JPH0217193A - 環状有機金属化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、金属としてアルミニウム、ガリウムまたはイ
ンジウムを含有する環状有機化合物に関するものであり
、そして、このような化合物を気相沈着によってうすい
フィルムまたはエピタキシャル層を製造するなめに使用
することに関する乙のである。

第１族の純粋な元素からなる層または他の元素との組み
合わせ例えば砒化ガリウム、燐化インジウムまたは燐化
ガリウムのような化合物からなるこのような層の沈着は
、電子工学および光電子工学のスイッチングエレメント
、化合物半導体およびレーザーを製造するなめに使用す
ることができる。これらの層は、気相から沈着される。

これらのフィルムの性質は、沈着条件および沈着したフ
ィルムの化学組成に依存している。

この気相沈着に対しては、既知方法、例えば、Ｍｅｔａ
ｌ　−Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｎｉｃａｌνａｐｏｕｒ
　Ｄｅｐｏｓ已１ｏｎ（）ＩＯＣＶ［））法、物質をυ
ν照射によって分解するＰｈｏｔｏ　−１４ｅｔａｌ　
−Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｐｈａｓｅ（Ｐｈｏ
ｔ。

ＨＯＶＰ　）法、Ｌａ５ｅｒ　Ｃｈｅｎｉｃａｌ　Ｖａ
ｐｏｕｒ　０ｅｐｏｓｉ−ｔｉｏｎ　（Ｌａ５ｅｒ　Ｃ
ＶＤ）法またはＭｅｔａｌ　−ＯｒｇａｎｉｃＨａｇｎ
ｅｔｒｏｎ　Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　（８０８３）法は
、すべて適している。この気相沈着の他の方法よりすぐ
れた存利点は、ｌｖ制御できる層生長、正確なドーピン
グ制御（ｄｏｐｉｎｇｃｏｎｔｒｏｌ＞あるいはまた通
常の圧力または低圧条件による容易な取扱いおよび製造
の便宜さである。

ＨＯＣＶＤ法においては、１１００℃以下の温度で分解
して金属を沈着する有機金属化合物が使用される。　Ｈ
ＯＣＶＤに対して現在使用されている典型的な装置は、
有機金属成分に対する導入口と被覆される基質を包含す
る反応室と有機金属成分に対して不活性なキャリアガス
の供給源とを具備した［バブラー（ｂｕｂｂｌｅｒ）　
Ｊを備えている。

この「バブラー」は、一定の比歓的低い温度に保持され
るが、この温度は好ましくは有機金属化合物の融点以上
であるが分解温度より、はるかに低い温度である。この
反応室または分解室は、１１００℃以下のＪ１常に高い
温度にあることが好ましく、この温度において、前記の
有機金属化合物が完全に分解しそして金属が沈着する。

前記のキャリアガスは、有機ＩＬ属化合物を蒸気状態に
変換しそして次にこの蒸気状態の有機金属化合物はキャ
リアカスと一緒に分解室中に流通される。この蒸気の流
通は、所望通りに制御することができそしてその結果、
薄層の生長を制御することができる。

これまで、例えばトリメチルガリウム、トリメチルアル
ミニウムまたはトリメチルインジウムのような金属アル
キルが、この気相沈着に対して使用されている。しかし
ながら、これらの化合物は、空気に対して極めて感受性
が大であり、自然に発火しそしである場合においては室
温においてさえら分解する。それ故に、これらの化合物
の製造、輸送、貯蔵および使用に対しては、非常に行き
届いた安全手段が必要とされる。金属アルキルとルイス
塩基例えば、トリメチルアミンあるいはトリフェニルホ
スフィンとの安定な付加物が知られているが（例えばＧ
Ｂ特許明細書２，１２３，４２２号、ＥＰ−Ａ−１０８
，４６９号または［Ｐ−＾−１７６、５３７号参照）こ
れらは、低蒸気圧のために、気相沈着に対しては極めて
限られた適合性を有するにすぎない。

更に、同じ様な化合物が西独特許公開。

３．６３１４６９号（特開昭６３−８３０９２号公報参
照）に記載されているが、これらの化合物は、環中に金
属を有する環状構造を有していない。

したがって、本発明の目的は、簡単に取扱うことができ
そして室温で安定でありそして気相から分解することの
できる換言すれば種々の気相沈着法に適した金属アルキ
ル化合物を見出さんとするものである。

驚くべきことには、アルミニウム、ガリウムおよびイン
ジウムのある種の環状化合物が、空気および酸素に対す
る顕著に高度な安定性を有し、そのため、簡単に取扱う
ことができそして気相沈着に著しく適しているというこ
とが見出された。

