JPS6313196A - リフレツシユ方式 - Google Patents

リフレツシユ方式

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Publication number
JPS6313196A
JPS6313196A JP61156020A JP15602086A JPS6313196A JP S6313196 A JPS6313196 A JP S6313196A JP 61156020 A JP61156020 A JP 61156020A JP 15602086 A JP15602086 A JP 15602086A JP S6313196 A JPS6313196 A JP S6313196A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
refresh
mpu
refreshed
counter
Prior art date
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Pending
Application number
JP61156020A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhide Nishiyama
一秀 西山
Kiyokazu Nishioka
清和 西岡
Hiroyuki Mano
宏之 真野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61156020A priority Critical patent/JPS6313196A/ja
Publication of JPS6313196A publication Critical patent/JPS6313196A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕  ゛ 本発明はダイナミック型メモリで構成されたメモリ装置
に係り、特にメモリアクセス性能向上にi適なりフレッ
シュ方式に関する。
〔従“来の技術〕   ゛ 一般に、パーソナルコンピュータ用半導体メモリには、
ダイナミック型と呼ばれるタイプのRAM(ランダムア
クセスメモリ)(以下、DRAMと称す)が使用される
。これは、安価で部品面積が小さくなるという利点例あ
るためであるが、その反面、情報の読み出し動作を定期
的九行なって情報の更新(すなわち、リフレッシュ)を
行なわなくては、情報が失なわれてしまうという欠点が
ある。
ところで、かかるメモリでは、データの読み出し、書き
込みとリフレッシュを同時に行なうことはできずこのた
めに、リフレッシュとマイクロプロセッサ(以下、MP
Uと称す)のメモリに対するデータの読み出し、書き込
みとが競合した際には、MPUの動作が一時停止してメ
モリのリフレッシュが終るのを待つことになる。このよ
うに、リフレッシュを行なうことは、パーソナルコンピ
ュータの動作効率の低下を招くことになる。
そのために、たとえば、特開昭59−19293号公報
や特開昭59−1”62692号公報などに開示される
ように、確実なリフレッシュを行ないつつ、MPUの動
作効率を上げる種々の方法が提案されてきた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
これらの方法はメモリ全領域リフレッシュを前提として
いるが、これでも無駄にリフレッシュを行ない、!1l
PUの動作効率を下げている場合があった。以下、この
点について図を用いて説明する。
第4図は現在主流である1ワード=1ビツトのDRAM
(例えば、256キロワード×1ビツトの日立製HM5
0256)を用いて、128キロワード×8ビツト(す
なわち、128キロバイト)のメモリ装置を構成した場
合の概念図である。同図で明らかなように、このメモリ
装置では% 1ワードが8ビツトで構成され、1ワード
の各ビットを異なるDRAMに格納するようにしている
。このためにDRAMは8個用いられる。したがって、
用いられるDRAMの個数はMPUのデータ幅(ビット
数)で決まる。そこで、128キロワードのメモリ装置
では、実際には、256キロワード×8ビツトの容量の
半分の第4図で斜線を施した128キロワード×8ピツ
トとしか必要でなく、残りの128キロワ一ド分は未使
用である。更に、大容量の1メガワードX1ビツトのD
RAMが主流になると、メそり装置の容量のうちの1/
8シか必要とせず、残りのいは未使用になってしまう。
上述の従来技術において、全領域をリフレッシュするか
ら、このような未使用部分をもリフレッシュし、無駄な
時間が生じてその分MPUの動作効率を下げている。
本発明の目的は、かかる従来技術の問題点を解消し、リ
フレッシュに要する時間を短縮し、MPUの動作効率を
高めることができるようにしたりフレッシュ方式を提供
するにある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記目的を達成するために、本発明上、メモリ装置の全
領域のうち所定の領域でのリフレッシュアドレスを設定
し、この所定領域のみを繰り返しリフレッシュする。
〔作用〕
メモリ装置でのリフレッシュによるデータ保持期間は決
まっており、リフレッシュする領域を上記所定領域のみ
に限ると、このデータ保持期間に対するリフレッシュ回
路は、全領域をリフレッシュする場合よりも減少する。
したがって、その分MPUを動作させ得る期間は増大し
lMPUの動作効率が高まる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
第1図は本発明によるリフレッシュ方式の一実施例を示
すブロック図であって、1はMPU、2はタイマ% 3
はリフレッシュ制御装置、4はカウンタ、5.6は切換
装置、7はメモリである。
第2図は第1図の動作を示すタイミングチャートである
次に、この実施例の動作を第2図を用いて説明する。
メモリ7はMPU 1のデータ幅で決まる個数のDRA
