JP3386793B2 - へテロ金属酸化物膜の製造方法 - Google Patents
へテロ金属酸化物膜の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01D—COMPOUNDS OF ALKALI METALS, i.e. LITHIUM, SODIUM, POTASSIUM, RUBIDIUM, CAESIUM, OR FRANCIUM
- C01D15/00—Lithium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/06—Aluminium compounds
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、式ＬｉＯＲ’・
（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2（ここで、ＭはＡｌまたはＧａのよう
な１３族元素、ＲはＣ1-10アルキル基、Ｒ’はＣ2-10ア
ルキル基である）の揮発性有機金属化合物を用いるＬｉ
ＭＯ2型ヘテロ金属酸化物膜の製造方法に関する。
（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2（ここで、ＭはＡｌまたはＧａのよう
な１３族元素、ＲはＣ1-10アルキル基、Ｒ’はＣ2-10ア
ルキル基である）の揮発性有機金属化合物を用いるＬｉ
ＭＯ2型ヘテロ金属酸化物膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬｉＡｌＯ2およびＬｉＧａＯ2のような
ＬｉＭＯ2型ヘテロ金属酸化物は結晶定数（ａ−軸）が
ＧａＮの場合とほとんど同じであるため、その上に青色
発光ＧａＮ膜を蒸着する工程に非常に有用であろうとい
うことが理論および実験に基づいた研究によって予測さ
れている（Nicholls,J.F.H.et al.,“Growth and optic
al properties of GaN grown by MBE on novel lattice
-matched oxide substrates"in Gallium Nitride and R
elated Materials;and Ponce,F.A.et al.,eds.Material
s Research Society Symposium Proceedings,395,pp.53
5-539(Materials Reserch Society,Pittsburgh,PA,USA,
1990)）。
ＬｉＭＯ2型ヘテロ金属酸化物は結晶定数（ａ−軸）が
ＧａＮの場合とほとんど同じであるため、その上に青色
発光ＧａＮ膜を蒸着する工程に非常に有用であろうとい
うことが理論および実験に基づいた研究によって予測さ
れている（Nicholls,J.F.H.et al.,“Growth and optic
al properties of GaN grown by MBE on novel lattice
-matched oxide substrates"in Gallium Nitride and R
elated Materials;and Ponce,F.A.et al.,eds.Material
s Research Society Symposium Proceedings,395,pp.53
5-539(Materials Reserch Society,Pittsburgh,PA,USA,
1990)）。
【０００３】このような研究から、Ｓｉウエハ上に成長
したＬｉＯ2型膜がＧａＮ膜蒸着用緩衝層として有用で
あると考えられる。
したＬｉＯ2型膜がＧａＮ膜蒸着用緩衝層として有用で
あると考えられる。
【０００４】このような有用性にも拘らず、これまでＬ
ｉＭＯ2型酸化物の製造のための化学蒸着（ＣＶＤ）工
程に用いられ得る適切な有機金属前駆体化合物がなかっ
たためＬｉＭＯ2膜をうまく製造できなかった。
ｉＭＯ2型酸化物の製造のための化学蒸着（ＣＶＤ）工
程に用いられ得る適切な有機金属前駆体化合物がなかっ
たためＬｉＭＯ2膜をうまく製造できなかった。
【０００５】したがって、このような前駆体化合物の製
造方法を開発する必要性が要求されている。
