JPH02165659A - 回路構成用基板及びその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は、半導体結晶基板乃至層を用いた電子回路、誘
電体結晶基板乃至層を用いた光回路なとの種々の回路を
構成するのに用いる回路構成用基板、及びその製法に関
する。

【従来の技術１ 従来、結晶基板でなる回路構成用基板が提案されている
。 このような回路構成用基板によれば、それを用いて、そ
の結晶基板上に、結晶基板とは異なる結晶層を形成し、
その結晶層を用いて、電子回路、光回路なとの種々の回
路を構成することができる。 そして、この場合、結晶基板を例えば３ｉでなる−６の
とし、また、結晶層を例えばＧａＡｓでなるものとすれ
ば、結晶基板を、高い熱伝導度を有し且つ大きな面積と
を有するらのとしで、容易に用意することができ、また
、結晶層を、＾い電子移動度を有し且つ発光機能を有す
るものとして、容易に形成することができるので、種々
の回路を、結晶基板が高い熱伝導度を有し且つ大きな面
積を有することの特徴と、結晶層が高い電子移動度を有
し且つ発光機能を右することの特徴とを十分生かしたも
のとして、容易に構成することができる。 このように、従来の回路構成用基板によれば、それを用
いて、種々の回路を、結晶基板の材料にちとすく特徴と
、結晶基板上に形成する結晶層の材料にもとすく特徴と
を十分生かしたものとして、容易に構成することができ
る。 【発明が解決しようとする課題１ しかしながら、従来の回路構成用基板の場合、その結晶
基板上に、それとは異なる材料の結晶層を、結晶基板の
上面に直接接しで形成し、その＆！ｉ品層を用いて、種
々の回路を構成するように用いれば、結晶基板上に形成
される結晶層が結晶基板とは異なる材料であるため、両
者間に格子不整合が生じ、よって、結晶基板上に形成さ
れる結晶層が望ましくない転位をきわめて高密度に右す
るものとして形成され、このため、結晶基板上に形成さ
れる結晶層を用いて構成される種々の回路を、良好な特
性を有するものとして構成することができない、という
欠点を有していた。 また、結晶基板上に、それとは異なる材料の結晶層を形
成するのに先立ち、結晶駐機上にそれと結晶層との間の
格子不整合を緩和さ「るバッファ層を形成し、そして、
そのバッフＦＬＩ上に結晶層を形成し、その結晶層を用
いて、種々の回路を構成するようにして用いるとすれば
、級晶層が望ましくない転位を上述の場合に比し低い密
度でしか有しないものとして形成されるので、上述した
欠点をある程度回避させることができる。 しかしながら、この場合、結／２Ｍが、望ましくない転
位を上述の場合に比し低い密度しか有しないものとして
形成されるとしても、その転位が無理し得ない密度を有
しているのは否めな、よって、上述した欠点を十分回避
することができない、という欠点を有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な回路構
成用基板、及びその製法を提案せんとするものである。 （課題を解決するための手段］ 本発明による回路構成用基板は、基本的に、主面側から
凹所を形成している基板本体と、その凹所内に配置され
且つ基板本体とは異なる材利でなる結晶基板とを有する
。 また、本発明による回路構成用基板の製法は、基本的に
、基板本体の主面上にマスク層を形成する第１の工程と
、その第１の工程後、基板本体に対する上記マスク層を
マスクとするエツチング処理によって、基板本体に凹所
を形成する第２の工程と、その第２の工程後、上記凹所
内に、予め形成されている、基板本体とは異なる材料で
なる結晶基板を配置する第３の工程とを有する。 【作用・効果】 本発明による回路構成用基板によれば、基板本体が前述
した従来の回路構成用基板の結晶基板に対応し、また結
晶基板が、前述した従来の回・路構成用基板の結晶基板
上に形成される結晶層に対応している。 このため本発明による回路構成用基板も、それを用いて
、前述した種々の回路を、従来の回路構成用基板の場合
に準じて、基板本体の材料にもとすく特徴と、その結晶
基板の材料にもとずく特徴とを十分生かしたものとして
、容易に構成することができる。 しかしながら、本発明による回路構成用基板の場合、従
来の回路構成用基板の結晶基板上に形成される形成され
る結晶層に対応している結晶基板は、従来の回路構成用
基板の結晶基板に対応している基板本体上に形成された
ちのＣはなり、基板本体とは別に予め用意されているも
のである。 このため、その結晶基板を、望ましくない転位を十分低
い密度でしか有しないものとして。 容易に用意することができる。 よって、本発明による回路構成用基板によれば、それを
用いて、種々の回路を、従来の回路構成用基板を用いる
場合に比し良好な特性を右するしのとして、容易に構成
することができる。 また、本発明による回路構成用基板の製法によれば、上
述した特徴ある本発明による回路構成用基板を、容易に
製造することができる。

【実施例１】 次に、第１図を伴って本発明による回路構成用基板の第
１の実施例、及びその製法の実施例を、その製法の実施
例で述べよう。 第１図に示す本発明による回路構成用基板の製法の実施
例は、次に述べる順次の工程を右する。 すなわち、例えば３ｉでなり且つ例えば、直径２インチ
、厚さ３５０μｍの円板状の基板本体１を予め用意する
（第１図Ａ）。 次に、基板本体１の主面２上に、例えば石英ガラスぐな
り且つ例えば縦３４０μｍ、横２０４０μｍの窓４を有
する、例えば厚さ１μｍのマスク層３を、それ自体は公
知の、スパッタリング法なとの堆積法、及びリソグラフ
ィ法によって形成する（１１図Ｂ）。 次に、基板本体１に対する゛マスク層３をマスクどする
、例えば０２Ｆ６系ガスを用いた反応性ドライエツチン
グ処理、水酸化カリウム、エチレンジアミンピロロチコ
ールなどを用いたウェットエツチング処理なとのそれ自
