JPH02169563A - インダン誘導体の製法及びその合成中間体 - Google Patents
インダン誘導体の製法及びその合成中間体Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はトロンボキサンAt拮抗剤として有用なインダ
ン誘導体の製法及びその合成中間体に関する。
ン誘導体の製法及びその合成中間体に関する。
(従来の技術)
従来、〔2−(置換もしくは非置換ベンゼンスルホニル
アミノ)インダン−5−イル〕酢酸がトロンボキザンA
2 (ThromboxanA2、以下TxAzと称す
る)拮抗作用を有することが知られている(特開昭63
−23853 ”)。また、本発明者らは、種々研究の
結果、上記インダン化合物のカルボキシル基部位に低級
アルコキシカルボニル(またはカルボキシ)−低級アル
キルアミノ基を導入した一連の化合物が上記既知化合物
より一層優れたTxAt拮抗作用を有することを見出し
、特許出願(特願昭63−2891301) した。
アミノ)インダン−5−イル〕酢酸がトロンボキザンA
2 (ThromboxanA2、以下TxAzと称す
る)拮抗作用を有することが知られている(特開昭63
−23853 ”)。また、本発明者らは、種々研究の
結果、上記インダン化合物のカルボキシル基部位に低級
アルコキシカルボニル(またはカルボキシ)−低級アル
キルアミノ基を導入した一連の化合物が上記既知化合物
より一層優れたTxAt拮抗作用を有することを見出し
、特許出願(特願昭63−2891301) した。
(発明の構成及び効果)
本発明は、優れたTx/h拮抗作用を有することを見出
し、既に特許出願した下記−触式(1)で示されるイン
ダン誘導体またはその塩の新規製法に関する。
し、既に特許出願した下記−触式(1)で示されるイン
ダン誘導体またはその塩の新規製法に関する。
(但し、Rは置換もしくは非置換フェニル基、ナフチル
基または含硫複素環式基、R2は水素原子または低級ア
ルキル基、Rffは低級アルコキシカルボニル−低級ア
ルキル基またはカルボキシ−低級アルキル基を表す。) 本発明によれば、目的化合物(1)は−紋穴(但し、R
1は式−5o!Rで示される基または水素原子、Yは置
換もしくは非置換フェニルメルカプトメチレン基、低級
アルキルメルカプトメチレン基、ヒドロキシメチレン基
、ハロゲノメチレン基またはカルボニル基を表し、R、
R”及びR″は前記と同一意味を有する。) で示される化合物またはその塩を還元して基Yをメチレ
ン基に変換し、R1が水素原子である場合には、生成物
を次いで一般式 %式%() (但し、記号は前記と同一意味を有する。)で示される
スルボン酸化合物またはその反応性誘導体と縮合反応さ
せて製造することができる。
基または含硫複素環式基、R2は水素原子または低級ア
ルキル基、Rffは低級アルコキシカルボニル−低級ア
ルキル基またはカルボキシ−低級アルキル基を表す。) 本発明によれば、目的化合物(1)は−紋穴(但し、R
1は式−5o!Rで示される基または水素原子、Yは置
換もしくは非置換フェニルメルカプトメチレン基、低級
アルキルメルカプトメチレン基、ヒドロキシメチレン基
、ハロゲノメチレン基またはカルボニル基を表し、R、
R”及びR″は前記と同一意味を有する。) で示される化合物またはその塩を還元して基Yをメチレ
ン基に変換し、R1が水素原子である場合には、生成物
を次いで一般式 %式%() (但し、記号は前記と同一意味を有する。)で示される
スルボン酸化合物またはその反応性誘導体と縮合反応さ
せて製造することができる。
また目的化合物(1)に於て、R″がカルボキシ低級ア
ルキル基である化合物は、上記反応で得た目的化合物(
1)に於て、R″が低級アルコキシカルボニル−低級ア
ルキル基である化合物をさらに加水分解して製造するご
ともできる。
ルキル基である化合物は、上記反応で得た目的化合物(
1)に於て、R″が低級アルコキシカルボニル−低級ア
ルキル基である化合物をさらに加水分解して製造するご
ともできる。
上記反応に於て、原料化合物(n)としては、基Yがフ
ェニルメルカプトメチレン基、p−トリルメルカプトメ
チレンL p−クロロフェニルメルカプトメチレン基等
低級アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい
フェニルメルカプトメチレン基、メチルメルカプトメチ
レン基、エヂルメルカブトメチレン基、プロビルメルカ
プトメヂレン基等の低級アルキルメルカプトメチレン基
、ヒドロキシメチレン基、クロロメチレン基等のハロゲ
ノメチレン基及びカルボニル基である化合物を好適に用
いることができ、また、スルホン酸化合物(III)の
反応性誘導体としては、慣用の誘導体、例えばスルホニ
ルハライド化合物を適宜用いることができる。
ェニルメルカプトメチレン基、p−トリルメルカプトメ
チレンL p−クロロフェニルメルカプトメチレン基等
低級アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい
フェニルメルカプトメチレン基、メチルメルカプトメチ
レン基、エヂルメルカブトメチレン基、プロビルメルカ
プトメヂレン基等の低級アルキルメルカプトメチレン基
、ヒドロキシメチレン基、クロロメチレン基等のハロゲ
ノメチレン基及びカルボニル基である化合物を好適に用
いることができ、また、スルホン酸化合物(III)の
反応性誘導体としては、慣用の誘導体、例えばスルホニ
ルハライド化合物を適宜用いることができる。
原料化合物(n)またはその塩の還元反応は基Yの種類
に応じ、適宜実施することができる。例えば、基Yがカ
ルボニル基の場合、当該還元反応は触媒の存在下、接触
