JPH02169547A - コバルト錯体および該錯体を用いた水酸基含有化合物の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 次に本発明について具体的に説明する。

まず、本発明に係るコバルト錯体について説明する。

本発明に係るコバルト錯体は、β−ジカルボニル化合物
のコバルト錯体であり、このコバルト錯体は次式［１］
で表わすことができる。

−Ｒ６ ・・・　［！］ 上記式［１１において、Ｒ１およびＲ４は、それぞれ独
立に、低級アルキル基および／またはアリール基を表わ
す。

上記の低級アルキル基は、通常は、炭素数１〜１０、好
ましくは１〜７のアルキル基であり、この低級アルキル
基は、直鎖状であっても分岐を有していてもよい。この
ような低級アルキル基の具体的な例としては、メチル基
、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブ
チル基、５８ｅ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基およびｎ−へブチ
ル基を挙げることができる。

また、上記のアリール基は、芳香族環上の水素原子が、
ハロゲン原子のような水素原子以外の原子、あるいは置
換基等で置換されていてもよく、このようなアリール基
の具体的な例としては、フェニル基、ｐ−メトキシフェ
ニル基、ｐ−ブロモフェニル基、トルイル基、キシリル
基およびナフチル基を挙げることができる。

本発明において、コバルト錯体の触媒活性を考慮すると
、上記のアルキル基として最も好ましい基は、メチル基
、エチル基、ｎ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ブチ
ル基等であり、アリール基として−であっても異なって
いてもよい。

また、上記式［１１において、Ｒ２およびＲ５は、それ
ぞれ独立に、水素原子、低級アルキル基およびアリール
基よりなる群から選ばれる一種類の原子若しくは基を表
わす。

上記の低級アルキル基は、通常は、炭素数１〜１０、好
ましくは１〜６のアルキル基であり、この低級アルキル
基は、直鎖状であっても分岐を有していてもよい。この
ような低級アルキル基の具体的な例としては、Ｒおよび
Ｒ４の説明の際に例示した基を挙げることができる。

また、上記のアリール基は、芳香族環上の水素原子が、
ハロゲン原子のような水素原子以外の原子、あるいは置
換基等で置換されていてもよく、このようなアリール基
の具体的な例としては、上記と同様に、ＲおよびＲ４の
説明の際に例示しま た基を挙げることができる。

これらの中でも、コバルト錯体の触媒活性を考慮すると
、ＲおよびＲ５は、水素原子であることが最も好ましい
。さらに、Ｒ及びＲ５が低級アルキル基若しくはアリー
ル基である場合には、触媒活性を考慮すると、低級アル
キル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−
ブチル基が特に好ましく、アリール基としては、フェニ
ル基、ｐ−ブロモフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基
が特に好ましい。

なお、式［１］において、Ｒ２およびＲ５は、同一であ
っても異なっていてもよい。

式［Ｉ］において、ＲおよびＲ６は、それぞれ独立に、
低級アルキル基および／またはシクロアルキル基を表わ
す。

上記の低級アルキル基は、通常は、炭素数１〜１０、好
ましくは１〜７のアルキル基であり、この低級アルキル
基は、直鎖状であっても分岐を有していてもよい。この
ような低級アルキル基の具体内な例としては、Ｒおよび
Ｒ４の説明の際に例示した基を挙げることができる。

また、シクロアルキル基としては、通常は、炭素数が３
〜１０、好ましくは炭素数５〜８の比較的炭素数の少な
いシクロアルキル基が望ましい。

このようなシクロアルキル基の具体的な例としては、シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへブチル基
、およびシクロオクチル基等を挙げることができる。

さらにこのコバルト錯体の触媒活性を考慮すると、これ
らのうちでもＲおよびＲ６としては、低級アルキル基が
特に好ましい。

なお、式［１］において、ＲおよびＲ６は、同一であっ
ても異なっていてもよい。

上記のような化合物のうち、特に優れた触媒活性を有す
る化合物は、式［１］におけるＲ２およびＲ５が共に水
素原子である次式［１］で表される化合物である。

ＲおよびＲは、上記式［１］においてＲ３およびＲ６と
して表わした低級アルキル基および／またはシクロアル
キル基を表わし、さらに、触媒として使用する場合には
、炭素数１〜６の低級アルキル基であることが好ましい
。

上記のような本発明に係るコバルト錯体として、好適な
化合物の例としては、次式（１）〜（ア）で表される化
合物を挙げることができる。

（１）　　　ビス（ｌ−エトキシカルボニル−１，３−
ブタンジオナト）コバルト（ｎ） Ｒ８−吉 ・・・　［Ｒ１ なお、上記式［■］において、Ｒ７およびＲ９はそれぞ
れ独立に、式［１３においてＲ１およびＲ４として示し
た低級アルキル基および／またはアリール基を表わし、
さらに、触媒として使用する場合には炭素数１〜６の低
級アルキル基であることが好ましい。また、上記式［Ｉ
Ｉ］において、・・・（１） （２）　　　ビス（１−ｎ−ブトキシカルボニル−４，
４ジメチル−１，３−ペンタンジオナト）コバルト（Ｉ
Ｉ）（４）　　　ビス（１−メトキシカルボニル−４，
４−ジメチル−１，３−ペンタンジオナト）コバルト（
■）（３）　　　ビス（１−メトキシカルボニル−１，
３−ブタンジオナト）コバルト（ｎ） （５）　　　ビス（ｌ−エトキシカルボニル−４，４−
ジメチル−１，３−ペンタンジオナト）コバルト（ｎ）
・・・（５） （６）　　　ビス（１−ｎ−プロポキシカルボニル−４
，４−ジメチル−１，８−ペンタンジオナト）コバルト
（ｎ）（７）　　　（Ｌ−エトキシカルボニル−１，３
−ブタンジオナト）　　（１−メトキシカルボニル−４
，４−ジメチル−１，３−ペンタンジオナト）コバルト
（ＩＩ）バルト錯体は、水和物あるいは塩であってもよ
い。

本発明におけるβ−ジカルボニル化合物のコバルト錯体
との表現は、β−ジカルボニル化合物のコバルト錯体の
水和物および塩をも包含するものとする。

上記のようなβ−ジカルボニル化合物のコバルト錯体は
、例えば以下に示すように、得ようとする錯体の配位子
に対応するジカルボニル化合物が分散もしくは溶解され
ているアルコール溶液に、撹拌しながら水酸化ナトリウ
ム水溶液を滴下し、次いでこの溶液に塩化コバルトのよ
うなコバルト化合物を添加することにより得ることがで
きる。

なお、このようなβ−ジカルボニル化合物のコβ−ジカ
ルボニル化合物とコバルト化合物との反応は、通常は反
応液のｐＨ値を８〜１２の範囲内のアルカリ性に調整し
て行なわれる。この反応は、通常０〜５０℃の反応温度
で、０．１．〜２時間で終了する。

上記のようにして製造されたコバルト錯体は、前述の式
［１］において、通常は、コバルト原子を対称点として
、ＲとＲＲとＲおよ びＲとＲ６とが同一の基である化合物である。

本発明のコバルト錯体は、上記のように対称性を有する
化合物であってもよいが、対称性を有していなくともよ
い。このような対象性を有しない化合物は、上記のよう
にして対象性を有するコバルト錯体を２種類以上用意し
、この２種類以上のコバルト錯体を混合し、例えばトル
エン等の反応溶媒の存在下に加熱することにより製造す
ることができる。以下に上記のような反応の例を示す。

上記のようにしてコバルト錯体を製造する際に使用され
るβ−ジカルボニル化合物としては、上記のようなコバ
ルト錯体を形成しうる化合物であれば特に制限なく使用
することができる。このようなβ−ジカルボニル化合物
の具体的な例としては、 誹１−エトキシカルボニル−１，３−ブタンジオン、１
−ｎ−ブトキシカルボニル−４，４ジメチル−１，３−
ペンタンジオン、 ■−メトキシカルボニルー１．３−ブタンジオン、■−
メトキシカルボニルー４．４−ジメチル−１，３−ペン
タンジオン、 ■−エトキシカルボニルー４．４−ジメチル−１，３−
ペンタンジオン、 １−ｎ−プロポキシカルボニル−４，４−ジメチル−１
，３−ペンタンジオン、 １−ｎ−ブトキシカルボニル−４，４−ジメチル−■、
３−ペンタンジオン、 および １−ｎ−ブトキシカルボニル−１，３−ブタンジオンを
挙げることができる。これらのβ−ジカルボニル化合物
は単独で、あるいは組み合わせて使用することができる
。

上記のようなβ−ジカルボキシ化合物と共に本発明のコ
バルト錯体を製造する為に使用されるコバルト化合物に
特に制限はなく種々のコバルト化合物を使用することが
できる。このようなコバルト化合物の例としては、Ｃｏ
　Ｃ１２等のような無機コバルト化合物及びＣｏ　　（
ＣＨ３ＣＯＯ）　２等のような有機コバルト化合物を挙
げることができ、これらのコバルト化合物は、単独であ
るいは組み合わせて使用することができる。

このβ−ジカルボン酸とコバルト化合物との反応は、水
中で行なうこともできるし、また水とアルコールとの混
合溶媒中で行なうこともできるし、さらにアルコール中
で行なうことも可能である。

本発明において、特に好ましい反応溶媒は、水とアルコ
ールとの重量比率が、通常１０：９０〜１００　：　Ｏ
の範囲内にある溶媒である。

本発明に係る水酸基含有化合物の製造方法は、触媒とし
て上記のようなβ−カルボニル化合物のコバルト錯体を
用い、さらに二級アルコールが共存する系において、オ
レフィン系炭化水素化合物と酸素含有ガスとを接触させ
ることを特徴としている。

本発明において使用されるオレフィン系炭化水素化合物
は、通常、炭素数２〜３０、好ましくは４〜２０のオレ
フィン系炭化水素化合物であり、例えば次式［ｍ］で表
わすことができる。

ただし、上記式［ｍ］において、Ｒ１１は、アルキル基
、アリール基、シクロアルキル基およびアリールアルキ
ル基のうちから選ばれる一皿類の基であり、ＲＲおよび
Ｒ１４は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリ
ール基、アルキルアリール基の内から選ばれる原子若し
くは基である。なお、これらＲＲＲおよびＲ１４は、同
一であってもよいし、また異なっていてもよい。

このような上記式［ＩＩ［］で表わされるオレフィン系
炭化水素化合物には、芳香族オレフィン系炭化水素化合
物、脂環族オレフィン系炭化水素化合物、芳香族オレフ
ィン系炭化水”素化合物がある。

さらに、これらの化合物が置換基を有していてもよい。

また本発明の方法において、反応に寄与する二重結合は
、主鎖の末端に位置していても、あるいは末端以外の部
分、例えば主鎖の中心近傍に位置していてもよく、さら
に側鎖の末端（ｅｘｏ−末端）に位置していても、ある
いは側鎖の末端以外の部分、例えば・側鎖の中心近傍に
位置していてもよい。

なお、本発明で使用されるオレフィン系炭化水素化合物
は、通常上記式［ＩＩＩ］で示されるように、本発明の
反応における活性を有する二重結合を１つ有している化
合物であるが、このような二重結合を２個以上有する化
合物も使用することができる。さらに２個以上の二重結
合を有する場合、これらの二重結合は、本発明の反応に
おいて同一の活性を示す必要はない。

本発明において使用されるオレフィン系炭化水素化合物
の具体的な例としては、エチレン、プロピレン、■−ブ
テン、２−ブテン、イソブチン、ｌ−ペンテン、２−ペ
ンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ブ
テン、２−メチル−２−ブテン、ｌ−ヘキセン、２．３
−ジメチル−２−ブテン、■−ヘプテン、ｌ−オクチン
、ｌ−ノネン、■−デセン、５−デセンおよび２−メチ
ル−２−デセン等の脂肪族オレフィン系炭化水素化合物
； シクロペンテン、°シクロオクテン、シクロヘキセンお
よびシクロヘプテン等の脂環族オレフィン系炭化水素化
合物； ４−フェニル−１−ブテン、４−フェニル−２−ブテン
２−メチル−４−フェニル−１−ブテン、スチルベン、
スチレンおよび５−フェニル−３−メチル−２−ペンテ
ン等の芳香族オレフィン系炭化水素化合物を挙げること
ができる。さらに、本発明の方法においては、上記のよ
うなオレフィン系炭化水素化合物の他に、官能基を有す
るオレフィン系炭化水素化合物をも使用することができ
る。本発明で使用することができる上記のようなオレフ
ィン系炭化水素化合物の例としては、アクリル酸ジメチ
ルアミド、クロトン酸ジメチルアミド、イソクロトン酸
ジメチルアミド、ケイ皮酸ジメチルアミド、ケイ皮酸ジ
エチルアミド、ウンデシル酸ジメチルアミド、オレイン
酸ジメチルアミド、エライジン酸ジメチルアミド、ブラ
シジン酸ジメチルアミド、β、β−ジメチルアクリル酸
ジメチルアミドおよびβ。

β−ジメチルアクリル酸ジエチルアミド等のオレフィン
カルボン酸アミド； メチルビニルケトンジエチルアセタール、メシチルオキ
サイドジメチルアセクール、アリルメチルケトンジエチ
ルアセタール、アリルアセトンジエチルアセクール、メ
チルへブテンジエチルアセタールおよびベンジリデンア
セトンジメチルアセタール、ベンジリデンアセトンジエ
チルアセタールなどのオレフィンアセタール、 並びに 安息香酸クロチル、アリルベンジルエーテル、安息香酸
アリール、酢酸アリール、アリールアルコールメチルエ
ステル、アリールアミン安息香酸アミド、桂皮酸エチル
エステル、桂皮酸メチルエステル、５−ヘキセン−１−
オール安息香酸エステル、６−メチル−５−へブテン−
２−オール安息香酸エステル、ベンザルアセトフェノン
、ベンザルアセトンおよびブニルアルコールｐ−メトキ
シ安息香酸エスチル等の置換芳香族オレフィン系炭化水
素化合物を挙げることができる。

このような官能基を有するオレフィン系炭化水素化合物
を使用しても、本発明の製造方法によれば、官能基が影
響を受けることなく、水酸基含有化合物を製造すること
ができる。

本発明の水酸基含有化合物の製造方法では、上記のよう
なオレフィン系炭化水素化合物を、二級アルコールの存
在下に酸素含有ガスと接触させる。

ここで使用することができる二級アルコールの例として
は、イソプロピルアルコール、３１３８−ブタノール、
３−ペンタノールおよび２−ペンタノール等の脂肪族二
級アルコール； ベンズヒドロールおよびα−フェニルエチルアルコール
等の芳香族二級アルコール； 並びに シクロヘキサノール、シクロペンタノールおよびシクロ
ヘプタツール等の脂環族二級アルコールを挙げることが
できる。このような二級アルコールは、単独であるいは
組み合わせて使用することができる。

上記のような二級アルコールのうち、本発明ではイソプ
ロピルアルコール、シクロペンタノール、α−フェニル
エチルアルコールあるいは５ｅｅ−ブタノールを使用す
ることが特に好ましい。

本発明において使用される酸素含有ガスとしては、酸素
自体を使用することができることはもちろん、空気等の
ように酸素以外の成分を含むガスを使用することもでき
る。酸素以外の成分を含むガスを使用する場合、反応の
経済性を考慮すると、このガス中における酸素の濃度が
５容量％以上のガスが好ましく使用される。

本発明に係る水酸基含有化合物の製造方法において、β
−カルボニル化合物のコバルト錯体は、用いるオレフィ
ン系炭化水素化合物１モルに対して、通常は０．１〜２
０モル％、好ましくは１〜１０モル％の範囲内の割り合
いで使用される。