造方法を開発する必要性が要求されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、ＬｉＭＯ2（ここでＭは１３族元素である）型
ヘテロ金属酸化物膜の製造方法を提供することである。
目的は、ＬｉＭＯ2（ここでＭは１３族元素である）型
ヘテロ金属酸化物膜の製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、式Ｌｉ
ＯＲ’・（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2（ここで、Ｍは１３族元素、
ＲはＣ1-10アルキル基、Ｒ’はＣ2-10アルキル基であ
る）の揮発性有機金属化合物の蒸気を３００℃以上の温
度に加熱した基板に接触させる工程を含む前記膜の製造
方法が提供される。
ＯＲ’・（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2（ここで、Ｍは１３族元素、
ＲはＣ1-10アルキル基、Ｒ’はＣ2-10アルキル基であ
る）の揮発性有機金属化合物の蒸気を３００℃以上の温
度に加熱した基板に接触させる工程を含む前記膜の製造
方法が提供される。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる有機金属化合
物は、Ｌｉ：Ｍ：Ｏの原子比が１：１：２である、式Ｌ
ｉＯＲ’・（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2の高揮発性化合物である。
したがって、これは、基板上にＬｉＭＯ2型ヘテロ金属
酸化物膜を蒸着するための化学蒸着工程に有効に用いる
ことができる。式ＬｉＯＲ’・（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2の有機
金属化合物において、ＭはＡｌまたはＧａのような１３
族元素、ＲはＣ1-10アルキル基、Ｒ’はＣ2-10アルキル
基である。本発明の実施において好ましい化合物は、リ
チウムジメチルアルミニウムイソプロポキシド（ＬｉＯ
Ｐｒi・（ＰｒiＯ）ＡｌＭｅ2）；リチウムジメチルア
ルミニウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ＬｉＯＢｕt・（Ｂ
ｕtＯ）ＡｌＭｅ2）；およびリチウムジメチルガリウム
イソプロポキシド（ＬｉＯＰｒi・（ＰｒiＯ）ＧａＭｅ
2）である。
物は、Ｌｉ：Ｍ：Ｏの原子比が１：１：２である、式Ｌ
ｉＯＲ’・（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2の高揮発性化合物である。
したがって、これは、基板上にＬｉＭＯ2型ヘテロ金属
酸化物膜を蒸着するための化学蒸着工程に有効に用いる
ことができる。式ＬｉＯＲ’・（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2の有機
金属化合物において、ＭはＡｌまたはＧａのような１３
族元素、ＲはＣ1-10アルキル基、Ｒ’はＣ2-10アルキル
基である。本発明の実施において好ましい化合物は、リ
チウムジメチルアルミニウムイソプロポキシド（ＬｉＯ
Ｐｒi・（ＰｒiＯ）ＡｌＭｅ2）；リチウムジメチルア
ルミニウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ＬｉＯＢｕt・（Ｂ
ｕtＯ）ＡｌＭｅ2）；およびリチウムジメチルガリウム
イソプロポキシド（ＬｉＯＰｒi・（ＰｒiＯ）ＧａＭｅ
2）である。
【０００９】有機金属化合物は、国際公開第ＷＯ９７／
２９１１２号に記載の方法に従って製造することができ
る。すなわち、下記のようにジアルキル金属アルコキシ
ド（（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2）を直接リチウムアルコキシド
（Ｌｉ（ＯＲ’））と１：１のモル比で反応させて目的
とする生成物を得る： ＬｉＯＲ’＋（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2 → ＬｉＯＲ’・