還元によって行うことができる。触媒としては、例えば
ラネーニッケル、ラネ°−コバルトまたはパラジウム系
触媒を用いるのが好ましく、シュウ酸との組み合わせが
更に好ましい0本反応は低級アルカノール、含水テトラ
ヒドロフラン等の溶媒中、室温〜加熱下で好適に進行す
る。一方、基Yが置換もしくは非置換フェニルメルカプ
トメチレン基、低級アルキルメルカプトメチレン基、ヒ
ドロキシメチレン基またはハロゲノメチレン基である場
合、還元反応は接触還元により実施できるほか、例えば
、重金属の存在下、酸処理して実施することもできる。
に応じ、適宜実施することができる。例えば、基Yがカ
ルボニル基の場合、当該還元反応は触媒の存在下、接触
還元によって行うことができる。触媒としては、例えば
ラネーニッケル、ラネ°−コバルトまたはパラジウム系
触媒を用いるのが好ましく、シュウ酸との組み合わせが
更に好ましい0本反応は低級アルカノール、含水テトラ
ヒドロフラン等の溶媒中、室温〜加熱下で好適に進行す
る。一方、基Yが置換もしくは非置換フェニルメルカプ
トメチレン基、低級アルキルメルカプトメチレン基、ヒ
ドロキシメチレン基またはハロゲノメチレン基である場
合、還元反応は接触還元により実施できるほか、例えば
、重金属の存在下、酸処理して実施することもできる。
前者の場合、接触還元は上記と同様の条件下で適宜実施
でき、一方後者の場合には重金属として例えば亜鉛、鉄
等を、また酸として例えば酢酸、プロピオン酸の如き有
機酸を用いるのが好ましい。本反応は冷却〜加熱下、と
りわけ加温下で実施するのが好ましい。基Yがいずれの
場合にも、原料化合物(I[)の塩としては、塩酸塩の
如き鉱酸等を適宜上記反応に用いることができる。
でき、一方後者の場合には重金属として例えば亜鉛、鉄
等を、また酸として例えば酢酸、プロピオン酸の如き有
機酸を用いるのが好ましい。本反応は冷却〜加熱下、と
りわけ加温下で実施するのが好ましい。基Yがいずれの
場合にも、原料化合物(I[)の塩としては、塩酸塩の
如き鉱酸等を適宜上記反応に用いることができる。
上記反応生成物とスルボン酸化合物(III)またはそ
の反応性誘導体との縮合反応は、脱酸剤の存在または非
存在下に実施することができる。脱酸剤としては、例え
ば炭酸アルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属、トリアル
キルアミン、ピリジン等慣用のものをいずれも用いるこ
とができる。本反応は適当な溶媒(例えば、水、酢酸エ
チル)中冷却〜加熱下で実施するのが好ましい。
の反応性誘導体との縮合反応は、脱酸剤の存在または非
存在下に実施することができる。脱酸剤としては、例え
ば炭酸アルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属、トリアル
キルアミン、ピリジン等慣用のものをいずれも用いるこ
とができる。本反応は適当な溶媒(例えば、水、酢酸エ
チル)中冷却〜加熱下で実施するのが好ましい。
また、かくして得た目的化合物(1)に於て、R3が低
級アルコキシカルボニル−低級アルキル基である化合物
の加水分解反応は、常法に従い、例えばアルカリ試薬ま
たは酸で処理して実施することができる。アルカリ試薬
としては例えば水酸化アルカリ金属を、酸としては例え
ば鉱酸を適宜用いることができる。本加水分解反応は適
当な溶媒(例えば水、低級アルカノール)中冷却〜加熱
下で実施するのが好ましい。
級アルコキシカルボニル−低級アルキル基である化合物
の加水分解反応は、常法に従い、例えばアルカリ試薬ま
たは酸で処理して実施することができる。アルカリ試薬
としては例えば水酸化アルカリ金属を、酸としては例え
ば鉱酸を適宜用いることができる。本加水分解反応は適
当な溶媒(例えば水、低級アルカノール)中冷却〜加熱
下で実施するのが好ましい。
なお、本発明の目的化合物(1)はインダン骨格の2位
に存在する不斉炭素原子に基づく2種の光学異性体及び
その混合物のいずれをも包含するが、上記反応はすべて
ラセミ化を伴わずに進行するため、光学活性な原料化合
物を用いれば、目的化合物(+)も光学活性体として得
ることができる。
に存在する不斉炭素原子に基づく2種の光学異性体及び
その混合物のいずれをも包含するが、上記反応はすべて
ラセミ化を伴わずに進行するため、光学活性な原料化合
物を用いれば、目的化合物(+)も光学活性体として得
ることができる。
また、本発明によれば、−数式(1)において、Rが例
えば低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子
、トリフルオロメチル基もしくは二1・四基で置換され
ていてもよいフェニル基、ナフチル基、またはチエニル
基の如き含硫複素環式基である目的物をいずれも製造す
ることができる。
えば低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子
、トリフルオロメチル基もしくは二1・四基で置換され
ていてもよいフェニル基、ナフチル基、またはチエニル
基の如き含硫複素環式基である目的物をいずれも製造す
ることができる。
本発明の目的化合物(1)またはその塩は、前述の如く
、優れたTxAda抗作用を有するため、血小板凝集抑
制剤として有用であり、例えば脳血栓症、冠状動脈血栓
症、肺血栓症、肺塞栓症、末梢血管塞栓症、血栓脈管炎
などの各種血栓症、塞栓症等の治療、緩和及び予防に用
いることができる。また、目的化合物(1)またはその
塩は心筋虚血、不安定狭心症、冠動脈中綿、クモ膜下出
血後の脳血管中綿、脳溢血、喘息等の治療・緩和及び予
防に用いることもできる。さらに、従来公知のTx/h
拮抗剤の中には、優れたTxA、拮抗作用を示す反面、