Mからなり、全容量のうち未使用領域を含んでいる。リ
フレッシュ制御装置3には、MPU1によってメモリ7
の使用領域を表わすデータが格納され、これに応じたカ
ウンタ制御信号C6とメモリ7をリフレッシュ状態する
リフレッシュ制御信号C0とを出力する。タイマ2は、
通常“0”でメモリ7でリフレッシュすべき期間′1″
となるタイミング信号Tを発生する。このタイミング信
号Tの“1”の期間MPU1は待期状態となシ、このタ
イミング信号Tの立上りエツジでカウンタ4は1だけア
ップカウントする。また、このタイミング信号T01つ
の111期間は、メモリ7での1つの行アドレスで指定
される領域のリフレッシュ期間に相当する。
ここで、タイミング信号TによるMPIJ 1、カウン
タ4および切換装置5.6の動作は次の表に示す通プで
ある。
く表〉 いま、カウント9のカウント値がNであり、タイマ2か
らのタイミング信号Tが“0#とすると、切換装置6は
MPU 1からのMPUアクセス制御信号CAを選択し
、メモリ制御信号CMとしてメモリ7に供給する。また
、切換装置5はMPU 1からのMPUアドレス信号A
0を選択し、メモリアドレス信号A、としてメモリ7に
供給する。これにより、メモリ7はMPU 1によるデ
ータDの読出し、書込み状態となる。
そこで、タイマ2からのタイミング信号Tが@1#とな
ると、その立上りエツジでカウンタ4は1だけアップカ
ウントし、そのカウント値がN+1となる。また、切換
装置6はリフレッシュ制御装置3からのリフレッシュ制
御信号CRを選択し、メモリ制御信号CMとしてメモリ
7に供給する。さらに、切換装置5はカウンタ4のカウ
ント値N+1のリフレッシュアドレス信号ARを選択し
、メモリアドレス信号Atしてメモリ7に供給する。こ
れにより、タイミング信号Tの“1#期間、メモリ7で
は行アドレス(N+1)のリフレッシュが行なわれる。
この期間MPU1は待期状態にある。
タイミング信号Tが”0”となると、切換装置5゜6は
切換わってメモリ7はリフレッシュが終了し、MPU 
1は待期状態が解除されてメモリ7でのデータ書込み、
読出しを行なう。
このようにして、メモリ7で各行アドレスでのリフレッ
シュが行なわれ、メモリ7での全使用領域のリフレッシ
ュが終ると、リフレッシュ制御装置3からカウンタ制御
信号Ccが出力される。これによってカウンタ4はクリ
アされ、次にタイミング信号Tが@1#となるときから
、メモリ7で使用領域の最初の行アドレスから同様にリ
フレッシュが行なわれる。
そこで、メモリ7が128キロワード×8ビツトのメモ
リ装置であって、たとえば、前述の256キロワード×
1ビツトのHM50256を8個並列に用いて256キ
ロバイトの容量とした場合には、この容量の半分の12
8キロバイトしか必要としないが、MPU1は、カウン
タ4がメモリ7の半分の領域しかりフレッシュしないよ
うに、リフレッシュ制御装置3にデータをセットする。
カウンタ4は1行アドレスが0〜127であるリフレッ
シュアドレス信号ARをくシ返し出力するように、カウ
ンタ制御信号Ccによって制御される。そのため。
メモリ16の半分の領域だけがリフレッシュされて情報
が保持される。
もし、MPU1がメモリ7の1/4の領域である64キ
ロバイトしか使用しないのであれば、その旨、リフレッ
シュ制御装置3にセットする。以下、同様にして、カウ
ンタ4は行アドレスが0〜63であるリフレッシュアド
レス信号A、を出力し、この1/4の領域だけがリフレ
ッシュされる。
データ書込み、読出しのためのDRAMのアドレス指定
方法としては、第3図において、まず、行アドレスを与
えることにより1つの行を選択し、次に順次列アドレス
を与えることによシ、この選択された行アドレスでの順
次のアドレスが選択されていく。同図の斜線で示す領域
は、与えられた行アドレス、列アドレスによって指定さ
れたアドレスを表わしている。
リフレッシュの場合には、リフレッシュ制御信号CRに
より、行アドレスを与えるだけで指定された行アドレス
の全てのアドレスがリフレッシュされる。そこで、順番
に行アドレスが与えられることによシ、各行アドレスが
順次リフレッシュされていくが、前述のHM50256
では、4ミリ秒間で0〜255の行アドレスを与えれば
リフレッシュが可能である。この場合には、 256キロビツト/256=1キロビツトであるから、
1つの行アドレスが与えられる毎に1024ビツトずつ
リフレッシュされ、各行アドレスのデータは少なくとも
4ミリ秒間保持される。
ところで、HM50256の全領域でリフレッシュを行
なうときには% 4ミリ秒間で256XIQ 回のリフ
レッシュが行なわれるが、上記のように、全容量の1/
2の領域でリフレッシュを行な7う場合には、4ミリ秒
間で256x10’72回のリフレッシュで済み、また
、全容量の1/4の領域でりフレッシュを行なう場合に
は、4ミリ秒間で256X10’74回ですむことにな
る。このため、タイミング信号Tの”1”期間が2倍、
4倍と長くなり、MPUの動作期間が増大する。したが
って、MPUの動作動車が大幅に向上することになる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、メモリの使用領
域では完全にリフレッシュが行なわれてリフレッシュ時
にMPUが停止しなくてはならない時間を最低限に抑え
ることができ、MPUの動作効率を大幅に高めることが
できるし、更に、無駄なリフレッシュに要する電力消費
を抑えることができて回路の低消費電力化を実現できる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるリフレッシュ方式の一実施例を示
すブロック図、第2図はその動作を示すタイミングチャ
ート、第3図はメモリでのアドレス付与方法の説明図、
第4図はDRAMによるメモリ装置の構成別を示す概念
図である。 1・・・MPU、2・・・タイマ、3・・・リフレッシ
ュ制御装置、4・・・カウンタ% 5,6・・・切換装
置、7・・・メモリ。 第 1 図 蔦 3図 ψφφφφ 3FFFF 4図 テ゛−9ビット