すなわち、本発明は、式■ ［式中、 Ｍは、アルミニウム、ガリウムまたはインジウムであり
、 口は、１．２．３．４．５または６であり、Ｘは、−（
ＣＩＩＲ’　）ｍ　−（式中、ｍ＝１．２．３．４よな
は５である）、 ｏ−（ＣＨ，珍−ＣａＨ４−（Ｃ１４２）（１−ｏ−（
ＣＨ２）ｐ　−Ｃａｌｌ　ｓｏ　−（ＣＨ２）　ｑ−５
０−ＣＨ２）ｐ−ＣｅＨ８−＋ＣＩ＋２　）ｑ　−０−
（Ｃｔ１２　）ｐ　−Ｃｅｌｌ　ｅ−ｆｃｌｌ□）ｑ　
−ｏ−（Ｃ１ｌ、″）ｐ　−Ｃｓｌｌ　ａ−（ＣＨ□洞
−０−Ｃ）ｌ。）ｐ　−Ｃｓｔｌ　ｏ−ｆｃｌ＋ｚ　）
！　−ｏ−Ｃ１ｌ□）Ｐ−Ｃ５１１４−ＣＲ２烏−０−
Ｃ）Ｉｚ　）ｐ　−Ｃ４１１６−ＣＨ２）ｑ　−であり
そしてＹが−［、−ＣＦａ、−Ｃ２Ｆ５、−Ｃ３Ｆ７ま
たは−Ｃ４Ｆ　、である場合は、また、単結合であるこ
とができ、 ｐおよびｑは、それぞれの場合において互に独立して、
０．１．２または３であり、Ｒ１、Ｒ２，Ｒ３およびＲ
４は、それぞれの場合において互に独立して、Ｈである
か、または１〜４曲の炭素原子を含有するアルキル基で
あり、Ｙは、−ＮＲ５１１６、−ｐＲ５８６、−八５Ｒ
５Ｒ６、−３ｂＲ５Ｒ６、−Ｆ、−ＣＦ３、−Ｃ２Ｆｓ
　、−Ｃ３ｒ７または−Ｃ，Ｆ　９であり、そして、 Ｒ５およびＲ６は、それぞれの場合において互に独立し
て、１〜８個の炭素原子を含有するアルキル基（このア
ルキル基は部分的にまたは完全に弗素化されていてもよ
い）、シクロアルキル基、それぞれの場合において３〜
８個の炭素原子を含有するアルケニル基またはシクロア
ルキル基またはフェニル基である］ で表わされる環状有機金属化合物に関するものである。

更に、本発明は、気相沈着に対する式Ｉの化合物の使用
に関するものであり、そしてまた、式Ｉの化合物を有機
金８物質として使用した有Ｒ＆属化合物からの金属の気
相沈着によって、うすいフィルムまたはエピタキシャル
層を製造する方法に関するものである。

式Ｉの化合物は、環状横道を有しそして第■Ｂ族の電子
欠損元素に対する窒素、燗、砒素、アンチモンまたは弗
素からの電子の移行によって分子内で安定化されている
。それ故に、これまで使用された金属アルキルに比較し
て、式■の化合物は空気および酸素に対して高度な安定
性を有している２式１の化合物は、自然に発火すること
なくそしてその結果取扱いが容易である。しかしながら
、気相におては、本発明の化合物は容易に分解して金属
を沈着させることができる。

式■において、Ｍはアルミニウム（ＡＩ）、ガリウム（
Ｇａ）またはインジウム（Ｉｎ）でありそして好適には
ＧａまたはＩｎである。

パラメーターｎは、１．２．３．４．５また６好適には
２．３または４である。Ｘは、好適には、−（ＣＨＲ’
　）ｍ　（式中、ｍ＝１．２．３．４または５、好適に
は２．３または１１である）である。

Ｒ１、Ｒ”、Ｒ３およびＲ４は、互に独立して、水素原
子またはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、第２級ブチルまたは第３級ブチル基である。好適
には、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ水素原
子である。もしｎまたはｍが〉１である場合は、多くて
１ｇのＲ３基またはＲ４基は好適にはアルキル基であり
、そして、他の８３基または１４基は、それぞれ水素で
ある。それ故に、複数の８３基または１４基が存在する
場合は、これらは同一であっても、あるいは異なってい
てもよい。