一過性のTxA、様作用をも示し、血小板凝集誘起作用
、気管支収縮作用、血管収縮作用等の副作用を伴うもの
があるが、本発明の目的化合物(I)は経口投与及び非
経口投与のいずれの場合にもかかるTxAgtm作用を
全(示さないという優れた特徴を有する。
、優れたTxAda抗作用を有するため、血小板凝集抑
制剤として有用であり、例えば脳血栓症、冠状動脈血栓
症、肺血栓症、肺塞栓症、末梢血管塞栓症、血栓脈管炎
などの各種血栓症、塞栓症等の治療、緩和及び予防に用
いることができる。また、目的化合物(1)またはその
塩は心筋虚血、不安定狭心症、冠動脈中綿、クモ膜下出
血後の脳血管中綿、脳溢血、喘息等の治療・緩和及び予
防に用いることもできる。さらに、従来公知のTx/h
拮抗剤の中には、優れたTxA、拮抗作用を示す反面、
一過性のTxA、様作用をも示し、血小板凝集誘起作用
、気管支収縮作用、血管収縮作用等の副作用を伴うもの
があるが、本発明の目的化合物(I)は経口投与及び非
経口投与のいずれの場合にもかかるTxAgtm作用を
全(示さないという優れた特徴を有する。
なお、本発明の原料化合物(II)は新規化合物であり
、例えば下記のようにして製造でき°る。
、例えば下記のようにして製造でき°る。
即ち、(1)−(t)−数式
(但し、R11は弐−So!Rで示される基またはアミ
ノ基の保護基を表し、Rは前記と同一意味を有する。)
で示される化合物と一般式 %式%() (但し、ylは置換もしくは非置換フェニルメルカプト
メチレン基、低級アルキルメルカプトメチレン基または
カルボニル基、Xはハロゲン原子を表し、R2及びR″
は前記と同一意味を有する。)で示される化合物とを適
当な溶媒(例えば1,2−ジクロロエタン)中、ルイス
酸触媒(例えば塩化アルミニウム)の存在下、縮合反応
させるか、(1)−(ti)化合物(IV)と−数式%
式%([) (但し、記号は前記と同一意味を有する。)で示される
化合物またはその反応性LMn体とを縮合反応させ、か
くして得た一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。)で示される
化合物もしくは“その反応性誘導体と一般式 %式%() (但し、記号は前記と同一意味を有する。)で示される
アミン化合物とをペプチド縮合の常法に従って縮合反応
させた後、 (2)所望により、生成物からアミノ基の保!I基(R
1)を除去し、 (3)Y’がカルボニル基である場合は、所望により、
緩和な条件下(例えば水素化ホウ素アルカリ金属)に還
元してヒドロキシメチレン基に変換し、さらに (4)所望により、ylがヒドロキシメチレン基の化合
物(II)をチオニルハライドで処理して製造すること
ができる。
ノ基の保護基を表し、Rは前記と同一意味を有する。)
で示される化合物と一般式 %式%() (但し、ylは置換もしくは非置換フェニルメルカプト
メチレン基、低級アルキルメルカプトメチレン基または
カルボニル基、Xはハロゲン原子を表し、R2及びR″
は前記と同一意味を有する。)で示される化合物とを適
当な溶媒(例えば1,2−ジクロロエタン)中、ルイス
酸触媒(例えば塩化アルミニウム)の存在下、縮合反応
させるか、(1)−(ti)化合物(IV)と−数式%
式%([) (但し、記号は前記と同一意味を有する。)で示される
化合物またはその反応性LMn体とを縮合反応させ、か
くして得た一般式 (但し、記号は前記と同一意味を有する。)で示される
化合物もしくは“その反応性誘導体と一般式 %式%() (但し、記号は前記と同一意味を有する。)で示される
アミン化合物とをペプチド縮合の常法に従って縮合反応
させた後、 (2)所望により、生成物からアミノ基の保!I基(R
1)を除去し、 (3)Y’がカルボニル基である場合は、所望により、
緩和な条件下(例えば水素化ホウ素アルカリ金属)に還
元してヒドロキシメチレン基に変換し、さらに (4)所望により、ylがヒドロキシメチレン基の化合
物(II)をチオニルハライドで処理して製造すること
ができる。
実施例1
(+)4−((2−アミノインダン−5−イル)オキサ
リルアミノ)−n−酪酸メチル塩酸塩4.09gに酢酸
エチル60−1炭酸カリウム4.98gを加え、水冷撹
拌下に水40mjを加え、更に4−クロロフェニルスル
ホニルクロリド2.48gの酢酸エチル40−溶液を滴
下し、室温で2時間撹拌する。反応後、酢酸エチル層を
分取し、洗浄、乾燥、濾過後、溶媒を留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒;クロロホル
ム)にて分離精製して4− ((2−((4−クロロフ
ェニル)スルホニルアミノコインダン−5−イル〕オキ
サリルアミノ)−n−酪酸メチル5゜67gを淡黄色粘
性油状物として得る。
リルアミノ)−n−酪酸メチル塩酸塩4.09gに酢酸
エチル60−1炭酸カリウム4.98gを加え、水冷撹
拌下に水40mjを加え、更に4−クロロフェニルスル
ホニルクロリド2.48gの酢酸エチル40−溶液を滴
下し、室温で2時間撹拌する。反応後、酢酸エチル層を
分取し、洗浄、乾燥、濾過後、溶媒を留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒;クロロホル
ム)にて分離精製して4− ((2−((4−クロロフ
ェニル)スルホニルアミノコインダン−5−イル〕オキ
サリルアミノ)−n−酪酸メチル5゜67gを淡黄色粘
性油状物として得る。
収率:100%
MS (m/e) : 479 (M ” +1l)(
2)本島0.60gのメタノール10M1溶液に、水冷
下水素化ホウ素ナトリウム25■を加え、20分間攪拌
する。溶媒を留去し、水及び酢酸エチルを加え、有機層