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、メモリ装置のリフレッシュ方式において、該メモリ
    装置の全領域における所定領域に対するリフレッシュア
    ドレスを設定し、該所定領域のみを繰返しリフレッシュ
    することを特徴とするリフレッシュ方式。
JP61156020A 1986-07-04 1986-07-04 リフレツシユ方式 Pending JPS6313196A (ja)

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JP61156020A JPS6313196A (ja) 1986-07-04 1986-07-04 リフレツシユ方式

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JPS6313196A true JPS6313196A (ja) 1988-01-20

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ID=15618556

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JP61156020A Pending JPS6313196A (ja) 1986-07-04 1986-07-04 リフレツシユ方式

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02177081A (ja) * 1988-12-27 1990-07-10 Nec Corp リフレッシュ制御装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57141792A (en) * 1981-02-25 1982-09-02 Keioo Denshi Kogyo Kk Message display system for fire prevention information in centralized management
JPS60182098A (ja) * 1984-02-28 1985-09-17 Fujitsu Ltd リフレツシユ制御方式

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57141792A (en) * 1981-02-25 1982-09-02 Keioo Denshi Kogyo Kk Message display system for fire prevention information in centralized management
JPS60182098A (ja) * 1984-02-28 1985-09-17 Fujitsu Ltd リフレツシユ制御方式

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02177081A (ja) * 1988-12-27 1990-07-10 Nec Corp リフレッシュ制御装置

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