JP2686120B2 - レーザチップ - Google Patents
レーザチップInfo
- Publication number
- JP2686120B2 JP2686120B2 JP63318078A JP31807888A JP2686120B2 JP 2686120 B2 JP2686120 B2 JP 2686120B2 JP 63318078 A JP63318078 A JP 63318078A JP 31807888 A JP31807888 A JP 31807888A JP 2686120 B2 JP2686120 B2 JP 2686120B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser energy
- laser
- laser chip
- light
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Laser Surgery Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、レーザチップ，より詳細には、レーザ光を
用いて生体組織の切開や蒸散を効果的に行うためのレー
ザチップに関する。
用いて生体組織の切開や蒸散を効果的に行うためのレー
ザチップに関する。
従来技術 レーザ光を用いて生体組織の切開や蒸散を行うこと
は、既に、周知であるが（例えば、米国特許第4736743
号明細書参照）、従来のレーザチップは、レーザ光放出
端の表面に、レーザエネルギーを熱エネルギーに変換す
るための光吸収層をコーティング等によって被着させて
いた。しかし、レーザチップ母材の表面、つまりは、レ
ーザチップ母材の外側に光吸収層をコーティングすると
いうことは、コーティング層が“はがれ”ることがある
という決定的な欠点を有し、この“はがれ”た部分が人
体等の中へ入ると重大な事態を惹き起こすことにもなり
かねないという問題点。
は、既に、周知であるが（例えば、米国特許第4736743
号明細書参照）、従来のレーザチップは、レーザ光放出
端の表面に、レーザエネルギーを熱エネルギーに変換す
るための光吸収層をコーティング等によって被着させて
いた。しかし、レーザチップ母材の表面、つまりは、レ
ーザチップ母材の外側に光吸収層をコーティングすると
いうことは、コーティング層が“はがれ”ることがある
という決定的な欠点を有し、この“はがれ”た部分が人
体等の中へ入ると重大な事態を惹き起こすことにもなり
かねないという問題点。
目的 本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもの
で、特に、レーザチップ母材のレーザエネルギー放出端
側の母材内部にレーザエネルギー吸収層を形成するよう
にし、もって、レーザチップにおける光吸収層の“はが
れ”の問題をなくすことを目的としてなされたものであ
る。
で、特に、レーザチップ母材のレーザエネルギー放出端
側の母材内部にレーザエネルギー吸収層を形成するよう
にし、もって、レーザチップにおける光吸収層の“はが
れ”の問題をなくすことを目的としてなされたものであ
る。
構成 本発明は、上記目的を達成するために、光導体の出力
端から治療中の生体組織へレーザエネルギーを伝達する
ためのレーザチップであって、該レーザチップは、前記
光導体からのレーザエネルギーを受け入れるためのレー
ザエネルギー入力領域と、受け入れたレーザエネルギー
を放出するためのレーザエネルギー放出領域を有し、前
記レーザエネルギー入力領域から受け入れられたレーザ
エネルギーを前記レーザエネルギー放出領域に伝達して
該放出領域より放出するレーザエネルギー伝達母材から
成り、該レーザエネルギー伝達母材の前記レーザエネル
ギー放出領域の表面の内側に前記レーザエネルギーを吸
収して熱エネルギーに変換するためのレーザエネルギー
吸収材を含有することを特徴としたもので、以下、本発
明によるレーザチップ及びその作成方法について説明す
る。
端から治療中の生体組織へレーザエネルギーを伝達する
ためのレーザチップであって、該レーザチップは、前記
光導体からのレーザエネルギーを受け入れるためのレー
ザエネルギー入力領域と、受け入れたレーザエネルギー
を放出するためのレーザエネルギー放出領域を有し、前
記レーザエネルギー入力領域から受け入れられたレーザ
エネルギーを前記レーザエネルギー放出領域に伝達して
該放出領域より放出するレーザエネルギー伝達母材から
成り、該レーザエネルギー伝達母材の前記レーザエネル
ギー放出領域の表面の内側に前記レーザエネルギーを吸
収して熱エネルギーに変換するためのレーザエネルギー
吸収材を含有することを特徴としたもので、以下、本発
明によるレーザチップ及びその作成方法について説明す
る。
第１図乃至第４図は、それぞれ本発明によるレーザチ
ップ及びその作成方法を説明するための図で、いずれも
吸光層をレーザチップ母材の内表面に形成するものであ
る。
ップ及びその作成方法を説明するための図で、いずれも
吸光層をレーザチップ母材の内表面に形成するものであ
る。
第１図に示した実施例は、反応生成膜による吸光度を
持つレーザチップ及びその作成方法を示し、図中、１は
光導体からなるレーザチップ母材、２は反応防止材、３
は生成層で、（ａ）図はレーザチップのプリフォーム、
（ｂ）図は反応生成過程、（ｃ）図は本発明によるレー
ザチップを示す。まず、均一若しくは固溶体から成る光
導体（レーザチップ母材）１を所定の形状に成形して
（ａ）図に示すごときプリフォームを作成した後に、
（ｂ）図に示すようにして光導体１のレーザ光出射端部
Ａに反応生成膜３を生じさせる。反応生成は、光導体母
材と外部雰囲気、若しくは、外部付着面との間で生じ
る。反応に際しては、触媒の利用、素材が溶融変形しな
い程度の高温の導入等が必要となる。
持つレーザチップ及びその作成方法を示し、図中、１は
光導体からなるレーザチップ母材、２は反応防止材、３
は生成層で、（ａ）図はレーザチップのプリフォーム、
（ｂ）図は反応生成過程、（ｃ）図は本発明によるレー
ザチップを示す。まず、均一若しくは固溶体から成る光
導体（レーザチップ母材）１を所定の形状に成形して
（ａ）図に示すごときプリフォームを作成した後に、
（ｂ）図に示すようにして光導体１のレーザ光出射端部
Ａに反応生成膜３を生じさせる。反応生成は、光導体母
材と外部雰囲気、若しくは、外部付着面との間で生じ
る。反応に際しては、触媒の利用、素材が溶融変形しな
い程度の高温の導入等が必要となる。
光導体母材の反応生成の実施例としては、 イ）アルミナの窒化反応、すなわち、 Al2O3＋N2＋3C→2AlN＋3CO ロ）酸化ケイ素の窒化反応、すなわち、 3SiO2＋6C＋2N2→Si3N4＋6CO ハ）酸化ケイ素の炭化反応、すなわち、 SiO2＋Ｃ→SiC＋O2 を利用するもの等が挙げられる。これらは、母材の内表
面に形成されたものであり、外表面に形成されるもので
はない。
面に形成されたものであり、外表面に形成されるもので
はない。
反応生成を母材表面に選択的に行なう為に、不要な箇
所には反応防止素材を用いて、反応生成を防止する。
又、反応速度を変化させることにより、反応生成の厚
み、生成分布密度を変えることができる。
所には反応防止素材を用いて、反応生成を防止する。
又、反応速度を変化させることにより、反応生成の厚
み、生成分布密度を変えることができる。
第２図は、形状加工された光導体表面に、光導体と同
じ組成を持つ原材料に吸光性を有する元素を添加し、こ
の吸光性を有する元素を光導体表面に成長させたレーザ
チップを示し、（ａ）図はプリフォームされた光導体１
を示し、（ｂ）図はベルヌイ法による成長過程を示し、
（ｃ）図はドーピン膜４が生成された状態を示してい
る。而して、この実施例において、光導体１としては、
石英，アルミナ,YAG等のセラミック光導体を用いる。吸
光材４としては、Cr,Fe,Cn,Nd,En等の元素が考えられ
る。結晶成長には、ベルヌイ法，チョクラルスキー法等
を用いる。添加材の濃度を変化させたり、成長膜厚を変
えたりすることで吸光効果を色々変化させることができ
る。
じ組成を持つ原材料に吸光性を有する元素を添加し、こ
の吸光性を有する元素を光導体表面に成長させたレーザ
チップを示し、（ａ）図はプリフォームされた光導体１
を示し、（ｂ）図はベルヌイ法による成長過程を示し、
（ｃ）図はドーピン膜４が生成された状態を示してい
る。而して、この実施例において、光導体１としては、
石英，アルミナ,YAG等のセラミック光導体を用いる。吸
光材４としては、Cr,Fe,Cn,Nd,En等の元素が考えられ
る。結晶成長には、ベルヌイ法，チョクラルスキー法等
を用いる。添加材の濃度を変化させたり、成長膜厚を変
えたりすることで吸光効果を色々変化させることができ
る。
第３図は、光導体母材の素形材を作成させる時に、吸
光元素のドーピング濃度分布を持たせ、この変形材を加
工し、レーザ光出射端部に吸光層を具備したレーザチッ
プで、（ａ）図は濃度分布を持つ母材５を示し、（ｂ）
図はこの母材５を加工したレーザチップを示し、図中の
斜線を施したＢ領域が濃度分布を持つ領域を示してい
る。而して、この実施例は、光導体の結晶成長を行なう
時に、吸光元素の添加濃度を変化させ、この濃度分布を
持つ結晶素材を目的とする形状に加工するようにしたも
ので、レーザ光出射端部には、吸光層が生成されてお
り、濃度を変えることにより、吸光効果を変えることが
出来る。
光元素のドーピング濃度分布を持たせ、この変形材を加
工し、レーザ光出射端部に吸光層を具備したレーザチッ
プで、（ａ）図は濃度分布を持つ母材５を示し、（ｂ）
図はこの母材５を加工したレーザチップを示し、図中の
斜線を施したＢ領域が濃度分布を持つ領域を示してい
る。而して、この実施例は、光導体の結晶成長を行なう
時に、吸光元素の添加濃度を変化させ、この濃度分布を
持つ結晶素材を目的とする形状に加工するようにしたも
ので、レーザ光出射端部には、吸光層が生成されてお
り、濃度を変えることにより、吸光効果を変えることが
出来る。
第４図は、形状加工された光導体１にレーザ光を吸収
する遷移金属の４族又は５族に属する窒化物（例えば、
TiN,TaN,HfN）、炭化物（例えば、TiC,HfC,NbC）６を物
理的な方法（例えばイオンインプランテーション法）で
打ち込むようにしたもので、（ａ）図は形状加工された
光導体を示す図、（ｂ）図はレーザ光を吸収する部材６
を光導体１に打ち込む処理過程を示す図、（ｃ）図は処
理後の濃度分布を示す。なお、打ち込み後、ひずみをと
り除くためアニーリング処理を行なうこともある。ま
た、第１図に示した実施例と同様、打ち込んだ物質の深
さ、密度を変えることも可能である。
する遷移金属の４族又は５族に属する窒化物（例えば、
TiN,TaN,HfN）、炭化物（例えば、TiC,HfC,NbC）６を物
理的な方法（例えばイオンインプランテーション法）で
打ち込むようにしたもので、（ａ）図は形状加工された
光導体を示す図、（ｂ）図はレーザ光を吸収する部材６
を光導体１に打ち込む処理過程を示す図、（ｃ）図は処
理後の濃度分布を示す。なお、打ち込み後、ひずみをと
り除くためアニーリング処理を行なうこともある。ま
た、第１図に示した実施例と同様、打ち込んだ物質の深
さ、密度を変えることも可能である。
効果 以上の説明から明らかなように、本発明によると、レ
ーザチップ母材のレーザ放出端の表面の内側に光吸収材
を形成するようにしたので、光吸収材が“はがれ”るよ
うなことはなく、非常に安全なレーザチップを提供する
ことが出来る。
ーザチップ母材のレーザ放出端の表面の内側に光吸収材
を形成するようにしたので、光吸収材が“はがれ”るよ
うなことはなく、非常に安全なレーザチップを提供する
ことが出来る。
第１図乃至第４図は、それぞれ本発明によるレーザチッ
プの作成方法を説明するための図であり同時に本発明に
よるレーザチップを示す図である。 １……プリフォーム光導体,2……反応防止材,3……反応
生成膜,4……ドーピング膜（光吸収材）,5……濃度分布
を持つ母材。
プの作成方法を説明するための図であり同時に本発明に
よるレーザチップを示す図である。 １……プリフォーム光導体,2……反応防止材,3……反応
生成膜,4……ドーピング膜（光吸収材）,5……濃度分布
を持つ母材。
Claims (1)
- 【請求項１】光導体の出力端から治療中の生体組織へレ
ーザエネルギーを伝達するためのレーザチップであっ
て、該レーザチップは、前記光導体からのレーザエネル
ギーを受け入れるためのレーザエネルギー入力領域と、
受け入れたレーザエネルギーを放出するためのレーザエ
ネルギー放出領域を有し、前記レーザエネルギー入力領
域から受け入れられたレーザエネルギーを前記レーザエ
ネルギー放出領域に伝達して該放出領域より放出するレ
ーザエネルギー伝達母材から成り、該レーザエネルギー
伝達母材の前記レーザエネルギー放出領域の表面内側に
前記レーザエネルギーを吸収して熱エネルギーに変換す
るためのレーザエネルギー吸収材を含有することを特徴
とするレーザチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63318078A JP2686120B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | レーザチップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63318078A JP2686120B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | レーザチップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02164355A JPH02164355A (ja) | 1990-06-25 |
| JP2686120B2 true JP2686120B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=18095227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63318078A Expired - Fee Related JP2686120B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | レーザチップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2686120B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10314179A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 