を分取、洗浄、乾燥後、溶媒を留去して4− (2−(
2−((4−クロロフェニル)スルホニルアミノコイン
ダン−5−イル〕−2−ヒドロキシアセチルアミノ)〜
n−酪酸メチル0.58gを無色油状物として得る。
2)本島0.60gのメタノール10M1溶液に、水冷
下水素化ホウ素ナトリウム25■を加え、20分間攪拌
する。溶媒を留去し、水及び酢酸エチルを加え、有機層
を分取、洗浄、乾燥後、溶媒を留去して4− (2−(
2−((4−クロロフェニル)スルホニルアミノコイン
ダン−5−イル〕−2−ヒドロキシアセチルアミノ)〜
n−酪酸メチル0.58gを無色油状物として得る。
収率:97%
FIS (m/e) : 481 (M ” +1I)
(3)本島0.63gの塩化メチレン1〇−溶液にチオ
ニルクロリド0.32dを加え、室温にて1時間攪拌す
る。溶媒を留去し、残渣を酢酸101R1に溶解し、亜
鉛末300■を加え、70℃にて1時間攪拌する。室温
まで冷却し、濾過後、溶媒を留去し、酢酸エチル及び水
を加え、有機層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、酢酸エ
チル−n−ヘキサン混液から再結晶して4− ((2−
((4−クロロフェニル)スルホニルアミノコインダン
−5−イル〕アセチルアミノ) −n−酪酸メチル45
0■を無色結晶として得る。
(3)本島0.63gの塩化メチレン1〇−溶液にチオ
ニルクロリド0.32dを加え、室温にて1時間攪拌す
る。溶媒を留去し、残渣を酢酸101R1に溶解し、亜
鉛末300■を加え、70℃にて1時間攪拌する。室温
まで冷却し、濾過後、溶媒を留去し、酢酸エチル及び水
を加え、有機層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、酢酸エ
チル−n−ヘキサン混液から再結晶して4− ((2−
((4−クロロフェニル)スルホニルアミノコインダン
−5−イル〕アセチルアミノ) −n−酪酸メチル45
0■を無色結晶として得る。
収率ニア4%
m、p、 125.5〜127℃
実施例2
(114−((2−アミノインダン−5−イル)オキサ
リルアミノ)−n−酪酸メチル塩酸塩850■をメタノ
ール10−にとかし、10%パラジウム−炭素425■
を加え、IRランプ照射下に水素圧4気圧で48時間接
触還元に付す。触媒を濾去し、溶媒を留去後、残渣に酢
酸エチル2′0−1炭酸カリウム1.24g及び水20
−を加え、室温にて4−クロロフェニルスルホニルクロ
リド633■の酢酸エチル1〇−溶液を滴下し、1時間
攪拌する。酢酸エチル層を分取し、洗浄、乾燥、濾過後
、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(溶媒;クロロホルム;メタノール=99 :
I)にて分離精製して4−(C2−((4−クロロフェ
ニル)スルホニルアミノコインダン−5−イル〕アセチ
ルアミノ)−n−酪酸メチル360■を無色プリズム品
として得る。
リルアミノ)−n−酪酸メチル塩酸塩850■をメタノ
ール10−にとかし、10%パラジウム−炭素425■
を加え、IRランプ照射下に水素圧4気圧で48時間接
触還元に付す。触媒を濾去し、溶媒を留去後、残渣に酢
酸エチル2′0−1炭酸カリウム1.24g及び水20
−を加え、室温にて4−クロロフェニルスルホニルクロ
リド633■の酢酸エチル1〇−溶液を滴下し、1時間
攪拌する。酢酸エチル層を分取し、洗浄、乾燥、濾過後
、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(溶媒;クロロホルム;メタノール=99 :
I)にて分離精製して4−(C2−((4−クロロフェ
ニル)スルホニルアミノコインダン−5−イル〕アセチ
ルアミノ)−n−酪酸メチル360■を無色プリズム品
として得る。
収率:30%
m、p、 128 〜129 ℃
さらに、4− (2−(2−((4−クロロフェニル)
スルホニルアミノコインダン−5−イル〕2−ヒドロキ
シアセチルアミノ)−n−酪酸メチル690gを無色油
状物として得る。
スルホニルアミノコインダン−5−イル〕2−ヒドロキ
シアセチルアミノ)−n−酪酸メチル690gを無色油
状物として得る。
収率:57%
(214−(2−(2−((4−クロロフェニル)スル
ホニルアミノコインダン−5−イル〕−2−ヒドロキシ
アセチルアミノ)−rl−m酸メチルを実施例1−(3
1と同様に処理して4−((2−((4−クロロフェニ
ル)スルホニルアミノコインダン−5−イル〕アセチル
アミノ) −n−酪酸メチルを得る。
ホニルアミノコインダン−5−イル〕−2−ヒドロキシ
アセチルアミノ)−rl−m酸メチルを実施例1−(3
1と同様に処理して4−((2−((4−クロロフェニ
ル)スルホニルアミノコインダン−5−イル〕アセチル
アミノ) −n−酪酸メチルを得る。
実施例3
(1)4−((2−アミノインダン−5−イル)オキサ
リルアミノ)−n−酪酸メチル502■にメタノール8
ml、シェウ酸531■、10%パラジウム−炭素25
0■を加え、!Rランプ照射下で水素圧4気圧にて18
時間、さらに3気圧で9時間接触還元に付す。触媒を濾
去後、溶媒を留去し、残渣へ酢酸エチル10−1炭酸カ
リウム2.07g、水IO−を加え、撹拌下に4−クロ
ロフェニルスルホニルクロリド342qrの酢酸エチル
5 ml溶液を滴下し、室温で2時間撹拌する。反応後
、酢酸エチル層を分取し、洗浄、乾燥後、溶媒を留去す
る。残渣を酢酸エチル−イソプロピルエーテル−n−ヘ
キサン混液から再結晶して4〜(〔2−((4−クロロ
フェニル)スルホニルアミノコインダン−5−イル〕ア
セチルアミノ)−〇−酪酸メチル507■を無色結晶と
