JPH02164355A - レーザチップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １権分災 本発明は、レーザチップ、より詳細には、レーザ光を用
いて生体組織の切開や蒸散を効果的に行うためのレーザ
チップに関する。

丈米抜権 レーザ光を用いて生体組織の切開や蒸散を行うことは、
既に１周知であるが（例えば、米国特許第４７３６７４
３号明細書参照）、従来のレーザチップは、レーザ光放
出端の表面に、レーザエネルギーを熱エネルギーに変換
するための光吸収層をコーティング等によって被着させ
ていた。しかし、レーザチップ母材の表面、つまりは、
レーザチップ母材の外側に光吸収層をコーティングする
ということは、コーティング層が′はがれ″ることがあ
るという決定的な欠点を有し、この“はがれ″た部分が
人体等の中へ入ると重大な事態を惹き起こすことにもな
りかねないという問題点。

且−一カ 本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、
特に、レーザチップ母材のレーザエネルギー放出端側の
母材内部にレーザエネルギー吸収層を形成するようにし
、もって、レーザチップにおける光吸収層の“はがれ″
の問題をな（すことを目的としてなされたものである。

青−一双 本発明は、上記目的を達成するために、光導体の出力端
から治療中の生体組織へレーザエネルギーを伝達するた
めのレーザチップであって、該レーザチップは、前記光
導体からのレーザエネルギーを受け入れるためのレーザ
エネルギー入力領域と、受け入れたレーザエネルギーを
放出するためのレーザエネルギー放出領域を有し、前記
レーザエネルギー入力領域から受け入れられたレーザエ
ネルギーを前記レーザエネルギー放出領域に伝達して該
放出領域より放出するレーザエネルギー伝達母材から成
り、該レーザエネルギー伝達母材の前記レーザエネルギ
ー放出領域の表面の内側に前記レーザエネルギーを吸収
して熱エネルギーに変換するためのレーザエネルギー吸
収材を含有することを特徴としたもので、以下、本発明
によるレーザチップ及びその作成方法について説明する
。

第１図乃至第３図は、それぞれ本発明によるレーザチッ
プ及びその作成方法を説明するための図で、いずれも吸
光層をレーザチップ母材の内表面に形成するものである
。

第１図に示した実施例は、反応生成膜による吸光度を持
つレーザチップ及びその作成方法を示し。

図中、１は光導体からなるレーザチップ母材、２は反応
防止材、３は生成層で、（ａ）図はレーザチップのプリ
フォーム、（ｂ）図は反応生成過程、（ｃ）図は本発明
によるレーザチップを示す。まず、均−若しくは固溶体
から成る光導体（レーザチップ母材）１を所定の形状に
成形して（ａ）図に示すごときプリフォームを作成した
後に、（ｂ）図に示すようにして光導体１のレーザ光出
射端部Ａに反応生成膜３を生じさせる。反応生成は、先
導体母材と外部雰囲気、若しくは、外部付着面との間で
生じる０反応に際しては、触媒の利用、素材が溶融変形
しない程度の高温の導入等が必要となる。

先導体母材の反応生成の実施例としては、イ）アルミナ
の窒化反応、すなわち、 Ａｆｌ、Ｏ，十Ｎ、＋３Ｇ−＋２ＡＱＮ＋３ＣＯ口）酸
化ケイ素の窒化反応、すなわち、ａＳｉＯ□十６０＋２
Ｎ２→Ｓｉ、Ｎ、＋６ＣＯハ）酸化ケイ素の炭化反応、
すなわち、ＳｉＯ２＋Ｃ−４ＳｉＣ＋０２ を利用するもの等が挙げられる。これらは、母材の内表
面に形成されたものであり、外表面に形成されるもので
はない。

反応生成を母材表面に選択的に行なう為に、不要な箇所
には反応防止素材を用いて、反応生成を防止する。又、
反応速度を変化させることにより。

反応生成の厚み、生成分布密度を変えることができる。

第２図は、形状加工された光導体表面に、光導体と同じ
組成を持つ原材料に吸光性を有する元素を添加し、この
吸光性を有する元素を光導体表面に成長させたレーザチ
ップを示し、（ａ）図はプリフォームされた光導体１を
示し、（ｂ）図はベルヌイ法による成長過程を示し、（
ｃ）図はドーピン膜４が生成された状態を示している。

而して、この実施例において、光導体１としては、石英
。

アルミナ、ＹＡＧ等のセラミック光導体を用いる。

吸光材４としては、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｎ、Ｎｄ。

Ｅｎ等の元素が考えられる。結晶成長には、ベルヌイ法
、チョクラルスキー法等を用いる。添加材の濃度を変化
させたり、成長膜厚を変えたりすることで吸光効果を色
々変化させることができる。

第３図は、先導体母材の素形材を作成させる時に、吸光
元素のドーピング濃度分布を持たせ、この変形材を加工
し、レーザ光出射端部に吸光層を具備したレーザチップ
で、（ａ）図は濃度分布を持つ母材５を示し、（ｂ）図
はこの母材５を加工したレーザチップを示し、図中の斜
線を施したＢ領域が濃度分布を持つ領域を示している。

而して、この実施例は、光導体の結晶成長を行なう時に
。

吸光元素の添加濃度を変化させ、この濃度分布を持つ結
晶素材を目的とする形状に加工するようにしたもので、
レーザ光出射端部には、吸光層が生成されており、濃度
を変えることにより、吸光効果を変えることが出来る。

第４図は、形状加工された光導体ｌにレーザ光を吸収す
る金属、酸化物、窒化物、炭化物６を物理的な方法（例
えばイオンプランテーション法）で打ち込むようにした
もので、（ａ）図は形状加工された光導体を示す図、（
ｂ）図はレーザ光を吸収する部材６を光導体１に打ち込
む処理過程を示す図、（Ｃ）図は処理後の濃度分布を示
す、なお、打ち込み後、ひずみをとり除くためアニーリ
ング処理を行なうこともある。また、第１図に示した実
施例と同様、打ち込んだ物質の深さ、密度を変えること
も可能である。

羞−一来 以上の説明から明らかなように１本発明によると、レー
ザチップ母材のレーザ放出端の表面の内側に光吸収材を
形成するようにしたので、光吸収材が“はがれ”るよう
なことはなく、非常に安全なレーザチップを提供するこ
とが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は、それぞれ本発明によるレーザチッ
プの作成方法を説明するための図であり同時に本発明に
よるレーザチップを示す図である。 １・・・プリフォーム光導体、２・・・反応防止材、３
・・・反応生成膜、４・・・ドーピング膜（光吸収材）
。 ５・・・濃度分布を持つ母材。 （ａ） 第１図 （ｂ） （Ｃ） （ａ） 第２区 （ｂ） （Ｃ） （ａ） 第４図 （ｂ） （Ｃ） 第３図 （ａ） （ｂ） 昭和６３年 特許願 第３１８０７８号 ２、発明の名称 し　　− ザチップ ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　　　東京部品用区西五反田５丁目１７番５号氏名
（名称）株式会社長田中央研究所 代表者　長田康司 中央第６関内ビル１００１ ７、補正の内容 （１）、明細書第４頁第１行目に記載の「第１図乃至第
３図は、」を「第１図乃至第４図は、」に補正する。 （２）、同第７頁第３行目に記載０「吸収する・・・・
・・６を」を［吸収する遷移金属の４族又は５族に属す
る窒化物（例えば、ＴｉＮ、ＴａＮ。 ＨｆＮ）、炭化物（例えば、ＴｉＣ，ＨｆＣ。 ＮｂＣ）６を」に補正する。 （３）、同第７頁第４行目に記載の「（例えばイオンプ
ランテーション法）」を「（例えばイオンインプランテ
ーション法）」に補正する。 （４）、第４図を別紙の通り補正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、光導体の出力端から治療中の生体組織へレーザエネ
   ルギーを伝達するためのレーザチップであって、該レー
   ザチップは、前記光導体からのレーザエネルギーを受け
   入れるためのレーザエネルギー入力領域と、受け入れた
   レーザエネルギーを放出するためのレーザエネルギー放
   出領域を有し、前記レーザエネルギー入力領域から受け
   入れられたレーザエネルギーを前記レーザエネルギー放
   出領域に伝達して該放出領域より放出するレーザエネル
   ギー伝達母材から成り、該レーザエネルギー伝達母材の
   前記レーザエネルギー放出領域の表面内側に前記レーザ
   エネルギーを吸収して熱エネルギーに変換するためのレ
   ーザエネルギー吸収材を含有することを特徴とするレー
   ザチップ。