Ｘが Ｑ−［ＣＨ２）ｐ　−Ｃａｌ　ｍ−（ＣＨｔ　）ｑ　−
０−（ＣＨ２）ｐ　　−ＣｇＨｓｏ　　−（Ｃｆｌ　２
）　Ｑ−，０−（ＣＨ２）ｐ　−Ｃ６Ｈ６−（ＣＩ２　
）ｑ　−ｏ−（ＣＨ２″）ｐ−Ｃａｌ　ｅ−（ＣＨ２）
ｑ−ｏ−（ＣＨｔ２塾−Ｃｓ＋Ｉ　ｇ−（ＣＨ２）ｑ−
０−（ＣＨｔ２　＞ｐ　−Ｃｓ）Ｉ　ｅ−（Ｃｌｌｖ　
）ｑ　−ｏ−（ＣＨ２）ｐ　−ＣｓＨ４−（ＣＨｔ２）
ｑ　−０−（Ｃｏ１２＞ｐ−Ｃ４１１８−（ＣＩ＋２″
）９−である式Ｉの化合物は好ましいものである。ｐお
よびｑは、それぞれの場合において互に独立して、０．
１．２または３好適には１まなは２である。また、ｐお
よびｑの１つが０でありそして他のものが１または２で
ある化合物が好適である。

次の式（１）〜（１６）は、基−Ｘ−Ｙの好適な代表的
なものである。

（１５）　　　　　　　　　＋１６） Ｘは、単結合であってもよく、Ｙが−Ｅ、−Ｃ「３、−
Ｃ２Ｆ　ｓ　、　−Ｃ３Ｆ　？または一０４Ｆｇである
化合物においては、特に単結合であることができる。

式■におけるＹは、好適には−ＮＲ５Ｒ６、−ｐ１５１
Ｇまたは一＾５Ｒ５Ｒ’そして更に一３ｂＲ５Ｒ６であ
る。特に−ＮＲ５１（６が好適である。

更に、Ｙが−Ｆ、−ＣＦａまたは一〇、Ｆ　５である式
Ｉの化合物は好適なものである。

式ＩにおけるＲ５基およびＲ６基は、それぞれの場合に
おいて、１〜８１１！Ｉの炭素原子、好適には１〜４個
の炭素原子を含存する直鎖状または有枝鎖状のアルキル
基であることができる。これらは、好適には、直鎖状で
ありそして好適にはメチル、エチル、プロピル、ブチル
そして更にペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、
イツープロピル、第２級ブチル、第３級ブチル、２−メ
チルペンチル、３−メチルペンチルまたは２−オクチル
である。アルキル基は、部分的にまたは完全に弗素化さ
れていてもよくそして例えばモノフルオロメチル、トリ
フルオロメチル、ジフルオロエチル、トリフルオロエチ
ル、ペンタフルオロエチルまたはトリフルオロエチルで
あることができる。

もしＲ５またはＲ６が３〜８個の炭素原子を含有するシ
クロアルキル基またはシクロアルキル基である場合は、
それは好適には、シクロプロピル、シクロブチル、シク
ロペンチル、シクロペンテニル、シクロヘキシル、シク
ロへキセニル、シクロへキサジェニル、シクロヘプチル
、シクロへブテニル、シクロへブタジェニル、シクロオ
クチル、シクロオクテニル、シクロオクタジェニル、シ
クロオクタトリエチル、またはシクロオクタテトラエニ
ルである。

好適には、Ｒ５および（または）　Ｒ６は、また、３〜
８ｇの炭素原子、好適には３−５個の炭素原子を含有す
るアルケニル基である。従って、これらは、好適には、
１０ベニル、ブテニル、ペンテニルおよび更にヘキセニ
ル、ヘプテニルまたはオクテニルである。

更に、Ｒ５および（または）　Ｒｅがフェニル基である
式■の化合物が好適である。このフェニル基は、また、
置換されていてもよい、これらの置換分は企図された適
用に対して実質的な影響を与えないので、分解反応に対
して妨害作用を与えない何れの置換分も許容される。

次の化合物は、式Ｉの特に好適な化合物である。

ｌ−ガラ−１−（３−ジメチルアミノプロピル）シクロ
ペンタン １−ガラ−１−（２−ジメチルアミンエチル）シクロペ
ンタン ■−インダー１−（３−ジエチルアミノプロビル）シク
ロペンタン １−アルミナ−１−（３−ジメチルアミノプロピル）シ
クロペンタン １−ガラ−１−（３−ジメチルアミノプロピル）シクロ
ブタン １−インダー１−（２−ジエチルアミノエチル）シクロ
ブタン １−アルミナ−１−（４−ジメチルアミノブチル）シク
ロブタン １−ガラ−１−（ｏ〜ジメチルアミノベンジル）シクロ
ヘキサン １−ガラ−１−（０−ジメチルアミノベンジル）シクロ
ブタン ■−アルミナー１−（０−ジエチルアミノベンジル）シ
クロペンタン ｌ−アルミナ−１−（ｏ−ジエチルアミノベンジル）シ
クロヘキサン １−インダー１−（０−ジイソ１０ピルアミノベンジル
）シクロブタン １−インダー１−（０−ジメチルアミノベンジル）シク
ロペンタン ｌ−インダー１−（ｏ−ジメチルアミノベンジル）シク
ロヘキサン １−ガラ〜１−（ｏ−ジメチルアミノベンジル）シクロ
ペンタン ｌ−ガラ−１−（ｏ−ジエチルアミノベンジル）シクロ
ヘキサン ｌ−ガラ−１−（０−ジプロピルアミノベンジル）シク
ロへブタン １−インダー１−（ｏ−ジブチルアミノベンジル）シク
ロペンタン １−インダー１−（ｏ−ジエチルアミノベンジル）シク
ロヘキサン １−インダー１−（０−ジメチルアミノベンジル）シク
ロオクタン ■−アルミナー１−（０−ジイソプロピルアミノベンジ
ル）シクロヘキサン ■−アルミナー１−（２−ｏ−ジメチルアミノフェニル
エチル）シクロペンタン ニーアルミナ−１−（２−ｏ−ジエチルアミノフェニル
エチル）シクロブタン １−ガラ−１−（Ｘ−ＰＩＦＩｔ６）　シ９　ｏヘン９
　ン１−ガラ−１−（Ｘ−ＰＲ５Ｒ６”）シクロブタン
／ ン ン １−ガラ−１−（Ｘ−ｐＨ５Ｒ’）　シフｏへ：ｋｒす
７１　７’ルミ＋　　１　　［Ｘ−ＰＲ５Ｒ６）シクロ
ペンタ１−アルミナ−１−ｆＸ−ＰＲ５Ｒ６）シクロヘ
キサ１−インダー１−（Ｘ−ｐＨ５Ｒ’）　シクｃｙヘ
ンタン１−インダー１−（×−＾５Ｒ５１１’）シクロ
ヘキサ１−インダー１　　　（Ｘ−ＡｓＲ５Ｒ６）シク
ｏヘンタ１−インダー１−　（Ｘ−３ｂＲ５Ｒ６）シク
ロペンタ／ １−フルミナ−１−（Ｘ−ＡｓＲ５Ｒ６）　シクロへブ
タン １−ガラ−１−（Ｘ−３ｂＲ５１１６）　シフＣ１オフ
９７１−カラー　１−　（Ｘ−Ｃ１３）シクロブタン１
−ガラ−１−（Ｘ−Ｆ）シクロペンタン１−ガラ−１−
トリフルオロメチルシクロペンタン １−ガラ−１−トリフルオロメチルシクロヘキサン １−インダー１−トリフルオロメチルシクロヘキサン ■−インダー１−フルオロシクロペンタン１−アルミナ
−１−ペンタフルオロエチルシクロヘキサン ！−ガラー１−ペンタフルオロエチルシクロペンタン １−ガラ−１−フルオロシクロへブタン１−アルミナ−
１−フルオロシクロヘキサン１−ガラ−１−ヘプタフル
オロプロピルシクロベンタン ｌ−ガラ−１（Ｘ−ＣＪｓ）シクロペンタン１−インダ
ー１−　（Ｘ−Ｃ３Ｆア）シクロヘキサン１−ガラ１　
　（Ｘ−Ｃ４Ｆ９）　シクロヘン９７゜式■の化合物は
、上昇した温度で分解して相当する金属を遊離するので
、ＨＯＣＶＤエピタキシまたはＨＯＣＶＤ法に非常に適
している。これらの化合物は、また、フォト−ＨｏＶＰ
、レーザーＣＶＤまたはＭＯＭＳのような他の気相沈着
法にも適している。

式Ｉの化合物は、文献［例えば、５ｔｕｔｔＱａｒｔの
Ｇｅｏｒｇ　Ｔｈ１ｅｎｅ　ＶｅｒｌａｇのＧ　Ｂａｈ
ｒおよびＰ、ＢＩＪｒ−ｂａ　：　Ｈｅｔｈｏｄｅｎ　
ｄｅｒ　Ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ　Ｃｈｅｎｉｅ　、　
Ｂｄ。

Ｘ　ｍ／’４　（１９７０年）］に記載されて１）るよ
うなそれ自体既知の方法によってそして特に萌記反応に
対して知られそして適当である反応条件下において製造
される。また、本明細書にお〜１ては述べていないけれ
ども、それ自体知られて（する変形も使用することがで
きる。