体は公知のエツチング処理によって、３３１本体１に、
マスク層３の窓４とほぼ同じ大きさの凹所５を、例えば
１５０μｍの深さに形成する（第１図Ｃ）。 次に、基板本体１上から、マスク層３を、例えば弗酸溶
液を用いて除去する（第１図Ｄ）。 次に、凹所５内に、予め用意された、凹所５に丁度見合
った寸法を有し且つ例えばＧａＡｓでなる結晶基板６を
配置する（第１図Ｅ〉。 次に、基板本体１の主面２及び結晶基板６の主面７上に
連続延長し且つ基板本体１のみを外部に臨ませる窓９を
右する、石英ガラス、シリコン窒化物でなる層８を、そ
れ自体は公知の、ＣＶＤ法なとの堆積法、及びリソグラ
フィ法によって、例えば１μｍの厚さに形成し、それに
よって、結晶基板６を、基板本体１に、凹所５内におい
て、固定する（第１図Ｆ）。 以上が、本発明による回路構成用基板のｖＳｌの実施例
の製法の実施例Ｃある。 このような本発明による回路構成用基板の製法によって
製造される本発明による回路構成用基板（第１図Ｆ）に
よれば、基板本体１が前述した従来の回路構成用基板の
結晶基板に対応し、また結晶基板６が、前述した従来の
回路構成用基板の結晶基板上に形成されるｖ１品層に対
応している。このため、第１図「に示す本発明による回
路構成用基板も、それを用いて、前述した種々の回路を
、従来の回路構成用基板の場合に準じて、基板本体１の
材料にもとずく特徴と、結晶基板６の材料にもとすく特
徴とを十分生かした乙のとして、容易に構成することが
できる。 しかしながら、第１図Ｆに示す本発明による回路構成用
基板の場合、従来の回路構成用基板の結晶基板上に形成
される結晶病に対応している結晶球板６は、従来の回路
構成用基板の結晶基板に対応している基板本体１上に形
成されたらのではなり、基板本体１とは別に予め用意さ
れているものである。 このため、その結晶基板６を、望ましくない転位を十分
低い密度でしか有しないらのとして、容易に用意するこ
とができる。 よって、第１図Ｆに示す本発明による回路構成用基板に
よれば、それを用いて、種々の回路を、従来の回路構成
用基板を用いる場合に比し良好な特性を有するものとし
て、容易に構成することができる。 また、第１図Ｆに示す本発明による回路構成用基板によ
れば、層８によって、結晶基板６を、基板本体１に固定
しているので、その取扱いが便である。 さらに、１１８が窓９を有するので、第１図Ｆに示す本
発明による回路構成用基板を用いて、種々の回路を構成
するに当り、その種々の回路を、結晶基板６のＦＦＪ８
の窓９を通じて外部に臨む領域上に、鎖線図示のように
、結晶層１０を中層または多層に形成し、その結晶層１
０と結晶基板６とを用いて、容易に構成することができ
る。 また、第１図Ａ〜Ｆに示す本発明による回路構成用基板
の製法にＪ、れば、基板本体１の主面２上にマスク層３
を形成する工程と、その工程後、基板本体１に対するマ
スク層３をマスクとするエツチング処理によって、基板
本体１に凹所５を形成する工程と、その工程後、凹所５
内に、予め用意されている、基板本体１とは異なる材料
でなる結晶基板６を配置する工程と、その工程後、基板
本体１の主面２結晶基板６の主面上に連続延長し且つ結
晶基板６を外部に臨ま「る窓９を有する層８を被着形成
する工程とを何する、という簡易な工程で、上述した特
徴を有する本発明による回路構成用基板を、容易に％３
Δすることがひきる。

【実施例２】 次に、第２図を伴って、本発明による回路構成用基板の
第２の実施例、及びその製法の実施例を、その製法の実
施例で述べよう。 第２図に示す本発明による回路構成用基板の製法は、次
に述べる順次の工程を有する。 すなわら、第１図で上述した本発明による回路構成用基
板の製法における、上述した第１図Ａ〜第１図りの工程
を順次とって後、基板本体１の凹所５内に、予め用意さ
れている、例えば全表面に、例えば石英ガラスでなり且
つ例えば０．５μｍの厚さを有するガラス層１１をそれ
自体は公知の方法によって被着形成している、第１図で
上述したと同様の結晶基板６を配置する（第２図Ａ）。 ただし、この場合、基板本体１が半絶縁性を有するか、
結晶基板６とは異なる絶縁材料でなる。 次に、真空炉内において、第２図Ｂに示すように、電熱
板１２上に、例えばシリコンでなる電極板１３を配し、
そして、その電極板１３上に、凹所５内に結晶基板６を
配置している基板本体１を４１！置し、その基板本体１
の凹所５内に配置されている結晶基板６上に、それに被
谷形成されているガラス層１１を介して、他の電圃板１
４を配する。 次に、真空炉内の圧力を１０　’　　Ｔｏｒｒ程亀にし
た状態で、電熱板１２を電源１５によっＣ加熱させ、そ
れによっ（、基板本体１及び結晶基板６を、ガラス層１
１とともに７５０〜Ｂ５０℃の温度に加熱している状態
にする。そして、その状態で、電極板１３及び１４間に
電圧源１６から、°５０〜３００Ｖの電圧を僅かな時間
印加させ、それによって、基板本体１及び結晶基板６の
ガラス層１１側に互に逆極性の電荷をそれぞれ誘起させ
、その電荷によってガラス層１１を基板本体１側に向わ
せる静゛電圧力を発生させ、それによって、ガラス層１
１を凹所５の内面に被着させ、よって、結晶基板６を、
ガラス層１１を介しＣ１基板本体１に、凹所５内におい
て、固定する。 次に、真空炉内に窒素ガスを導入し、窒素ガス雰囲気中
ぐ、１０００〜１２００℃、３０分の熱処理を行い、ガ
ラス層１１の凹所５の内面への被着力を増加させる。 次に、結晶基板６上から、電極板１４を取去り、基板本
体１を電極板１３上から取上げ、真空炉内から取出す（
第２図Ｃ）。 以上が、本発明による回路構成用基板の第２の実施例の
製法の実施例である。 このような本発明による回路構成用基板の製法によって
ＹＩＪ造される本発明による回路構成用基板（第２図Ｃ
）は、第１図Ｆで上述した本発明による回路構成用基板
において、結晶基板６が、その表面になんら被着物を有