して得る。
リルアミノ)−n−酪酸メチル502■にメタノール8
ml、シェウ酸531■、10%パラジウム−炭素25
0■を加え、!Rランプ照射下で水素圧4気圧にて18
時間、さらに3気圧で9時間接触還元に付す。触媒を濾
去後、溶媒を留去し、残渣へ酢酸エチル10−1炭酸カ
リウム2.07g、水IO−を加え、撹拌下に4−クロ
ロフェニルスルホニルクロリド342qrの酢酸エチル
5 ml溶液を滴下し、室温で2時間撹拌する。反応後
、酢酸エチル層を分取し、洗浄、乾燥後、溶媒を留去す
る。残渣を酢酸エチル−イソプロピルエーテル−n−ヘ
キサン混液から再結晶して4〜(〔2−((4−クロロ
フェニル)スルホニルアミノコインダン−5−イル〕ア
セチルアミノ)−〇−酪酸メチル507■を無色結晶と
して得る。
収率ニア4%
翔、p、 125.5〜127℃
実施例4
(1)2−アミノインダン13.32g、炭酸カリウム
27.64g、クロロホルム100d!及び水100−
の混合物に4−クロロフェニルスルホニルクロリド21
.11gを加え、室温にて30分間1児拌する。有機層
を洗浄、乾燥後、溶媒を留去シ、酢酸エチル−イソプロ
ピルエーテル−n−ヘキサン混液から再結晶して2−(
(4−クロロフェニル)スルホニルアミノ)インダン2
8.13gを無色針状晶として得る。
27.64g、クロロホルム100d!及び水100−
の混合物に4−クロロフェニルスルホニルクロリド21
.11gを加え、室温にて30分間1児拌する。有機層
を洗浄、乾燥後、溶媒を留去シ、酢酸エチル−イソプロ
ピルエーテル−n−ヘキサン混液から再結晶して2−(
(4−クロロフェニル)スルホニルアミノ)インダン2
8.13gを無色針状晶として得る。
収率:91%
m、p、 141〜142℃
(2)4−(オキサロアミノ)−n−酪酸メチル0゜3
水和物2.72g、塩化メチレン2〇−及びジメチルホ
ルムアミド1滴の混合物に水冷撹拌下、オキサリルクロ
リド3.67gの塩化メチレンlロー溶液を滴下し、室
温で2.5時間撹拌する。
水和物2.72g、塩化メチレン2〇−及びジメチルホ
ルムアミド1滴の混合物に水冷撹拌下、オキサリルクロ
リド3.67gの塩化メチレンlロー溶液を滴下し、室
温で2.5時間撹拌する。
反応後、溶媒を留去して4−(クロロオキサリルアミノ
)−n−酪酸メチルを得る。
)−n−酪酸メチルを得る。
本島の1,2−ジクロロエタン15−溶液を粉末塩化ア
ルミニウム5.6gの1.2−ジクロロエタン10m1
懸濁液に冷却攪拌下、滴下する0次に2−((4−クロ
ロフェニル)スルホニルアミノコインダン2.15gの
1.2−ジクロロエタン55−溶液を滴下し、室温で2
時間攪拌する。
ルミニウム5.6gの1.2−ジクロロエタン10m1
懸濁液に冷却攪拌下、滴下する0次に2−((4−クロ
ロフェニル)スルホニルアミノコインダン2.15gの
1.2−ジクロロエタン55−溶液を滴下し、室温で2
時間攪拌する。
水冷下に氷水及び酢酸エチルを加え、酢酸エチル抽出し
、洗浄、乾燥する。濾過後、溶媒を留去し、残渣をシリ
カゲルカラム(溶媒;クロロホルム)にて分離精製して
4 ((2−((4−クロロフェニル)スルホニル
アミノ)インダン−5−イル〕オキサリルアミノ)−n
−酪酸メチル1. 68gを淡黄色油状物として得る。
、洗浄、乾燥する。濾過後、溶媒を留去し、残渣をシリ
カゲルカラム(溶媒;クロロホルム)にて分離精製して
4 ((2−((4−クロロフェニル)スルホニル
アミノ)インダン−5−イル〕オキサリルアミノ)−n
−酪酸メチル1. 68gを淡黄色油状物として得る。
収率:50%
(3)本島を実施例1−(2)及び(3)と同様に処理
して4− ((2−((4−クロロフェニル)スルホニ
ルアミノコインダン−5−イル〕アセチルアミノ)−n
−酪酸メチルを得る。
して4− ((2−((4−クロロフェニル)スルホニ
ルアミノコインダン−5−イル〕アセチルアミノ)−n
−酪酸メチルを得る。
実施例5
(1)フェニルチオ酢酸3.36g、テトラヒドロフラ
ン30d及び塩化メチレン30−の溶液に氷冷下、カル
ボニルジイミダゾール3.24gを加える。1時間攪拌
し、4−アミノ酪酸メチルエステル塩酸塩3.07g、
次いでトリエチルアミン2.02gを加え、更に1時間
攪拌する。溶媒を留去し、残渣に水を加え、酢酸エチル
抽出する。
ン30d及び塩化メチレン30−の溶液に氷冷下、カル
ボニルジイミダゾール3.24gを加える。1時間攪拌
し、4−アミノ酪酸メチルエステル塩酸塩3.07g、
次いでトリエチルアミン2.02gを加え、更に1時間
攪拌する。溶媒を留去し、残渣に水を加え、酢酸エチル
抽出する。
酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒;酢酸エチル
:ヘキサン=2 : 1)にて精製し、さらに、n−ヘ
キサンで結晶化して4−〔(フェニルチオ)アセチルア
ミノ)−n−酪酸メチル4゜28gを無色結晶として得
る。
リカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒;酢酸エチル
:ヘキサン=2 : 1)にて精製し、さらに、n−ヘ
キサンで結晶化して4−〔(フェニルチオ)アセチルア
ミノ)−n−酪酸メチル4゜28gを無色結晶として得
る。
収率:80%
m、p、 38〜40 ℃
MS (m/z) : 267(M” )(2)本島7
.38gの塩化メチレン39m1l溶液にアルゴン気流
下、水冷下にスルフリルクロリド4゜10gの塩化メチ
レン15−溶液を滴下し、50分攪拌する。溶媒留去後
、残渣を塩化メチレン3Q mlにt8解し、2−((
4−クロロフェニル)スルホニルアミノコインダン3.