このように、式Ｉの化合物は、例えば、不活性溶剤中で
金属アルキルクロライドを相当するルイス塩基のアルカ
リ−金属オルガニルまた番よグリニヤール化合物と反応
させること番；よって製造することができる。

反応は、好適には、不活性溶剤中で行われる。

また、反応を妨害しないそして反応に関与しないすべて
の溶剤が適している０反応温度番よ、本質的に、同様な
化合物の製造に対して文献力）ら知られている温度に相
当する。

何れかの望ましい基質上にうすいフィルムまたはエピタ
キシャル層を形成する本発明の方法においては、それ自
体知られている有機金属化合物の気相沈着法において出
発化合物として式Ｉの分子内的に安定化された有機金属
化合物が（重用される。

化合物半導体を製造するためには、使用される反応条件
下においてガス状である砒素、アンチモンまたは鱗の化
合物例えばＡＳＨａ、＾３（ＣＨ３）ａ、Ｐ１１３また
はＳｂｌ＋３の１種またはそれ以上を、沈着のプロセス
中に、分解室に加える。

本発明の方法の更に他の変形は、本発明の式Ｉの有機金
属化合物のほかに、沈着プロセス中にドーピング剤（ｄ
ＯＤａｎｔ　’）を加えることである。

この点に関して、鉄、マグネシウム、亜鉛またはクロム
などの金属の揮発性の有機金属化合物がドーピング剤と
して使用される。この目的に対して好適な化合物として
は、例えば、２ｎ（ＣＨａ）２、ＨＱ　（Ｃ１ｌａ　）
２またはＦｅ（ＣｚＨｓ）２が考慮される。

本発明の方法によって形成された層は、電子工学または
光電子工学の回路成分、化合物半導体またはレーザーを
製造するために使用することができる。

熱力学的な理由で、現在使用されているエピタキシャル
プラントにおけるエピタキシャル層として、ＭＭ金属ア
ルキルのわずか約１〜１０％を沈着することができるに
すぎないので、極端な感受性のなめに回収することがで
きない過剰の金属アルキルの分解は実質的な問題として
存在しているが、これに対し、本発明の式Ｉの化合物は
、高度な安定性のために安全な分解および価値ある第１
１ＩＢ族の化合物の回収に対して新らしい可能性を提供
するものである。

以下、実施例により、本発明をより詳細に説明する。温
度は、Ｃおよび゛に（に６１ｙｉｎ）で示され、１．ｐ
、は融点、ｂ、　Ｏ，は沸点である。

実施例１ 沃素で活性化されたマグネシウム片０，６４モルを、ジ
エチルエーテル２００ｎｊに入れる。　１．４−ジクロ
ロブタン０．１６モルを加えた後、混合物を還流下で３
時間加熱する。

ジエチルエーテル２ＳＯｒＨＪ中の３〜ジメチルアミン
プロピルガリウムジクロライド０，１５モルを、０°で
このグリニヤール溶液に加える９反応混合物を、室温で
更に１時間撹拌し、揮発性成分を２００°までの浴温お
よび１０−２ミリバールの圧力で溜去しそして溜出物を
分別蒸溜して空気中で安定な透明な液体として１−ガラ
−１−（３−ジメチルアミノプロピル）シクロペンタン
を得る。

ＶｔＸスペクトル＝ｎ／　ｅ　（ｒ　、ｅ　１　、　）
　＝２２５　（３５；　　Ｈ”　＞１８２　（５２；　
　Ｈ”　　−Ｃ３１１７）１５５（４０，Ｈ”　　−Ｃ
５Ｈ，。）８６（５３；　　（Ｃｔ（ｓ）２−Ｎ−（Ｃ
１ｌ□）３＋）５８（１００；　　［ＣＩＩａ）ｚＮｃ
ｔｌｚ’　）　。

同様にして、次の化合物が製造される。

■−ガラー１−（２−ジメチルアミノエチル）シクロペ
ンタン ｌ−ガラ−１−（２−ジエチルアミンエチル）シクロペ
ンタン １−ガラ−１−（２−ジプロピルアミンエチル）シクロ
ペンタン １−ガラ−１−（２−ジイソプロピルアミノ。

