JPH03213822A - 偏光不感受性の線形導波電気光学位相変調器 - Google Patents

偏光不感受性の線形導波電気光学位相変調器

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JPH03213822A
JPH03213822A JP2154978A JP15497890A JPH03213822A JP H03213822 A JPH03213822 A JP H03213822A JP 2154978 A JP2154978 A JP 2154978A JP 15497890 A JP15497890 A JP 15497890A JP H03213822 A JPH03213822 A JP H03213822A
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electrodes
polymer
electric field
waveguide
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ヒュン―ナム・ユーン
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は偏光不感受性(polaritation −
1ns ens i百11#)の線形導波電気光学位相
変調器に関する。
塊状無機結晶を用いる電気光学的強度、位相変調器は周
知であり、広く用いられている。導波電気光学変調器は
比較的最近開発され、例えばアプライド フィジックス
 レタース(押”Ph−yt5i−cs Lmctar
s ) 21巻、7号 325頁(1972);22巻
、10号、540頁(1973);米国特許第3,58
6.872号;第3,619,795号、第3.624
.406号、第3,806,223号、第3,810.
688号、第3.874.782号、第3.923,3
74号、第3.947,087号、第3,990.77
5号及びこれらに引用されている文献のような文献に述
べられている。
塊状結晶に比べた光学導波管配置の主な利点の1つは、
非常に低い電位と電力が光学導波管配置では用いられ、
より迅速な変調(modulation)が行われるこ
とである。これらの機能特性の両方ともが、このような
電気光学変調器の高速作用を実現するために必要である
薄フィルム導波電気光学変調器は、例えばマツハ−7ニ
ー 7ダー(Mach −;1ehndar)インター
フェロメトリー、方向性結合、Y接合、クロスバ−切換
えまたは光学的偏光の回転のような、幾つかの変調機構
の1つを用いて作用することができる。
線形導波型位相変調器は文献に述べられている周知の光
学装置である。位相変調器は導波媒質の近(に配置され
た1個以上の電極対を有する、電気光学反応性媒質の単
一導波管から成る。情報は位相シフトとして透過光線に
与えられる。このような位相シフトは配置電極によって
生ずる。電圧が電極対に印加されると、電気光学効果が
近位導波帯の屈折率を変え、光路長さを変え、それによ
って導波される光線の位相を変化させる。このように印
加電圧の変化は位相変化に変換される。自由空間を通過
する入射光線の発散部分に光学インターフェロメトリー
を用いることによって、またはホモダイン(homod
yne )検出法を用いることによって、位相変化は光
線出力エネルギーレベル(power 1evel)の
振幅変化に変換される。
光学導波管の設計と製造に決定的に関係する他の要素が
存在する。統合した光学スイッチと変調器の偏光特性は
ファイバー伝導ラインを用いる光学データ移送系でのこ
れらの装置の有用性を決定する上で非常に重要である。
特に、これらの装置は光線の偏光状態に関係なく充分で
かつ完全な光線切換えを実施しなげればならない。単モ
ードの円形7アイパーに結合した線状偏光は他の偏光状
態に迅速に転換されるので、この必要条件が生ずる。そ
れ故、ファイバーに結合された光線は通常。