54gを加え、塩化第二スズ10.42g、ニトロメタ
ン4.88gの塩化メチレン3Qml溶液を冷却下情下
し、室温で4時間撹拌し、水冷下、水30m1を加える
。
.38gの塩化メチレン39m1l溶液にアルゴン気流
下、水冷下にスルフリルクロリド4゜10gの塩化メチ
レン15−溶液を滴下し、50分攪拌する。溶媒留去後
、残渣を塩化メチレン3Q mlにt8解し、2−((
4−クロロフェニル)スルホニルアミノコインダン3.
54gを加え、塩化第二スズ10.42g、ニトロメタ
ン4.88gの塩化メチレン3Qml溶液を冷却下情下
し、室温で4時間撹拌し、水冷下、水30m1を加える
。
10%塩酸を加え、有機層を分取し、乾燥後、溶媒を留
去して4− (2−(2−((4−クロロフェニル)ス
ルホニルアミノ)インダン−5−イル)−2−(、フェ
ニルチオ)アセチルアミノ)n−酪酸メチルを組成物と
して得る。
去して4− (2−(2−((4−クロロフェニル)ス
ルホニルアミノ)インダン−5−イル)−2−(、フェ
ニルチオ)アセチルアミノ)n−酪酸メチルを組成物と
して得る。
(3)本島の酢酸5〇−溶液に亜鉛末0.76gを加え
、還流し、室温に冷却後、濾過する。溶媒を留去し、イ
ソロピルエーテルーメタノール混液で結晶化し、酢酸エ
チル−n−ヘキサン混液から再結晶して4− [(2−
((4−クロロフェニル)スルホニルアミノコインダン
−5−イル〕アセチルアミノ)−n−酪酸メチル2.7
6gを無色結晶として得る。
、還流し、室温に冷却後、濾過する。溶媒を留去し、イ
ソロピルエーテルーメタノール混液で結晶化し、酢酸エ
チル−n−ヘキサン混液から再結晶して4− [(2−
((4−クロロフェニル)スルホニルアミノコインダン
−5−イル〕アセチルアミノ)−n−酪酸メチル2.7
6gを無色結晶として得る。
収率:51%
謝、p、 125.5〜127℃
実施例6
(1)3−アミノプロピオン酸メチルエステル塩酸塩を
実施例5−(1)と同様に処理して3−〔(フェニルチ
オ)アセチルアミノ)−n−プロピオン酸メチルを得る
。
実施例5−(1)と同様に処理して3−〔(フェニルチ
オ)アセチルアミノ)−n−プロピオン酸メチルを得る
。
+n、p、 62 〜63 ℃
(2)本島を実施例5− (21と同様に処理して3−
(2−(2−((4−クロロフェニル)スルボニルアミ
ノコインダン−5−イル)−2−(フェニルチオ)アセ
チルアミノ)−n−プロピオン酸メチルを無色油状物と
して得る。
(2−(2−((4−クロロフェニル)スルボニルアミ
ノコインダン−5−イル)−2−(フェニルチオ)アセ
チルアミノ)−n−プロピオン酸メチルを無色油状物と
して得る。
MS (m/z) :559 (M” )(3)本島を
実施例5−13)と同様に処理して3−[(2−((4
−クロロフェニル)スルホニルアミノコインダン−5−
イル〕アセチルアミノ)n−プロピオン酸メチルを無色
プリズム晶として得る。
実施例5−13)と同様に処理して3−[(2−((4
−クロロフェニル)スルホニルアミノコインダン−5−
イル〕アセチルアミノ)n−プロピオン酸メチルを無色
プリズム晶として得る。
m、1.150〜151 ℃
実施例7
(1)4− ((2−((4−クロロフェニル)スルホ
ニルアミノ)インダン−5−イルコアセチルアミノ)−
n−酪酸メチル125.5gのメタノール溶液1250
−に攪拌下、室温にて、IN−水酸化ナトリウム水溶液
675−を加え、ついで同温にて2時間攪拌する9反応
後、冷却攪拌下、6N−塩酸110−にてpH4とし、
メタノールを留去し2.10%塩酸を加えてpH1とし
、酢酸エチル−テトラヒドロフラン混液で抽出する。乾
燥後、溶媒を留去し、残渣をテトラヒドロフラン550
−にン容かし、イソプロピルエーテルを加えて結晶化し
て4− ( (2− ( (4−クロロフェニル)スル
ホニルアミノコインダン−5−イル〕アセチルアミノ)
−n−酪酸115.6gを得る。
ニルアミノ)インダン−5−イルコアセチルアミノ)−
n−酪酸メチル125.5gのメタノール溶液1250
−に攪拌下、室温にて、IN−水酸化ナトリウム水溶液
675−を加え、ついで同温にて2時間攪拌する9反応
後、冷却攪拌下、6N−塩酸110−にてpH4とし、
メタノールを留去し2.10%塩酸を加えてpH1とし
、酢酸エチル−テトラヒドロフラン混液で抽出する。乾
燥後、溶媒を留去し、残渣をテトラヒドロフラン550
−にン容かし、イソプロピルエーテルを加えて結晶化し
て4− ( (2− ( (4−クロロフェニル)スル
ホニルアミノコインダン−5−イル〕アセチルアミノ)
−n−酪酸115.6gを得る。
収率:95%
ta.p. 123.5〜125.5 ℃すトリウム
塩 m.p. 196.1℃(分解) 実施例8〜37 対応原料化合物を実施例1〜7と同様に処理することに
より、下記1〜9表記載の化合物を得る。
塩 m.p. 196.1℃(分解) 実施例8〜37 対応原料化合物を実施例1〜7と同様に処理することに
より、下記1〜9表記載の化合物を得る。
第1表
第 2 表
第3表
第
表
参考例1