（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2 式中、Ｍ、ＲおよびＲ’は前記定義の通りである。
２９１１２号に記載の方法に従って製造することができ
る。すなわち、下記のようにジアルキル金属アルコキシ
ド（（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2）を直接リチウムアルコキシド
（Ｌｉ（ＯＲ’））と１：１のモル比で反応させて目的
とする生成物を得る： ＬｉＯＲ’＋（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2 → ＬｉＯＲ’・
（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2 式中、Ｍ、ＲおよびＲ’は前記定義の通りである。
【００１０】得られた有機金属化合物は好ましくは室温
〜１００℃の範囲の温度で気化し得る。
〜１００℃の範囲の温度で気化し得る。
【００１１】ＬｉＭＯ2型ヘテロ金属酸化物膜は、前記
有機金属化合物を、７．５×１０-6〜１．５×１０-2Ｔ
ｏｒｒの圧力下で３００℃以上、好ましくは５×１０-3
〜１．２×１０-2Ｔｏｒｒの圧力下で３００℃〜６００
℃の温度に予熱した基板表面と接触させることによって
基板上に蒸着することができる。
有機金属化合物を、７．５×１０-6〜１．５×１０-2Ｔ
ｏｒｒの圧力下で３００℃以上、好ましくは５×１０-3
〜１．２×１０-2Ｔｏｒｒの圧力下で３００℃〜６００
℃の温度に予熱した基板表面と接触させることによって
基板上に蒸着することができる。
【００１２】本発明の実施に使用され得る基板は、膜蒸
着温度以上で安定な無機固体であって、たとえば、ガラ
ス、水晶、珪素、ヒ化ガリウム、サファイア、ニオブ酸
アルカリ金属、チタン酸アルカリ土類金属、窒化ガリウ
ム、窒化ニオブなどがある。
着温度以上で安定な無機固体であって、たとえば、ガラ
ス、水晶、珪素、ヒ化ガリウム、サファイア、ニオブ酸
アルカリ金属、チタン酸アルカリ土類金属、窒化ガリウ
ム、窒化ニオブなどがある。
【００１３】これらのうち、コーティングされた基板を
電気的用途に用いる場合、珪素、ヒ化ガリウムおよびサ
ファイアの単結晶が好ましい。
電気的用途に用いる場合、珪素、ヒ化ガリウムおよびサ
ファイアの単結晶が好ましい。
【００１４】
【実施例】下記製造例および実施例は本発明の特定態様
を説明するためのものであり、本発明の範囲を制限しな
い。
を説明するためのものであり、本発明の範囲を制限しな
い。
【００１５】また、各実施例において、有機金属化合物
で処理した後、得られたコーティングされた基板は空気
への露出を最小化するため直ちにＸ線光電子分光器に移
した。
で処理した後、得られたコーティングされた基板は空気
への露出を最小化するため直ちにＸ線光電子分光器に移
した。
【００１６】製造例１：リチウムジメチルアルミニウム
イソプロポキシド（ＬｉＯＰｒi・（ＰｒiＯ）ＡｌＭｅ
2）の合成 リチウムイソプロポキシド３．５５ｇ（５３．８ｍｍｏ
ｌ）を、ジエチルエーテルに溶解したジメチルアルミニ
ウムイソプロポキシド６．２５ｇ（５３．８ｍｍｏｌ）
に加えて一日間攪拌した。この混合物を減圧蒸留して溶
媒を除去した後、固形残渣を１１０℃で真空昇華させて
白色固体状の標題化合物８．９８ｇ（４９．３ｍｍｏ
ｌ，収率９２％）を得た。
イソプロポキシド（ＬｉＯＰｒi・（ＰｒiＯ）ＡｌＭｅ
2）の合成 リチウムイソプロポキシド３．５５ｇ（５３．８ｍｍｏ
ｌ）を、ジエチルエーテルに溶解したジメチルアルミニ
ウムイソプロポキシド６．２５ｇ（５３．８ｍｍｏｌ）
に加えて一日間攪拌した。この混合物を減圧蒸留して溶
媒を除去した後、固形残渣を１１０℃で真空昇華させて
白色固体状の標題化合物８．９８ｇ（４９．３ｍｍｏ
ｌ，収率９２％）を得た。
【００１７】1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ベンゼン−
ｄ6）δ−０．０４（ｓｉｎｇｌｅｔ，Ａｌ（Ｃ
Ｈ3）2，６Ｈ），１．６０（ｄｏｕｂｌｅｔ，ＯＣＨ(C
H3)2，２４Ｈ），４．２０（ｓｅｐｔｅｔ，ＯＣＨ(C
H3)2，２Ｈ） ｍ．ｐ．：７８℃ 蒸気圧：３０℃で７．８×１０-2Ｔｏｒｒ。
