意の形状による構成が可能である。
以上で導電性樹脂の弾力性性質を有することができれば
、その高さは特に制限を加えるものではなく、さらに前
記電気的接続接点４の外径形状としては、円、角状など
任意の形状による構成が可能である。
上記のように構成された電気的接続接点４は第２図に示
すように絶縁性接着樹脂７に内在する収縮応力を利用し
て回路基板５上の導体端子部６と押圧により強く接触し
電気的に接続をする。
すように絶縁性接着樹脂７に内在する収縮応力を利用し
て回路基板５上の導体端子部６と押圧により強く接触し
電気的に接続をする。
次に前記接続を構成する方法としては、絶縁性接着樹脂
７を前記半導体チップｌの能動領域２と対向する回路基
板５上にデイスペンサー等により点付けして次いで前記
電気的接続接点４と前記回路基板５上の導体端子部６と
をフリップチップボンダ等を用いて対向して位置合わせ
した後、押圧して前記絶縁性接着樹脂７により接着する
。この時前記絶縁性接着樹脂７の固化はホットプレート
やオーブンにより加熱して実施する。
７を前記半導体チップｌの能動領域２と対向する回路基
板５上にデイスペンサー等により点付けして次いで前記
電気的接続接点４と前記回路基板５上の導体端子部６と
をフリップチップボンダ等を用いて対向して位置合わせ
した後、押圧して前記絶縁性接着樹脂７により接着する
。この時前記絶縁性接着樹脂７の固化はホットプレート
やオーブンにより加熱して実施する。
以上のようにして入出力電極パット３に電気的接続接点
４を構成した半導体チップ１と回路基板５上の導体端子
部６とを電気的に接続できる。
４を構成した半導体チップ１と回路基板５上の導体端子
部６とを電気的に接続できる。
なお、実施例では、電気的接続接点４の接点底部４ａの
材質を金としたが、その材質は金に限定されるものでは
なくニッケル、銅、半田を使用しても差し支えない、又
接続接点頂部４ｂの材質として導電性フィラーを銀粉と
したが導電性が得られるものであれば特に限定せず、前
記導電性フィラーを混入するベース樹脂としてもシリコ
ーン系のものの他に前記接点底部４ａの材質との間に接
着性があり、合わせて固化後に弾力性を有するものであ
れば使用することが可能である。
材質を金としたが、その材質は金に限定されるものでは
なくニッケル、銅、半田を使用しても差し支えない、又
接続接点頂部４ｂの材質として導電性フィラーを銀粉と
したが導電性が得られるものであれば特に限定せず、前
記導電性フィラーを混入するベース樹脂としてもシリコ
ーン系のものの他に前記接点底部４ａの材質との間に接
着性があり、合わせて固化後に弾力性を有するものであ
れば使用することが可能である。
発明の詳細
な説明したように本発明の電気的接続接点の構成によれ
ば半導体チップの電極パット上に弾力性のある導電性樹
脂により構成された突起状接点頂部をもつ二層構造の接
点領域を備えているので回路基板との接続に際して接点
頂部の弾力性・反発力を内在した圧接接合が実装時及び
実装後の熱的、Ｉｌ械的な応力の発生に対して安定な構
成を実現することが可能となり実用上極めて価値が高い
。
ば半導体チップの電極パット上に弾力性のある導電性樹
脂により構成された突起状接点頂部をもつ二層構造の接
点領域を備えているので回路基板との接続に際して接点
頂部の弾力性・反発力を内在した圧接接合が実装時及び
実装後の熱的、Ｉｌ械的な応力の発生に対して安定な構
成を実現することが可能となり実用上極めて価値が高い
。
第１図は本発明の一実施例における電気的接続接点の構
成を示す断面図、第２図は第１図の電気的接続接点を構
成した半導体チップを回路基板上の導体端子部に構成し
たときの断面図である。 ｌ・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・半導体チ
ップの能動領域、３・・・・・・入出力電極パット、４
・・・・・・電気的接続接点、４ａ・・・・・・接点底
部、４ｂ・・・・・・接点頂部、５・・・・・・回路基
板、６・・・・・・導体端子部、７・・・・・・絶縁性
接着樹脂。
成を示す断面図、第２図は第１図の電気的接続接点を構
成した半導体チップを回路基板上の導体端子部に構成し
たときの断面図である。 ｌ・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・半導体チ
ップの能動領域、３・・・・・・入出力電極パット、４
・・・・・・電気的接続接点、４ａ・・・・・・接点底
部、４ｂ・・・・・・接点頂部、５・・・・・・回路基
板、６・・・・・・導体端子部、７・・・・・・絶縁性
接着樹脂。
Claims (3)
- （１）半導体チップの電極パット上に構成される突起状
電極が金属からなる底部と、導電性樹脂からなる頂部の
二層で突起する構造であることを特徴とする電気的接続
接点。 - （２）突起状電極底部が金、ニッケル、銅、半田で構成
されていることを特徴とする請求項（１）記載の電気的
接続接点。 - （３）突起状電極頂部が弾力性性質を持つゴム状導電性
樹脂で構成されていることを特徴とする請求項（１）記
載の電気的接続接点。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005237A JPH02185036A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 電気的接続接点 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005237A JPH02185036A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 電気的接続接点 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02185036A true JPH02185036A (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=11605590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1005237A Pending JPH02185036A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 電気的接続接点 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02185036A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5846853A (en) * | 1991-12-11 | 1998-12-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for bonding circuit substrates using conductive particles and back side exposure |
| DE19743767B4 (de) * | 1996-12-27 | 2009-06-18 | LG Semicon Co., Ltd., Cheongju | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchip-Gehäuses mit einem Halbleiterchip für Oberflächenmontage sowie ein daraus hergestelltes Halbleiterchip-Gehäuse mit Halbleiterchip |
-
1989
- 1989-01-12 JP JP1005237A patent/JPH02185036A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5846853A (en) * | 1991-12-11 | 1998-12-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for bonding circuit substrates using conductive particles and back side exposure |
| DE19743767B4 (de) * | 1996-12-27 | 2009-06-18 | LG Semicon Co., Ltd., Cheongju | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchip-Gehäuses mit einem Halbleiterchip für Oberflächenmontage sowie ein daraus hergestelltes Halbleiterchip-Gehäuse mit Halbleiterchip |
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