JPH02178930A - 配線の形成方法 - Google Patents
配線の形成方法Info
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- JPH02178930A JPH02178930A JP33323388A JP33323388A JPH02178930A JP H02178930 A JPH02178930 A JP H02178930A JP 33323388 A JP33323388 A JP 33323388A JP 33323388 A JP33323388 A JP 33323388A JP H02178930 A JPH02178930 A JP H02178930A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 241000270281 Coluber constrictor Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N flurochloridone Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(N2C(C(Cl)C(CCl)C2)=O)=C1 OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は超LSI等における金属配線パターンの形成方
法に関するものである。
法に関するものである。
従来の技術
LSIの高集積化に伴ない配線の線幅は年々減少し、現
在サブミクロン(1μm以下)領域に突入している。こ
れに伴なって、現在配線材料として広く使われているア
ルミニウム配線に大きな信頼性上の問題が生じてきた。
在サブミクロン(1μm以下)領域に突入している。こ
れに伴なって、現在配線材料として広く使われているア
ルミニウム配線に大きな信頼性上の問題が生じてきた。
すなわち、ストレスマイグレーションとエレクトロマイ
グレーションによる配線のオープン、ショート不良であ
る。前者はアルミニウム配線」二に保護膜を形成し熱を
加えたときに、保護膜の圧縮または引っ張り応力により
アルミニウム配線に応力歪みが生じ、配線中に応力歪み
の匂配がかかる。この応力匂配により配線中の空孔が結
晶粒界に集まり、ボイドが形成され、やがて配線が断線
する。一方接者では、配線幅の減少に伴なう電流密度の
増加により、電子の流れる方向に沿ってアルミニウム原
子か移動する現象による不良で、アルミニウム原子が移
動すると、あとには空孔が残こる。この空孔は集まって
ボイドを形成し、やがてボイドの成長により配線はオー
プンする。また移動したアルミニウム原子は粒界に留ま
りヒロックやウィスカーが生じ隣接する配線と接触しシ
ョート不良が生じる。
グレーションによる配線のオープン、ショート不良であ
る。前者はアルミニウム配線」二に保護膜を形成し熱を
加えたときに、保護膜の圧縮または引っ張り応力により
アルミニウム配線に応力歪みが生じ、配線中に応力歪み
の匂配がかかる。この応力匂配により配線中の空孔が結
晶粒界に集まり、ボイドが形成され、やがて配線が断線
する。一方接者では、配線幅の減少に伴なう電流密度の
増加により、電子の流れる方向に沿ってアルミニウム原
子か移動する現象による不良で、アルミニウム原子が移
動すると、あとには空孔が残こる。この空孔は集まって
ボイドを形成し、やがてボイドの成長により配線はオー
プンする。また移動したアルミニウム原子は粒界に留ま
りヒロックやウィスカーが生じ隣接する配線と接触しシ
ョート不良が生じる。
最近、上記アルミニウム配線の大きな問題点を解決する
ために高融点金属との複合化か行なわれ始めている。第
3図にその例を示す。図中I+−18は各々、シリコン
基板11、シリコン酸化膜12、高融点金属またはその
窒化物、シリサイド13、シリコン含有アルミニウム1
4、シリコン基板I5、シリコン酸化膜用 シリコン含
有アルミニウム配線I7、高融点金属18を示す。第3
図(a)はアルミニウム配線と下地との間にストレスマ
イグレーンヨン(以下SMと略す)及びエレクトロマイ
グレーション(以下EMと略す)耐性の強い高融点金属
またはその化合物をひくことにより上記アルミニウム配
線の信頼性の問題を改善をはかっている。同様に第3図
(b)においても、高融点金属をアルミニウム配線に被
覆することにより、耐SM、 Elll性の強化を考
えている。
ために高融点金属との複合化か行なわれ始めている。第
3図にその例を示す。図中I+−18は各々、シリコン
基板11、シリコン酸化膜12、高融点金属またはその
窒化物、シリサイド13、シリコン含有アルミニウム1
4、シリコン基板I5、シリコン酸化膜用 シリコン含
有アルミニウム配線I7、高融点金属18を示す。第3
図(a)はアルミニウム配線と下地との間にストレスマ
イグレーンヨン(以下SMと略す)及びエレクトロマイ