ｄ6）δ−０．０４（ｓｉｎｇｌｅｔ，Ａｌ（Ｃ
Ｈ3）2，６Ｈ），１．６０（ｄｏｕｂｌｅｔ，ＯＣＨ(C
H3)2，２４Ｈ），４．２０（ｓｅｐｔｅｔ，ＯＣＨ(C
H3)2，２Ｈ） ｍ．ｐ．：７８℃ 蒸気圧：３０℃で７．８×１０-2Ｔｏｒｒ。
【００１８】製造例２：リチウムジメチルアルミニウム
ｔｅｒｔ−ブトキシド（ＬｉＯＢｕt・（ＢｕtＯ）Ａｌ
Ｍｅ2）の合成 アルミニウムｔｅｒｔ−ブトキシド６．４６ｇ（２６．
２ｍｍｏｌ）を、ジエチルエーテルに溶解したトリメチ
ルアルミニウム３．７８ｇ（５２．４ｍｍｏｌ）に加
え、一日間攪拌してジメチルアルミニウムｔｅｒｔ−ブ
トキシドを得た。これに、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシ
ド６．３０ｇ（７８．６ｍｍｏｌ）を加え、一日間攪拌
した。この混合物を減圧蒸留して溶媒を除去した後、得
られた固形残渣を１８０℃で真空昇華させて白色固体状
の標題化合物１０．５９ｇ（５０．４ｍｍｏｌ、収率６
４％）を得た。
ｔｅｒｔ−ブトキシド（ＬｉＯＢｕt・（ＢｕtＯ）Ａｌ
Ｍｅ2）の合成 アルミニウムｔｅｒｔ−ブトキシド６．４６ｇ（２６．
２ｍｍｏｌ）を、ジエチルエーテルに溶解したトリメチ
ルアルミニウム３．７８ｇ（５２．４ｍｍｏｌ）に加
え、一日間攪拌してジメチルアルミニウムｔｅｒｔ−ブ
トキシドを得た。これに、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシ
ド６．３０ｇ（７８．６ｍｍｏｌ）を加え、一日間攪拌
した。この混合物を減圧蒸留して溶媒を除去した後、得
られた固形残渣を１８０℃で真空昇華させて白色固体状
の標題化合物１０．５９ｇ（５０．４ｍｍｏｌ、収率６
４％）を得た。
【００１９】1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ベンゼン
ｄ6）δ−１．１０（ｓｉｎｇｌｅｔ，Ａｌ（Ｃ
Ｈ3）2，６Ｈ），１．１５（ｓｉｎｇｌｅｔ，ＯＣ（Ｃ
Ｈ3）3，９Ｈ）。
ｄ6）δ−１．１０（ｓｉｎｇｌｅｔ，Ａｌ（Ｃ
Ｈ3）2，６Ｈ），１．１５（ｓｉｎｇｌｅｔ，ＯＣ（Ｃ
Ｈ3）3，９Ｈ）。
【００２０】製造例３：リチウムジメチルガリウムイソ
プロポキシド（ＬｉＯＰｒi・（ＰｒiＯ）ＧａＭｅ2）
の合成 リチウムイソプロポキシド１．３２ｇ（２０．０ｍｍｏ
ｌ）を、ジエチルエーテルに溶解したジメチルガリウム
イソプロポキシド３．１８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）に加
え、一日間攪拌した。溶媒を減圧下で除去して白色固体
状の標題化合物３．８２ｇ（１７．０ｍｍｏｌ、収率８
５％）を得た。
プロポキシド（ＬｉＯＰｒi・（ＰｒiＯ）ＧａＭｅ2）
の合成 リチウムイソプロポキシド１．３２ｇ（２０．０ｍｍｏ
ｌ）を、ジエチルエーテルに溶解したジメチルガリウム
イソプロポキシド３．１８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）に加
え、一日間攪拌した。溶媒を減圧下で除去して白色固体
状の標題化合物３．８２ｇ（１７．０ｍｍｏｌ、収率８
５％）を得た。
【００２１】1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ベンゼン
ｄ6）δ−０．４７（ｓｉｎｇｌｅｔ，Ｇａ（Ｃ
Ｈ3）2，６Ｈ），１．１７（ｄｏｕｂｌｅｔ，ＯＣＨ
（ＣＨ3）2，１２Ｈ），４．０３（ｓｅｐｔｅｔ，ＯＣ
Ｈ（ＣＨ3）2，２Ｈ） ｍ．ｐ．：９℃ 蒸気圧：２９℃で９．５×１０-1Ｔｏｒｒ。
ｄ6）δ−０．４７（ｓｉｎｇｌｅｔ，Ｇａ（Ｃ
Ｈ3）2，６Ｈ），１．１７（ｄｏｕｂｌｅｔ，ＯＣＨ
（ＣＨ3）2，１２Ｈ），４．０３（ｓｅｐｔｅｔ，ＯＣ
Ｈ（ＣＨ3）2，２Ｈ） ｍ．ｐ．：９℃ 蒸気圧：２９℃で９．５×１０-1Ｔｏｒｒ。
【００２２】実施例１：ＬｉＡｌＯ2ヘテロ金属酸化物
膜の蒸着 製造例１で得られた化合物を５０℃で気化した後、この
蒸気を４００℃に予熱したＳｉ（１００）基板に１０時
間輸送してその上に膜を蒸着した。蒸着した膜のＸ線光
電子スペクトルにはリチウム、アルミニウム、酸素およ
び炭素に該当するピークのみが表れた。光電子ピーク面