先端ロッド部材およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63130060A (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-02 | 星野 雅彦 | レ−ザメスの製造方法 |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP63318078A patent/JP2686120B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02164355A (ja) | 1990-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101203939A (zh) | 金刚石医疗器械 | |
| JPS6456867A (en) | Method for metallizing aln ceramic | |
| JPS6432622A (en) | Formation of soi film | |
| JP2686120B2 (ja) | レーザチップ | |
| JPS5777038A (en) | Manufacture of crystallized glass from phosphate glass | |
| Bentini et al. | Titanium and nickel silicide formation after Q‐switched laser and multiscanning electron beam irradiation | |
| Kachurin et al. | Annealing effects in light-emitting Si nanostructures formed in SiO2 by ion implantation and transient preheating | |
| JPH0428358A (ja) | レーザチップ | |
| JPS6476737A (en) | Manufacture of semiconductor integrated circuit device | |
| GB2244650A (en) | Laser tip | |
| BR9406133A (pt) | Pó de óxido de zinco dopado processo de fabricação e cerâmica obtida a partir do referido pó | |
| JPS6444023A (en) | Heat treatment | |
| Kotera et al. | Improvement of mechanical characteristics by B+ ion implantation into ceramics | |
| JPS6411498A (en) | Production of diaphragm | |
| JPS54134964A (en) | Manufacture of carbide field emitter | |
| JPS6411499A (en) | Production of diaphragm | |
| JPH0635360B2 (ja) | 単結晶窒化アルミニウム膜の作製方法 | |
| JPS57133661A (en) | Heat treatment for polycrystalline semiconductor | |
| EP1171174B1 (en) | Superficial structure on surface of prosthetic implants made of titanium metal or titanium based alloy | |
| JPS57170518A (en) | Fabrication of semiconductor thin film | |
| Rie et al. | Microstructure of plasma nitrided titanium and titanium alloys | |
| JPH04114908A (ja) | 窒化ケイ素粉末 | |
| JPH0513108B2 (ja) | ||
| JPS6441210A (en) | Manufacture of sic thin-film | |
| WO1991009994A1 (en) | Method of forming material layer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |