JPH02166722A - 化合物半導体の結晶成長方法 - Google Patents
化合物半導体の結晶成長方法Info
- Publication number
- JPH02166722A JPH02166722A JP32502188A JP32502188A JPH02166722A JP H02166722 A JPH02166722 A JP H02166722A JP 32502188 A JP32502188 A JP 32502188A JP 32502188 A JP32502188 A JP 32502188A JP H02166722 A JPH02166722 A JP H02166722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atoms
- substrate
- attached
- supplied
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 abstract description 25
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 4
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000979735 Homo sapiens NADH dehydrogenase [ubiquinone] 1 beta subcomplex subunit 8, mitochondrial Proteins 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100024975 NADH dehydrogenase [ubiquinone] 1 beta subcomplex subunit 8, mitochondrial Human genes 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
Ｉｎを構成元素の一つとする化合物半導体の結晶成長方
法に関し、 表面モフォロジーや膜厚均一性に優れた結晶成長方法を
提供することを目的とし、 Ｉｎを構成元素の一つとする化合物半導体の構成元素、
の各々を含む複数の原材料を、基板上に交互に周期的に
供給することにより該化合物半導体を結晶成長させる方
法であって、Ｉｎを含む原材料の１周期あたりの供給量
を、Ｉｎが該基板上とこｌ原子層だけ堆積するのに必要
な量以下にするように構成する。
法に関し、 表面モフォロジーや膜厚均一性に優れた結晶成長方法を
提供することを目的とし、 Ｉｎを構成元素の一つとする化合物半導体の構成元素、
の各々を含む複数の原材料を、基板上に交互に周期的に
供給することにより該化合物半導体を結晶成長させる方
法であって、Ｉｎを含む原材料の１周期あたりの供給量
を、Ｉｎが該基板上とこｌ原子層だけ堆積するのに必要
な量以下にするように構成する。
〔産業上の利用分野］
本発明は、Ｉｎを構成元素の−・つとする化合物半導体
の結晶成長方法に関する。
の結晶成長方法に関する。
Ｉｎを構成元素の一つとする化合物半導体は、光通信用
デバイスや高速電子デバイスを作製する材料として優れ
た特性を有しており、特に近年では、ＧａＡｓあるいは
ＧａＡｌＡｓとの組合せによるペテロ接合デバイスへ応
用することによって、従来のデバイス性能をさらに向上
させることが試みられている。
デバイスや高速電子デバイスを作製する材料として優れ
た特性を有しており、特に近年では、ＧａＡｓあるいは
ＧａＡｌＡｓとの組合せによるペテロ接合デバイスへ応
用することによって、従来のデバイス性能をさらに向上
させることが試みられている。
そのため、Ｉｎを構成元素の一つとする化合物半導体薄
膜の結晶成長技術を確立することが望まれている。
膜の結晶成長技術を確立することが望まれている。
半導体の構成元素を含む原材料を基板上に交互に周期的
に供給し、ｌ原子層ごとに積み重ねて結晶を成長させる
原子層エピタキシー（ＡＬＥ）法は、結晶成長過程を原
子レベルで制御できるため、従来の気相成長法や液相成
長法とともに、あるいはこれらを補完する結晶成長方法
として注目されている。特に、従来方法では正確な成長
過程の制御が困難であった化合物半導体に適用されて効
果をあげている。
に供給し、ｌ原子層ごとに積み重ねて結晶を成長させる
原子層エピタキシー（ＡＬＥ）法は、結晶成長過程を原
子レベルで制御できるため、従来の気相成長法や液相成
長法とともに、あるいはこれらを補完する結晶成長方法
として注目されている。特に、従来方法では正確な成長
過程の制御が困難であった化合物半導体に適用されて効
果をあげている。
ＡＬＥ法を用いて化合物半導体の結晶成長を行う場合、
具体的にＧａＡｓを例にとると、Ｇａを含むトリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）と、Ａｓを含むアルシン（ＡＳＨＩ
）を交互に周期的に基板上に供給する。このとき、もし
１周期あたりのトリメチルガリウムの供給量を、Ｇａ原
子が基板上に１原子層だけ堆積するのに必要な量販上に
過剰に供給したとしても、Ｇａ原子相互間の付着力が弱
いため、過剰なＧａ原子は相互に積み重なって成長する
ことなく外部へ排気される。実際に成長面近傍で起こっ