グレーション(以下EMと略す)耐性の強い高融点金属
またはその化合物をひくことにより上記アルミニウム配
線の信頼性の問題を改善をはかっている。同様に第3図
(b)においても、高融点金属をアルミニウム配線に被
覆することにより、耐SM、 Elll性の強化を考
えている。
発明が解決しようとする課題
第3図に示す2つの方法にも最近、問題があることが明
らかになってきた。まず、第3図(a)では、EMによ
るヒロックやウィスカーが生じ線間ショート不良が起こ
ることや抵抗の振動現象がある。
らかになってきた。まず、第3図(a)では、EMによ
るヒロックやウィスカーが生じ線間ショート不良が起こ
ることや抵抗の振動現象がある。
方策3図(b)でも、EMによるアルミニウムのタング
ステン被覆膜の突き抜けや、多層配線では、層間でのシ
ョート不良モードか生しることが明らかになってきた。
ステン被覆膜の突き抜けや、多層配線では、層間でのシ
ョート不良モードか生しることが明らかになってきた。
また、[i4MDRAMでは配線幅はさらに減少し0.
5μmになる。アルミニウム配線の限界は0.5μmと
も言われ、この領域ではもはやアルミニウム配線を使っ
たハイブリッド化も困難と考えてよく、高融点金属の配
線を採用する方法が必要となってくる。
5μmになる。アルミニウム配線の限界は0.5μmと
も言われ、この領域ではもはやアルミニウム配線を使っ
たハイブリッド化も困難と考えてよく、高融点金属の配
線を採用する方法が必要となってくる。
高融点金属の配線を形成することは今までにも試みられ
ているが、光露光した後の高融点金属のエツチングが難
しく、所望するパターンに配線を形成することができな
い。
ているが、光露光した後の高融点金属のエツチングが難
しく、所望するパターンに配線を形成することができな
い。
本発明は、かかる点に鑑み、0.5μm以下の配線幅の
高融点金属の配線をマスクなして選択的に絶縁膜」−に
所望するパターンに形成することを目的とした配線の形
成方法である。
高融点金属の配線をマスクなして選択的に絶縁膜」−に
所望するパターンに形成することを目的とした配線の形
成方法である。
課題を解決するための手段
上記課題の解決のために、減圧化学的気相成長法(以下
、減圧CVD法と略す)によるタングステンは同じシリ
コン酸化膜でも表面形状の粗な部分には堆積するが、表
面形状の滑らかな部分には堆積しないことを利用し、集
束イオンビームまたはレーザー光によりシリコン酸化膜
表面を照射し、その表面形状を変化させることにより所
望するパターンにタングステン配線の形成を行なうもの
である。
、減圧CVD法と略す)によるタングステンは同じシリ
コン酸化膜でも表面形状の粗な部分には堆積するが、表
面形状の滑らかな部分には堆積しないことを利用し、集
束イオンビームまたはレーザー光によりシリコン酸化膜
表面を照射し、その表面形状を変化させることにより所
望するパターンにタングステン配線の形成を行なうもの
である。
作用
上記集束ビームによる表面の改質を行なうことにより0
.5μm以下の配線材料として期待される高融点金属を
マスクなしで所望するパターンに配線を形成することが
可能である。
.5μm以下の配線材料として期待される高融点金属を
マスクなしで所望するパターンに配線を形成することが
可能である。
実施例
以下実施例について詳細に説明する。第1図、第2図は
各々、本発明で実施したプロセスフローを示す。
各々、本発明で実施したプロセスフローを示す。
はじめに第1図に示す実施例について詳細に説明する。
同図21〜26は各々、シリコン基板211 熱CV
D法により形成した表面形状の滑らかなシリコン酸化膜
22、集束したイオンビームまたはレーザー光23、六
フッ化タングステン(以下WFaと記す)とシラン(以
下5t)I、と記す)の混合ガス24、上記集束ビーム
により物理的にスパッターされて表面形状が粗になった
凹凸部分25、減圧CVD法により堆積させたタングス
テン26、を示す。以下実施したプロセスフローについ
て簡単に説明する。まず初めに同図(a)において、熱
CVD法により基板2I上に表面形状が滑らかなシリコ
ン酸化膜22を堆積させる。上記シリコン酸化膜22表
面に集束イオンビームまたはレーザー光23を同図(b
)に示すように所望するパターンに表面を照射すること
により表面原子を物理的にスパッタリングする。
D法により形成した表面形状の滑らかなシリコン酸化膜
22、集束したイオンビームまたはレーザー光23、六
フッ化タングステン(以下WFaと記す)とシラン(以
下5t)I、と記す)の混合ガス24、上記集束ビーム
により物理的にスパッターされて表面形状が粗になった
凹凸部分25、減圧CVD法により堆積させたタングス
テン26、を示す。以下実施したプロセスフローについ
て簡単に説明する。まず初めに同図(a)において、熱
CVD法により基板2I上に表面形状が滑らかなシリコ
ン酸化膜22を堆積させる。上記シリコン酸化膜22表
面に集束イオンビームまたはレーザー光23を同図(b
)に示すように所望するパターンに表面を照射すること
により表面原子を物理的にスパッタリングする。
次に同図(c)に示すように減圧CV ])法によりW
F6と5IH4の混合ガス24から上記集束ビーム23
により表面形状が粗な部分25にのみ選択的タングステ
ン26を同図(d)に示すように所望するパターンに堆
積させる。以」二同図(a、)〜(d)のプロセスによ
り絶縁膜上に高融点金属をマスクなして所望するパター
ンに配線を選択的に形成することができる。
F6と5IH4の混合ガス24から上記集束ビーム23
により表面形状が粗な部分25にのみ選択的タングステ
ン26を同図(d)に示すように所望するパターンに堆
積させる。以」二同図(a、)〜(d)のプロセスによ
り絶縁膜上に高融点金属をマスクなして所望するパター
ンに配線を選択的に形成することができる。
更に、第2図に示した実施例のプロセスフローを詳細に
説明する。同図31〜36は各々、シリコン基板31、
シリコン酸化膜32、レーザー光33、WF6と5IH
zの混合ガス34、レーザーアニールにより表面形状が
滑らかになった平坦部分35、タングステン配線36、
を示す。以下プロセスフローの詳細を説明する。まず最
初に、シリコン基板31」二にスパッタ法により同図(
a)に示すように表面形状の和なシリコン酸化膜32を
堆積させる。次に、集束したレーサー光33を同図(b
)に示すように所望する表面に照射し、レーザーアニー
ルにより照射された表面および数層は再結晶化し同図(
C)で示すように表面形状の滑らかな部分35になる。
説明する。同図31〜36は各々、シリコン基板31、
シリコン酸化膜32、レーザー光33、WF6と5IH
zの混合ガス34、レーザーアニールにより表面形状が
滑らかになった平坦部分35、タングステン配線36、
を示す。以下プロセスフローの詳細を説明する。まず最
初に、シリコン基板31」二にスパッタ法により同図(
a)に示すように表面形状の和なシリコン酸化膜32を
堆積させる。次に、集束したレーサー光33を同図(b
)に示すように所望する表面に照射し、レーザーアニー
ルにより照射された表面および数層は再結晶化し同図(
C)で示すように表面形状の滑らかな部分35になる。
次に、同図(C)て示ずように反応ガスとしてWF6と
5iHAの混合ガス34を用いて減圧CVD法によりレ
ーザー光によりアニールされていない表面形状が杜な部
分のみに同図(d)に示すようにタングステン36が選
択的に堆積する。以上同図(a、)〜(d)のプロセス
により第2図で示す実施例同様、高融点金属を絶縁膜上
にマスクなしで所望するパターンに選択的に堆積させ配
線を形成することができる。
5iHAの混合ガス34を用いて減圧CVD法によりレ
ーザー光によりアニールされていない表面形状が杜な部
分のみに同図(d)に示すようにタングステン36が選
択的に堆積する。以上同図(a、)〜(d)のプロセス
により第2図で示す実施例同様、高融点金属を絶縁膜上
にマスクなしで所望するパターンに選択的に堆積させ配
線を形成することができる。
発明の効果
以」二説明してきたように、集束ビームを使って表面を
スパッタリングまたはアニーリングするこ七で表面政界
することにより絶縁膜上に高融点金属配線をマスクなし
て選択的に形成することができる。本発明は多層配線に
大きく貢献するものてあり、その実用的価値は高い。
スパッタリングまたはアニーリングするこ七で表面政界
することにより絶縁膜上に高融点金属配線をマスクなし
て選択的に形成することができる。本発明は多層配線に
大きく貢献するものてあり、その実用的価値は高い。
第1図は、本発明の配線形成方法の一実施例を示す工程
断面図、第2図は、本発明の他の実施例を示す工程断面
図、第3図は、従来の配線形成方法の部分工程断面図で
ある。 2I・・・・シリコン基板、22 ・・・シリコン酸化
膜、23・・・・レーザ光、24・・・・混合カス、2
5・・・・凹凸部、26・・・タングステン。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 ほか1名第1図 第 図 弓 図
断面図、第2図は、本発明の他の実施例を示す工程断面
図、第3図は、従来の配線形成方法の部分工程断面図で
ある。 2I・・・・シリコン基板、22 ・・・シリコン酸化
膜、23・・・・レーザ光、24・・・・混合カス、2
5・・・・凹凸部、26・・・タングステン。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 ほか1名第1図 第 図 弓 図
Claims (2)
- (1)基板上に熱による化学的気相成長法により絶縁膜
を形成する第1の工程と、上記絶縁膜に集束させたレー
ザビームもしくはイオンビームを照射し照射部分のみの
表面形状を変える第2の工程と、上記集束ビームにより
表面形状に凹凸をつけた上記照射部分に減圧化学的気相
成長法により選択的にタングステンを成長させ配線を形
成する第3の工程とからなる配線の形成方法。 - (2)基板上にスパッター法により絶縁膜を形成する第
1の工程と、上記絶縁膜に集束させたレーザー光により
所望するパターン表面以外に照射し再結晶化することに
より照射部分の表面形状を滑らかにする第2の工程と、
上記レーザ光の照射していない表面形状の粗な部分に減
圧化学的気相成長法により選択的にタングステンを堆積
させ、所望するパターンに配線を形成する第3の工程と
からなる配線の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33323388A JPH02178930A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33323388A JPH02178930A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 配線の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02178930A true JPH02178930A (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=18263811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33323388A Pending JPH02178930A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 配線の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02178930A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05243496A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR100253561B1 (ko) * | 1992-08-28 | 2000-05-01 | 김영환 | 접착층 없이 반도체 소자의 산화막 표면에 텅스텐을 증착시키는 방법 |
KR20030010495A (ko) * | 2001-07-24 | 2003-02-05 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 고융점 금속 배선층의 제조 방법, 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치 |
US6670717B2 (en) | 2001-10-15 | 2003-12-30 | International Business Machines Corporation | Structure and method for charge sensitive electrical devices |
-
1988
- 1988-12-29 JP JP33323388A patent/JPH02178930A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05243496A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR100253561B1 (ko) * | 1992-08-28 | 2000-05-01 | 김영환 | 접착층 없이 반도체 소자의 산화막 표면에 텅스텐을 증착시키는 방법 |
KR20030010495A (ko) * | 2001-07-24 | 2003-02-05 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 고융점 금속 배선층의 제조 방법, 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치 |
US6670717B2 (en) | 2001-10-15 | 2003-12-30 | International Business Machines Corporation | Structure and method for charge sensitive electrical devices |
US6858530B2 (en) | 2001-10-15 | 2005-02-22 | International Business Machines Corporation | Method for electrically characterizing charge sensitive semiconductor devices |
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