JPH02157723A - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置Info
- Publication number
- JPH02157723A JPH02157723A JP31127288A JP31127288A JPH02157723A JP H02157723 A JPH02157723 A JP H02157723A JP 31127288 A JP31127288 A JP 31127288A JP 31127288 A JP31127288 A JP 31127288A JP H02157723 A JPH02157723 A JP H02157723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monomer
- substrate
- electro
- optical device
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 20
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims description 5
- PIAOLBVUVDXHHL-UHFFFAOYSA-N 2-nitroethenylbenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C=CC1=CC=CC=C1 PIAOLBVUVDXHHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 4
- SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethenylbenzene Chemical compound ClC=CC1=CC=CC=C1 SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical compound OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical group 0.000 claims description 2
- -1 styrene compound Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 11
- KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC(=O)C=C KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-OUBTZVSYSA-N silicon-29 atom Chemical compound [29Si] XUIMIQQOPSSXEZ-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-NJFSPNSNSA-N silicon-30 atom Chemical compound [30Si] XUIMIQQOPSSXEZ-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は強誘電性液晶を用いた電気光学装置に関する。
［従来の技術］
従来、強誘電性液晶を用いた電気光学装置の液晶配向法
として、有機高分子配向膜を電極基板上に形成しこの配
向膜を布で擦る方法（ラビング法）が知られている（Ｆ
ｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ。
として、有機高分子配向膜を電極基板上に形成しこの配
向膜を布で擦る方法（ラビング法）が知られている（Ｆ
ｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ。
１９８４、Ｖｏｌ、５９．ｐｐ、１３７−１４４）。こ
の方法によれば、高分子配向膜を布でこする配向法に於
て、ナイロンを配向膜に用いた場合最も配向性が優れる
。しかしナイロンを用いた場合配向状態がツイスト状態
となり充分なコントラストを得ることができない（第３
図中点線で示した応答を参照）。第１４回液晶討論会予
稿集３Ｂ１１７によればポリスチレン誘導体を配向膜に
用いればユニフォーム配向状態が得られる。その結果高
コントラスト高透過率の表示が可能となった（第３図中
実線参照）。
の方法によれば、高分子配向膜を布でこする配向法に於
て、ナイロンを配向膜に用いた場合最も配向性が優れる
。しかしナイロンを用いた場合配向状態がツイスト状態
となり充分なコントラストを得ることができない（第３
図中点線で示した応答を参照）。第１４回液晶討論会予
稿集３Ｂ１１７によればポリスチレン誘導体を配向膜に
用いればユニフォーム配向状態が得られる。その結果高
コントラスト高透過率の表示が可能となった（第３図中
実線参照）。
［発明が解決しようとする課題Ｊ
しかしポリスチレン誘導体を用いる従来技術では、ポリ
スチレン誘導体自体が溶媒に非常に溶は易く基板に塗布
しやすい一方、液晶にも溶けてしまう欠点がある。ポリ
スチレン中に架橋剤を加えれば液晶に説けにくくなるが
、溶媒にも溶けにくくなり基板に塗布しにくくなる。
スチレン誘導体自体が溶媒に非常に溶は易く基板に塗布
しやすい一方、液晶にも溶けてしまう欠点がある。ポリ
スチレン中に架橋剤を加えれば液晶に説けにくくなるが
、溶媒にも溶けにくくなり基板に塗布しにくくなる。
そこで本発明では、高コントラスト寓透過率表示が可能
なポリスチレン誘導体配向膜を用いた電気光学素子にお
いて信頼性の高いポリスチレン誘導体配向膜の作成法に
ついて記述する。
なポリスチレン誘導体配向膜を用いた電気光学素子にお
いて信頼性の高いポリスチレン誘導体配向膜の作成法に
ついて記述する。
［！！ＩＩＩを解決するための手段］
本発明の電気光学装置は、
■ 強誘電性液晶を用いた電気光学装置において、電極
基板に有機配向膜を形成しラビング法を組合わせる液晶
配向処理において、有機高分子モノマーあるいはその溶
液を電極基板に塗布し、その後紫外線あるいは可視光を
照射し光重合することにより有機配向膜を形成すること
を特徴とする。
基板に有機配向膜を形成しラビング法を組合わせる液晶
配向処理において、有機高分子モノマーあるいはその溶
液を電極基板に塗布し、その後紫外線あるいは可視光を
照射し光重合することにより有機配向膜を形成すること
を特徴とする。
■ 第１項において有機高分子モノマーがビニル基を有
する有機化合物であることを特徴とする。
する有機化合物であることを特徴とする。
■ 第１項において有機高分子モノマーが１成分ではな
く多成分を含むことを特徴とする。
く多成分を含むことを特徴とする。
■ 第１項において有機高分子モノマーがスチレン、ニ
トロスチレン、 クロロスチレン、ヒドロキシスチレ
ン、などのスチレン系化合物であることを特徴とする。
トロスチレン、 クロロスチレン、ヒドロキシスチレ
ン、などのスチレン系化合物であることを特徴とする。
■ 第１項において有機高分子モノマーが架橋剤を含む
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
■ 第５項において架橋剤がビニル基を複数含む化合物
からなることを特徴とする。
からなることを特徴とする。
〔作用］
本発明の上記の構成によれば、基板に配向剤を塗布する
段階では配向剤はモノマーであり、従って溶媒に溶は容
易に塗布できる。またスチレンのような粘度の低い液体
の場合では溶媒を必要とせずそのまま塗布できる。配向
剤を塗布した後溶媒を用いた場合は溶媒を除去し、紫外
線あるいは可視光を照射する。するとモノマーは光重合
し架橋剤を高分子中に取り込んで３次元構造化して不溶
化する。これにより液晶に溶けない信頼性の高い配向膜
を形成することができるのである。また配向剤を塗布す
る際溶媒を必要としないモノマーを用いれば配向膜中に
溶媒が残留する恐れもなくなり液晶の寿命が長くなる。
段階では配向剤はモノマーであり、従って溶媒に溶は容
易に塗布できる。またスチレンのような粘度の低い液体
の場合では溶媒を必要とせずそのまま塗布できる。配向
剤を塗布した後溶媒を用いた場合は溶媒を除去し、紫外
線あるいは可視光を照射する。するとモノマーは光重合
し架橋剤を高分子中に取り込んで３次元構造化して不溶
化する。これにより液晶に溶けない信頼性の高い配向膜
を形成することができるのである。また配向剤を塗布す
る際溶媒を必要としないモノマーを用いれば配向膜中に
溶媒が残留する恐れもなくなり液晶の寿命が長くなる。
第１図は本発明の実施例における基本構成を示す電気光
学装置の断面図である。ここでは、配向剤モノマーとし
てスチレン、架橋剤としてエチレングリコールジアクリ
レートを用いた実施例を水電極（ＩＴＯを使用したがこ
れに限らない）２と絶縁１Ｉ（Ｓｉ０２を使用したがこ
れに限らない）３を設けた基板１にエチレングリコール
ジアクリレートを５％含むスチレンモノマーをスピンコ
ーターにより塗布した。この基板に４ワット紫外線ラン
プ２本で紫外線を３０分照射した。こうして得られた２
枚の基板を布でこすり、こすった方向が上下基板で反平
行となる様に組み合わせた。間隙幅は２μｍとしたが１
μｍから１０μｍの間であればよい。次に液晶を封入す
るが、ここで用いた液晶は大日本インキ（株）製のＤＯ
ＦＯＯＯ４である。もちろん他の液晶でもよい。光学特
性を第３図（ｂ）に示した。図中の破線は、有機高分子
配向膜を用いた場合の光学応答を示している。
学装置の断面図である。ここでは、配向剤モノマーとし
てスチレン、架橋剤としてエチレングリコールジアクリ
レートを用いた実施例を水電極（ＩＴＯを使用したがこ
れに限らない）２と絶縁１Ｉ（Ｓｉ０２を使用したがこ
れに限らない）３を設けた基板１にエチレングリコール
ジアクリレートを５％含むスチレンモノマーをスピンコ
ーターにより塗布した。この基板に４ワット紫外線ラン
プ２本で紫外線を３０分照射した。こうして得られた２
枚の基板を布でこすり、こすった方向が上下基板で反平
行となる様に組み合わせた。間隙幅は２μｍとしたが１
μｍから１０μｍの間であればよい。次に液晶を封入す
るが、ここで用いた液晶は大日本インキ（株）製のＤＯ
ＦＯＯＯ４である。もちろん他の液晶でもよい。光学特
性を第３図（ｂ）に示した。図中の破線は、有機高分子
配向膜を用いた場合の光学応答を示している。
本実施例におけるコントラストは２０： １、透過率８
０％（偏光子と検光子を平行にした場合を１００％とし
て）であった。従来例で有機高分子配向膜を用いた場合
のコントラストは８：１、透過率１５％であるから格段
に改善されている。
０％（偏光子と検光子を平行にした場合を１００％とし
て）であった。従来例で有機高分子配向膜を用いた場合
のコントラストは８：１、透過率１５％であるから格段
に改善されている。
実施例２
ここでは、配向剤モノマーとしてニトロスチレン、架橋
剤としてジビニルベンゼンを用いた実施例を示す。
剤としてジビニルベンゼンを用いた実施例を示す。
電極（ＩＴＯを使用したがこれに限らない）２と絶縁膜
（Ｓｉ０２を使用したがこれに限らない）３を設けた基
板１にニトロスチレンモノマーの１０ｗｔ％キシレン溶
液にジビニルベンゼンＩｗｔ％加えスピンコーターによ
り塗布した。次にこの基板を１２０℃で３０分乾燥する
。この基板に４ワット紫外線ランプ２本で紫外線を３０
分照射した。こうして得られた２枚の基板を布でこすり
、こすった方向が上下基板で反平行となる様に組み合わ
せた。間隙幅は２μｍとしたが１μｍから１０μｍの間
であればよい。次に液晶を封入するが、ここで用いた液
晶はチッソ（株）製のＣ８１０１５である。もちろん他
の液晶でもよい。
（Ｓｉ０２を使用したがこれに限らない）３を設けた基
板１にニトロスチレンモノマーの１０ｗｔ％キシレン溶
液にジビニルベンゼンＩｗｔ％加えスピンコーターによ
り塗布した。次にこの基板を１２０℃で３０分乾燥する
。この基板に４ワット紫外線ランプ２本で紫外線を３０
分照射した。こうして得られた２枚の基板を布でこすり
、こすった方向が上下基板で反平行となる様に組み合わ
せた。間隙幅は２μｍとしたが１μｍから１０μｍの間
であればよい。次に液晶を封入するが、ここで用いた液
晶はチッソ（株）製のＣ８１０１５である。もちろん他
の液晶でもよい。
本実施例におけるコントラストは１５： １、透過率７
０％であった。
０％であった。
実施例３
本実施例では、強誘電性液晶を用いた電気光学素子の構
造として第２図に示したような光書き込み形の素子に応
用した場合について示す。
造として第２図に示したような光書き込み形の素子に応
用した場合について示す。
第２図に示した素子の動作原理について説明する。電極
２３および電ｗＡ３０の間に電界を印加しておき、基板
３１側からレーザー光を照射する。
２３および電ｗＡ３０の間に電界を印加しておき、基板
３１側からレーザー光を照射する。
するとアモルファスシリコン層２９の抵抗が下がり液晶
層２６に電界が印加される。これが動作の基本原理であ
る。まず初めにレーザー光が照射された時液晶分子が双
安定状態の第一の状態をとるように印加しておく。レー
ザー光を照射し素子全面を第一の状態とする。次にレー
ザー光が照射された時液晶分子が双安定状態の第二の状
態をとるように印加する。この状態でレーザー光をスキ
ャンすると画像を表示できるのである。
層２６に電界が印加される。これが動作の基本原理であ
る。まず初めにレーザー光が照射された時液晶分子が双
安定状態の第一の状態をとるように印加しておく。レー
ザー光を照射し素子全面を第一の状態とする。次にレー
ザー光が照射された時液晶分子が双安定状態の第二の状
態をとるように印加する。この状態でレーザー光をスキ
ャンすると画像を表示できるのである。
ここで問題となるのが配向Ｊｌ１２７の選定である。
すなわちアモルファスシリコン２９を製膜する際、１８
０°Ｃ付近で行なう為１８０℃以上で焼成する配向膜は
使えない。このため室温で製膜できる配向膜が有利とな
る。以下に実施例を述べる。
０°Ｃ付近で行なう為１８０℃以上で焼成する配向膜は
使えない。このため室温で製膜できる配向膜が有利とな
る。以下に実施例を述べる。
基板３１に透明電極３０を製膜し、更にアモルファスシ
リコン層２９を製膜する。誘電体ミラー２８を積層した
後ジビニルベンゼン５ｗｔ％含むスチレンをスピンコー
ドし紫外線を実施例１に従い照射した。こうして作成し
た基板の光の入／切に対するアモルファスシリコン層２
９の抵抗の変化率は１０対１であり従来（５対１）に較
べ改善されている。
リコン層２９を製膜する。誘電体ミラー２８を積層した
後ジビニルベンゼン５ｗｔ％含むスチレンをスピンコー
ドし紫外線を実施例１に従い照射した。こうして作成し
た基板の光の入／切に対するアモルファスシリコン層２
９の抵抗の変化率は１０対１であり従来（５対１）に較
べ改善されている。
実施例４
本実施例では配向剤モノマーが複数成分から成る場合に
ついて述べる。配向剤モノマーとしてヒドロキシスチレ
ンおよびクロロスチレンを１＝１で混合し、キシレンを
用い５０ｗｔ％溶液とする。
ついて述べる。配向剤モノマーとしてヒドロキシスチレ
ンおよびクロロスチレンを１＝１で混合し、キシレンを
用い５０ｗｔ％溶液とする。
これにジビニルベンゼンを５ｗｔ％加え基板に塗布する
。以下の処理は実施例１に同じである。用いた液晶はメ
ルク■ＺＬＩ−３４８９であるがこの限りではない。本
実施例におけるコントラストは１５； １、透過率は６
０％であった。
。以下の処理は実施例１に同じである。用いた液晶はメ
ルク■ＺＬＩ−３４８９であるがこの限りではない。本
実施例におけるコントラストは１５； １、透過率は６
０％であった。
以上実施例を述べたが、配向剤モノヤーはここに述べた
ものに限らない。また、架橋剤についてもここに述べた
ものに限らない。
ものに限らない。また、架橋剤についてもここに述べた
ものに限らない。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、架橋剤を含んだスチ
レン誘導体モノマーを基板に塗布した後紫外線で光重合
することにより、３次元構造を有する溶解しにくい配向
膜を製膜でき信頼性の高い高コントラスト高透過率の表
示素子を作成する事ができる。また光導電体を用いた光
書き込み型素子に於いては光導電体の特性を劣化させる
ことがない。
レン誘導体モノマーを基板に塗布した後紫外線で光重合
することにより、３次元構造を有する溶解しにくい配向
膜を製膜でき信頼性の高い高コントラスト高透過率の表
示素子を作成する事ができる。また光導電体を用いた光
書き込み型素子に於いては光導電体の特性を劣化させる
ことがない。
第１図は、本発明の基本構成を表す電気光学装置の断面
図である。 １・・・基板 ２・・・電極 ３・・・絶縁層 ４・・・配向層 ５・・・液晶層 ６・・・配向層 ７・・・絶縁層 ８・・・電極 ９・・・基板 第２図は、実施例３に於ける光書き込み型電気光学装置
の断面図である。 ２１・・・偏光板 ２２・・・透明基板 ２３・・・透明電極 ２４・・・配向膜 ２５・・・スペーサー ２６・・・液晶 ２７・・・配向膜 ２８・・・誘電体ミラー ２９・・・アモルファスシリコン ３０・・・透明電極 ３１・・・透明基板 第３図は、本発明の電気光学装置を評価する際に用いた
駆動波形と光学応答を示す図である。 第 図 （ｂ） 第３因 書き込み光 第２図
図である。 １・・・基板 ２・・・電極 ３・・・絶縁層 ４・・・配向層 ５・・・液晶層 ６・・・配向層 ７・・・絶縁層 ８・・・電極 ９・・・基板 第２図は、実施例３に於ける光書き込み型電気光学装置
の断面図である。 ２１・・・偏光板 ２２・・・透明基板 ２３・・・透明電極 ２４・・・配向膜 ２５・・・スペーサー ２６・・・液晶 ２７・・・配向膜 ２８・・・誘電体ミラー ２９・・・アモルファスシリコン ３０・・・透明電極 ３１・・・透明基板 第３図は、本発明の電気光学装置を評価する際に用いた
駆動波形と光学応答を示す図である。 第 図 （ｂ） 第３因 書き込み光 第２図
Claims (6)
- （１）強誘電性液晶を用いた電気光学装置において、電
極基板に有機配向膜を形成しラビング法を組合わせる液
晶配向処理において、有機高分子モノマーあるいはその
溶液を電極基板に塗布し、その後紫外線あるいは可視光
を照射し光重合することにより有機配向膜を形成するこ
とを特徴とする電気光学装置。 - （２）上記有機高分子モノマーがビニル基を有する有機
化合物であることを特徴とする請求項１記載の電気光学
装置。 - （３）上記有機高分子モノマーが１成分ではなく多成分
を含むことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。 - （４）上記有機高分子モノマーがスチレン、ニトロスチ
レン、クロロスチレン、ヒドロキシスチレン、などのス
チレン系化合物であることを特徴とする請求項１記載の
電気光学装置。 - （５）上記有機高分子モノマーが架橋剤を含むことを特
徴とする請求項１記載の電気光学装置。 - （６）上記架橋剤がビニル基を複数含む化合物からなる
ことを特徴とする請求項５記載の電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31127288A JPH02157723A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31127288A JPH02157723A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02157723A true JPH02157723A (ja) | 1990-06-18 |
Family
ID=18015141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31127288A Pending JPH02157723A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02157723A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010047219A (ko) * | 1999-11-18 | 2001-06-15 | 박기점 | 평면 발광램프 구조 및 제작방법 |
-
1988
- 1988-12-09 JP JP31127288A patent/JPH02157723A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010047219A (ko) * | 1999-11-18 | 2001-06-15 | 박기점 | 평면 발광램프 구조 및 제작방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3881706B2 (ja) | 光学的要素 | |
| US4859876A (en) | Nonlinear optical materials and devices | |
| JP2672233B2 (ja) | 傾斜配列の液晶を基板上に形成するための方法 | |
| KR100216160B1 (ko) | 액정표시장치 | |
| EP0218938A2 (en) | Nonlinear optical materials and devices | |
| JPS6352122A (ja) | 液晶装置 | |
| JPH01302226A (ja) | 強誘電液晶素子 | |
| JP3508918B2 (ja) | 液晶配向膜の製造方法及び液晶表示装置 | |
| JPH0369921A (ja) | 電気導電性高分子及び電気導電性高分子を用いた液晶スイッチ及びディスプレー素子における配向層 | |
| JPH03213822A (ja) | 偏光不感受性の線形導波電気光学位相変調器 | |
| JPH02157723A (ja) | 電気光学装置 | |
| KR100268031B1 (ko) | 액정표시소자의 광배향막 형성방법 | |
| JP3102972B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2001083496A (ja) | ポリマーネットワーク型コレステリック液晶素子の製造方法 | |
| JPH04281425A (ja) | 表示素子の製造方法。 | |
| US20120140127A1 (en) | Optical memory device based on dhlfc material and method of preparing the same | |
| JPH02294620A (ja) | 電気光学装置 | |
| JPS61151616A (ja) | 液晶ライトバルブ | |
| JP3074805B2 (ja) | 表示素子 | |
| JP2548592B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPH01502539A (ja) | 水素架橋形成性組成物 | |
| JP2002156668A (ja) | 非線形光学材料 | |
| JP3241502B2 (ja) | 液晶電気光学装置の作製方法 | |
| RU2296354C1 (ru) | Жидкокристаллический пространственно-временной модулятор света на основе фуллеренсодержащих пиридиновых структур для дисплейной и телевизионной техники | |
| JP3143224B2 (ja) | 液晶電気光学装置およびその製造方法 |