(1)2−アミノインダン124.1gにギ酸エチル5
00dを加え、23時間還流する。溶媒を留去し、酢酸
エチル300 mlに加熱して溶かし、炭末4.5gを
加え、濾過、洗浄、濃縮後、n−ヘキサンで結晶化して
2−ホルミルアミノインダン144gを得る。
00dを加え、23時間還流する。溶媒を留去し、酢酸
エチル300 mlに加熱して溶かし、炭末4.5gを
加え、濾過、洗浄、濃縮後、n−ヘキサンで結晶化して
2−ホルミルアミノインダン144gを得る。
m、p、 74.5〜76°C
(2)粉末の塩化アルミニウム64gを1.2−ジクロ
ロエタン160mに懸濁し、水冷下エトキサリルクロリ
ド39.3gの1,2−ジクロロエタン60d溶液を滴
下し、ついで、2−ホルミルアミノインダン25.79
gの1,2−ジクロロエタン60d溶液を0〜5°Cで
50分間滴下し、室温まで1時間、さらに、室温にて1
時間攪拌する。反応後、氷水を加え、酢酸エチル抽出し
、洗浄後、乾燥する。溶媒を留去し、残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(溶媒;酢酸エチル:n−ヘ
キサン=2:1)にて分離精製し、5−エトキサゾル−
2−ホルミルアミノインダン33.4gを油状物として
得る。
ロエタン160mに懸濁し、水冷下エトキサリルクロリ
ド39.3gの1,2−ジクロロエタン60d溶液を滴
下し、ついで、2−ホルミルアミノインダン25.79
gの1,2−ジクロロエタン60d溶液を0〜5°Cで
50分間滴下し、室温まで1時間、さらに、室温にて1
時間攪拌する。反応後、氷水を加え、酢酸エチル抽出し
、洗浄後、乾燥する。溶媒を留去し、残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(溶媒;酢酸エチル:n−ヘ
キサン=2:1)にて分離精製し、5−エトキサゾル−
2−ホルミルアミノインダン33.4gを油状物として
得る。
(3)本島26.1gのエタノール200d溶液に、氷
水塗上、IN−水酸化ナトリウム水溶液200dを加え
、室温にて1.5時間攪拌する。反応後、6N−塩酸で
中和し、エタノールを留去し、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液でpH9とし、水を加え、酢酸エチルで洗浄後、
水層を6N−塩酸にてpillとし析出晶を濾取する。
水塗上、IN−水酸化ナトリウム水溶液200dを加え
、室温にて1.5時間攪拌する。反応後、6N−塩酸で
中和し、エタノールを留去し、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液でpH9とし、水を加え、酢酸エチルで洗浄後、
水層を6N−塩酸にてpillとし析出晶を濾取する。
さらに、水層をテトラヒドロフラン−ギ酸エチル混液に
て抽出し、溶媒留去後、先に得た結晶と一緒にし、ジメ
チルホルムアミドに溶かし、−度不溶物を濾去する。溶
媒を濃縮し、酢酸エチルを加え、結晶化して5−オキサ
ロー2−ホルミルアミノインダン18.6gを得る。
て抽出し、溶媒留去後、先に得た結晶と一緒にし、ジメ
チルホルムアミドに溶かし、−度不溶物を濾去する。溶
媒を濃縮し、酢酸エチルを加え、結晶化して5−オキサ
ロー2−ホルミルアミノインダン18.6gを得る。
m−、−、p、 191〜192.5°C(分解)(
4)氷晶9.32gをテトラヒドロフラン80m!!及
びジメチルホルムアミド30dの混合溶媒に溶かし、室
温にて攪拌下、カルボニルジイミダゾール7.78gを
加え2時間、ついで、4−アミノ酪酸メチルエステル塩
酸塩7.99g、)リエチルアミン5.26gを加え1
.5時間撹拌する。
4)氷晶9.32gをテトラヒドロフラン80m!!及
びジメチルホルムアミド30dの混合溶媒に溶かし、室
温にて攪拌下、カルボニルジイミダゾール7.78gを
加え2時間、ついで、4−アミノ酪酸メチルエステル塩
酸塩7.99g、)リエチルアミン5.26gを加え1
.5時間撹拌する。
反応後、溶媒を留去し、酢酸エチル抽出し、洗浄、乾燥
する。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー(溶媒;酢酸エチル)にて分離精製後、酢酸
エチルーイソロビルエーテル混液から再結晶して4−(
(2−ホルミルアミノインダン−5−イル)オキサリル
アミノ)−n−酪酸メチル7.3gを無色結晶として得
る。
する。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー(溶媒;酢酸エチル)にて分離精製後、酢酸
エチルーイソロビルエーテル混液から再結晶して4−(
(2−ホルミルアミノインダン−5−イル)オキサリル
アミノ)−n−酪酸メチル7.3gを無色結晶として得
る。
閘、p、 96〜100℃
(5)氷晶16.08gに10.4Wハ%塩化水素−メ
タノール320gを加え、室温で16時間撹拌し、溶媒
留去後、得られた淡黄色固体をメタノール200dに溶
かす、炭未処理し、濾過、溶媒留去後、メクノールーイ
ソブロビルエーテル混液から再結晶して4−((2−ア
