JPH02163966A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

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Publication number
JPH02163966A
JPH02163966A JP31783588A JP31783588A JPH02163966A JP H02163966 A JPH02163966 A JP H02163966A JP 31783588 A JP31783588 A JP 31783588A JP 31783588 A JP31783588 A JP 31783588A JP H02163966 A JPH02163966 A JP H02163966A
Authority
JP
Japan
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integrated circuit
cell array
capacity
delay
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP31783588A
Other languages
English (en)
Inventor
Ichiro Mihashi
一郎 三橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Publication of JPH02163966A publication Critical patent/JPH02163966A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits
    • H01L27/11803Masterslice integrated circuits using field effect technology

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ゲート・アレイ方式の集積回路装置に関する
〔従来の技術〕
従来のゲート・アレイ方式の集積回路装置の一例を第7
図に示す。図において、所望の論理回路を形成するため
の内部トランジスタ・セル・アレイのチップ内外のイタ
−フェースを人出カバッファ・プレイより構成さ九でい
た。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のゲート・アレイ方式の集積回路装置は、トランジ
スタ・セル・アレイのみによって所望の論理回路を実現
するため、遅延回路、電源投入検出回路などの特殊機能
が実現できないという欠点がある。
そこで本発明の目的は、以上の欠点を解決し、遅延回路
、電源投入検出回路などの特殊機能が実現できるゲート
・アレイ方式の集積回路を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の集積回路装置は、内部トランジスタ・セル・ア
レイの中心部に容量を配置し、この容量とトランジスタ
・セルと組合せ、接続することにより、遅延回路、電源
投入検出回路などの特殊回路を実現する事ができる。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示す。図において、4の
容量及び3の内部トランジスタ・セルを組合せ、接続す
ることにより、遅延回路、電源投入検出回路などの特殊
回路が実現できる。第3図に遅延回路の例を示す。第4
図は、@3図の動作を説明するための波形図であり、各
波形に付されたアルファベラ)a〜Cは、第3図に対応
のアルファベットを付して表示する箇所の波形である事
を意味している。入力端子aに供給された入力槍号は、
時間TIだけ遅れて、出力端子Cに出力される。第5図
には、電源投入検出回路の例を示す。
第6図は、動作を説明するための波形図。端子dの電位
は、電源投入時に徐々に上昇する。フリップ・フロップ
のクリア入力のロウレベルVaまで上昇するのに要する
時間T2がフリップ・フロップのクリア入力最小パルス
幅より長ければ、フリップ・フロップがリセットされる
第2図は本発明の実施例2のブロック図である。
第2図に示すように、容量値の等しい容量を複数配置す
ることによって、第3図の遅延回路の遅延時間を適当な
値に設計できる。またより多くの回路機能が実現できる
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、遅延回路、電源投入検出
回路などの特殊機能を実現することができる。
また、容量の配置された領域を配線領域とする事により
、チップ中央部の配線集中に対して、自動配線時の未配
線本数も少なくできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例のブロック図、第2図は第
2の実施例のブロック図、第3図は本発明による遅延回
路の回路図、第4図は第3図の遅延回路の動作波形図、
第5図は本発明による電源投入検出回路の回路図、第6
図は第5図の電源投入検出回路の動作波形図、第7図は
従来のゲート・アレイのブロック図。 l・・・・・・ゲート・アレイ・チップ、2・・・・・
・人出力バッファ・セル・アレイ、3・・・・・・内部
トランジスタ・セル・7レイ、4・・・・・・容量、5
・・・・・・内部トランジスタ・セル、6・・・・・・
容量、7・・・・・・アンド・ゲート、8・・・・・・
フリップ・フロップ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ゲート・アレイ方式で設計された集積回路装置において
    、内部セル・アレイの中心部に容量を配置したことを特
    徴とする集積回路装置。
JP31783588A 1988-12-16 1988-12-16 集積回路装置 Pending JPH02163966A (ja)

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JP31783588A JPH02163966A (ja) 1988-12-16 1988-12-16 集積回路装置

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