していない状態で、基板本体１の凹所５内に配置され、
そして、その結晶層６が、その上面及び基板本体１に延
長している層８によって、基板本体１に固定されている
のに代え、結晶基板６が、その表面にガラス層１１を予
め被着形成している状態で、基板本体１の凹所５内に配
置され、そして、結晶基板６が、ガラス層１１を介して
、基板本体１に固定されていることを除いて、第１図Ｆ
で上述した本発明による回路構成用基板と同様の構成を
有する。 このため、詳細説明は省略するが、第１図Ｆで上述した
本発明による回路構成用基板の場合と同様の特徴を有す
る。 なお、本例の場合、（れを用いて、種々の回路を構成す
るに当り、その種々の回路を、結晶基板６の表面に被着
されているガラスｌｉ！１１の結晶基板６の上面上の部
に、結晶基板６を外部に臨ませる窓を形成し、そして、
結晶基板６の窓に臨む領域上に結晶層を形成し、その結
晶層と結晶基板６とを用いて、容易に構成することがで
きる。 また、第２図に示す本発明による回路構成用基板の製法
によれば、基板本体１の主面２上にマスク層３を形成す
る工程と、その工程後、基板水［４１に対するマスク層
３をマスクとするエツチング処理によって、基板本体１
に凹所５を形成Ｊる工程と、その工Ｐｉ！ｍ、凹所５内
に、予め用意されている、表面に被着形成されているガ
ラス層１１を有し且つ基板本体１とは異なる材料でなる
結晶基板６を配置する工程と、その工程後、基板本体１
及び結晶基板６間に、それらを加熱している状態で電圧
を印加させる工程とを有する、という簡易な工程ぐ、上
述した特徴ある本発明による回路構成用基板を、容易に
製造することができる。

【実施例３］ 次に、第３図を伴って、本発明ににる回路構成用基板の
第３の実施例、及びその製法の実施例を、その製法の実
施例で述べよう。 第３図に示す本発明による回路構成用基板の製法は、次
に述べる順次の工程を有する。 すなわち、第１図で上述した本発明による回路構成用基
板の製法における、上述した第１図Ａ〜第１図りの工程
を順次とって後、基板本体１の少なくとも凹所５の内面
（図においては凹所５を含めた全外表面）に、例えば、
石英ガラスでなりＤつ例えば０．５μｍの厚さを有する
ガラス層２１をそれ自体は公知の方法によっで被着形成
する（第３図へ）。 次に、基板本体１の凹所５内に、その内面に被着形成さ
れているガラス層２１を介して、第１図で上述したと同
様の結晶基板６を配置する（第３図Ｂ）。ただし、この
場合、結晶基板６は半絶縁性を有する。 次に、真空炉内において、第３図Ｃに示すように、第２
図Ｂで上述したのに準じて、電熱板１２上に電極板１３
を配し、その電極板１３上に、凹所５内にガラス層２１
を介して結晶基板６を配置している基板本体１を載置し
、結晶基板６上に他の電極板１４を配し、そして、電熱
板１２によって、基板本体１及び結晶基板６をガラス層
２１とともに加熱させ、その状態で、電極板１３及び１
４間に電圧源１６から電圧を印加させることによって、
ガラス層２１を静電圧を利用して結晶基板６の表面に被
着させ、よって、結晶基板６を、ガラス層２１を介し°
Ｃ１基板本体１に、凹所５内において、固定する。 次に、第２図で上述したと同様の熱処理を行って、ガラ
ス層２１の結晶基板６の外面への被着力を増加させる。 次に、結晶基板６上から、電極板１４を取去り、基板本
体１を電極板１３上から取上げ、真空炉内から取出す（
第３図Ｄ）。 以上が、本発明による回路構成用基板の第３の実施例の
製法の実施例である。 このような、本発明による回路構成用基板の製法によっ
て製造される本発明による回路構成用基板（第３図Ｄ）
は、第２図Ｃで上述した本発明による回路構成用基板に
おいて、その結晶基板６が、その表面に予め被着形成さ
れているガラス層１１を介して、基板本体１の凹所５内
に固定して配されているのに代え、結晶基板６が、基板
本体１の凹所５内に、その内面に予め形成されているガ
ラス層２１を介して、固定配置されていることを除いて
、第２図Ｃで上述した本発明による回路構成用基板と同
様の構成を右する。 このため、詳細訳明は省略するが、第２図Ｃで上述した
本発明による回路構成用基板の場合と同様の特徴を有す
る。 また、第３図に示す本発明による回路構成用基板の製法
によれば、基板本体１の主面２上にマスク層３を形成す
る工程と、その工程後、基板本体１に対するマスク層３
をマスクとするエツチング処理によって、基板本体１に
凹所５を形成する工程と、その工程後、凹所５の内面に
ガラス層２１を被着形成する工程と、その工程後、凹所
５内に、予め用意されている、基板本体１とは異なる材
料でなる結晶基板６を配置する工程と、その工程後、基
板本体１及び結晶基板６間に、それらを加熱している状
態で電圧を印加させる工程とを有する、という簡易な工
程で、上述した特徴ある本発明による回路構成用基板を
、容易に製造することができる。 【実施例４】 次に、第４図を伴って、本発明による回路構成用基板の
第４の実施例、及びその製法の実施例を、その製法の実
施例で述べよう。 第４図に示す本発明による回路構成用基板の製法は、次
に述べる順次の工程を右する。 すなわち、第３図で上述した本発明による回路構成用基
板の実施例の場合と同様に、第１図で・上述した本発明
による回路構成用基板の製法における、上述した第１図
Ａ〜第１図りの工程を順次とって後、基板本体１の少な
くとも凹所５の内面に、同様のガラス層２１をそれ自体
は公知の方法によって被着形成する（第４図へ）。 次に、基板本体１の凹所５内に、その内面に形成されて
いるガラス層２１を介して、第２図で上述したと同様の
、外表面にガラスＩｉ！１１１を被着形成している結晶
基板６を配置する（第４図Ｂ）。ただし、この場合、結
晶基板６は半絶縁性を有しなくてもよい。 次に、真空炉内において、第４図Ｃに示すように、第２
図Ｂで上述したのに準じて、電熱板１２上に電極板１３
を配し、その電極板１３上に、内面にガラス層２１を被