ている現象は、このように単純なものではなく、たとえ
ば上に説明した原子の付着力も基板温度、雰囲気その他
の条件によって異なる等、その素過程は複雑であり明ら
かにされていない点も多い。しかし、大筋においては上
記のような現象が生じているものと考えられ、そのため
、原材料の供給量が過剰になっても原子層は１周期あた
り１層のみ成長するという膜厚の自動停止機構か＾ＬＥ
法において働いている。以上のような機構によって、Ｇ
ａ層とＡｓ層は原材料の供給順序に従って交互に１原子
層ごとに積み重なって成長し、その結果、表面モフォロ
ジーや膜厚均一性に優れた結晶性の良いＧａＡｓ単結晶
を得ることができる。
具体的にＧａＡｓを例にとると、Ｇａを含むトリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）と、Ａｓを含むアルシン（ＡＳＨＩ
）を交互に周期的に基板上に供給する。このとき、もし
１周期あたりのトリメチルガリウムの供給量を、Ｇａ原
子が基板上に１原子層だけ堆積するのに必要な量販上に
過剰に供給したとしても、Ｇａ原子相互間の付着力が弱
いため、過剰なＧａ原子は相互に積み重なって成長する
ことなく外部へ排気される。実際に成長面近傍で起こっ
ている現象は、このように単純なものではなく、たとえ
ば上に説明した原子の付着力も基板温度、雰囲気その他
の条件によって異なる等、その素過程は複雑であり明ら
かにされていない点も多い。しかし、大筋においては上
記のような現象が生じているものと考えられ、そのため
、原材料の供給量が過剰になっても原子層は１周期あた
り１層のみ成長するという膜厚の自動停止機構か＾ＬＥ
法において働いている。以上のような機構によって、Ｇ
ａ層とＡｓ層は原材料の供給順序に従って交互に１原子
層ごとに積み重なって成長し、その結果、表面モフォロ
ジーや膜厚均一性に優れた結晶性の良いＧａＡｓ単結晶
を得ることができる。
ところが、ｌｎ原子を含む化合物半導体を上記の方法で
結晶成長させる場合、Ｉｎの供給量を多くすると、成長
層表面に凹凸が生じたりあるいは膜厚均一性が１貝なわ
れ、また結晶性にも問題が生じていた。その原因は、以
下のように推測される。
結晶成長させる場合、Ｉｎの供給量を多くすると、成長
層表面に凹凸が生じたりあるいは膜厚均一性が１貝なわ
れ、また結晶性にも問題が生じていた。その原因は、以
下のように推測される。
第５図は、ＩｎＰ単結晶を成長させるためＩｎＰ基板１
上にＩｎを供給したときのＩｎ原子の配列の様子を模式
的に示したものである。基板１上へのＩ’ｎの供給量が
１原子層の成長に要する量を越えると１、Ｉｎ原子間で
は相互の付着力が強いため、同図に示すように過剰なＩ
ｎ原子は排気されずにまとまって液滴状となって１層目
のＩｎ原子層上にそのまま付着し積み重なり、この上に
Ｐ原子が供給されることになる。このような過程が゛繰
り返されると、場所的に不均一な成長が生じ、その表面
が荒れるとともに結晶性も悪くなる。
上にＩｎを供給したときのＩｎ原子の配列の様子を模式
的に示したものである。基板１上へのＩ’ｎの供給量が
１原子層の成長に要する量を越えると１、Ｉｎ原子間で
は相互の付着力が強いため、同図に示すように過剰なＩ
ｎ原子は排気されずにまとまって液滴状となって１層目
のＩｎ原子層上にそのまま付着し積み重なり、この上に
Ｐ原子が供給されることになる。このような過程が゛繰
り返されると、場所的に不均一な成長が生じ、その表面
が荒れるとともに結晶性も悪くなる。
そこで本発明は、表面モフォロジーや膜厚均一性に優れ
たＩｎを構成元素とする化合物半導体の結晶成長方法を
提供することを目的とする。
たＩｎを構成元素とする化合物半導体の結晶成長方法を
提供することを目的とする。
上記課題は、Ｉｎを構成元素の一つとする化合物半導体
の構成元素の各々を含む複数の原材料を、基板上に交互
に周期的に供給することにより該化合物半導体を結晶成
長させる方法であって、Ｉｎを含む原材料の１周期あた
りの供給量を、Ｉｎが該基板上に１原子層だけ堆積する
のに必要な量以下にしたことを特徴とする化合物半導体
の結晶成長方法によって解決される。
の構成元素の各々を含む複数の原材料を、基板上に交互
に周期的に供給することにより該化合物半導体を結晶成
長させる方法であって、Ｉｎを含む原材料の１周期あた
りの供給量を、Ｉｎが該基板上に１原子層だけ堆積する
のに必要な量以下にしたことを特徴とする化合物半導体
の結晶成長方法によって解決される。
本発明の作用は、ＩｎＰを例にとり、具体的に第１図（
ａ）〜（ｄ）を用いておよそ以下のように説明できる。
ａ）〜（ｄ）を用いておよそ以下のように説明できる。
同図は、ＩｎＩ’ ％板１上にＩｎ及びＰ原子を本発明
に係る方法に従って交互に周期的に供給したとき各原子
が該基板上に付着し積み重なっていく様子を模式的に示
したものである。同図（ａ）に示すように、まず最初の
１周期口で供給されたＩｎ原子は全て基板１上に付着し
、なおかつ該基板上にはＩｎ原子の付着しない領域が残
る。続いて供給されたＰ原子は、同図（ｂ）に示すよう
にＩｎ原子に付着して１層のＩｎＰ分子層を形成するが
、Ｉｎ原子へ付着できなかった過剰なＰ原子は不安定で
あり基板への付着力が弱いため外部へ排気される。つぎ
に２サイクル目に入って、この上に供給されたＩｎは同
図（Ｃ）に示すように、未だｆｎＰ分子層の形成されて