ミノインダン−5−イル)オキサリルアミノ)−n−酪
酸メチル塩酸塩15.46gを無色固体として得る。
タノール320gを加え、室温で16時間撹拌し、溶媒
留去後、得られた淡黄色固体をメタノール200dに溶
かす、炭未処理し、濾過、溶媒留去後、メクノールーイ
ソブロビルエーテル混液から再結晶して4−((2−ア
ミノインダン−5−イル)オキサリルアミノ)−n−酪
酸メチル塩酸塩15.46gを無色固体として得る。
m、p、 200〜204°C(分解)参考例2
(1)ベンジルオキシオキサリルクロリド29.8gと
4−アミノ酪酸メチルエステル塩酸塩21゜9gの塩化
メチレン140戚溶液に、トリエチルアミン30.4g
の塩化メチレン80d溶液を滴下し、1時間攪拌する。
4−アミノ酪酸メチルエステル塩酸塩21゜9gの塩化
メチレン140戚溶液に、トリエチルアミン30.4g
の塩化メチレン80d溶液を滴下し、1時間攪拌する。
次いで、洗浄、乾燥後、濾過する。溶媒を留去し、残渣
をn−ヘキサンで結晶化し、酢酸エチル−n−ヘキサン
混液から再結晶して4−(ベンジルオキシオキサリルア
ミン)#I酸メチル38.Oga薄黄土色プリズム晶と
して得る。
をn−ヘキサンで結晶化し、酢酸エチル−n−ヘキサン
混液から再結晶して4−(ベンジルオキシオキサリルア
ミン)#I酸メチル38.Oga薄黄土色プリズム晶と
して得る。
m、p、 41〜44 °C
(2)氷晶37.9gをテトラヒドロフラン360成に
溶かし、10%パラジウム−炭素14gの存在下、常圧
で接触還元に付す、触媒を濾去したのち、溶媒を留去し
、酢酸エチル−n−ヘキサン混液から再結晶して、4−
(オキサロアミノ)醋酸メチル0.3水和物24.9g
を無色プリズム晶として得る。
溶かし、10%パラジウム−炭素14gの存在下、常圧
で接触還元に付す、触媒を濾去したのち、溶媒を留去し
、酢酸エチル−n−ヘキサン混液から再結晶して、4−
(オキサロアミノ)醋酸メチル0.3水和物24.9g
を無色プリズム晶として得る。
m、p、 68〜72 °C
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、R^1は式−SO_2Rで示される基または水
素原子、Rは置換もしくは非置換フェニル基、ナフチル
基または含硫複素環式基、R^2は水素原子または低級
アルキル基、R^3は低級アルコキシカルボニル−低級
アルキル基またはカルボキシ−低級アルキル基、Yは置
換もしくは非置換フェニルメルカプトメチレン基、低級
アルキルメルカプトメチレン基、ヒドロキシメチレン基
、ハロゲノメチレン基またはカルボニル基を表す。) で示される化合物またはその塩を還元して基Yをメチレ
ン基に変換し、R^1が水素原子である場合には、次い
で一般式 RSO_3H (但し、記号は前記と同一意味を有する。)で示される
スルホン酸化合物またはその反応性誘導体と縮合反応さ
せ、要すれば、生成物をその塩とすることを特徴とする
一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、記号は前記と同一意味を有する。)で示される
インダン誘導体またはその塩の製法。 2、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、R^1は式−SO_2Rで示される基または水
素原子、Rは置換もしくは非置換フェニル基、ナフチル
基または含硫複素環式基、R^2は水素原子または低級
アルキル基、R^3^2は低級アルコキシカルボニル−
低級アルキル基、Yは置換もしくは非置換フェニルメル
カプトメチレン基、低級アルキルメルカプトメチレン基
、ヒドロキシメチレン基、ハロゲノメチレン基またはカ
ルボニル基を表す。)で示される化合物またはその塩を
還元して基Yをメチレン基に変換し、R^1が水素原子
である場合には、次いで一般式 RSO_3H (但し、記号は前記と同一意味を有する。)で示される
スルホン酸化合物またはその反応性誘導体と縮合反応さ
せた後、生成物を加水分解し、要すれば、さらに、その
塩とすることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、R^3^1はカルボキシ−低級アルキル基を表
しR及びR^2は前記と同一意味を有する。)で示され
るインダン誘導体またはその塩の製法。 3、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、R^1は式−SO_2Rで示される基または水
素原子、Rは置換もしくは非置換フェニル基、ナフチル
基または含硫複素環式基、R^2は水素原子または低級
アルキル基、R^3は低級アルコキシカルボニル−低級
アルキル基またはカルボキシ−低級アルキル基、Yは置
換もしくは非置換フェニルメルカプトメチレン基、低級
アルキルメルカプトメチレン基、ヒドロキシメチレン基
、ハロゲノメチレン基またはカルボニル基を表す。) で示されるインダン誘導体またはその塩。
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