６形成している凹所５内にガラス層２１を介して結晶基
板６を配置している基板本体１を載置し、結晶基板６上
に他の電極板１４を配し、電熱板１２によって基板本体
１及び結晶基板６をガラス層１１及び２１ととしに加熱
させ、その状態で、電！４板１３及び１４間に電圧源１
６から電圧を印加させることによって、ガラス層１１及
び２１を静電圧力を用いて互に被着させ、よって、結晶
基板６を、ガラス層２１を介して、基板本体１に、凹所
５内において、固定する。 次に、第２図で上述したと同様の熱処理を行って、ガラ
ス層１１及び２１間の外面への被着力を増加させる。 次に、結晶基板６上から、電極板１４を取去り、基板本
体１を電極板１３上から取上げ、真空炉内から取出す（
第４図Ｄ）。 以上が、本発明による回路構成用基板の第４の実施例の
’！Ｊ　２にの実施例である。 このような、本発明による回路構成用基板の製法によっ
て製造される本発明による回路構成ｎロ工板（第４図Ｄ
）は、第４図りで上述した本発明による回路構成用基板
において、その結晶基板６が、基板本体１の凹所５内に
、その内面に予め被着形成されているガラス層２１を介
して配されているのに代え、結晶基板６が、基板本体１
の凹所５内に、結晶基板６の表面に予め被着形成されて
いるガラス層１１と、凹所５の内面に予め形成されてい
るガラス層２１とを介して、固定配置されていることを
除いて、第３図りで上述した本発明による回路構成用基
板と同様の構成を有する。 このため、詳細説明は省略するが、第３図りで上）！シ
た本発明による回路構成用基板の場合と同様の特徴を有
する。 また、第４図に示す本発明による回路構成用基板の製法
によれば、基板本体１の主面２上にマスク層３を形成す
る工程と、その工程後、基板本体１に対するマスク層３
をマスクとするエッヂング処理によって、基板本体１に
凹所５を形成する工程と、その工程後、凹所５の内面に
ガラス層２１を被着形成する工程と、その工程後、凹所
５内に、予め用意されている、表面にガラス層１１を被
着形成している基板本体１とは５′１：なる材料でなる
結晶基板６を配置する工程と、その工程後、基板本体１
及び結晶基板６間に、それらを加熱している状態で電圧
を印加させる工程とを有する、という簡易な工程で、上
述した特徴ある本発明による回路構成用基板を、容易に
製造することができる。

【実施例５】 次に、第５図を伴って、本発明による回路構成用基板の
第５の実施例、及びその製法の実施例を、その製法の実
施例で述べよう。 第５図に示す本発明による回路構成用基板の製法は、次
に述べる順次の工程を有する。 すなわら、第１図で上述した本発明による回路構成用基
板の製法における、上述した第１図Ａ〜第１図りの工程
を順次とって後、基板本体１の凹所５内に、表面（図に
おいＣは、下面）＋、＝Ａｕ、Ａ　Ｉ　、Ｇａ１１　ｎ
１Ｃｕ、ＡＱなどぐなり且つ例えば０．２μｍの厚さを
有する金属層３１を電子ビーム蒸着法なとのそれ自体は
公知の方法によって予め被４形成している、第１図（・
上述したと同様の結晶基板６を配置する（第５図Ａ）。 次に、１０’　　Ｔｏｒｒ程度の圧力を有する真空炉内
において、基板本体１及び結晶基板６を金属層３１とと
もに、約４００℃の調度で加熱させることによって、金
属層３１を軟化乃至熔融させ、それによって、結晶基板
６を、金属層３１を介して、基板本体１に、凹所５内に
おいて、固定する（第５図Ｂ）。 以上が、本発明による回路構成用基板の第５の実施例の
製法の実施例である。 このような、本発明による回路構成用基板の製法によっ
て製造される本発明による回路構成用基板（第５図Ｂ）
は、第２図Ｃで上述した本発明による回路構成用基板に
おいて、その結晶基板６が、その表面に予め被着形成さ
れているガラス層１１を介して、基板本体１の凹所５内
に固定して配されているのに代え、結晶基板６が、その
表面に予め？ＩＩ！ｉｔ形成されている金属層３１を介
して、基板本体１の凹所５内に、固定配置されているこ
とを除いて、第２図Ｃで上述した本発明による回路構成
用基板と同様の構成を右する。 このため、詳細説明は省略するが、第２図Ｃぐ上述した
本発明による回路構成用基板の場合と同様の特徴を有す
る。 また、第５図に示す本発明による回路構成用基板の製法
によれば、基板本体１の主面２上にマスク層を形成する
工程と、その工程後、基板本体１に対するマスク層３を
マスクとするエツチング処理によって、基板本体１に凹
所５を形成する工程と、その工程後、凹所５内に、予め
用意されでいる、表面に被管形成されている金属層３１
を有し且つ基板本体１とは異なる材料でなる結晶基板６
を配置する工程と、その工程後、金属層３１を加熱に、
よって軟化乃至熔融させる工程とを有する、という簡易
な工程で、上述した特徴ある本発明による回路構成用基
板を、容易に製造することができる。

【実施例６】 次に、第６図を伴って本発明による回路構成用基板の第
６の実施例、及びその製法の実施例を、その製法の実施
例で述べよう。 第６図に示す本発明による回路構成用基板の製法は、第
５図で上述した本発明による回路構成用基板の製法の実
施例において、基板本体１の凹所５内に、外表面に金属
層３１を他の層を介することなしに被着形成している結
晶基板６を配置する（第５図Ａ）のに代え、第６図へに
示すように、基板本体１の凹所５内に、外表面に金属層
３１を保護層３２を介して被着形成している結晶基板６
を配することを除いて、第５図で上述した本発明による
回路構成用基板の製法の実施例の場合と同様である。 この場合、保護層３２は、図示のように、結晶基板６の
全外表面に被着形成されているのが望ましいが、第６図
Ｂに示すように、第５図Ｂで上述したと同様に、基板本
体１の凹所５内に結晶基板６を配して後、加熱によって
、結晶３％板６を、金属層３１を介して基板本体１に固
定する工程において、金属層３１からそれらを構成して
いる金属が結晶基板６内に望ましくない不純物として導
入されるを阻止する。なお、本願第５番目の発明３２は
、結晶基板６の下面及び側面にも延長させておけば、基
板本体１からのそれを構成している材料が結晶基板６内
に望ましくない不純物として導入されるのを阻止する。 以上が、本発明による回路構成用基板の第６の実／７ｍ
　ｉＭの製法の実施例である。 このような、本発明による回路構成用基板の製法によっ
て製造される本発明よる回路構成用基板（第６図Ｂ）は
、結晶基板６の表面に被着されている、金属層３１が、
保護層３２を介して被着形成されていることを除いて、
第５図Ｂで上述した本発明による回路構成用基板と同様
の構成を有するので、詳細説明を省略するが、第５図Ｂ
で上述した本発明による回路構成用基板と同様の特徴を
有する。 また、結晶基板６が、保護層３２を右する状態で、基板
本体１の凹所５内に固定されているので、その結晶基板
６が、金属層３１からのそれを構成している金属や、基
板本体１からのそれを構成している材料による不純物に
よって汚染されていず、よって、結晶基板６を用いた種
々の回路を、良好な特性を有するものとして、容易に構
成することができる。 また、第６図に示す本発明による回路構成用基板の製法
によれば、基板本体１の主面２上にマスク層を形成する
工程と、その工程後、基板本体１に対するマスク層３を
マスクとするエツチング処理によっＣ％基板本体１に凹
所５を形成する工程と、その工程後、凹所５内に、予め
用意されている、表面に保護層３２を介して被管形成さ
れている金属層３１を有し且つ基板本体１とは異なる材
料でなる結晶基板６を配置する工程と、その工程後、金
属層３１を加熱によって軟化乃至熔融させる工程とを有
する、という簡易な工程で、上述した特徴ある本発明に
よる回路構成用基板を、容易に製造することができる。 また、金属層３１を加熱によって軟化乃至熔融させる工
程において、金属層３１が結晶基板６の表面に保護層３
２を介して被着形成されているので、結晶基板６が金属
層３１を構成している金属による不純物によって汚染さ
れず、また、この場合、保護層３２が図示のように結晶
基板６の下面及び側面上に延長していれば、結晶基板６
が基板本体１の材料による不純物によっても汚染されな
い。 （実施例７１ 次に、第７図を伴って、本発明による回路構成用単板の
第７の実施例、及びその製法の実施例を、その製法の実
施例で述べよう。 第７図に示ず本発明による回路構成用基板の製法は、次
に述べる順次の工程を有する。 すなわち、第１図で上述した本発明による回路構成用基
板の！！法における、上述した第１図Ａ〜′７５１図り
の工程を順次とって後、基板本体１の少なくとも凹所５
の内面（図においては、下面）に、第５図で上述した本
発明による回路構成用基板の製法における、被着形成さ
れている金属層３１と同様の金属層３３を、同様の方法
によって被着形成する（第７図Ａ）。 次に、基板本体１の凹所５内に、その内面に被着形成さ
れている金属層３３を介しで、第１図で上述したと同様
の結晶基板６を配置する（第７図Ｂ）。 次に、第５図で上述した本発明による・回路構成用基板
の製法の場合に準じて、１Ｏ−３Ｔｏｒｒ程度の圧力を
有する真空炉内において、基板本体１及び結１４板６を
金属層３３とともに、約４００℃の温度で加熱させるこ
とによって、金属層３３を軟化乃至熔融させ、それによ
って、結晶基板６を、金属層３３を介して、基板本体１
に、凹所５内において、固定する（第７図Ｃ）以上が、
本発明による回路構成用基板の第５の実施例の製法の実
施例Ｃある。 このような、本発明による回路構成用基板の製法によっ
て製造される本発明による回路構成用基板（第７図Ｃ）
は、第５図Ｃで上述した本発明による回路構成用基板に
おいて、その結晶基板６が、その表面に被着形成されて
いる金属層あ１を介して、基板本体１の凹所５内に固定
して配されているのに代え、結晶基板６が、基板本体１
の凹所５内に、その内面に被着形成されている金属層３
３を介して固定配置されていることを除いて、第５図Ｃ
で上述した本発明による回路網成用基板と同様の構成を
有する。 このため、詳細説明は省略するが、第５図ＣＣ上述した
本発明による回路構成用基板の場合と同様の特徴を有す
る。 また、第７図に示す本発明による回路構成用基板の製法
によれば、基板本体１の主面２上にマスク帝を形成する
工程と、その工程後、基板本体１に対するマスクｒ１３
をマスクとするエラ１−ング処理によって、基板本体１
に凹所５を形成りる工程と、その工程後、凹所５の内面
に金属層３３を被着形成する工程と、その工程後、凹所
５内に、予め用意されている、基板本体１とは５゛へな
る材料Ｃなる結晶基板６を配置する工程と、その工程後
、金属層３３を加熱によって軟化乃至熔融させる工程と
を有する、という簡易な工程で、上述した特徴ある本発
明による回路構成用基板を、容易に製造することができ
る。

【実施例８】 次に、第８図を伴って本発明による回路構成用基板の第
８の実施例、及びその製法の実施例を、その製法の実施
例で述べよう。 第８図に示す本発明による回路構成用基板の製法は、詳
［Ｉ説明を省略するが、第７図で上述した本発明による
回路構成用基板の製法の実施例において、基板本体１の
凹所５内に、ｃｋ内面に被着形成されている金属層３３
を介して、外表面に他の豹を被着形成していない結晶基
板６を配置する（第７図Ｂ）のに代え、第８図Ｂに示す
ように、基板本体１の凹所５内に、その内面に被着形成
されている金属層３３を介して、外表面に、第６図で上
述した本発明による回路構成用基板の製法におけると同
様の保護層３２を被着形成している結晶基板６を配する
ことを除いて、第７図で上述した本発明による回路構成
用基板の製法の実施例の場合と同様である。 以上が、本発明による回路構成用基板の第８の実施例の
製法の実施例である。 このような、本発明による回路構成用基板の製法によっ
て製造される本発明よる回路構成用基板（第８図Ｃ）は
、結晶基板６の表面に、保護層３２が被着形成されてい
ることを除いて、第７図Ｃで上述した本発明による回路
構成用基板と同様の構成を有するので、第７図Ｃで上述
した本発明による回路構成用基板と同様の特徴を有する
とともに、保護層３２を有するので、保護層３２に関す
る第６図Ｂで上述した本発明による回路構成用基板の場
合と同様の特徴を有する。 また、第８図に示す本発明による回路構成用基板の製法
によれば、結晶基板６がその表面に保護層３２が予め被
着形成されている状態で、基板本体１の凹所５内に配置
されることを除いて、第７図で上述した本発明による回
路構成用基板の製法と同様であるので、詳ｍ説明を省略
するが、第７図で上述した本発明による回路構成用基板
の場合と同様の特徴を有するとともに、保：Ｘ！Ａ層３
２を右するので、詳ＨＪ説明を省略するが、第６図で上
述した本発明による回路構成用基板の製法の場合と同様
の特徴を有する。

【実施例９】 次に、第９図を伴って、本発明による回路構成用基板の
第９の実施例、及びその製法の実施例を、その製法の実
施例で述べよう。 第９図に示す本発明による回路構成用基板の製法の実施
例は、次に述べる順次の工程を有する。 ずなわら、第１図で上述した本発明による回路構成用基
板の製法における、上述した第１図Δ〜第１図りの工程
を順次とって後、第３図で上述した本発明による回路構
成用基板の場合と同様に、基板本体１の少なくとも凹所
５の内面に、同様のガラス層２１を、同様の方法によっ
て被着形成する（第９図Ａ）。 次に、そのガラス層２１上に、第７図で上述したと同様
の金属層３３を被着形成する（第９図Ｂ）。 次に、基板本体１の凹所５内に、ガラスＨ２１及び金ｔ
ｉｔ層３３を介して、表面に第６図で上述した場合と同
様に保護層３２を介して金属層３１を被着形成している
結晶基板６を配置する（第９図Ｃ）。 次に、加熱によって、金属層３１及び３３を互に被着し
、よって、結晶基板６を、基板本体１の凹所５内に、結
晶基板６の外表面に予め被着形成された保護層３２及び
金ＩｉＩ層３１と、凹所５の内面に予め被着形成された
金属層３３及びガラス層３１とを介して固定する（第９
図Ｄ）以上が、本発明にＪ：る回路構成用基板の製法の
第９の実施例である。 このような本発明による回路構成用基板の製法によって
製造される本発明による回路構成用基板（第９図Ｄ）に
よれば、詳細説明を省略するが、結晶基板６の外表面に
被着形成された保護層３２を有するので、第６図Ｂ及び
第８図ＣＣ′上述した本発明による回路構成用基板の場
合と同様の優れた特徴を有することは明らかである。 また、第９図に示す本発明による回路構成用基板の製法
によれば、詳細説明を省略するが、結晶基板６が、その
外表面保１層３２を有するので、第６図及び第８図で上
述した本発明による回路構成用基板の製法の場合と同様
の特徴を右するとと６に、金属層３１及び３３同志の被
着によって、結晶基板６が、基板本体１に固定されるの
で、その固定をより容易、確実に行・）ことができる。

【実施例１０及び１１】 次に、第１０図及び第１１図を伴って、本発明による回
路構成用基板の第１０及び１１の実施例、及びそれらの
！＃ｊ法の実施例を述べよう。 第１０図及び第１１図に示す本発明による回路構成用基
板の第１０及び１１の実施例の製法の実施例は、次の事
項を除いて、それぞれ、第５図及び第６図で上述した本
発明による回路構成用基板の第５及び６の実施例の製法
の実施例と同様である。 すなわち、結晶基板６をそれに被着形成している金属層
３１を介して、基板本体１の凹所５内に固定配置するの
に、金属層３１をレーザビームの照射によって軟化乃至
熔融させる。 また、このため、結晶基板６を基板本体１の凹所５内に
配した状態で、金属層３１が、レーザビームの照射を容
易に受けられるように、金属層３１が結晶基板６の側面
に外部に臨むように被着形成されている。 以上が、本発明による回路構成用基板の第１０及び１１
の実施例の製法の実施例である。 このような本発明による回路構成用基板の製法の実施例
によって製造される本発明による回路構成用基板（第１
０図Ｂ及び第１１図Ｂ）によれば、上述した事項を除い
て、第５図及び第６図Ｂで上述した本発明による回路構
成用基板の場合と同［１であるので、詳細説明を省略す
るが、第５図Ｂ及び第６図Ｂで上述した本発明による回
路構成用基板の場合と同様の特徴を有する。 また、第１０図及び第１１図に示ず本発明による回路構
成用基板の製法によれば、基板本体１の主面２上にマス
ク層３を形成する工程と、その工程後、基板本体１に対
するマスク層３をマスクとするエツチング処理によって
、基板本体１に凹所５を形成する工程と、その工程後、
凹所５内に、予め用意されている、表面に保護層を被谷
形成しでいる（第１１図）またはいない（第１０図）基
板本体１とは異なる材料でなる結晶基板６を配置する工
程と、その工程後、金属層３１をレーザビームの照射に
よって軟化乃至熔融させる工程とを有する、という簡易
な工程で、浸れた回路構成用基板を製造することがＣき
る。

【実施例１２及び１３】 次に、第１２図及び第１３図を伴って、本発明による回
路構成用基板の第１２及び１３の実施例、及びそれらの
製法の実施例を述べよう。 第１２図及び第１３図に示す本発明による回路構成用基
板の第１２及び１３の実施例の製法の実施例は、次の事
項を除いて、それぞれ、第７図及び第８図で上述した本
発明による回路構成用基板の第７及び８の実施例の製法
の実施例と同様である。 すなわら、結晶基板６を、基板本体１の凹所５内に、固
定配置するのに、金属層３３をシー１ｆビームの照射に
よって軟化乃至熔融させる。 また、このため、結晶基板６を基板本体１の凹所５内に
配した状態で、金属層３３が、シー１アビームの照（ト
）を容易に受けられるように、金属層３３が、凹所５の
内面に外部に臨むように披４形成されている。 以上が、本発明による回路構成用基板の第１２及び１３