いない基板上の残された領域へ付着する。このとき過剰
なＩｎ原子はＰ原子上にも付着することになるが、Ｉｎ
原子が続けて重なる機会は少ない。続いて、供給された
Ｐ原子は、同図（ｄ）に示すように、Ｉｎ原子に付着し
、過剰なＰ原子は外部へ排気される。
に係る方法に従って交互に周期的に供給したとき各原子
が該基板上に付着し積み重なっていく様子を模式的に示
したものである。同図（ａ）に示すように、まず最初の
１周期口で供給されたＩｎ原子は全て基板１上に付着し
、なおかつ該基板上にはＩｎ原子の付着しない領域が残
る。続いて供給されたＰ原子は、同図（ｂ）に示すよう
にＩｎ原子に付着して１層のＩｎＰ分子層を形成するが
、Ｉｎ原子へ付着できなかった過剰なＰ原子は不安定で
あり基板への付着力が弱いため外部へ排気される。つぎ
に２サイクル目に入って、この上に供給されたＩｎは同
図（Ｃ）に示すように、未だｆｎＰ分子層の形成されて
いない基板上の残された領域へ付着する。このとき過剰
なＩｎ原子はＰ原子上にも付着することになるが、Ｉｎ
原子が続けて重なる機会は少ない。続いて、供給された
Ｐ原子は、同図（ｄ）に示すように、Ｉｎ原子に付着し
、過剰なＰ原子は外部へ排気される。
以上のように、１周期あたりのＩｎの供給量を１原子層
形成に要する星以下とするこ七により、Ｉｎ原子が重複
して積み重なって成長していくことを防くことができる
。
形成に要する星以下とするこ七により、Ｉｎ原子が重複
して積み重なって成長していくことを防くことができる
。
〔実施例］
第２図は本発明の実施例に用いた結晶成長装置の模式断
面図である。
面図である。
まず、３ Ｔｏｒｒに減圧した結晶成長装置２にｌｎＰ
基板１を配置し、ヒーター３によって５００°Ｃに加熱
する。原材料となるガスとしてトリメチルインジウム（
（ＣＨｓ）＊Ｉｎ）及び水素ガスにより２０％に希釈し
た十スフィン（ｐＨ，）を用い、ガス導入口４より該結
晶成長装置２に導入する。該結晶成長装置２には、上記
各ガスを切り換えて該基板ｌ上に交互に供給するること
のでか、るパルプが設けられている （図示していない
）。また、過剰に供給されたガスは排気口５より外部へ
排気される。
基板１を配置し、ヒーター３によって５００°Ｃに加熱
する。原材料となるガスとしてトリメチルインジウム（
（ＣＨｓ）＊Ｉｎ）及び水素ガスにより２０％に希釈し
た十スフィン（ｐＨ，）を用い、ガス導入口４より該結
晶成長装置２に導入する。該結晶成長装置２には、上記
各ガスを切り換えて該基板ｌ上に交互に供給するること
のでか、るパルプが設けられている （図示していない
）。また、過剰に供給されたガスは排気口５より外部へ
排気される。
第３図は上記各ガスの供給順序、供給量及び供給時間を
示したタイミングチャートであり、同図に示したように
、供給順序を水素−トリメチルインジウム−水素−ホス
フィンとし、これを１周期として、操り返し供給する。
示したタイミングチャートであり、同図に示したように
、供給順序を水素−トリメチルインジウム−水素−ホス
フィンとし、これを１周期として、操り返し供給する。
ここで、原材料ガスの供給の間に水素を供給し、異なっ
た種類のガスが基板上で混合しないようにした。１周期
中の各ガ上記工程中、該基板１上に供給されるガスの総
流量が常にＩ Ｓｌ、ｌ’ｌとなるように別系統のバル
ブ（図示していない）より水素ガスを供給した。
た種類のガスが基板上で混合しないようにした。１周期
中の各ガ上記工程中、該基板１上に供給されるガスの総
流量が常にＩ Ｓｌ、ｌ’ｌとなるように別系統のバル
ブ（図示していない）より水素ガスを供給した。
第４１２Ｉは、１周期あたりのトリメチルインジウムの
供給時間を変化させ、その他のパラメータは上記実施例
と同一値としたときの１周期あたりの成長分子層数の測
定値を示したものである。同図から明らかなように、１
周期あたりのトリメチルインジウムの供給時間が約６秒
のとき１周期あたりの成長分子層数が１となる。従って
、本実施例において実施した３秒ではＩｎの供給量が少
ないため成長分子層は１以下となり、その結果、膜厚均
一性の良好な平坦な成長表面が得られる。一方、同図に
おいて６秒より長いときにはＩｎの供給量が過剰、とな
って、成長分子層数が１以上になる。このような条件の
もとでは、膜厚の不均一性が顕著になるとともに成長表
面には凹凸が生じた。このことは、同図において成長分
子層数が１を越えるとともに測定値のパラツギが大きく
なっていることからも明らかである。
供給時間を変化させ、その他のパラメータは上記実施例
と同一値としたときの１周期あたりの成長分子層数の測
定値を示したものである。同図から明らかなように、１
周期あたりのトリメチルインジウムの供給時間が約６秒
のとき１周期あたりの成長分子層数が１となる。従って
、本実施例において実施した３秒ではＩｎの供給量が少
ないため成長分子層は１以下となり、その結果、膜厚均
一性の良好な平坦な成長表面が得られる。一方、同図に
おいて６秒より長いときにはＩｎの供給量が過剰、とな
って、成長分子層数が１以上になる。このような条件の
もとでは、膜厚の不均一性が顕著になるとともに成長表
面には凹凸が生じた。このことは、同図において成長分
子層数が１を越えるとともに測定値のパラツギが大きく
なっていることからも明らかである。
なお、本実施例ではＩｎＰについて述べたが、本発明は
これに限らず、Ｉｎを構成元素の１つとする化合物半導