また、二級アルコールは、使用するオレフィン系炭化水
素化合物１モルに対して、通常は１ｇ以上、好ましくは
２１以上の量で使用される。

なお、このような二級アルコールは、反応溶媒としても
作用するが、反応溶媒としては、この二級アルコールの
他に、不活性な溶媒を使用することもできる また、反応系に導入される酸素含有ガスは、使用するオ
レフィン系炭化水素化合物よりも通常過剰に導入される
。そして、この反応は減圧〜加圧のいずれの状態でも行
なうことができ、特に常圧〜加圧状態で行なうことが好
ましいが、酸素を通常は０８１〜２０ｋｇ／ｃ−・Ｇ１
好ましくは０．１〜１０ｋｇ／ｃｄ−Ｇの圧力で導入し
て反応を行なうことが望ましい。

上記のような反応は、反応温度を０〜１５０℃、好まし
くは２０〜１００℃の範囲内に設定して行なうことが望
ましい。このような温度で反応させることにより、通常
は０．５〜３０時間、好ましくは１〜２０時間で反応が
終了する。

上記の反応は、通常液相法で、連続的に、または、回分
的に行なわれる。

このように反応させることにより、オレフィン系炭化水
素化合物は、使用したオレフィン系炭化水素化合物に対
応する水酸基含有化合物になる。

例えば上記式［Ｉｆｆ］で表わされるオレフィン系炭化
水素化合物を使用した場合には、以下に示す大水酸基含
有化合物を得ることができる。

ただし、上記式［ＩＶ］において、Ｒ８Ｒ９ＲおよびＲ
１１は、前記［Ｉ［［］と同様の意味であす、Ｒ１２お
よびＲ１３のうちのいずれか一方は水酸基であり、かつ
他方は水素原子を表わす。

すなわち、例えばオレフィン系炭化水素化合物として１
−デセンを使用した場合には、２−デカノールを得るこ
とができる。

なお、この反応に伴なって、通常は対応するケトンが副
生する。例えば上記の例で示すと２−デカノンである。

本発明の製造方法において、水酸基含有化合物の生成比
率の制御は、使用する二級アルコールおよびβ−カルボ
ニル化合物のコバルト錯体の種類、あるいは反応温度、
反応時間などを変えることにより行なうことができる。

発明の効果 本発明によれば、触媒として上記のような新規なコバル
ト錯体を使用しているので、オレフィン系炭化水素化合
物から効率良く水酸基含有化合物を製造することができ
る。

すなわち、本発明の方法によれば、反応が平衡反応では
ないので、反応系から反応生成物を除去するような煩雑
な操作を行なうことなく、高い転化率で水酸基含有化合
物を製造することができる。

しかも、オレフィン系炭化水素化合物が官能基を有する
場合であっても、官能基が分解されることがなく、従っ
て官能基を有するオレフィン系炭化水素化合物から、こ
のような官能基を有する水酸基含有化合物を製造するこ
とができる。

次に本発明の実施例を示して本発明を説明するが、本発
明は、これら実施例によって限定されるものではない。

実施例１ ビス（１−エトキシカルボニル−１，３−ブタンジオナ
ト）コバルト錯体（ＩＩ）の調製 ■−エトキシカルボニル−１，８−ブタンジオン３．１
６ｇ　（２０，０ミリモル）を、エタノール５　ｍｌに
溶解し、この溶液に１規定の水酸化ナトリウム水溶液を
２０ｍ１加えた。

この溶液を２０℃で３０分間撹拌してから、この溶液に
、塩化コバルト６水和物２．６ｇ（１１，０ミリモル）
を２０ｍ１の水に溶解した溶液を少しづつ滴下した。

滴下後、２０℃で３０分間撹拌し、生成した沈澱を濾過
した。

濾取した固形物を１　ｍｍ　Ｈｇの減圧下に５０’Ｃで
７時間乾燥して、５．９ｇの肌色の固体を得た。

得られた化合物を分析した結果、この化合物はビス（ｌ
−エトキシカルボニル−１，８−ブタンジオナト）コバ
ルト（ＩＩ）錯体であった。収率７８％このコバルト錯
体の性状および物性は次の通りである。

性状二肌色の粉末 融点２３００℃以上 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法、ａｍ−’）１７
９２．１６７５．１６０７．１３６２、マススペクトル ｍ／ｅ　　３７３（Ｍ”） 構造式　上記式（１） なお、得られたコバルト錯体の赤外線吸収スペクトルの
チャートを第１図に示す。

実施例２ ビス（１−ｎ−ブトキシカルボニル−４，４ジメチル−
１，３−ペンタンジオナト）コバルト錯体（Ｕ）の調製 実施例１において、■−エトキシカルボニルー１，３−
ブタンジオンの代わりに、■−ｎ−ブトキシカルボニル
ー４．４ジメチル−１，３−ペンタンジオンを４．６ｔ
ｒ　（２０，０ミリモル）使用した以外は同様に反応さ
せた。

得られた反応生成物を分析したところ、この反応生成物
はビス（１−ｎ−ブトキシカルボニル−４，４ジメチル
−１，３−ペンタンジオナト）コバルト錯体（ＩＩ）で
あった。収率７０％ このコバルト錯体の性状および物性は次の通りである。

性状：茶色の粉末 融点二３００℃以上 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法、ｃａｂ−’）２
９６０、１７２５、１６１４、１３９０マススペクトル ｍ／ｅ　　　５１３（Ｍ”） 構造式　上記式（２） なお、得られたコバルト錯体の赤外線吸収スペクトルの
チャートを第２図に示す。

実施例３ ビス（１−メトキシカルボニル−１，３−ブタンジオナ
ト）コバルト錯体（Ｉｆ）の調製 実施例１において、■−エトキシカルボニルー１，３−
ブタンジオンの代わりに、■−メトキシカルボニルー１
．３−ブタンジオンを２．８６ｇ　（２０，０ミリモル
）使用した以外は同様に反応させた。

得られた反応生成物を分析したところ、この反応生成物
はビス（１−メトキシカルボニル−１，３−ブタンジオ
ナト）コバルト錯体（ＩＩ）であった。収率４８％ このコバルト錯体の性状および物性は次の通りである。

性状：肌色の粉末 融点＝３００℃以上 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法、Ｃｍ−’）２９
２２、１７３４、１６６５、１６０６．１４２４、１２
７５ マススペクトル ｍ／ｅ　　３４６（Ｍ　　） 構造式　上記式（３） なお、得られたコバルト錯体の赤外線吸収スペクトルの
チャートを第３図に示す。

実施例４ ビス（ｌ−メトキシカルボニル−４，４−ジメチル−１
，３−ペンタンジオナト）コバルト錯体（ＩＩ）の調製 実施例１において、■−エトキシカルボニルー１．３−
ブタンジオンの代わりに、■−メトキシカルボニルー４
．４−ジメチル−１，３−ペンタンジオンを３．７ｇ　
（２０，０ミリモル）使用した以外は同様に反応させた
。

得られた反応生成物を分析したところ、この反応生成物
はビス（１−メトキシカルボニル−４，４−ジメチル−
１，３−ペンタンジオナト）コバルト錯体（■）であっ
た。収率６６％ このコバルト錯体の性状および物性は次の通りである。

性状：黄土色の粉末 融点＝３００℃以上 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法、ｃｍ−１）２９
６０、１７３２、１６１５、１５０７．マススペクトル ｍ／ｅ　　４２９（Ｍ”） 構造式　上記式（４） なお、得られたコバルト錯体の赤外線吸収スペクトルの
チャートを第４図に示す。

実施例５ ビス（ｌ−エトキシカルボニル−４，４−ジメチル−１
，３−ペンタンジオナト）コバルト錯体（ＩＩ）の調製 実施例１において、■−エトキシカルボニルー１．３−
ブタンジオンの代わりに、ｌ−エトキシカルボニル−４
，４−ジメチル−１，３−ペンタンジオンを４．０ｇ　
（２０，０ミリモル）使用した以外は同様に反応させた
。

得られた反応生成物を分析したところ、この反応生成物
はビス（ｌ−エトキシカルボニル−４，４−ジメチル−
１，３−ペンタンジオナト）コバルト錯体（ｎ）であっ
た。収率９２％ このコバルト錯体の性状および物性は次の通りである。