未知のだ円偏光を有し、横方向電気(TE)モードと横
方向磁気(TM)モードの両方が集積光学回路で励起さ
れる。
偏光に関係のない光学スイッチと変調器は米国特許第4
,243.295号、第4,291,939号、第4,
514.046号、第4.674.829号、第4.7
56,588号及びこれらの引用文献に述べられている
。公知の偏光独立性導波装置はすべて。
例えばLiNbO3、LiTa0. 、GaAsまたは
Cd5a結晶のような、無機導波チャンネルによって構
成される。
低電圧作動電気光学的変調器では高度に信頼できる電気
光学的媒質が必要である。LiNb0.は導波電気光学
的変調器を構成するための重要な無機化合物種であった
。しかし、電気光学的変調器へのLiNb0.またはそ
の他の無機結晶の使用には。
例えば光屈折効果による入力光学エネルギーと操作波長
の制限のような固有の欠点が存在する。
大きな非局在化π電子系を有する有機ポリマー物質が電
気光学的非線形光学反応を示し、この反応が多くの場合
に無機サブストレートよりも非常に大きな反応であるこ
とは公知である。
さらに、非線形光学効果の原因となる電子相互作用を阻
止することによって、例えば械機的、熱酸化的安定性及
び高レーザー損傷限界のような、他の好ましい性質を最
適化するように有機ポリマー物質の性質を変えることも
できる。
非線形効果の起源が無機物質に認められる核座標の変位
または転位に対応した元電子雲の偏位であるという事実
は共役有機系にとって非常に重要である。
有機ポリマー物質の非線形光学的特性はアメリカ化学会
(American Chgtnicαl 5ocie
ty )第18回会議(1982年9月)におけるAC
Sポリマー化学部門によって主催されたシンポジウムの
主題であった。この会議で発表された論文はACSシン
ポジウムシリーズ233(アメリカ化学会、ワシントン
l)、c、1983年)として出版されている。
透明な薄いサブストレートとしての有機非線形光学媒質
は米国特許第4,536,450号、第4,605.8
69号、第4,607,095号、第4.615゜96
2号及び約4.624,872号に述べられている。
上記刊行物はここに参考文献として関係する。
レーザー変調、光学回路要素における情報制御等に適し
た。新しい非線形光学的有機媒質と電気光学装置を開発
しようとする研究努力が続けられている。大きい二次ま
たは三次非線形を有する有機物質の非常な高頻度用途へ
の可能な有用性は、通常の無機電気光学的材料の広範囲
な限定と対照的である。
従って、新規な電気光学的変調器を提供することが本発
明の目的である。
有機非線形光学要素を含む線形電気光学位相変調器を提
供することが本発明の他の目的である。
偏光不感受性ポリマー薄フィルム導波電気光学的位相変
調器を提供することが1本発明のさらに他の目的である
本発明のこの他の目的と利点は添付図面と説明から明ら
かになると思われる。
本発明の1つ以上の目的は、次の要素二a、電気光学反
応性有機媒質から成る線形導波チャンネル; b、チャンネル有機媒質への水平電場供給を促進するた
めに前記チャンネルに浴って配置された1間隔をおいた
電極間の有機媒質帯が供給水平電場の方向に平行な、非
心対称性分子配向(non cantrs symmg
tric molecularorientα百on 
)を有する、間隔をおいた電極の第1セット;及び c、チャンネル有機媒質に対する垂直電場供給を促進す
るために、第1セットの電極と同じチャンネルに沿って
近くに配置され、間隔をおいた電極間の有機媒質帯が供
給垂直電場の方向に平行な、非心対称性分子配向を有す
る、間隔をおいた電極の第2セット から成る偏光不感受性線形導波電気光学位相変調器を提
供することによって達成される。
他の実施態様では、本発明は次の要素二a、電気光学反
応を示す熱可塑性ポリマーから成る線形導波チャンネル
; b、チャンネルポリマー媒質への水平電場供給を促進す
るために、前記チャンネルに沼って配置され、間隔をお
いた電極間のポリマー媒質帯が供給水平電場に平行な、
非心対称性分子配向を有する、間隔をおいた電極の第1
セット; c、チャンネルポリマー媒質への垂直電場供給を促進す
るために、第1セットの電極と同じチャンネルに溢って
近くに配置され、間隔をおいた電極間のポリマー媒質帯
が供給垂直電場に平行な、非心対称性分子配向を有する
、間隔をおいた電極の第2セット; d、前記電極セットのための電圧供給源;及び−0導波
装置に光線を導入するための干渉性光線放射手段 から成る。光波位相を偏光不感受性に変調させるための
薄フィルム電気光学導波装置を提供する。
他の実施態様では、本発明は次の工程:(υ (2) (3) (4) (5) (6) 支持サブストレート上に、 電気光学反応を示す有機媒質から成り、線形導波チャン
ネル配置を有する透明な光学的導波フィルムを成形する
工程; チャンネル有機物質への水平電場供給する前記チャンネ
ル光路に沿って近くに、間隔をおいた電極を配置する工
程; チャンネル有機媒質への垂直電場供給を促進するために
、第1セットの電極と同じチャンネル光路に溢って近く
に1間隔をおいた電極の第2セットを配置する工程; 薄フィルムを加熱して、チャンネルポリマー分子を移動
させる工程; 各電極セットに電圧を印加し、第1セットの電極には供
給水平電場の方向に平行な、ポリマー分子の非jl、%
対称性配向を誘導させ、第2セットの電極には供給垂直
電場の方向に平行な、ポリマー分子の非心対称性配向を
誘導させる工程;及び 供給電場を維持しながら、薄フィルムを冷却し、それに
よって二次非線形光学反応を示す、2つの安定な電場誘
導ポリマー分子配向帯を形成する工程 から成る線形導波電気光学位相変調器の製造方法を提供
する。
さらに他の実施態様では5本発明は次の工程=(11本
発明に従って設計し、構成した偏光不感受性導波装置に
任意に偏光したレーザービームな導入する工程; (2)チャンネル光路の近(に配置した。各電極セット
に変調電圧を印加して、光路を通って伝搬する導波光線
の横断電気モードと横断磁気モードに対して同じ位相変
調を生じさせる工程;及び (31変調光線を光検出器手段に伝導する工程から成る
、透過光線の位相を印加電圧の関数として変化させる電
磁線変調方法を提供する。
本発明の位相変調導波装置では、線形偏光光線の導波チ
ャンネル内の伝搬定数が導波チャンネルに供給される垂
直電場/水平電場の組合せによって変化する。チャンネ
ル内の光線伝搬速度の変化は電気的に制御された位相シ
フトを生ずる。位相変調光線が自由空間から発散される
入射光線の一部によって干渉されると、その結果の光強
度は位相シフトを伴って変化するため、印加電圧によっ
て電気光学的効果を介して変調されることになる。
光線変調の偏光不感受性特性は、導波チャンネル内の2
電極セットの電圧を平衡させ、それによって各電極セッ
トが結合した導波帯内の電気光学ポリマー媒質の分子配
向を平衡させて、水平電場と垂直電場によるTE、TM
モードを等しく位相変調させることによって得られる。
20ミクロンの典型的な電極分離と1(mの電極長さに
対して、位相変調装置の変調電圧はO〜50Valtの
範囲内であり、供給電場の周波数はDCから約100ギ
ガヘルツまでの間で変化する。
第1図は本発明による光学的振幅変調モードによる集積
線形導波電気光学位相変調器の概略図である。
第1図では、位相変調器IOは支持サブストレート上の
透明な電気光学反応性ポリマーフィルム11から成る。
フィルム11はランダムに偏光した光線人力21を透過
する光学的導波管12の集積形状を有する。透過光線は
導波管12から光線出力23として出る。導波チャンネ
ルのポリマーフィルムは導波チャンネルに隣接するポリ
マーフィルムよりも高い屈折率を有し、保護層として用
いた場合の緩衝被覆(b%ff−デcoating)よ
りも高い屈折率を有する。
電極25は電圧源27に連結し、活性化されてチャンネ
ル12内の第1帯に垂直電場を与える。
電極26は電圧源28に連結し、活性化されてチャンネ
ル内の第2帯に水平電場を与える。チャンネル12内の
電極25間のポリマーフィルムは電極25による供給垂
直電場に平行な、安定した分子配向を有する。チャンネ
ル12内の電極26間のポリマーフィルムは電極26に
よる供給水平電場に平行な、安定した分子配向を有する
操作モードでは、入カレーザーピーム20を供給する任
意に偏光したレーザー線源30と、出力シグナル24を
再構成電気シグナルに変換するように機能する光検出器
31とに組合せて装置IOを用いる。
この操作モードでは、ランダムに偏光した入力ビーム2
0をビームスプリッタ−13によって、部分21と22
に分割する。ビーム21は位相変調装置10に伝導され
、ビーム22は自由空間路を通過する。次にビーム22
を光学インターフェロメトリーによってミラー15.1
6及びビームスプリッタ−14を用いて位相変調ビーム
23と結合させて、結合ビーム22を形成する。
入力の干渉性電磁線は例えば半導体600〜1600n
m出力のようなレーザービームであることが好ましい。
第1図に図示しない有機フィルム−支持サブストレート
は例えばプラスチックまたはガラスのような、便利な非
導電性媒質から構成することができる。
本発明の電気光学装置の薄フィルム有機導波媒質は透明
であり、物理的性質では等方性もしくは異方性であり、
非線形光学的反応を示す。
典型的な薄フィルム有機媒質はポリマーホストとゲスト
成分から成るブレンドである。#フィルムの電気光学的
特性はゲスト成分のみによって制御されるか、またはホ
スト成分とゲスト成分の両方が非紐形の光学的感受性を
有する。
適当なホストポリマーの具体例はポリ(メチルメタクリ
レート)、セルロースアセテート、ポリシロキサン、ポ
リアクリルアミド、ポリアクリロニトリル等である。
適当なゲスト化合物の具体例は4−ニトロアニリン、2
−メチル−4−ニトロアニリン、4−N。
N−ジメチルアミノ−4′−ニトロスチルベン(uAN
s )等である。
他の適当な非線形光学活性ゲスト化合物は次式に相当す
るキノジメタン構造によって説明される:式中、nは約
0〜3の範囲内の整数であr)、RとR1は水素及び炭
素数的1〜20の脂肪族基、脂環式基、芳香族基から成
る群から適訳した置換基であり、R置換基の少なくとも
1つは電子供与基であり、R1置換基の少なくとも1つ
はt子求引基である。
非縁形元字活性キノジメタン棟の具体例は7.7−ジ(
R−へキシルテシルアミノ)−8,8−ジシアノキノジ
メタン;13,13−ジアミノ−14,14−ジシアノ
ジフェノキノジメタン;13.13−ジ(ジメチルアミ
ノ)−14,14−ジシアノジフェノキノジメタン; 
l 3 、l 3−ジ(n−ヘキサデシルアミノ)−1
4,14−ジシアノジフェノキノジメタン;13,13
−エチレンジアミノ−14,14−シフアノジフェノキ
ノジメタン;13,13−ジ(ジメチルアミノ)−14
,14−ジシアノ−4,5,9,10−テトラヒドロピ
レノキノジメタン;13,13−ジ(n−ヘキサデシル
アミノ)−14,14−シフアノ−4,5,9,10−
テトラヒドロピレノキノジメタン等である。
上記のようなキノジメタン化合物の合成は米国特許第4
,640,800号と第4.707.305号(これら
はここに#考文献として関係する)に述べられている。
ここで用いるr*子供与」なる用語は、共役電子構造が
電磁エネルギーの入力によって分極した場合に、電子密
度なπ電子系に寄与する有機置換基な意味する。
ここで用いる「11子求引」なる用語は、共役電子構造
が電磁エネルギーの入力によって分極した場合に%電子
密度をπ電子系から求引する電気陰性有機置換基を意味
する。
製造の容易さ、光学的性質、及びゲスト成分との適合性
から特定のホストポリマーが選択される。
ゲスト成分は典型的に、薄フィルム導波ゲスト/ホスト
媒質の約5〜601km%な占める。
電気光学反応を示すポリマーはホスト成分として用いら
れる、または単独成分として用いられる。
このタイプの有機成分は次式: 〔式中、P′ はポリマー主鎖準位であり、S′ は原
子数約0〜200線状鎖長を有するフレキクプルスペー
サ基であり、M′は二次非線形光学感受性Bを有するペ
ンダント基であり、ペンダント基はポリマーの少なくと
も約10][緻チな占める]で示される熱可塑性ポリマ
ーによって説明され。
このポリマーは約40℃より高いガラス転移温度な有す
る。
上記式に相当する熱町塑注側顕ポリマーは物理的性質に
おいて等方性または液晶のいずれかである。適当な側鎖
ポリマーは米国特許第4.694.066号に述べられ
ている。側鎖ポリマーの具体例+zポリ(6−(4−ニ
トロビフェニルオキシ)へキフルメタクリレート〕、ポ
リ(N−4−ニトロフェニル−4−ピペリジルアクリレ
ート)、及び例えば のような、スチルベン含有ポリマーである。メチルメタ
クリレート/4−(#−(z−メタクリルオキシエチル
)−N−メチルアミノ) −4’−二トロスチンペン(
50150)’)コポリマー1J1好マしいタイプの側
鎖ポリマーである。
本発明の装置はチャンネル元路内に1例えば非線形光学
活性ゲスト分子のような分子双極子または上記タイプの
ポリマーの非線形光学活性ペンダント側鎖が外部場誘導
整列するような、2つの導波部分を含む。
媒質をその融点またはガラス転移温度の近くまたはそれ
以上に加熱してから、DC電場(例えば。
50〜500 V/μ倶)を媒質に与えて分子双極子を
単軸配向に整列させることによって、薄フィルム導波媒
質の極比(paling )が便利に達成される。次に
媒質がまだ供給DC電場の影響下にあるときに、媒質を
冷却する。このようにして、安定した永久的な分子配向
が例えば第1図に示した電極対の間のような、剛性構造
中に固定される。
第1図の電極対25と26は例えばアルミニウム。銀、
金、銅、インジウム−酸化スズ、チタン酸インジウム等
のような適当な導電性物質のストリップ被覆であり、D
CまたはAC電源27.28に連結される。
第1図の薄フィルム導波層11は各物質に対して適当で
あるような、例えばスピンコーチング、吹付け、ラング
ミュア−プロゲット(Lan%sir−Blodgat
t )の蒸着法、スパッターリング等のような通常の製
造方法によって、支持サブストレートと組合せることが
できる。
次の実施例によって本発明をさらに説明する。
装置成分は典型的なものとして述べるが、設計と運転の
種々な変更が前述の開示に基づいて本発明の範囲内で実
施されうる。
例 この例は第1図に示すような、本発明による偏光不感受
性の導波電気光学変調器の構造と操作を説明する: 商業的に入手可能な二酸化ケイ素被覆ケイ素ウェファを
ヴアリアン(Varian )電子ビーム真空蒸着系に
入れる。純度99.999%の0.1μm層がウェファ
上に蒸着する。
、4Z−1518ポジテイブフオトレジストしヘキスト
(IIoachsL) :]をソリチック(5olit
ac)モデル5100コースタ−によって、アルミニウ
ム被覆ウェファ上にスピンコーチングする。5000r
pmでの30秒間スピニングによって、l、5μmフォ
トレジスト被覆が得られる。フォトレジスト被覆を90
℃の真空炉で30分間乾燥させる。
カール サス(KαデI 5uss  )モデルMJB
3マスク アライナ−(、ILαsk alignar
 )内で好ましい形状のマスクとウェファを接触させ、
マークした被覆を405μm放射線(120ml/cm
2)に暴露させることによって、フォトレジスト被覆を
第1図の下部電極25としてパターン化する。
マスクを除去し、パターン化フォトレジストを水中AZ
−400に現像剤(Developer) (1: 1
 )によって45秒間にわたって現像し、脱イオン水に
よって洗浄することによって現像サイクルを停止する。
ウェファのフォトレジスト被覆を120℃の真空炉中て
30分間焼成する。暴露したアルミニウムパターンをA
型腐蝕剤〔トランセン社(Tデαn−sgna Co、
)〕によって50℃で20秒間腐蝕し、蝕刻面を脱イオ
ン水ですすぎ洗いする。
ウェファのアルミニウム電極面を薄い(1000A)保
護ポリシロキサン層によって覆い、次に4000デpm
で30秒間のスピンコーチングによってマスターボンド
(MascorBond ) UV l 1−4MI 
xポキン〔マスターボンド社(MasterBond 
Inc 、 ) )の2.0pmクラッド層を施し、こ
のクラッド層を365 nrn光線20J/々−による
1分間の水銀アーク燈放電によって硬化させる。
硬化後に、連続層の表面接着性を改良するために、プラ
ズマファプ(PIα8情α/ab)340腐蝕装置〔エ
レクトロチク社(Elgctrotgch Co、 )
 )内でウェファを反応性イオン腐蝕に5秒間さらす。
腐蝕条件は13.56fHg  高周波電力30wat
t/6“直径パターンを用いてb15mtoデデ、圧に
おいて02流動5標準(:In3/分である。
165μ倶厚さの非線形光学活性有機層がクラッド層上
に3000デpmにおいてスピン−コーチングされる。
スピンコーチング媒質はトリクロロメロパン中のメチル
メタクリレート/4− CN−(2−メタクリルオキ7
エチル)−N−メチルアミノコ−4′−二トロステルペ
ン(50150)のコポリマーの20%溶液である。有
機層を160℃の真空炉中で1時間乾燥させる。
AZ−1518のフォトレジスト層を400゜rpmで
有機層上にスピンコーチングし、この層を40511m
放射線(” 20 m17cm”)に暴露する。
アルミニウム0.2μm層がフォトレジスト層上に付着
する。アルミニウム層をフォトレジスト層で被潰し、層
を第1図に示すような線形導波管の形状にパターン化す
る。導波管の幅は5μ毒である。
導波管構造の上面を前述のような、酸素プラズマ条件下
で15分間反応性イオン腐蝕にさらして、フォトレジス
ト被覆パターンを別として、ポリシロキサン層までの多
重層を除去する。腐蝕サイクルはアルミニウムパターン
からフォトレジスト被覆をも除去する。
アルミニウムと下部フォトレジスト層は導波管構造をA
Z −400に現像液に1分間浸漬することによって除
去される。
サブストレートと上面の多重層りブパターンはマスター
ボンドUV11−4M!エポキシ(マスターボンド社)
によって250 Orpmにおいてスピンコーテングし
、被覆を405 nm光線の20y+JF/crn2に
よる2分間の水銀アーク燈放電によって硬化する。
アルミニウムの0.1μm層が上部エポキシクラッド層
上に付着し、上記パターン処理方法後に、第1図の上部
電極25と電極26が形成される。
導波管構造を対立する端部で裂いて、光線な導波有機層
に連絡させるための2つのシャープな面を形成する。
2セットの電極間の2つのポリマー導波部分の分子配向
はそれぞれ、電極セットによって供給電場を加えること
によって得られる。電極長さ1crnでは透過状態から
不透過状態へ切換えるために、第1図のインターフエロ
メトリー配置では2〜6VoNの電圧が必要である。
製造した導波管をメツトラ−(Mattl−デ)高温段
階に装入し、装置の温度を1℃/分で140”Cに高め
る。1セットの電極に100V/μ駕のDC電場と5 
Volt sing(10,000t )のAC電圧を
印加し、他のセットの電極に可変DC電圧と5 Vol
tsina (10,000t )のAC電圧を印加す
る。
対物レンズ(fax)を用いて、1゜34μ惰放射線(
100fflF連続波)を線形導波管に収束させ、結合
させる。導波変調器の出力をIOX顕微鏡対物レンズに
通し、ビーム結合器を用いて自由空間を透過したレーザ
ービームの一部と結合させる。結合ビームを次に偏光ビ
ームスプリッタ−に導き1次に2つの光検出器に導入す
る。検出器シグナルは2つの固定増幅器に伝導される。
両増幅器をI O+000 Hurtのシグナルに関し
て同調させ、第1電極セットに対する可変DC電圧を2
増幅器のシグナルが同じになるまで調節する。
調節した供給電場下で導波装置を140℃に20分間維
持し、導波装置を1℃/分で室温にまで冷却する間、供
給電場を維持する。
導波管の操作中、2電極セットの印加電圧は平衡化し、
透過光線のTEモードとTMモードの等しい位相調整が
得られるので、光線変調の実施は偏光不感受性である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による光学的振幅変間モードによる集積
線形導波電気光学位相変調器の概略図である。 lO・・・位相変調器;12・・・導波チャンネル;2
5.26・・・電極;27.28・・・電圧源;30・
・・レーザー線源;31・・・光検出器。 (外4名) 手 続 補 正 書 平成2年特許願第154978号 2、発明の名称 偏光不感受性の線形導波電気光学位相変調器性 所 名 称

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、次の要素: a、電気光学反応性有機媒質から構成される線形導波チ
    ャンネル; b、チャンネル有機媒質への水平電場供給を促進するた
    めに、前記チャンネルに沿つて近くに配置され、 間隔をおいた電極間の有機媒質帯が供給水平電場の方向
    に平行な、非心対称性分子配向を有する、間隔をおいた
    電極の第1セット;及び c、チャンネル有機媒質への垂直電場供給を促進するた
    めに、第1セットの電極と同じチャンネルに沿つて近く
    に配置され、間隔をおいた電極の間の有機媒質帯が供給
    垂直電場の方向に平行な、非心対称性分子配向を有する
    、間隔をおいた電極の第2セット から成る偏光不感受性(polarization−i
    nsensitive)の線形導波電気光学位相変調器
    。 2、有機媒質がホストの熱可塑性ポリマーとゲストの電
    気光学反応を示す有機化合物とのブレンドである請求項
    1記載の導波変調器。 3、有機媒質が電気光学反応を示す熱可塑性ポリマーで
    ある請求項1記載の導波変調器。4、光波位相を偏光不
    感受性に変調させるための薄フィルム電気光学導波装置
    であつて、次の要素:a、電気光学反応を示す熱可塑性
    ポリマー媒質から成る線形導波チャンネル;b、チャン
    ネルポリマー媒質への水平電場供給を促進するために、
    前記チャンネルに沿つて近くに配置され、間隔をおいた
    電極間のポリマー媒質帯が供給水平電場に平行な、非心
    対称性分子配向を有する、間隔をおいた電極の第1セッ
    ト; c、チャンネルポリマー媒質への垂直電場供給を促進す
    るために、第1セットの電極と同じチヤンネルに沿つて
    配置され、間隔をおいた電極間のポリマー媒質帯が供給
    垂直電場に平行な、非心対称性分子配向を有する、間隔
    をおいた電極の第2セット; d、前記電極セットのための電圧供給源;及びe、導波
    装置に光線を導入するための干渉性光線放射手段 から成る装置。 5、光検出器手段をさらに結合した請求項4記載の導波
    装置。 6、光線放射手段がレーザービーム発生源である請求項
    4記載の導波装置。 7、チャンネルポリマー媒質が非線形光学反応を示すペ
    ンダント側鎖を有するポリマーである請求項4記載の導
    波装置。 8、チャンネルポリマー媒質が電子供与基と電子求引基
    と共にビフェニル構造を含むペンダント側鎖を有するポ
    リマーである請求項4記載の導波装置。 9、チャンネルポリマー媒質がアミノ基とニトロ基と共
    にビフェニル構造を含むペンダント側鎖を有するポリマ
    ーである請求項4記載の導波装置。 10、チャンネルポリマー媒質が電子供与基と電子求引
    基と共にスチルベン構造を含むペンダント側鎖を有する
    ポリマーである請求項4記載の導波装置。 11、チャンネルポリマー媒質がアミノ基とニトロ基と
    共にスチルベン構造を含むペンダント側鎖を有するポリ
    マーである請求項4記載の導波装置。 12、次の工程: (1)支持サブストレート上に、 電気光学反応を示す有機媒質から成り線形導波チャンネ
    ル配列を有する透明な光学的導波薄フィルムを成形する
    工程; (2)チャンネル有機媒質への水平電場供給を促進する
    ために、前記チャンネル光路に沿つて近くに、間隔をお
    いた電極の第1セットを配置する工程; (3)チャンネル有機媒質への垂直電場供給を促進する
    ために、第1セットの電極と同じチャンネル光路に沿つ
    て近くに、間隔をおいた電極の第2セットを配置する工
    程; (4)薄フィルムを加熱して、チャンネルポリマー分子
    を移動させる工程; (5)各セットの電極に電圧を印加して電場を形成し、
    第1セットの電極には供給水平電場の方向に平行な、ポ
    リマー分子の非心対称性配向を誘導させ、 第2セットの電極には供給垂直電場の方向に平行な、ポ
    リマー分子の非心対称性配向を誘導させる工程;及び (6)供給電場を維持しながら薄フィルムを冷却し、そ
    れによつて二次非線形光学反応を示す、2つの安定な電
    場誘導ポリマー分子配向帯を形成する工程 から成る線形導波電気光学位相変調器の製造方法。 13、有機媒質がホストの熱可塑性ポリマーと、ゲスト
    の非線形光学反応を示す有機化合物とのブレンドである
    請求項12記載の方法。 14、有機媒質が非線形光学反応を示す熱可塑性ポリマ
    ーである請求項12記載の方法。15、有機媒質が非線
    形光学反応を示すペンダント側鎖を有する熱可塑性ポリ
    マーである請求項12記載の方法。 16、有機媒質が電子供与基と電子求引基と共にビフェ
    ニル構造を含むペンダント側鎖を有する熱可塑性ポリマ
    ーである請求項12記載の方法。 17、有機媒質が電子供与基と電子求引基と共にスチル
    ベン構造を含むペンダント側鎖を有する熱可塑性ポリマ
    ーである請求項12記載の方法。 18、請求項12記載の方法によつて製造された偏光不
    感受性の導波装置。 19、次の工程: (1)請求項18記載の偏光不感受性の導波装置に任意
    に偏光したレーザービームを導入する工程; (2)各セットの電極に変調電圧を印加して、導波され
    る光線の横断電気モードと横断磁気モードに対して同じ
    位相変調を生じさせる工程;及び (3)変調された光線を光検出器手段に伝導する工程; からなる、透過光線の光強度を装置のインターフエロメ
    トリー導波チャンネル間の位相シフトの関数として変化
    させる電磁線変調方法。 20、光線がレーザービームである請求項19記載の方
    法。 21、薄フィルム有機媒質が非線形光学反応を示すペン
    ダント側鎖を有する熱可塑性ポリマーである請求項19
    記載の方法。 22、薄フィルム有機媒質が電子供与基と電子求引基と
    共にビフェニル構造を含むペンダント側鎖を有する熱可
    塑性ポリマーである請求項19記載の方法。 23、薄フィルム有機媒質が電子供与基と電子求引基と
    共にスチルベン構造を含むペンダント側鎖を有する熱可
    塑性ポリマーである請求項19記載の方法。 24、入射光線の一部が自由空間を通つて発散され、次
    に光学インターフエロメトリーによつて位相変調光線と
    結合し、位相変調光線と自由空間光線との間の位相シフ
    トの関数として透過光線の光強度が変化する請求項19
    記載の方法。 25、第2レーザー発生源からの光線がビーム結合器に
    よつて位相変調光線と結合し、結合光線の強度が位相変
    調光線とレーザー発生源からの光線との間の位相シフト
    の関数として変化する請求項19記載の方法。
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