体、たとえばＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、 ＩｎＡｓＰ、
ＩｎＧａＡｓＰ等の結晶成長へも適用できる。
これに限らず、Ｉｎを構成元素の１つとする化合物半導
体、たとえばＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、 ＩｎＡｓＰ、
ＩｎＧａＡｓＰ等の結晶成長へも適用できる。
以上説明したように、本発明によればＩｎをＲ４構成素
の１つとする化合物半導体について、成長表面に凹凸や
縞状のうねりのない、即ち表面モフォロジーの良好なか
つ膜厚均一性の良い単結晶薄膜を再現性よく得ることが
でき、これを用いたデバイスの性能向上を図ることがで
きる。
の１つとする化合物半導体について、成長表面に凹凸や
縞状のうねりのない、即ち表面モフォロジーの良好なか
つ膜厚均一性の良い単結晶薄膜を再現性よく得ることが
でき、これを用いたデバイスの性能向上を図ることがで
きる。
第１図は本発明の詳細な説明するための模式断面図、
第２図は本発明の実施例に用いた結晶成長装置の要部を
示す模式断面図、 第３図はガス供給の夕・イミングチヤード、第４図は１
周期あたりの成長分子層数のトリメチルインジウム供給
時間依存性を示す実験データ、第５図は従来例の問題点
を説明するための模式断面図である。 図において、 ■はＩｎＰ基板、 ２は結晶成長装置、 ３はヒーター ４はガス導入口、 ５は排気口、 である。 ○゛■が号 ＠Ｆ′沖ナ ボ発朗の厘理を鋭蛸す３にめρ棄式訪光口滲 １ の め要＠１５とホ寸オ莫夫的面図 第 ２ 図 かス・イ夫糸＆のタイミ〕グ′＋７−ト躬 ３ 図 （＃／周期） 躬 図 ６［牙；伎倖へ口臀９虫、各さと０月する「こごう９貢
嘔辷氏ボＴ而優１阜 ５ ａ
示す模式断面図、 第３図はガス供給の夕・イミングチヤード、第４図は１
周期あたりの成長分子層数のトリメチルインジウム供給
時間依存性を示す実験データ、第５図は従来例の問題点
を説明するための模式断面図である。 図において、 ■はＩｎＰ基板、 ２は結晶成長装置、 ３はヒーター ４はガス導入口、 ５は排気口、 である。 ○゛■が号 ＠Ｆ′沖ナ ボ発朗の厘理を鋭蛸す３にめρ棄式訪光口滲 １ の め要＠１５とホ寸オ莫夫的面図 第 ２ 図 かス・イ夫糸＆のタイミ〕グ′＋７−ト躬 ３ 図 （＃／周期） 躬 図 ６［牙；伎倖へ口臀９虫、各さと０月する「こごう９貢
嘔辷氏ボＴ而優１阜 ５ ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉｎを構成元素の一つとする化合物半導体の構成元素の
各々を含む複数の原材料を、基板上に交互に周期的に供
給することにより該化合物半導体を結晶成長させる方法
であって、 Ｉｎを含む原材料の１周期あたりの供給量を、Ｉｎが該
基板上に１原子層だけ堆積するのに必要な量以下にした
ことを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325021A JP2757407B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 化合物半導体の結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325021A JP2757407B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 化合物半導体の結晶成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166722A true JPH02166722A (ja) | 1990-06-27 |
| JP2757407B2 JP2757407B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=18172254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63325021A Expired - Fee Related JP2757407B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 化合物半導体の結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2757407B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6036771A (en) * | 1997-09-30 | 2000-03-14 | Nec Corporation | Method of manufacturing optical semiconductor device |
| US6872043B2 (en) | 2002-05-09 | 2005-03-29 | Kubota Corporation | Swivel type working vehicle |