エチル）シクロペンタン １−カラー１−（２−ジブチルアミノエチル）ジクロペ
ンタン ｌ−ガラ−１−（３−ジエチルアミノプロビル）シクロ
ペンタン ■−ガラー１−（３−ジブチルアミノ１０ビル）シクロ
ペンタン ■−ガラー１−（３−ジイソプロピルアミノブチル）シ
クロペンタン ■−ガラー１−（３−ジブチルアミノ１０ビル）シクロ
ペンタン １−ガラ−１−（４−ジメチルアミノブチル）シクロペ
ンタン ｌ−ガラ−１−（４−ジエチルアミノブチル）シクロペ
ンタン ■−ガラー１−（４−ジイロピルアミノブチル）シクロ
ペンタン １−ガラ−１−（１１−ジイソプロピルアミノブチル）
シクロペンタン 】−ガラ−１−（４−ジブチルアミノブチル）シクロベ
ンクン ■−アルミナー１−（３−ジメチルアミンプロピル）シ
クロペンタン ■−アルミナー１−（３−ジエチルアミノプロビル）シ
クロペンタン １−アルミナ−１−（３−ジプロビルアミノグロピル）
シクロペンタン １−アルミナ−１−（３−ジイソグロビルアミノグロビ
ル）シクロペンタン ■−アルミナー１−（３−ジブチルアミノプロピル）シ
クロペンタン ｌ−アルミナ−１−（２−ジメチルアミノエチル）シク
ロペンタン ■−アルミナー１−（２−ジエチルアミンエチル）シク
ロペンタン ｌ−アルミナ−１−（２−ジブロピルアミノエチル）シ
クロペンタン １−アルミナ−１−（２−ジイソプロピルアミンエチル
）シクロペンタン １−アルミナ−１−（２−ジブチルアミノエチル）シク
ロペンタン １−アルミナ−１−（４−ジメチルアミノブチル）シク
ロペンタン １−アルミナ−１−（４−ジエチルアミノブチル）シク
ロペンタン １−アルミナ−１−（４−ジプロピルアミノブチル）シ
クロペンタン １−アルミナ−１−（４−ジイソプロピルアミノブチル
）シクロペンタン １−アルミナ−１−（４−ジブチルアミノブチル）シク
ロペンタン １−インダー１−（３−ジメチルアミノプロピル）シク
ロペンタン ■−インダー１−（３−ジエチルアミノプロピル）シク
ロペンタン １−インダー１−（３−ジプロピルアミノプロピル）シ
クロペンタン ■−インダート−（３−ジイソプロピルアミノプロピル
）シクロペンタン １−インダー１−（３−ジブチルアミノ１０ピル）シク
ロペンタン １−インダー１−（２−ジメチルアミノエチル）シクロ
ペンタン 】−インダー１−（２−ジエチルアミンエチル）シクロ
ペンタン １−インダー１−（２−ジプロピルアミンエチル）シク
ロペンタン １−インダー１−（２−ジイソプロピルアミンエチル）
シクロペンタン １−インダー１−（２−ジブチルアミノエチル）シクロ
ペンタン １−インダー１−（４−ジメチルアミノブチル）シクロ
ペンタン １−インダー１−（４−ジエチルアミノブチル）シクロ
ペンタン １−インダー１−（４−ジプロピルアミノブチル）シク
ロペンタン １−インダー１−（ｔｌ−ジイソプロピルアミノブチル
）シクロペンタン １−インダー１−（４−ジブチルアミノブチル）シクロ
ペンタン。

実施例２ 沃素で活性化されたマグネシウム片０．２５モルを、ジ
エチルエーテル１００ｎｆｌ中に入れる。１．５ジクロ
ロペンタン０．０６モルを室温で加えた後、混合物を還
流下で３時間加熱する。

マグネシウムから傾瀉分離したこのグリニヤール溶液と
３−ジメチルアミノプロピルガリウムジクロライド０．
００モルを、エーテル１５０１ｊに溶解した溶液とを反
応させるために、はげしく撹拌しながら、同時に一緒に
する。

次に、反応混合物を、室温で撹拌する。この揮発性成分
を、１８０°までの浴温および１０−２ミリバールで溜
去しそして再び分別蒸溜する。これによって、水のよう
に透明な液体として１−ガラ−１−（３−ジメチルアミ
ノプロピル）シクロヘキサンが得られる。このものは、
空気中で安定である。

質量スペクトル：　ｎ／ｅ　ｆｌ、、１．）　＝２１０
１７；　　Ｈ”　）１５５　（４０；　　Ｈ”　、−Ｃ
ａ１１６）８６（６６；　　（Ｃｔｌａ）２Ｎ−（Ｃ１
１２）３’）５８（１００；　　（Ｃ１ｌａ）２Ｎ−Ｃ
Ｈ２”　）　。

同様にして、次の化合物が製造される。

１−ガラ−１−（３−ジエチルアミノプロピル）シクロ
ヘキサン ｌ−ガラ−１−（３−ジプロピルアミノプロピル）シク
ロヘキサン １−ガラ−１−（３−ジイソプロピルアミノ１０ビル）
シクロヘキサン ■−ガラー１−（３−ジブチルアミノプロピル）シクロ
ヘキサン ■−ガラー１−（２−ジメチルアミノエチル）シクロヘ
キサン １−ガラ−１−（２−ジエチルアミノエチル）シクロヘ
キサン ■−ガラー１−（２−ジグロビルアミノエチル）シクロ
ヘキサン １−ガラ−１−（２−ジイソプロピルアミンエチル）シ
クロヘキサン １−ガラ−１−（２−ジブチルアミノエチル）シクロヘ
キサン ■−ガラー１−（１１−ジメチルアミノブチル）シクロ
ヘキサン １−ガラ−１−（４−ジエチルアミノブチル）シクロヘ
キサン １−ガラ−１−（１１−ジプロピルアミノブチル）シク
ロヘキサン １−ガラ−１−（４−ジイソプロピルアミノブチル）シ
クロヘキサン １−ガラ−１−（１１−ジブチルアミノブチル）シクロ
ヘキサン ■−アルミナー１−（３−ジメチルアミノプロピル）シ
クロヘキサン １−アルミナ−１−（３−ジエチルアミノプロビル）シ
クロヘキサン ■−アルミナー１−（３−ジプロピルアミノプロピル）
シクロヘキサン １−アルミナ−１−（３−ジイソプロピルアミノプロピ
ル）シクロヘキサン ■−アルミナー１−（３−ジブチルアミノプロピル）シ
クロヘキサン １−アルミナ−１−（２−ジメチルアミノエチル）シク
ロヘキサン １−アルミナ−１−（２−ジエチルアミノエチル）シク
ロヘキサン １−アルミナ−１−（２−ジプロピルアミノエチル）シ
クロヘキサン １−アルミナ−１−（２−ジイソプロピルアミノエチル
）シクロヘキサン １−アルミナ−１−（２−ジブチルアミノエチル）シク
ロヘキサン １−アルミナ−１−（４−ジメチル７゛ミノブチル）シ
クロヘキサン ｌ−アルミナ−１−（４−ジエチルアミノブチル）シク
ロヘキサン １−アルミナ−１−（４−ジプロピルアミノブチル）シ
クロヘキサン １−アルミナ−１−（４−ジイソプロピルアミノブチル
）シクロヘキサン １−アルミナ−１−（４−ジブチルアミノブチル）シク
ロヘキサン １−インダー１−（３−ジメチルアミノプロピル）シク
ロヘキサン １−インダー１−（３−ジエチルアミノプロビル）シク
ロヘキサン １−インダー１−（３−ジプロピルアミノプロピル）シ
クロヘキサン １−インダー１−（３−ジイソプロピルアミノプロピル
）シクロヘキサン １−インダー１−（３−ジブチルアミノプロピル）シク
ロヘキサン １−インダー１〜（２−ジメチルアミノエチル）シクロ
ヘキサン １−インダー１−（２−ジエチルアミノエチル）シクロ
ヘキサン １−インダー１−（２−ジプロピルアミノエチル）シク
ロヘキサン １−インダー１−（２−ジイソプロピルアミノエチル）
シクロヘキサン １−インダー１−（２−ジブチルアミノエチル）シクロ
ヘキサン １−インダー１．−　（１１−ジメチルアミノブチル）
シクロヘキサン １−インダー１−（４−ジエチルアミノブチル）シクロ
ヘキサン １−インダー１−（４−ジプロピルアミノブチル）シク
ロヘキサン ■−インダー１−（４−ジイソプロピルアミノエチル）
シクロヘキサン ｌ−インダー１〜（１１−ジブチルアミノブチル）シク
ロヘキサン 実施例Ａ　（薄フイルム製造例） 実施例２によって製造した１−ガラ−１−（３−ジメチ
ルアミノプロピル）シクロヘキサンを「バブラー」に充
填し、次いで、不活性ガスに対するガス導入口および分
解室に接続する。

反応器中における試薬の分圧に応じて分解が約７００°
の温度でガリウムの沈着を伴って起る。

実施例Ｂ 低圧ＭＯＣνＤプラント（１０００〜２０００Ｐａ　）
中で（３−ジメチルアミノプロピル）−１−ガラシクロ
ヘキサンおよび＾５１１３を使用して、エピタキシャル
生長が行われる。この生長温度は、８５０におよび１０
５０にの間であった。７７ＫにおけるエピタキシャルＧ
ａＡｓ層における電子のモビリティは、チャージキャリ
ア°−ａ　Ｉ＝　ｎ　？？＝　８　Ｘ　１０”　ｃｍ　
−’でμ７□＝　５１０００　ｃｄ　／’　ＶＳであっ
た。窒素の混入は、ＦＡ察されなかった。

実施例Ｃ 低圧ＨＯＣＶＤプラント（１０００〜２０００Ｐａ）中
で（３−ジメチルアミノプロピル）−１−アルミナシク
ロヘキサン、ＥｔａＧａおよびＡ　ｓ　Ｈａを使用して
、エピタキシャル生長が行われた。この生長温度は、８
５０におよび１０５０にの間であった。７７Ｋにおける
エピタキシャル生長ＡＩＧａＡＳ層における電子のモビ
リティは、μ７７＝　６９００ａｄ　／’　ＶＳであつ
窒素の混入は、 観察されなかった。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、式 I ▲数式、化学式、表等があります▼ I ［式中、 Ｍは、アルミニウム、ガリウムまたはインジウムであり
   、 ｎは、１、２、３、４、５または６でありＸは、−（Ｃ
   ＨＲ＾４）＿ｍ−（式中、ｍは、１、２、３、４または
   ５である） Ｏ−（ＣＨ＿２）ｐ−Ｃ＿６Ｈ＿４−（ＣＨ＿２）ｑ−
   、Ｏ−（ＣＨ＿２）ｐ−Ｃ＿６Ｈ＿１＿０−（ＣＨ＿２
   ）ｑ−、Ｏ−（ＣＨ＿２）ｐ−Ｃ＿６Ｈ＿８−（ＣＨ＿
   ２）ｑ−、Ｏ−（ＣＨ＿２）ｐ−Ｃ＿８Ｈ＿６（ＣＨ＿
   ２）ｑ−、Ｏ−（ＣＨ＿２）ｐ−Ｃ＿５Ｈ＿８−（ＣＨ
   ＿２）ｑ−、Ｏ−（ＣＨ＿２）ｐ−Ｃ＿５Ｈ＿６−（Ｃ
   Ｈ＿２）ｑ−、Ｏ−（ＣＨ＿２）ｐ−Ｃ＿５Ｈ＿４−（
   ＣＨ＿２）ｑ−、Ｏ−（ＣＨ＿２）ｐ−Ｃ＿４Ｈ＿６−
   （ＣＨ＿２）ｑ−、でありそしてＹが−Ｆ、−ＣＦ＿３
   、−Ｃ＿２Ｆ＿５、−Ｃ＿３Ｆ＿７または−Ｃ＿４Ｆ＿
   ９である場合は、また単結合であることができ、 ｐおよびｑは、それぞれの場合において互に独立して、
   ０、１、２または３であり、 Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３およびＲ＾４は、それぞれの場
   合において互に独立して、Ｈであるか、または１〜４個
   の炭素原子を含有するアルキルであり、Ｙは、−ＮＲ＾
   ５Ｒ＾６、−ＰＲ＾５Ｒ＾６、−ＡＳＲ＾５Ｒ＾６、−
   ＳｂＲ＾５Ｒ＾６、−Ｆ、−ＣＦ＿３、−Ｃ＿２Ｆ＿５
   、−Ｃ＿３Ｆ＿７または−Ｃ＿４Ｆ＿９であり、そして
   、 Ｒ＾５およびＲ＾６は、それぞれの場合において互に独
   立して、１〜８個の炭素原子を含有するアルキル基（こ
   のアルキル基は部分的にまたは完全に弗素化されていて
   もよい）、シクロアルキル基、それぞれの場合において
   ３〜８個の炭素原子を含有するアルケニル基またはシク
   ロアルケニル基、またはフェニル基である］ で表わされる環状有機金属化合物。 ２、基質上の金属の気相沈着に使用される請求項１記載
   の式 I の環状有機金属化合物。 ３、エピタキシャル層の沈着に使用される請求項１記載
   の式 I の環状有機金属化合物。 ４、使用する有機金属化合物が請求項１記載の式 I の
   化合物であることを特徴とする有機金属化合物からの金
   属の気相沈着により基質上にうすいフィルムを形成する
   方法。 ５、化合物半導体を形成するために、使用される反応条
   件下においてガス状である砒素、アンチモン、または燐
   の化合物の１種またはそれ以上を沈着方法中供給するこ
   とを特徴とする請求項４記載の方法。 ６、前記式 I の有機金属化合物のほかに、ドーピング
   剤を上記の沈着方法中に、添加することを特徴とする請
   求項４記載の方法。