JPH02176585A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02176585A JPH02176585A JP63331616A JP33161688A JPH02176585A JP H02176585 A JPH02176585 A JP H02176585A JP 63331616 A JP63331616 A JP 63331616A JP 33161688 A JP33161688 A JP 33161688A JP H02176585 A JPH02176585 A JP H02176585A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- electrode
- potential
- insulating film
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に論理回路を有する半導
体装置に関する。
体装置に関する。
従来の半導体装置は、論理回路の論理レベルを検出する
為に測定用電極パッドを設け、前記測定用電極パッドに
探針を接触させて電圧を測定していた。
為に測定用電極パッドを設け、前記測定用電極パッドに
探針を接触させて電圧を測定していた。
上述した従来の半導体装置は、測定用電極パッドに探針
を接触させ、電圧レベルを測定して論理レベルを検出す
るという煩雑な作業がともなうという欠点がある。
を接触させ、電圧レベルを測定して論理レベルを検出す
るという煩雑な作業がともなうという欠点がある。
本発明の半導体装置は、半導体基板上に設けた絶縁膜の
上に設けて論理レベル″′１″′又はパ○“′のいずれ
か一方の電位に設定した電極と、前記電極を含む表面に
設けた第１の層間絶縁膜と、前記電極上の前記層間絶縁
膜の上に設けた液晶体と、前記液晶体を含む表面に設け
た第２の層間絶縁膜と、前記液晶体と位置合わして前記
第２の眉間絶縁膜上に設け論理回路の論理レベルを検出
すべき配線と電気的に接続した透明電極とを備えている
。
上に設けて論理レベル″′１″′又はパ○“′のいずれ
か一方の電位に設定した電極と、前記電極を含む表面に
設けた第１の層間絶縁膜と、前記電極上の前記層間絶縁
膜の上に設けた液晶体と、前記液晶体を含む表面に設け
た第２の層間絶縁膜と、前記液晶体と位置合わして前記
第２の眉間絶縁膜上に設け論理回路の論理レベルを検出
すべき配線と電気的に接続した透明電極とを備えている
。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップの断面図
である。
である。
第１図に示すように、半導体基板１の上に絶縁膜２を設
け、絶縁膜２の上に論理回路の高電位レベル（以下論理
レベル“１”と記す）に相当する電位に接続された電極
３を選択的に設ける。次に、電極３を含む表面に第１の
層間絶縁膜４を堆積し、眉間絶縁膜４の上に電極３と位
置合わせして液晶体５を選択的に設け、液晶体５を含む
表面に第２の層間絶縁膜６を設ける。次に、眉間絶縁膜
６の上に液晶体５と位置合わせして透明電極７を設け、
論理回路の論理レベルを検出すべき配線と電気的に接続
する。
け、絶縁膜２の上に論理回路の高電位レベル（以下論理
レベル“１”と記す）に相当する電位に接続された電極
３を選択的に設ける。次に、電極３を含む表面に第１の
層間絶縁膜４を堆積し、眉間絶縁膜４の上に電極３と位
置合わせして液晶体５を選択的に設け、液晶体５を含む
表面に第２の層間絶縁膜６を設ける。次に、眉間絶縁膜
６の上に液晶体５と位置合わせして透明電極７を設け、
論理回路の論理レベルを検出すべき配線と電気的に接続
する。
いま、前記配線の電位即ち透明電極７の電位が論理ベレ
ル゛１′′であると、電極３の電位も論理ベレル゛′１
″であるので、液晶体５の液晶分子の配向状態は変化せ
ず、前記配線の電位が論理回路の低電位レベル（以下論
理レベル“０′″と記す）であると、電極３の電位が論
理レベル“１°“であるので電極３と透明電極７の電界
により液晶体５の液晶分子の配向状態が変化する。
ル゛１′′であると、電極３の電位も論理ベレル゛′１
″であるので、液晶体５の液晶分子の配向状態は変化せ
ず、前記配線の電位が論理回路の低電位レベル（以下論
理レベル“０′″と記す）であると、電極３の電位が論
理レベル“１°“であるので電極３と透明電極７の電界
により液晶体５の液晶分子の配向状態が変化する。
このようにして、論理レベルを検出したい配線の論理レ
ベル“１”又は“０パに対して液晶体５の液晶分子の配
向状態が不変化又は変化し着色又は無色の状態として目
視できる効果がある。
ベル“１”又は“０パに対して液晶体５の液晶分子の配
向状態が不変化又は変化し着色又は無色の状態として目
視できる効果がある。
尚、ここで電極３の電位が論理レベル“１′°の場合に
ついて説明したが、論理レベルＩＩ Ｏ１１に設定した
場合にも同様に着色又は無色の状態（但し前記実施例と
は逆の状態を示す）を表示し目視が可能である。
ついて説明したが、論理レベルＩＩ Ｏ１１に設定した
場合にも同様に着色又は無色の状態（但し前記実施例と
は逆の状態を示す）を表示し目視が可能である。
以上説明したように本発明は、論理レベル １又は“０
”に設定した電極上に第１の層間絶縁膜を介して液晶体
を設け、液晶体の上に第２の層間絶縁膜を介して論理レ
ベルを検出すべき配線と電気的に接続した透明電極を設
けることにより液晶体の着色状態により配線の論理レベ
ルを目視できる効果がある。
”に設定した電極上に第１の層間絶縁膜を介して液晶体
を設け、液晶体の上に第２の層間絶縁膜を介して論理レ
ベルを検出すべき配線と電気的に接続した透明電極を設
けることにより液晶体の着色状態により配線の論理レベ
ルを目視できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップの断面図
である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・電極、
４・・・層間絶縁膜、５・・・液晶体、６・・・層間絶
縁膜、７・・・透明電極。 代理人 弁理士 内 原 晋
である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・電極、
４・・・層間絶縁膜、５・・・液晶体、６・・・層間絶
縁膜、７・・・透明電極。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体基板上に設けた絶縁膜の上に設けて論理レベル“
１”又は“０”のいずれか一方の電位に設定した電極と
、前記電極を含む表面に設けた第１の層間絶縁膜と、前
記電極上の前記層間絶縁膜の上に設けた液晶体と、前記
液晶体を含む表面に設けた第２の層間絶縁膜と、前記液
晶体と位置合わして前記第２の層間絶縁膜上に設け論理
回路の論理レベルを検出すべき配線と電気的に接続した
透明電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63331616A JPH02176585A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63331616A JPH02176585A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02176585A true JPH02176585A (ja) | 1990-07-09 |
Family
ID=18245647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63331616A Pending JPH02176585A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02176585A (ja) |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63331616A patent/JPH02176585A/ja active Pending
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