の実施例の製法の実施例である。 このような本発明による回路構成用基板の製法の実施例
によって製造される本発明による回路構成用基板（第１
２図Ｃ及び第１３図Ｃ）によれば、上述した事項を除い
て、第７図Ｃ及び第８図Ｃで上述した本発明による回路
構成用基板の場合と同様であるので、詳細説明を省略す
るが、第７図Ｃ及び第８図Ｃで上述した本発明による回
路構成用基板の場合と同様の特徴を有する。 また、第１２図及び第１３図に示す本発明による回路構
成用基板の製法によれば、基板本体１の主面２上にマス
ク層３を形成する工程と、その工程後、基板本体１に対
するマスク層３をマスクとするエツチング処理によって
、基板本体１に凹所５を形成する工程と、その工程後、
凹所５の内面に金属層３３を被谷形成する工程と、その
工程後、凹所５内に、予め用意されている、表面に保護
層３２を被着形成している（第１３図）またはいない（
第１２図）基板本体１とは異なる材料でなる結晶基板を
配置する工程と、その工程後、金属層３３をレーザビー
ムの照射によって軟化乃至熔融させる工程とをイｊする
、という簡易な工程で、優れた回路構成用基板を製造す
ることができる。

【実施例１４】 次に、第１４図を伴って、本発明による回路構成用基板
の第１４の実施例、及びその製法の実施例を述べよう。 第１４図に示す本発明による回路構成用基板の第１４の
実施例の製法の実施例は、次の事項を除いて、第９図で
−Ｆ述した本発明による回路構成用基板の第９の実施例
の製法の実施例と同様である。 ずなわち、結晶基板６を、基板本体１の凹所５内に、結
晶基板６に被着形成している金属層３１と、凹所５の内
面に被着形成されている金属層３３とを介して、固定配
置ツるのに、金属ＫｒＪ３１及び３３をレーザビームの
照射によって軟化乃至熔融させる。 また、このため、結晶基板６を基板本体１の凹所５内に
配した状態で、金属層３１及び３３か、ともにレーザビ
ームの照射を容易に受けられるように、結晶基板６の側
面及び凹所５の内面に外部に臨むように被着形成されて
いる。 以上が、本発明による回路構成用基板の第１４の実施例
の製法の実施例である。 このような本発明による回路構成用Ｍ板の製法の実施例
によって製造される本発明による回路構成用基板（第１
４図Ｄ）によれば、上述した事項を除いて、第９図りで
上述した本発明による回路構成用基板の場合と同様であ
るので、詳細説明を省略するが、第９図りで上述した本
発明による回路構成用基板の場合と同様の特徴を右する
。 また、第１４図に示す本発明による回路構成用基板の製
法によれば、詳細説明を省略するが、第１３図で上述し
た本発明による回路構成用基板の製法と同様の特徴を右
することは明らかである。

【実施例１５】 次に、第１５図を伴って、本発明による回路構成用基板
の第１５の実施例、及びその製法の実施例を、その製法
の実／Ａ１８４で述べよう。 第１５図に示す本発明による回路構成用基板の製法は、
次に述べる順次の工程を有する。 すなわち、第１図で上述した本発明による回路構成用基
板の製法における、上述した第１図Ａ〜第１図りの工程
を順次とって後、基板本体１の凹所５の底面に、例えば
０．２μｍの厚さを有する結晶層４１をそれ自体は公知
のエビタキシレル成長法によって堆積形成する（第１５
図へ）。この場合結晶層４１は、次に述べる結晶基板６
と同様の材料でなることもできるし、前述した従来の回
路構成用基板におけるバッファ層と同様の材料でなるも
のとすることもできる。 次に、基板本体１の凹所５内に、その下面に被着形成さ
れている結晶層５１を介して、第１図で上述したと同様
の結晶基板６を配置Ｊる（第１５図Ｂ）。 次に、結晶基板６を構成している高い蒸気圧を有する材
料のガス雰囲気中において、基板本体１及び結晶基板６
を結晶層４１とともに、約７００℃の温度で加熱させる
ことによって、結晶基板６及び結晶層４１間に、それら
の接触面近傍において、固相成長を生ぜしめ、それによ
って、結晶基板６を、結晶層４１を介して、基板本体１
に、凹所５内において、固定する（第１５図Ｃ） 以上が、本発明による回路構成用基板の第５の実施例の
製法の実施例である。 このような、本発明による回路構成用基板の製法によっ
て製造される本発明による回路構成用基板〈第１５図Ｃ
）は、第７図Ｃで上述した本発明による回路構成用基板
において、その結晶基板６が、基板本体１の凹所５内に
、その内面に被谷形成されている金属層３１を介して、
固定して配されているのに代え、結晶基板６が、基板本
体１の凹所５内に、その下面に形成されている結晶層４
１を介して、固定配置されていることを除いて、第７図
Ｃで上述した本発明による回路構成用基板と同様の構成
を有する。 このため、詳細説明は省略・Ｊるが、第７図Ｃで上述し
た本発明による回路構成用基板の場合と同様の特徴を有
する。 また、第５図に示す本発明による回路構成用基板の製法
によれば、基板本体１の主面２上にマスク層３を形成す
る工程と、その工程後、基板本体１に対するマスク層３
をマスクとするエツチング処理によって、基板本体１に
凹所５を形成する工程と、その工程後、凹所５の底面上
に結晶層４１を形成する工程と、その工程後、凹所５内
に、予め用意されている、上記１を板本体１とは異なる
材料でなる結晶基板６を配する工程と、その工程後、基
板本体１、結晶基板６及び結晶層４１を加熱させる工程
とを有する、という簡易な工程で、優れた回路構成用基
板を、容易にｌｌＩ造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１５図は、それぞれ本発明による回路構成用
基板の第１〜第１５の実施例の製法の実施例を示す順次
の工程にＪ３ける路線的断面図である。 １・・・・・・・・・基板本体 ２・・・・・・・・・主面 ３・・・・・・・・・マスク層 ５・・・・・・・・・凹所 Ｇ・・・・・・・・・結晶基板 １１・・・・・・・・・ガラス層 １２・・・・・・・・・電熱板 １３．１４ ・・・・・・・・・電極板 １５・・・・・・・・・電源 １６・・・・・・・・・パルス電圧源 ２１・・・・・・・・・ガラス層 ３１・・・・・・・・・金属層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、主面側から凹所を形成している基板本体と、上記凹
   所内に配置され且つ上記基板本体と は異なる材料でなる結晶基板とを有することを特徴とす
   る回路構成用基板。 ２、特許請求の範囲第１項記載の回路構成用基板におい
   て、 上記基板本体の主面及び上記結晶基板上に 連続延長し且つ上記結晶基板を外部に臨ませる窓を有す
   る層が被着形成されていることを特徴とする回路構成用
   基板。 ３、特許請求の範囲第１項記載の回路構成用基板におい
   て、 上記凹所の内面と上記結晶基板との間に、 上記結晶基板を上記基板本体に固定しているガラス層が
   介挿されていることを特徴とする回路構成用基板。 ４、特許請求の範囲第１項記載の回路構成用基板におい
   て、 上記凹所の内面と上記結晶基板との間に、 上記結晶基板を上記基板本体に固定している金属層が介
   挿されていることを特徴とする回路構成用基板。 ５、特許請求の範囲第４項記載の回路構成用基板におい
   て、 上記結晶基板と上記金属層との間に、両者 に固着している保護層が介挿されていることを特徴とす
   る回路構成用基板。 ６、特許請求の範囲１項記載の回路構成用基板において
   、 上記凹所の底面と上記結晶基板との間に、 上記結晶基板を上記基板本体に固定している結晶層が介
   挿されていることを特徴とする回路構成用基板。 ７、基板本体の主面上にマスク層を形成する第１の工程
   と、 上記第１の工程後、上記基板本体に対する 上記マスク層をマスクとするエッチング処理によって、
   上記基板本体に凹所を形成する第２の工程と、 上記第２の工程後、上記凹所内に、予め用 意されている、上記基板本体とは異なる材料でなる結晶
   基板を配置する第３の工程とを有することを特徴とする
   回路構成用基板の製法。 ８、特許請求の範囲第７項記載の回路構成用基板の製法
   において、 上記第３の工程後、上記基板本体の主面及 び上記結晶基板の主面上に連続延長し且つ上記結晶基板
   を外部に臨ませる窓を有する層を被着形成する第４の工
   程を有することを特徴とする回路構成用基板の製法。 ９、基板本体の主面上にマスク層を形成する第１の工程
   と、 上記第１の工程後、上記基板本体に対する 上記マスク層をマスクとするエッチング処理によつて、
   上記基板本体に凹所を形成する第２の工程と、 上記第２の工程後、上記凹所内に、予め用 意されている、表面に被着形成されているガラス層を有
   し且つ上記基板本体とは異なる材料でなる結晶基板を配
   置する第３の工程と、上記第３の工程後、上記基板本体
   及び上記 結晶基板間に、それらを加熱している状態で電圧を印加
   させる第４の工程とを有することを特徴とする回路構成
   用基板の製法。 １０、基板本体の主面上にマスク層を形成する第１の工
   程と、 上記第１の工程後、上記基板本体に対する 上記マスク層をマスクとするエッチング処理によって、
   上記基板本体に凹所を形成する第２の工程と、 上記第２の工程後、上記凹所の内面にガラ ス層を被着形成する第３の工程と、 上記第３の工程後、上記凹所内に、予め用 意されている、表面にガラス層を被着形成しているまた
   はいず且つ上記基板本体とは異なる材料でなる結晶基板
   を配置する第４の工程と、 上記第４の工程後、上記基板本体及び上記 結晶基板間に、それらを加熱している状態で電圧を印加
   させる第５の工程とを有することを特徴とする回路構成
   用基板の製法。 １１、基板本体の主面上にマスク層を形成する第１の工
   程と、 上記第１の工程後、上記基板本体に対する 上記マスク層をマスクとするエッチング処理によって、
   上記基板本体に凹所を形成する第２の工程と、 上記第２の工程後、上記凹所内に、予め用 意されている、表面に保護層を介してまたは介すること
   なしに被着形成されている金属層を有し且つ上記基板本
   体とは異なる材料でなる結晶基板を配置する第３の工程
   と、 上記第３の工程後、上記金属層を加熱によ ってまたはレーザビームの照射によつて軟化乃至熔融さ
   せる第４の工程とを有することを特徴とする回路構成用
   基板の製法。 １２、基板本体の主面上にマスク層を形成する第１の工
   程と、 上記第１の工程後、上記基板本体に対する 上記マスク層をマスクとするエッチング処理によつて、
   上記基板本体に凹所を形成する第２の工程と、 上記第２の工程後、上記凹所の内面に金属 層を被着形成する第３の工程と、 上記第３の工程後、上記凹所内に、予め用 意されている、表面に保護層を被着形成しているまたは
   いない上記基板本体とは異なる材料でなる結晶基板を配
   置する第４の工程と、上記第４の工程後、上記金属層を
   加熱によ つてまたはレーザビームの照射によつて軟化乃至熔融さ
   せる第５の工程とを有することを特徴とする回路構成用
   基板の製法。 １３、基板本体の主面上にマスク層を形成する第１の工
   程と、 上記第１の工程後、上記基板本体に対する 上記マスク層をマスクとするエッチング処理によつて、
   上記基板本体に凹所を形成する第２の工程と、 上記第２の工程後、上記凹所の底面上に結 晶層を形成する第３の工程と、 上記第３の工程後、上記凹所内に、予め用 意されている上記基板本体とは異なる材料でなる結晶基
   板を配置する第４の工程と、 上記第４の工程後、上記基板本体、上記結 晶基板及び上記結晶層を加熱させる第５の工程とを有す
   ることを特徴とする回路構成用基板の製法。