積を比べて決定した膜表面の元素組成はリチウム：アル
ミニウムの原子比１．０：０．９に該当した。
膜の蒸着 製造例１で得られた化合物を５０℃で気化した後、この
蒸気を４００℃に予熱したＳｉ（１００）基板に１０時
間輸送してその上に膜を蒸着した。蒸着した膜のＸ線光
電子スペクトルにはリチウム、アルミニウム、酸素およ
び炭素に該当するピークのみが表れた。光電子ピーク面
積を比べて決定した膜表面の元素組成はリチウム：アル
ミニウムの原子比１．０：０．９に該当した。
【００２３】実施例２：ＬｉＡｌＯ2ヘテロ金属酸化物
膜の蒸着 製造例２で得られた化合物を６５℃で気化した後、この
蒸気を４００℃に予熱したＳｉ（１１１）基板に８時間
輸送してその上に膜を蒸着した。蒸着した膜のＸ線光電
子スペクトルにはリチウム、アルミニウム、酸素および
炭素に該当するピークのみが表れた。光電子ピーク面積
を比べて決定した膜表面の元素組成はリチウム：アルミ
ニウムの原子比１．０：１．１に該当した。
膜の蒸着 製造例２で得られた化合物を６５℃で気化した後、この
蒸気を４００℃に予熱したＳｉ（１１１）基板に８時間
輸送してその上に膜を蒸着した。蒸着した膜のＸ線光電
子スペクトルにはリチウム、アルミニウム、酸素および
炭素に該当するピークのみが表れた。光電子ピーク面積
を比べて決定した膜表面の元素組成はリチウム：アルミ
ニウムの原子比１．０：１．１に該当した。
【００２４】実施例３：ＬｉＧａＯ2ヘテロ金属酸化物
膜の蒸着 製造例３で得られた化合物を６０℃で気化した後、この
蒸気を４００℃に予熱したＳｉ（１００）基板に５時間
輸送してその上に膜を蒸着した。蒸着した膜のＸ線光電
子スペクトルにはリチウム、ガリウム、酸素および炭素
に該当するピークのみが表れた。光電子ピーク面積を比
べて決定した膜表面の元素組成はリチウム：ガリウムの
原子比１．０：０．９に該当した。
膜の蒸着 製造例３で得られた化合物を６０℃で気化した後、この
蒸気を４００℃に予熱したＳｉ（１００）基板に５時間
輸送してその上に膜を蒸着した。蒸着した膜のＸ線光電
子スペクトルにはリチウム、ガリウム、酸素および炭素
に該当するピークのみが表れた。光電子ピーク面積を比
べて決定した膜表面の元素組成はリチウム：ガリウムの
原子比１．０：０．９に該当した。
【００２５】上述のように、本発明の式ＬｉＯＲ’・
（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2の有機金属化合物は、室温〜１００℃
の範囲の温度で気化することができ、したがってＬｉＭ
Ｏ2型ヘテロ金属酸化物膜の化学蒸着に有効に用いるこ
とができる。さらに、本発明の有機金属化合物はＬｉＭ
Ｏ2型ヘテロ金属酸化物粉末の生産だけでなく、多孔性
物質にＬｉＭＯ2型酸化物を蒸気浸透（ＣＶＩ）させる
ことに使用することができる。
（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2の有機金属化合物は、室温〜１００℃
の範囲の温度で気化することができ、したがってＬｉＭ
Ｏ2型ヘテロ金属酸化物膜の化学蒸着に有効に用いるこ
とができる。さらに、本発明の有機金属化合物はＬｉＭ
Ｏ2型ヘテロ金属酸化物粉末の生産だけでなく、多孔性
物質にＬｉＭＯ2型酸化物を蒸気浸透（ＣＶＩ）させる
ことに使用することができる。
【００２６】本発明を具体的な実施態様と関連させて記
述したが、添付した特許請求の範囲によって定義される
本発明の範囲内で、当該分野の熟練者が本発明を多様に
変形および変化させ得ると理解されなければならない。
述したが、添付した特許請求の範囲によって定義される
本発明の範囲内で、当該分野の熟練者が本発明を多様に
変形および変化させ得ると理解されなければならない。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ク、ス、ジン
大韓民国 305−503 ダエジョン、ユセ
オン−グ、ソンガン−ドン、ナンバー８
−２、チェオンソル・アパート 206−
1205
(56)参考文献 特開 平４−294063（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−3171（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 16/40
ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (4)
- 【請求項１】 式ＬｉＯＲ’・（Ｒ’Ｏ）ＭＲ2（ここ
で、ＭはＡｌまたはＧａのような１３族元素、ＲはＣ
1-10アルキル基、Ｒ’はＣ2-10アルキル基である）の揮
発性有機金属化合物の蒸気を３００℃以上の温度に加熱
した基板に接触させる工程を含む、基板上にＬｉＭＯ2
型ヘテロ金属酸化物膜を製造する方法。 - 【請求項２】 前記１３族元素がＡｌまたはＧａである
請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記有機金属化合物が室温〜１００℃範
囲の温度で気化されることを特徴とする請求項１記載の
方法。 - 【請求項４】 前記基板が、珪素、ガラス、ヒ化ガリウ
ムまたはサファイアの単結晶である請求項１記載の方
法。
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| KR1019970065147A KR100266965B1 (ko) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 리튬과 13 족 금속의 알킬산알킬헤테로금속 화합물을 사용한 리튬과 13 족 금속의 복합 산화물의 제조방법 |
| KR1997/65147 | 1997-12-02 | ||
| PCT/KR1998/000394 WO1999028522A1 (en) | 1997-12-02 | 1998-12-02 | PROCESS FOR PREPARING A LiMO2 TYPE HETEROMETALLIC OXIDE FILM |
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| JP2001525489A JP2001525489A (ja) | 2001-12-11 |
| JP3386793B2 true JP3386793B2 (ja) | 2003-03-17 |
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| JP2000523392A Expired - Fee Related JP3386793B2 (ja) | 1997-12-02 | 1998-12-02 | へテロ金属酸化物膜の製造方法 |
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| JP (1) | JP3386793B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH04294063A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-19 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 溶融炭酸塩燃料電池用の高耐腐食性材料 |
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- 1997-12-02 KR KR1019970065147A patent/KR100266965B1/ko not_active IP Right Cessation
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1998
- 1998-12-02 AU AU15090/99A patent/AU1509099A/en not_active Abandoned
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2000
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| EP1036209A1 (en) | 2000-09-20 |
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