| WO2014136416A1 (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | 国立大学法人山口大学 | 半導体装置の製造方法及びｉｉｉ－ｖ族半導体の結晶成長方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134924A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Res Dev Corp Of Japan | 半導体結晶成長装置 |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP63325021A patent/JP2757407B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134924A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Res Dev Corp Of Japan | 半導体結晶成長装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6036771A (en) * | 1997-09-30 | 2000-03-14 | Nec Corporation | Method of manufacturing optical semiconductor device |
| US6872043B2 (en) | 2002-05-09 | 2005-03-29 | Kubota Corporation | Swivel type working vehicle |
| WO2014136416A1 (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | 国立大学法人山口大学 | 半導体装置の製造方法及びｉｉｉ－ｖ族半導体の結晶成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2757407B2 (ja) | 1998-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4861417A (en) | Method of growing group III-V compound semiconductor epitaxial layer | |
| JPH05291140A (ja) | 化合物半導体薄膜の成長方法 | |
| JPS6065798A (ja) | 窒化ガリウム単結晶の成長方法 | |
| JP2757407B2 (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法 | |
| US5294565A (en) | Crystal growth method of III - V compound semiconductor | |
| JP3137767B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5229319A (en) | Method for producing compound semiconductors and apparatus therefor | |
| JP3946805B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 | |
| US5622559A (en) | Method of preparing compound semiconductor | |
| JPH0574724A (ja) | アルミニウム化合物の原子層成長方法 | |
| JP2736655B2 (ja) | 化合物半導体結晶成長方法 | |
| JP6997283B2 (ja) | 気相エピタキシー法 | |
| JPS63129609A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶薄膜の不純物添加法 | |
| JPH04162418A (ja) | 化学気相成長法 | |
| EP0477374B1 (en) | Process for growing semiconductor crystal | |
| JP2982332B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH04260696A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JP2807750B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH04238889A (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法 | |
| JPH04221820A (ja) | 有機金属気相成長方法 | |
| JPH0532360B2 (ja) | ||
| JPH03232221A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPH02297924A (ja) | 化合物半導体の有機金属気相成長法 | |
| JPH0594949A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JP2712910B2 (ja) | 気相成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |