JPH02159061A - 完全密着型等倍センサ - Google Patents
完全密着型等倍センサInfo
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- JPH02159061A JPH02159061A JP63313002A JP31300288A JPH02159061A JP H02159061 A JPH02159061 A JP H02159061A JP 63313002 A JP63313002 A JP 63313002A JP 31300288 A JP31300288 A JP 31300288A JP H02159061 A JPH02159061 A JP H02159061A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は等倍結像素子を用いず、原稿と光電変換素子と
が密着して画像情報を読み取る完全密着型等倍センサに
関する。
が密着して画像情報を読み取る完全密着型等倍センサに
関する。
完全密着型等倍センサでは前述のように原稿が光電変換
素子（センサク表面の保！Ｉｆ層と摺動接触するため、
摩擦によって静電気が発生し。
素子（センサク表面の保！Ｉｆ層と摺動接触するため、
摩擦によって静電気が発生し。
この静電気によってセンサの出力異常（ノイズの増加、
光出力の不安定化）が生ずることが知られている。
光出力の不安定化）が生ずることが知られている。
これを防止するために、電気的シールド層を設け、これ
を接地することが１例えば日経エレクトロニクス（１９
８７１１−１６Ｐ２１４）に提案されている。しかしな
がら、これら従来公知のシールド層は同一基板上に設け
られた光電変換素子部及び駆動回路部のすべてを覆うよ
うに形成され、これに伴い光電変換素子部上の光透過性
を確保するため、シールド層はＩＴＯ等の透明導電層材
料に限定され、さらにシールド層とその下部に存在する
金属配線とが層間絶縁膜のピンホール、段差部での層間
絶縁膜のステップカバレッジ不良により、ショートする
おそれのあるものであり、歩留りの大幅低下のみならず
、完全密着型等倍センサの利点の１つである低コスト性
を失うという問題点を有するものであった。
を接地することが１例えば日経エレクトロニクス（１９
８７１１−１６Ｐ２１４）に提案されている。しかしな
がら、これら従来公知のシールド層は同一基板上に設け
られた光電変換素子部及び駆動回路部のすべてを覆うよ
うに形成され、これに伴い光電変換素子部上の光透過性
を確保するため、シールド層はＩＴＯ等の透明導電層材
料に限定され、さらにシールド層とその下部に存在する
金属配線とが層間絶縁膜のピンホール、段差部での層間
絶縁膜のステップカバレッジ不良により、ショートする
おそれのあるものであり、歩留りの大幅低下のみならず
、完全密着型等倍センサの利点の１つである低コスト性
を失うという問題点を有するものであった。
本発明は原稿の摩擦により発生する静電気に起因するセ
ンサの出力異常を防止するためのシールド層を設けても
上述の問題点を生ずることなく、高い歩留りでかつショ
ー１〜を防止し得る完全密着型等倍センサを提供するこ
とを目的とするものである。
ンサの出力異常を防止するためのシールド層を設けても
上述の問題点を生ずることなく、高い歩留りでかつショ
ー１〜を防止し得る完全密着型等倍センサを提供するこ
とを目的とするものである。
本発明は同一絶縁基板上に光電変換素子部と。
これを駆動する薄膜トランジスタで構成された駆動回路
部とが設けられ、これら光電変換素子部及び駆動回路部
上に絶縁層を介して導電層及びさらにその上に表面保護
層が設けられた完全密着型等倍センサにおいて、前記導
電層が駆動回路部のみの一部又は全面を覆うように形成
され、かつこの導電層下の絶縁層が少なくとも照機物質
と塗布型Ｓ ｉ Ｏ，層との２層からなることを特徴と
するものである。
部とが設けられ、これら光電変換素子部及び駆動回路部
上に絶縁層を介して導電層及びさらにその上に表面保護
層が設けられた完全密着型等倍センサにおいて、前記導
電層が駆動回路部のみの一部又は全面を覆うように形成
され、かつこの導電層下の絶縁層が少なくとも照機物質
と塗布型Ｓ ｉ Ｏ，層との２層からなることを特徴と
するものである。
ちなみに、本発明者は第２図（ａ）に示されるように、
基板上の光電変換素子部Ａは残し。
基板上の光電変換素子部Ａは残し。
ＴＰＴ駆動回路部Ｂのみをシールド層Ｃで被覆した等倍
センサを試作し１種々検討を行った。
センサを試作し１種々検討を行った。
その結果、シールドＮＣは第２図の如＜ＴＦＴ駆Ｗａｓ
回路部のみを被覆したものでも従来のような全面被覆し
たものと大差がないこと、しかも’Ｉ” Ｆ Ｔ駆動回
路部の被覆は少くともクロックライン、電源ライン等に
施せばよいこと、またシールド層と層間絶縁膜下の金属
配線のショートは第２図（ｂ）に示されるような段差部
りで発生しやすいことを知見した１本発明はこれら知見
に基づいて完成したものである。
回路部のみを被覆したものでも従来のような全面被覆し
たものと大差がないこと、しかも’Ｉ” Ｆ Ｔ駆動回
路部の被覆は少くともクロックライン、電源ライン等に
施せばよいこと、またシールド層と層間絶縁膜下の金属
配線のショートは第２図（ｂ）に示されるような段差部
りで発生しやすいことを知見した１本発明はこれら知見
に基づいて完成したものである。
第１図は本発明の一実施例の示すものである。
第１図において、１は石英基板、２は眉間絶縁膜、３は
金属配線、４はｓｉ、Ｎ４ｍ、５はＯＣＤ層、６はシー
ルド層、７は接着剤、８はガラスをそれぞれ示すもので
ある。この第１図から明らかなように、導電層をなすシ
ールド層６はＴＰＴアナログスイッチ（ＡＳＷ）部の上
部にのみ形成され、光電変換部には設けられていない、
それとともに、このシールド層６の直下の絶縁ＭがＳ
ｉ３Ｎ４３膜 とＯｃＤＭ＃５との２層で構成されてい
る。なお、シールド層６は電気的に接地されている。
金属配線、４はｓｉ、Ｎ４ｍ、５はＯＣＤ層、６はシー
ルド層、７は接着剤、８はガラスをそれぞれ示すもので
ある。この第１図から明らかなように、導電層をなすシ
ールド層６はＴＰＴアナログスイッチ（ＡＳＷ）部の上
部にのみ形成され、光電変換部には設けられていない、
それとともに、このシールド層６の直下の絶縁ＭがＳ
ｉ３Ｎ４３膜 とＯｃＤＭ＃５との２層で構成されてい
る。なお、シールド層６は電気的に接地されている。
本発明において、導ＩＥＩをなすシールド層６は導電性
材料（少くとも体積抵抗率１０”Ω（１１−”以下の材
料）、例えばＡＱ、Ａ２合金、Ｃｒ、Ｎ ｊ、 Ｃｒ等
の金属材料、Ｃを分散させた樹脂被膜等が使用される。
材料（少くとも体積抵抗率１０”Ω（１１−”以下の材
料）、例えばＡＱ、Ａ２合金、Ｃｒ、Ｎ ｊ、 Ｃｒ等
の金属材料、Ｃを分散させた樹脂被膜等が使用される。
これら導電性材料は上記の例からも明らかなように透明
材料である必要はない。
材料である必要はない。
このような完全密着型等倍センサを作製する場合の例を
以下に示す。
以下に示す。
例１、
石英基板上にｐｏｌｙ−Ｓ ｉを活性層として用いたＴ
ＰＴでシフトレジスタと、光電変換素子の個別選択用ア
ナロ、グスイッチ（Ａ Ｓ Ｗ）からなる駆動回路を形
成した。さらに、このＡＳＷに接続された光電変換素子
を形成した。光電変換素子材料はａ−３ｉとした。これ
らの光電変換部及びＴ Ｐ Ｔ ＩＩＩＡ動回路部を覆
うようにＳｉ、Ｎ４膜をプラズマＣＶＤ法で５０００人
形成し、その後、塗布型５１０ｍ （東京応化製０ＣＤ
）を塗布。
ＰＴでシフトレジスタと、光電変換素子の個別選択用ア
ナロ、グスイッチ（Ａ Ｓ Ｗ）からなる駆動回路を形
成した。さらに、このＡＳＷに接続された光電変換素子
を形成した。光電変換素子材料はａ−３ｉとした。これ
らの光電変換部及びＴ Ｐ Ｔ ＩＩＩＡ動回路部を覆
うようにＳｉ、Ｎ４膜をプラズマＣＶＤ法で５０００人
形成し、その後、塗布型５１０ｍ （東京応化製０ＣＤ
）を塗布。
ベークし、１０００人のＳｉｎ、膜を形成した。ベーク
温度は３００℃とした。
温度は３００℃とした。
さらに、この上に、Ｔ Ｐ Ｔ駆動回路部のみを覆うよ
うにＡｆｌによるシールド層を形成した。
うにＡｆｌによるシールド層を形成した。
この上に５０μｍの薄板ガラスを接着剤にて張り付け、
耐摩耗層としたセンサを形成した。
耐摩耗層としたセンサを形成した。
このセンサに原稿を密着させて原稿を読み取ったところ
、ＴＰＴの配線部とシールド層とのショートもなく、良
好な特性が得られた。
、ＴＰＴの配線部とシールド層とのショートもなく、良
好な特性が得られた。
例２゜
例１と同様にＴＰＴ駆動回路部を形成し、光電変換素子
部を形成する前に、ＴＰＴ駆動回路部を保護するめため
のＳｉ、Ｎ４膜をＰ−ＣＶＤ法で５０００人形成し、そ
の上に塗布型Ｓｉ、Ｎ、層を例１と同様に形成した。た
だし、ベーク温度は５００℃とした。これは例１ではａ
−Ｓｉ層形成後、このベータ工程が入るため、３００℃
以上の温度が加わると、ａ−８ｉ中の水素が離脱し、特
性が劣化するためである。
部を形成する前に、ＴＰＴ駆動回路部を保護するめため
のＳｉ、Ｎ４膜をＰ−ＣＶＤ法で５０００人形成し、そ
の上に塗布型Ｓｉ、Ｎ、層を例１と同様に形成した。た
だし、ベーク温度は５００℃とした。これは例１ではａ
−Ｓｉ層形成後、このベータ工程が入るため、３００℃
以上の温度が加わると、ａ−８ｉ中の水素が離脱し、特
性が劣化するためである。
その後は例１と同様に光電変換素子部を形成し、その後
ＴＦＴ駆動回路部のみに例１と同様のシールド層を形成
し、その上に薄板ガラスの接着を行った。
ＴＦＴ駆動回路部のみに例１と同様のシールド層を形成
し、その上に薄板ガラスの接着を行った。
得られたセンサは例１で得られたセンサと同様に良好な
特性が得られた。
特性が得られた。
［発明の効果］
以上のような本発明ではシールド層をＴＰＴ駆動回路の
全面ないし一部を導電性材料で被覆するもの、換言すれ
ば光電変換素子部上には被覆しないため、シールド層に
用いる材料は透光性のあるものに限らず、材料の選択の
幅が広がり、コスト、性能面から最も有利な材料を選択
することができ、しかもシールド層と層間絶縁膜下の金
属配線、どの重なり部が大幅に減少し。
全面ないし一部を導電性材料で被覆するもの、換言すれ
ば光電変換素子部上には被覆しないため、シールド層に
用いる材料は透光性のあるものに限らず、材料の選択の
幅が広がり、コスト、性能面から最も有利な材料を選択
することができ、しかもシールド層と層間絶縁膜下の金
属配線、どの重なり部が大幅に減少し。
ショートの確率が大幅に低下する。さらに本発明ではシ
ールド層下の絶縁層を少くとも無機物質と塗布型ＳｉＯ
□層との２層から構成しているため、段差部でのステッ
プカバレッジが改良され、しかも下層絶縁膜のピンホー
ル等の欠陥を塗布型Ｓ １Ｏ２ｉによりカバーすること
ができ、これらより、シールド層と下部電極とのショー
トを大幅に改善することができる。
ールド層下の絶縁層を少くとも無機物質と塗布型ＳｉＯ
□層との２層から構成しているため、段差部でのステッ
プカバレッジが改良され、しかも下層絶縁膜のピンホー
ル等の欠陥を塗布型Ｓ １Ｏ２ｉによりカバーすること
ができ、これらより、シールド層と下部電極とのショー
トを大幅に改善することができる。
第１図は本発明に係る完全’ＪＢＲ型等倍センサの一実
施例を示す断面図である。 第２図は本発明をなす過程で試作した完全密着型等倍セ
ンサを示す説明図である。
施例を示す断面図である。 第２図は本発明をなす過程で試作した完全密着型等倍セ
ンサを示す説明図である。
Claims (1)
- １、同一絶縁基板上に光電変換素子部と、これを駆動す
る薄膜トランジスタで構成された駆動回路部とが設けら
れ、これら光電変換素子部及び駆動回路部上に絶縁層を
介して導電層及びさらにその上に表面保護層が設けられ
た完全密着型等倍センサにおいて、前記導電層が駆動回
路部のみの一部又は全面を覆うように形成され、かつこ
の導電層下の絶縁層が少なくとも無機物質と塗布型Ｓｉ
Ｏ＿２層との２層からなることを特徴とする完全密着型
等倍センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63313002A JPH02159061A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | 完全密着型等倍センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63313002A JPH02159061A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | 完全密着型等倍センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02159061A true JPH02159061A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18036050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63313002A Pending JPH02159061A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | 完全密着型等倍センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02159061A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8704148B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-04-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-sensing apparatus having a conductive light-shielding film on a light-incident surface of a switch transistor and method of driving the same |
-
1988
- 1988-12-13 JP JP63313002A patent/JPH02159061A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8704148B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-04-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-sensing apparatus having a conductive light-shielding film on a light-incident surface of a switch transistor and method of driving the same |
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