JPH02177081A - リフレッシュ制御装置 - Google Patents

リフレッシュ制御装置

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JPH02177081A
JPH02177081A JP63331712A JP33171288A JPH02177081A JP H02177081 A JPH02177081 A JP H02177081A JP 63331712 A JP63331712 A JP 63331712A JP 33171288 A JP33171288 A JP 33171288A JP H02177081 A JPH02177081 A JP H02177081A
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正志 坪田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明はダイナミック型メモリに関し、特に、そのリフ
レッシュ制御装置(こ関する。
[従来の技術] マイクロプロセッサ及び周辺装置とダイナミック・メモ
リ・ユニットをインターフェースする場合には、マイク
ロプロセッサ及び周辺装置より出力される信号からダイ
ナミック・メモリ・ユニットに適合する信号を作り出す
と共に、リフレッシュを定期的に行うための回路が必要
である。
第3図にマイクロプロセッサによるダイナミック・メモ
リに対するリフレッシュ制御装置の従来例を示す。アド
レス・デコーダ102は、ヌイクロプロセッサ101か
らのメモリ・アクセス要求信号128により必要なメモ
リ・デバイスを選択する。リフレッシュ・タイマ103
は、ダイナミツク・メモリを一定間閘でリフレッシュす
るためのリフレッシュ要求信号121を発生する。この
リフレッシュ要求1言号121は、ダイナミック・メモ
リのデータを保持するために許容される最長のリフレッ
シュ・タイミングより充分早いタイミングに設定される
。リフレッシュ・アービタ104は、リフレッシュ要求
信号121毎にマイクロプロセッサ101のメモリ・ア
クセスの要求を待たぜるように競合を裁定し、マイクロ
プロセッサ101にバス・サイクル待ち合わせ要求信号
129を出力し、マイクロプロセッサ101はリフレッ
シュ・サイクル期間中メモリ・アクセスを行わないこと
にしている。アドレス・マルチプレクサ105は、マイ
クロプロセッサ101からのメイン・アドレス・バス1
23と、リフレッシュ・アI・レス・カウンタ107か
らのリフレッシュ・アドレス・バス124とをアドレス
選択信号122によって選択し、ダイナミック・メモリ
・アドレス・バス125とする。ダイナミック・メモリ
・ユニット106は、このダイナミック・メモリ・アト
しス・バス125、タイミング・ジェネレ−タからの各
種信号WE、CAS、 ■N丁と、データ・バス130
にデータ・バス・バッファ109を通したデータ信号を
入力とするダイナミック・メモリ群である。タイミング
・ジェネレータ108は、ダイナミック・メモリに適合
するように、1頁3.CAS、Vπ等のタイミング信号
を作り出す。
[発明が解決しようとする問題点] 上述した従来のダイナミック・メモリ・リフレッシュ方
式においては、マイクロプロセッサ及び周辺装置からの
メモリ・アクセス要求がダイナミ・ツク・メモリのリフ
レ・ンシュ・サイクル其月間であった場合、マイクロプ
ロセッサ及び周辺装置はメモリ・アクセスを行わず複数
回にわたってメモリ・アクセスを禁止されろことになる
ので、データ処理速度が低下するという問題点がある。
[発明の従来技術に対する相違点] 上述した従来のダイナミック・メモリ・リフレッシユ方
式では、ダイナミック・メモリのプログラム領域または
データ領域のいずれかに属する使用領域、不使用領域の
いかんにかかわらず全ての領域についてリフレッシュす
ることに対し、本発明は使用領域のみについてリフレッ
シュすることにより、不使用領域をリフレッシュしてい
た期間にもマイクロプロセッサ及び周辺装置からのメモ
・アクセス要求を受は付けるという相違点を有する。
[問題点を解決するための手段] 本発明に係わるリフレッシュ制御装置は、ダイナミック
・メモリの使用領域と不使用領域との区別を記憶し、マ
イクロプロセッサ及び周辺装置からの読み書きが可能で
あるアドレス・レジスタと、ダイナミック・メモリをリ
フレッシュするためのアドレスを生成するリフレッシュ
・アドレス・カウンタの出力するリフレッシュ・アドレ
スと、前記アドレス・レジスタの出力とを比較し、上記
リフレッシュのためのアドレスがダイナミック・メモリ
の使用領域と不使用領域とのいずれに属するか判別する
検知器とを有し、前記検知器により前記リフレッシュ・
アドレスがダイナミック・メモリの使用領域であること
を検知した時のみリフレッシュ動作を行うことを要旨と
する。
[実施例コ 次に、本発明の第1実施例について図面を参照して説明
する。
第1図に第1実施例のダイナミック・メモリ制御回路の
回路図を示す。本実施例ではダイナミック・メモリ・ユ
ニット106をアクセスする上位メイン・アドレス・バ
ス126を信号r■耳のタイミングで出力するロウ・ア
ドレスとしてダイナミック・メモリを■に1オンリ・リ
フレッシュ・モートで動作させろ。従って、アドレス・
レジスタ201には、上位メイン・アドレス126側を
指定することになり、下位メイン・アドレス127側は
指定できない。このようζこ、ダイナミック・メモリの
上位アドレスII!1を指定することでダイナミック・
メモリユニットのアドレス空間をブロック毎に分けて使
用領域/不使用領域の指定をすることになる。アドレス
・レジスタ201はリフレッシュ・アドレス・バス12
4と同じビット幅を持ち、I / Oボートに割り当て
る。ここに、ダイナミック・メモリ・ユニット106の
使用領域と不使用領域の境界アドレスを登録する。バリ
ッド・フラグ202はアドレス・レジスタ201が有効
であることを意味するフラグである。これらのアドレス
・レジスタ201とバリッド・フラグ202とはI10
アクセス要求信号222とアドレス・デコーダ203に
よりマイクロプロセッサ101より、読み込みまたは書
き込みを制御される。リフレッシュ・アドレス・コンパ
レータ204は、アドレス・レジスタ201の出力とリ
フレッシュ・アドルス・バス124のアドレスを比較し
てリフレッシュ・アドレス・バス124のアドレスの方
が大きい場合にリフレッシュ不要信号221をアクティ
ブになるようにする。この時、バリッド・フラグ202
との論理積205を求めリフレッシュ不要信号221を
マスクする。リフレッシュ・アービタ104はこのリフ
レッシュ不要信号221により、リフレッシュ・サイク
ル期間であってもマイクロプロセッサ101からダイナ
ミック・メモリ・ユニット106へのアクセスを可能と
させる。
次に、動作について説明する。マイクロプロセッサ10
1からアドレス・レジスタ201にnを書き込み、バリ
ッド・フラグ202を「1」に立てておく。この場合、
ダイナミック・メモリ106の使用領域ブロックはダイ
ナミック・メモリ106の上位アドレス側の0番地から
n番地に、不使用領域ブロックはダイナミック・メモリ
106の上位アドレス側のn+1番地からメモリの最後
までとなる。
まず、リフレッシュ・アドレス・カウンタ】07がn1
番地[0≦m<n]を指している場合、つまり、ダイナ
ミック・メモリの使用領域ブロックを指している場合を
考えろ。リフレッシュ・タイマ103がある一定期間毎
にリフレッシュ要求信号121をアクティブにすると、
リフレッシュ・アービタ104は、リフレッシュ・アド
レス・カウンタ107に1番地インクリメントすること
を通知し・、m+1番地をリフレッシュ・アドレス12
1↓として出力する。このリフレッシュ・アドレス12
4rn+1番地とアドレス・レジスタ201の出力とを
リフレッシュ・アドレス・コンパレータ204によって
比較する。リフレッシュ・アドレス・コンパレータはこ
のリフレッシュ・アドレス124はダイナミック・メモ
リ106の使用領域ブロックであると判断するので、リ
フレッシュ不要信号221はインアクティブ状態となる
。この時、リフレッシュ・アービタ104は、アドレス
選択信号122を使ってアドレス・マルチプレクサ10
5により、ダイナミック・メモリ・アドレス125にリ
フレッシュ・アドレス124rn+1番地を出力し、リ
フレッシュを開始させる。このリフレッシュ動作中に、
マイクロプロセッサ101からのメモリ・アクセス要求
信号128がアクティブとなった場合、バス・サイクル
待ち合わせ要求信号129をリフレッシュが終了するま
でアクティブにしてマイクロ・ブロモ・ンサを待たせる
同様に、リフレッシュ・アドレス・カウンタ107がl
(番地[n≦1(]を指している場合、つまり、ダイナ
ミック・メモリの不使用領域ブロックを指している場合
を考える。リフレッシュ・タイマ103からのリフレッ
シュ要求信号121がアクティブとなるとリフlフッシ
ュ・アドレス124はk + 1 番地を示す。このリ
フレッシュ・アドレス124に+11番上アドレス・レ
ジスタ201の出力をリフレッシュ・アドレス・コンパ
レータ204によって比較すると、このリフレッシュ・
アドレス124はダイナミック・メモリ106の不使用
領域ブロックであると判断され、リフレッシュ不要信号
221はアクティブ状態になる。この時、リフレッシュ
・アービタ104はアドレス選択信号122を使ってア
ドレス・マルチプレクサ105により、ダイナミック・
メモリ・アドレス125にメイン・アドレス123を出
力し、マイクロプロセッサ101からのメモリ・アクセ
ス要求信号128がアクティブとなった場合、マイクロ
プロセッサ101 :tダイナミック・メモリ106へ
のアクセスを実行する。
次に、本発明の第2実施例について図面を参照して説明
する。
第2図に第2実施例のダイナミック・メモリ制御回路の
回路図を示す。ダイナミック・メモリ・ユニット106
をアクセスする上位メイン・アドレス・バス126を、
WX3のタイミングで出力するロウ・アドレスとしてm
オンリ・リフレッシュ・モートで動作させる。バリッド
・メモリ301はリフレッシュ・アドレス・バス】24
のそれぞれのアドレスに対して、団用領域ブロックまた
は不使用領域ブロックのどちらかを表すバリッド・フラ
グを持つメモリである。
マイクロプロセッサ101からアドレス・レジスタ20
1にnを書き込み、バリッド・ビット303にダイナミ
ック・メモリ106の使用領域の時は「1」を、不使用
領域の時は「0」を設定する。そして、リフレッシュ・
マルチプレクサ304をアドレス・レジスタ302の出
力側にすることによりバリッド・メモリ301のアドレ
ス・レジスタ302をアドレスとするr1番地のところ
にバリッド・ビット303の出力を書き込む。このリフ
レッシュ・マルチプレクサ304はマイクロプロセッサ
101がバリッド・メモリ301をアクセスするとき以
外は、常にリフレッシュ・アドレス124を選択する。
こうすることで、ダイナミック・メモリの上位アドレス
側を指定することでダイナミック・メモリ・ユニット1
06のアドレス空間の全てをブロック毎に分けて使用領
域/不使用領域の指定をすることができる。
まず、リフレッシュ・アドレス・カウンタ107がm番
地を指している場合を考える。リフレッシュ、タイマ1
03がある一定期間毎にリフレッシュ要求信号121を
アクティブにする。このリフレッシュ要求信号121が
アクティブになるとリフレッシュ・アービタ】04はリ
フレッシュ・アドレス・カウンタ107に1番地インク
リメントすることを通知し、n)+11番左リフレッシ
ュ・アドレス124として出力する。このリフレッシュ
・アドレス124m+1番地はリフレッシュ・マルチプ
レクサ304を通りバリッド・メモリ301に出力する
。バリッド・メモリ301は、このアドレスm+1番地
に対応するバリッド・フラグをリフレッシュ不要信月3
21としてリフレッシュ・アービタ104に出力する。
このバリッド・フラグによりリフレッシュ不要信号32
1はダイナミック・メモリ106の使用領域ブロックで
あればインアクティブにし、不使用領域ブロックであれ
はアクティブにする。
ここで、リフレッシュ不要信号321がインアクティブ
の時、リフレッシュ・アービタ104は、アドレス選択
信号122を使ってアト・レス・マルチプレクサ105
により、ダイナミック・メモリ・アドレス125にリフ
レッシュ・ア)・レス124rn+1番地を出力し、リ
フレッシュを始める。
このリフレッシュ動作中に、マイクロ・プロセッサ10
1からのメモリ・アクセス要求信号128がアクティブ
となった場合、バス・サイクル待ち合わせ要求信号12
9をリフレッシュが終了するまでアクティブにしてマイ
クロプロセッサを待たせる。
次に、リフレッシュ不要信号321がアクティブの時、
リフレッシュ・アービタ104は、アドレス選択信号1
22を使ってアドレス・マルチプレクサ105により、
ダイナミック・メモリ・アドレス125にメイン・アド
レス123を出力し、マイクロプロセッサ101からの
メモリ・アクセス要求信号128がアクティブとなった
場合、マイクロプロセッサ101はダイナミック・メモ
リ106へのアクセスを実行する。
[発明の効果コ 以上説明したように本発明は、ダイナミック・メモリの
不使用領域、すなわちプログラム領域及びデータ頭載の
どちらにも属さない領域においてリフレッシュを行わな
いことにより、この実行しないリフレッシュ・サイクル
期間にマイクロプロセッサ及び周辺装置からのメモリ・
アクセス動作が起こった場合もリフレッシュを待つ必要
がなくなり、データ処理の低下を阻止できる効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例を示した回路図、第2図は
本発明の第2実施例を示した回路図、第3図は従来例の
ダイナミック・メモリ制御回路を示した回路図である。 101 ・ 102  ・ 103  ・ 104  ・ 105 ・ 106 ・ 107 ・ 108 ・ 109 ・ ・・マイクロプロセッサ、 ・・アドレス・デコーダ、 ・・リフレッシュ・タイマ、 ・・リフレッシュ・アービタ、 ・・アドレス・マルチプレクサ、 ・・ダイナミック・メモリ・ユニット、・リフレッシュ
・アドレス・カウンタ、・・タイミング・ジェネレータ
、 ・・データ・バス・バッファ、 121 ・ 122 ・ 123 ・ 124 ・ 125 ・ 126 ・ 127 ・ 128 ・ 129 ・ 130 ・ 201  ・ 202 ・ 203 ・ 204 ・ 205 ・ 221 ・ 222 ・ 301 ・ ・・リフレッシュ要求信号、 ・・アドレス選択信号、 ・・メイン・アドレス・バス、 ・・リフレッシュ・アドレス・バス、 ・・ダイナミック・メモリ・アドレス ・パ゛ス、 ・・上位メイン・アドレス・バス、 ・・下位メイン・アドレス・バス、 ・・メモリ・アクセス要求信号、 ・バス・サイクル待ち合わせ要求信号、・・データ・バ
ス、 ・・アドレス・レジスタ、 ・・バリッI・・フラグ、 ・・アドレス・デコーダ、 ・・リフレッシュ・アドレス・コンパ レータ、 ・・論理積ゲート、 ・・リフレッシュ不要信号、 ・・I10アクセス要求信号、 ・・バリッド・メモ1バ 302 ・ 303 ・ 304  ・ 305 ・ :32 J ・ 322 ・ ・アドレス・レジスタ、 ・バリッド・ビット、 ・リフレッシュ・マルチプレクサ、 ・アドレス・デコーダ、 ・リフレッシュ不要信号、 ・I10アクセス要求信号。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ダイナミック・メモリをリフレッシュするリフレッシュ
    制御装置において、ダイナミック・メモリの使用領域と
    不使用領域との区別を記憶し、マイクロプロセッサ及び
    周辺装置からの読み書きが可能であるアドレス・レジス
    タと、 ダイナミック・メモリをリフレッシュするためのアドレ
    スを生成するリフレッシュ・アドレス・カウンタの出力
    するリフレッシュ・アドレスと、前記アドレス・レジス
    タの出力とを比較し、上記リフレッシュのためのアドレ
    スがダイナミック・メモリの使用領域と不使用領域との
    いずれに属するか判別する検知器とを有し、 前記検知器により前記リフレッシュヘアドレスがダイナ
    ミック・メモリの使用領域であることを検知した時のみ
    リフレッシュ動作を行うことを特徴とするリフレッシュ
    制御装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6804158B2 (en) 1995-08-18 2004-10-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor circuit device with improved special mode
US6894942B2 (en) 2002-05-17 2005-05-17 Hynix Semiconductor, Inc. Refresh control circuit and method for semiconductor memory device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6313196A (ja) * 1986-07-04 1988-01-20 Hitachi Ltd リフレツシユ方式

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6313196A (ja) * 1986-07-04 1988-01-20 Hitachi Ltd リフレツシユ方式

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6804158B2 (en) 1995-08-18 2004-10-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor circuit device with improved special mode
US6894942B2 (en) 2002-05-17 2005-05-17 Hynix Semiconductor, Inc. Refresh control circuit and method for semiconductor memory device

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