性状：黄土色（やまぶき色）の粉末 融点＝３００℃以上 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法、Ｃｍ−１）２９
６０、１７２５、１６１９、１５０５、マススペクトル ｍ／ｅ　　４５７（Ｍ”） 構造式　上記式（５） なお、得られたコバルト錯体の赤外線吸収スペクトルの
チャートを第５図に示す。

実施例６ ビス（１−ｎ−プロポキシカルボニル−４，４−ジメチ
ル−１，３−ペンタンジオナト）コバルト錯体（■）の
調製 実施例１において、ｌ−エトキシカルボニル−１，３−
ブタンジオンの代わりに、１−ｎ−プロポキシカルボニ
ル−４，４−ジメチル−１，３−ペンタンジオンを４．
３ｇ　（２０，０ミリモル）使用した以外は同様に反応
させた。

得られた反応生成物を分析したところ、この反応生成物
はビス（１−ｎ−プロポキシカルボニル−４，４−ジメ
チル−Ｌ、Ｓ−ペンタンジオナト）コバルト錯体（ＩＩ
）であった。収率８０％ このコバルト錯体の性状および物性は次の通りである。

性状：茶色の粉末 融点二３００℃以上 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法、ｃａｂ−’）２
９６４．１７２５．１６１４．１３９０゜マススペクト
ル ｍ／ｅ　　４８５（Ｍ　　） 構造式　上記式（６） なお、得られたコバルト錯体の赤外線吸収スペクトルの
チャートを第６図に示す。

実施例７ （１−エトキシカルボニル−１，３−ブタンジオナト）
（ｌ−メトキシカルボニル−４，４−ジメチル−１，３
−ペンタンジオナト）コバルト錯体（ｎ）の調製実施例
１で調製したビス（１−エトキシカルボニル−１，３−
ブタンジオナト）コバルト（ｎ）３７３ｍｇ（１，０ミ
リモル）と、実施例４で調製したビス（ｌ−メトキシカ
ルボニル−４，４−ジメチル−１，３ペンタンジオナト
）コバルト（ＩＩ）４２９ｓｇ（１，０ミリモル）を５
０ｍ１のトルエン中に加え、１２０℃で加熱撹拌した。

３０分間加熱撹拌することにより、この反応液は均一に
なった。さらに３０分間熱撹拌を続けた後、充分に放冷
し、減圧下に溶媒を留去して赤褐色固体８０２　ｍｇを
得た。

得られた固体を分析したところ、この固体は（ｌ−エト
キシカルボニル−１，３−ブタンジオメト）（ｌ−メト
キシカルボニル−４，４−ジメチル−１，８−ペンタン
ジオナト）コバルト錯体（■）であった。

収率１００％ このコバルト錯体の性状および物性は次の通りである。

性状：赤褐色の固体 融点：１２１．９〜１２４．０℃ 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法、ｃｍ−’）３４
２８、２９６４、１７３１、１６０７．１５０９、１４
５９、１３６５、１２５５．１１５２、７８２ マススペクトル ｍ／ｅ　　　４０１（Ｍ　　） 構造式　上記式（ア） なお、得られたコバルト錯体の赤外線吸収スペクトルの
チャートを第７図に示す。

実施例８ ２−デカノールの製造 反応容器に、１ミリモル（１４０蒙ｇ）の１−デセンと
、実施例１で得られたビス（Ｉ−エトキシカルボニル−
１，３−ブタンジオナト）コバルト錯体（ｎ）を０．０
５ミリモル（１８，７ｍｇ）と、イソプロパツール５　
ｍｌとをいれ、反応容器内に酸素ガスを１気圧の圧力で
充填し、７５℃で６時間反応させた。

得られた反応液をガスクロマトグラフィで分析したとこ
ろ、２−デカノールの収率は３７．２％であり、３．３
％の２−デカノンが副生した。

実施例９〜１３ 実施例８において、触媒の種類、触媒使用量および反応
時間を表１に記載したようにかえた以外は同様に操作し
た。

この反応により得られた２−デカノールの収率および２
−デカノンの副生率を表１に記載する。

なお、表１に実施例８における反応条件および結果も併
せて記載する。

表１ 実施例１４ ２−デカノールの製造 実施例９において、■−デカンの使用量を１４０ａｇ（
１，０ミリモル）とし、ビス（２−エトキシカルボニル
ー１．３−ブタンジオナト）コバルト錯体（ｎ）の代わ
りに、実施例７で製造した（ｌ−エトキシカルボニル−
１，３−ブタンジオメト）　　（１−メトキシカルボニ
ル−４，４−ジメチル−１，３−ペンタンジオナト）コ
バルト（ＩＩ）を１４０ｍｇ（３５，０ミリモル）使用
し、イソプロパツールの使用量を１０ｍ１とし、さらに
反応時間を８時間とした以外は同様に反応を行なった。

得られた反応液をガスクロマトグラフィで分析したとこ
ろ、２−デカノールの収率は７２．０％であり、１２．
７％の２−デカノンおよび１．５％のデカンが副生して
いた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ビス（ｌ−エトキシカルボニル−１，８−ブ
タンジオナト）コバルト錯体（Ｉｌ）のＩＲスペクトル
のチャートである。 第２図は、ビス（１−ｎ−ブトキシカルボニル−４，４
ジメチル−１，３−ペンタンジオナト）コバルト錯体（
ｎ）のＩＲスペクトルのチャートである。 第３図は、ビス（１−メトキシカルボニル−■、８−ブ
タンジオナト）コバルト錯体（ｎ）のＩＲスペクトルの
チャートである。 第４図は、ビス（ｌ−メトキシカルボニル−４，４−ジ
メチル−Ｌ、Ｓ−ペンタンジオナト）コバルト錯体（Ｉ
りの！Ｒスペクトルのチャートである。 第５図は、ビス（１−エトキシカルボニル−４，４−ジ
メチル−１，３−ペンタンジオナト）コバルト錯体（Ｉ
Ｉ）のＩＲスペクトルのチャートである。 第６図は、ビス（１−ｎ−プロポキシカルボニル−４，
４−ジメチル−１，３−ペンタンジオナト）コバルト錯
体（■）のＩＲスペクトルのチャートである。 第７図は、（ｌ−エトキシカルボニル−１，３−ブタン
ジオナト）　　（１−メトキシカルボニル−４，４−ジ
メチル−１，３−ペンタンジオナト）コバルト錯体（ｎ
）のＩＲスペクトルのチャートである。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）次式［ I ］で表わされるβ−ジカルボニル化合
   物のコバルト錯体； ▲数式、化学式、表等があります▼・・・［ I ］ ［上記式［ I ］において、Ｒ＾１およびＲ＾４は、そ
   れぞれ独立に、低級アルキル基および／またはアリール
   基を表わし、Ｒ＾２およびＲ＾５は、それぞれ独立に、
   水素原子、低級アルキル基およびアリール基よりなる群
   から選ばれる一種類の原子若しくは基を表わし、そして
   Ｒ＾３およびＲ＾６は、それぞれ独立に、低級アルキル
   基および／またはシクロアルキル基を表わす］。
2. （２）次式［ I ］で表わされるβ−ジカルボニル化合
   物のコバルト錯体の存在下、かつ二級アルコールの共存
   下に、オレフィン系炭化水素化合物と酸素含有ガスとを
   接触させることを特徴とする水酸基含有化合物の製造方
   法； ▲数式、化学式、表等があります▼・・・［ I ］ ［上記式［ I ］において、Ｒ＾１およびＲ＾４は、そ
   れぞれ独立に、低級アルキル基および／またはアリール
   基を表わし、Ｒ＾２およびＲ＾５は、それぞれ独立に、
   水素原子、低級アルキル基およびアリール基よりなる群
   から選ばれる一種類の原子若しくは基を表わし、そして
   Ｒ＾３およびＲ＾６は、それぞれ独立に、低級アルキル
   基および／またはシクロアルキル基を表わす］。