JP2672233B2 - 傾斜配列の液晶を基板上に形成するための方法 - Google Patents
傾斜配列の液晶を基板上に形成するための方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶に係わり、特に液晶
層を予め整列させる基板に関する。
層を予め整列させる基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶電気光学的装置の１つの型は、内側
面に導電層を塗布した２つの透明板の間に薄い液晶を介
在することにより作られる。この導電層間に電界を加え
ないときは液晶のデレクターは１つの状態をとる。な
お、液晶のデレクターとは液晶分子の長い分子軸のマク
ロ的方向である。もし、この導電層間に電界を加えたと
きは、このデレクターは他の状態に再配向する。なぜな
らば、液晶は２屈折性であり、これら２つの状態は異な
る屈折率を有し、多くの場合、液晶の薄い層は透明板に
向けられた光に対し２屈折性を示すからである。印加さ
れた電界に応答する状態変化は、ディスプレー、プロジ
ェクタのような光を制御する液晶装置の基本となってい
る。
面に導電層を塗布した２つの透明板の間に薄い液晶を介
在することにより作られる。この導電層間に電界を加え
ないときは液晶のデレクターは１つの状態をとる。な
お、液晶のデレクターとは液晶分子の長い分子軸のマク
ロ的方向である。もし、この導電層間に電界を加えたと
きは、このデレクターは他の状態に再配向する。なぜな
らば、液晶は２屈折性であり、これら２つの状態は異な
る屈折率を有し、多くの場合、液晶の薄い層は透明板に
向けられた光に対し２屈折性を示すからである。印加さ
れた電界に応答する状態変化は、ディスプレー、プロジ
ェクタのような光を制御する液晶装置の基本となってい
る。
【０００３】通常の形態において、液晶光弁は光弁の一
方側に向けられた極性化投影光ビームを光弁の他方側に
向けられた書き込み光ビームに従って変調する装置であ
る。極性化投影光ビームは透明電極（通常、対向電極と
呼ばれる）の１つを介して光弁に入り、液晶層を通過し
他方の電極の鏡から反射される。この投影光ビームは反
転して液晶層および対向電極を通り、さらに外部分析器
を通過する。極性、分析機能はしばしば単一の極性化ビ
ームスプリッタによりなされる。投影光ビームは液晶を
通過する前および後にこの極性化ビームスプリッタを通
過する。この種および他の種の型の液晶光弁の機構につ
いては、多くの記述文献に詳細に記載されている。例え
ば、文献、Ｌａｓｅｒ Ｆｏｃｕｓ／Ｅｌｅｃｔｒｏ−
Ｏｐｔｉｃｓ，１０月、１９８３、第１１１−１２０
頁、”Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅｓ”、Ｗ．Ｐ． Ｂ
ｌｅｈａに記載されている。
方側に向けられた極性化投影光ビームを光弁の他方側に
向けられた書き込み光ビームに従って変調する装置であ
る。極性化投影光ビームは透明電極（通常、対向電極と
呼ばれる）の１つを介して光弁に入り、液晶層を通過し
他方の電極の鏡から反射される。この投影光ビームは反
転して液晶層および対向電極を通り、さらに外部分析器
を通過する。極性、分析機能はしばしば単一の極性化ビ
ームスプリッタによりなされる。投影光ビームは液晶を
通過する前および後にこの極性化ビームスプリッタを通
過する。この種および他の種の型の液晶光弁の機構につ
いては、多くの記述文献に詳細に記載されている。例え
ば、文献、Ｌａｓｅｒ Ｆｏｃｕｓ／Ｅｌｅｃｔｒｏ−
Ｏｐｔｉｃｓ，１０月、１９８３、第１１１−１２０
頁、”Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅｓ”、Ｗ．Ｐ． Ｂ
ｌｅｈａに記載されている。
【０００４】この種の液晶光弁において、バイアス電界
が電極の電圧を加えることにより液晶層を通して適用さ
れる。液晶はこのバイアス電界の応答して配向される。
液晶のデレクターは最初に非電界状態において上記透明
板に垂直に整列する。しかし、電界の適用によりデレク
ターを上記透明板の面に向けて回転させ、装置の光伝達
を変化させる。書き込み光パターンが電界を変調させ、
液晶を通過する光の相遅延を変化させる。これが逆に分
析器を通過する投影光ビームを変調させる。
が電極の電圧を加えることにより液晶層を通して適用さ
れる。液晶はこのバイアス電界の応答して配向される。
液晶のデレクターは最初に非電界状態において上記透明
板に垂直に整列する。しかし、電界の適用によりデレク
ターを上記透明板の面に向けて回転させ、装置の光伝達
を変化させる。書き込み光パターンが電界を変調させ、
液晶を通過する光の相遅延を変化させる。これが逆に分
析器を通過する投影光ビームを変調させる。
【０００５】初期の液晶光弁の１つ問題点は、液晶光弁
の面を横切る投影光変調の不均一性であった。もし、液
晶のデレクターが最初に上記透明板の面に対し完全に垂
直であれば、電界の適用によりデレクターをセル内にお
いて場所ごとに不規則な方位に回転させることができ
る。書き込み光に対するセルの応答、したがって投影光
に対するセルの伝達はセル内の場所により変化し、好ま
しくない結果を生じさせる。
の面を横切る投影光変調の不均一性であった。もし、液
晶のデレクターが最初に上記透明板の面に対し完全に垂
直であれば、電界の適用によりデレクターをセル内にお
いて場所ごとに不規則な方位に回転させることができ
る。書き込み光に対するセルの応答、したがって投影光
に対するセルの伝達はセル内の場所により変化し、好ま
しくない結果を生じさせる。
【０００６】この問題に対する満足な解決は液晶のデレ
クターに整合する表面に液晶セル全面に均一な僅かな予
備的傾きを持たせることである。すなわち、もしデレク
ターが最初に完全な垂直に対し同一方向に何度か（通
常、約１．５ないし約２．５度）傾いているとすると、
電界を加えたとき、このデレクターがさらに均一に同じ
方向に傾き、最後に板面に横たわり、セルの何処におい
ても同一方向（方位）に傾くことになる。
クターに整合する表面に液晶セル全面に均一な僅かな予
備的傾きを持たせることである。すなわち、もしデレク
ターが最初に完全な垂直に対し同一方向に何度か（通
常、約１．５ないし約２．５度）傾いているとすると、
電界を加えたとき、このデレクターがさらに均一に同じ
方向に傾き、最後に板面に横たわり、セルの何処におい
ても同一方向（方位）に傾くことになる。
【０００７】この解決方法は何年か前から知られてい
て、液晶デレクターに制御された予備的傾きを与える多
くの異なる方法が提案されている。この提案の幾つかは
板表面を擦るものに過ぎない。他の方法は幾つかの工
程、堆積、表面処理で板を処理するものである。これら
のより複雑な提案は、温度感度、液晶分解生成物に対す
る感度、傾斜方向の違い、傾斜角度の大きさ、複雑さ、
コストなどの欠点を伴うものである。
て、液晶デレクターに制御された予備的傾きを与える多
くの異なる方法が提案されている。この提案の幾つかは
板表面を擦るものに過ぎない。他の方法は幾つかの工
程、堆積、表面処理で板を処理するものである。これら
のより複雑な提案は、温度感度、液晶分解生成物に対す
る感度、傾斜方向の違い、傾斜角度の大きさ、複雑さ、
コストなどの欠点を伴うものである。
【０００８】そのため、均一で制御された傾きを、後に
適用される液晶層に導入するための効果的で安価な方法
が求められていた。
適用される液晶層に導入するための効果的で安価な方法
が求められていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこれらの問題
点を解決し、より有利な方法を提供することを目的とし
ている。
点を解決し、より有利な方法を提供することを目的とし
ている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板に適用さ
れる液晶のデレクターに傾きを導入させる基板を製造す
るための２工程処理法を提供するものである。この傾き
は約０．５ないし４度であり、方向が均一であり基板に
対するデレクターの投影がすべてほぼ平行である。ま
た、この処理は温度変化に対し安定である。
れる液晶のデレクターに傾きを導入させる基板を製造す
るための２工程処理法を提供するものである。この傾き
は約０．５ないし４度であり、方向が均一であり基板に
対するデレクターの投影がすべてほぼ平行である。ま
た、この処理は温度変化に対し安定である。
【００１１】すなわち、本発明の処理された基板の製造
方法は、基板を用意し、この基板をシリカ源に通過させ
ながらこのシリカ源から基板上にシリカ層を堆積させる
ものである。好ましくは、このシリカ塗布基板をついで
さらに長鎖アルコールで処理するようにする。
方法は、基板を用意し、この基板をシリカ源に通過させ
ながらこのシリカ源から基板上にシリカ層を堆積させる
ものである。好ましくは、このシリカ塗布基板をついで
さらに長鎖アルコールで処理するようにする。
【００１２】シリカ堆積の間、基板をマグネトロン・イ
ンラインスパッタリング源に通過させることにより、堆
積されたシリカ層に方向性配向が形成されることが見出
だされた。この基板は通常、透明ガラスであり、この上
に薄い透明導電層、例えばインジウム−錫−酸化物（Ｉ
ＴＯ）が前もって堆積される。このシリカ堆積において
一般に１回以上の基板の通過を必要とし、この前後の通
過がスパッタリング源に対して同一方向である限り、得
られた構造体は必要な方向性を具備することになる。シ
リカ層の堆積ののち、このシリカで処理された基板はア
ルコールと接触処理される。この時の処理はアルコール
がそのシリカ層表面のヒドロキシ基と反応するのに十分
な温度で行われる。すなわち、このアルコール処理温度
は一般に基板を１００℃以上、より好ましくは１２０−
１６０℃で行われる。このアルコール処理ののち、液晶
をこの処理面と接触させる。
ンラインスパッタリング源に通過させることにより、堆
積されたシリカ層に方向性配向が形成されることが見出
だされた。この基板は通常、透明ガラスであり、この上
に薄い透明導電層、例えばインジウム−錫−酸化物（Ｉ
ＴＯ）が前もって堆積される。このシリカ堆積において
一般に１回以上の基板の通過を必要とし、この前後の通
過がスパッタリング源に対して同一方向である限り、得
られた構造体は必要な方向性を具備することになる。シ
リカ層の堆積ののち、このシリカで処理された基板はア
ルコールと接触処理される。この時の処理はアルコール
がそのシリカ層表面のヒドロキシ基と反応するのに十分
な温度で行われる。すなわち、このアルコール処理温度
は一般に基板を１００℃以上、より好ましくは１２０−
１６０℃で行われる。このアルコール処理ののち、液晶
をこの処理面と接触させる。
【００１３】本発明の方法を用いた装置の１つの形態
は、同様に処理された２つの基板電極を互いに対向さ
せ、液晶をその間に介在させることにより形成されたも
のである。なお、この場合、液晶のデレクターが相容的
に配向するように基板を互いに配向させることである。
最も一般的な場合において、相容的な配向とは液晶の傾
き方向が対向する基板間の表面で同一であることであ
る。他の場合において、相容的な配向が液晶層の厚み方
向を通して液晶のデレクターに制御可能な折曲が存在す
ることを意味する。対向する基板の２つの導電層間に電
界を与えて液晶のデレクターを他の状態に再配向させる
ことができる。
は、同様に処理された２つの基板電極を互いに対向さ
せ、液晶をその間に介在させることにより形成されたも
のである。なお、この場合、液晶のデレクターが相容的
に配向するように基板を互いに配向させることである。
最も一般的な場合において、相容的な配向とは液晶の傾
き方向が対向する基板間の表面で同一であることであ
る。他の場合において、相容的な配向が液晶層の厚み方
向を通して液晶のデレクターに制御可能な折曲が存在す
ることを意味する。対向する基板の２つの導電層間に電
界を与えて液晶のデレクターを他の状態に再配向させる
ことができる。
【００１４】本発明は比較的安価な方法で均一傾斜の液
晶を得ることに成功したものであって、非常に均一で安
定した傾きを形成することができる。本発明の他の特徴
および利点を以下に図面を参照して説明するが、本発明
はこれに限定されるものではない。
晶を得ることに成功したものであって、非常に均一で安
定した傾きを形成することができる。本発明の他の特徴
および利点を以下に図面を参照して説明するが、本発明
はこれに限定されるものではない。
【００１５】
【実施例】本発明の目的は処理された基板を作成するこ
とであって、この上において液晶が自己配向し、これに
より液晶のデレクターが基板の表面に対して制御された
傾斜角度をばらつきなしに形成される。基板２０は模式
的に示されている。すなわち、図１ではその側面を、図
２ではその平面を示している。液晶層２２は基板２０の
上面２４を被覆している。
とであって、この上において液晶が自己配向し、これに
より液晶のデレクターが基板の表面に対して制御された
傾斜角度をばらつきなしに形成される。基板２０は模式
的に示されている。すなわち、図１ではその側面を、図
２ではその平面を示している。液晶層２２は基板２０の
上面２４を被覆している。
【００１６】液晶は等方性の液体と固体結晶との間の中
間の物質状態であり、それぞれのある特性を兼備してい
る。液晶は流動的な凝縮相にある液体ということもでき
る。これは疑似結晶性行動を示し、その長い分子が配向
された配列にあり、多くの分子が互いに整列している。
間の物質状態であり、それぞれのある特性を兼備してい
る。液晶は流動的な凝縮相にある液体ということもでき
る。これは疑似結晶性行動を示し、その長い分子が配向
された配列にあり、多くの分子が互いに整列している。
【００１７】液晶の重要な特性はそのデレクターが異な
った方法で決定されることであり、その２つはここで関
連性がある。第１はデレクターが液晶の物理的環境によ
り影響されることである。すなわち、デレクターが液晶
の分子と隣接する固体表面との相互作用により確立され
ることである。第２はデレクターが電界または磁界によ
り影響されるということである。
った方法で決定されることであり、その２つはここで関
連性がある。第１はデレクターが液晶の物理的環境によ
り影響されることである。すなわち、デレクターが液晶
の分子と隣接する固体表面との相互作用により確立され
ることである。第２はデレクターが電界または磁界によ
り影響されるということである。
【００１８】多くの液晶装置において最初の”電界また
は磁界−オフ”デレクター状態は物理的環境により決定
される。液晶に電界を加えるため電極が設けられ、電界
をデレクターの電界−オフの状態を覆す程度加えること
により”電界−オン”デレクター状態に変えることがで
きる。液晶と隣接する固体表面との相互作用により、デ
レクターは少なくとも抑圧表面に近くない液晶２２の部
分は極めて容易に”電界−オン”デレクター状態に変え
ることができる。電界が増すにつれて液晶の”電界−オ
ン”デレクター状態が拡大される。最終的に十分な電界
の印加により実質的にすべての液晶が、すなわち抑圧表
面に近い１分子層程度の薄いフィルム層を除いて、”電
界−オン”デレクター状態に回転される。
は磁界−オフ”デレクター状態は物理的環境により決定
される。液晶に電界を加えるため電極が設けられ、電界
をデレクターの電界−オフの状態を覆す程度加えること
により”電界−オン”デレクター状態に変えることがで
きる。液晶と隣接する固体表面との相互作用により、デ
レクターは少なくとも抑圧表面に近くない液晶２２の部
分は極めて容易に”電界−オン”デレクター状態に変え
ることができる。電界が増すにつれて液晶の”電界−オ
ン”デレクター状態が拡大される。最終的に十分な電界
の印加により実質的にすべての液晶が、すなわち抑圧表
面に近い１分子層程度の薄いフィルム層を除いて、”電
界−オン”デレクター状態に回転される。
【００１９】液晶のデレクターの配向を変化させる意義
は液晶と通過光線との角度に依存して液晶が通過光線と
相互作用することである。液晶内の力のバランスは伝達
された光の制御を達成するために要する電界は非常に小
さく、したがって液晶は非常に小さい出力を必要とする
投影光制御装置を与えることができる。
は液晶と通過光線との角度に依存して液晶が通過光線と
相互作用することである。液晶内の力のバランスは伝達
された光の制御を達成するために要する電界は非常に小
さく、したがって液晶は非常に小さい出力を必要とする
投影光制御装置を与えることができる。
【００２０】図１において、液晶２２のデレクター２６
は基板２０の上面２４に対し垂直なライン２８から小さ
い角度Ｔを以て配向している。もし、これがただ１つの
制限であるならば、基板の異なる場所におけるデレクタ
ーはいづこも傾斜Ｔにより規制される円錐状表面にある
ことになるが、しかし図２に示すように、平面で見た場
合は基板２０の表面へのデレクターの投影は方位線３０
にほぼ平行をなしている。この理想的方位的整列からの
ばらつきはＡにより示され、これはできるだけ小さいこ
とが望ましい。
は基板２０の上面２４に対し垂直なライン２８から小さ
い角度Ｔを以て配向している。もし、これがただ１つの
制限であるならば、基板の異なる場所におけるデレクタ
ーはいづこも傾斜Ｔにより規制される円錐状表面にある
ことになるが、しかし図２に示すように、平面で見た場
合は基板２０の表面へのデレクターの投影は方位線３０
にほぼ平行をなしている。この理想的方位的整列からの
ばらつきはＡにより示され、これはできるだけ小さいこ
とが望ましい。
【００２１】液晶２２に対して電界が加えられていない
ときは、デレクター２６はあらゆる場所において垂直ラ
イン２８に対し小さい傾斜Ｔ（好ましくは０．５〜４
度、より好ましくは１〜３度）で整列している。十分な
電界が垂直ライン２８（表面２４に垂直）に対し平行な
方向に加えられ、液晶が負の誘電体異方性を有すると
き、デレクター２６はあらゆる場所（抑圧表面に接近す
る部分を除いて）に再配向し、図３に示すように表面２
４に対しある角度を以て横たわる。液晶表面を横切る異
なる場所においても、デレクター２６は図２に示すよう
に実質的に同じ方位３０に向けられている。方位３０で
の整列は意義のあるものである。なぜならば、液晶表面
を横切るすべてのデレクターは光Ｂの偏光ベクトルＰに
対し同じ角度を有する。電界がさらに増大すると、すべ
てのデレクターは回転して表面２４にほぼ平行に横たわ
る。
ときは、デレクター２６はあらゆる場所において垂直ラ
イン２８に対し小さい傾斜Ｔ（好ましくは０．５〜４
度、より好ましくは１〜３度）で整列している。十分な
電界が垂直ライン２８（表面２４に垂直）に対し平行な
方向に加えられ、液晶が負の誘電体異方性を有すると
き、デレクター２６はあらゆる場所（抑圧表面に接近す
る部分を除いて）に再配向し、図３に示すように表面２
４に対しある角度を以て横たわる。液晶表面を横切る異
なる場所においても、デレクター２６は図２に示すよう
に実質的に同じ方位３０に向けられている。方位３０で
の整列は意義のあるものである。なぜならば、液晶表面
を横切るすべてのデレクターは光Ｂの偏光ベクトルＰに
対し同じ角度を有する。電界がさらに増大すると、すべ
てのデレクターは回転して表面２４にほぼ平行に横たわ
る。
【００２２】本発明は、基板を用意する工程と、基板を
シリカターゲットに通過させながらマグネトロン・イン
−ライン・スパッタリングにより基板上にシリカ層を堆
積する工程とを具備してなる液晶装置の製造方法を提供
する。シリカ層を堆積した基板は好ましくはついで長鎖
アルコールで処理され、さらに液晶層で被覆される。基
板２０の詳細な構造が図４に示されている。基板２０は
透明支持板（一般にガラス、例えばＢＫ７Ａガラス、石
英）３２を有する。支持板３２の上には薄い導電層３４
が被覆されている。この導電層３４は一般に厚み約４０
０オングストロームのインジウム−錫−酸化物からな
る。この導電層３４は電界を発生させる電荷を支持し、
運ぶことができる。しかし、依然として光に対し透明で
ある。この支持板３２および導電層３４はときどき一緒
にして非処理基板３６とも呼ぶ。非処理基板３６の上に
は厚み約１２ないし３０００オングストローム、より好
ましくは約２５０ないし１５００オングストロームのシ
リカ層３８が被覆されている。シリカ層は３０００オン
グストロームより厚くても良好な液晶配向を達成するこ
とができるが、装置を操作させるのには好ましくない。
なぜならば、これらは下の電極を絶縁化させる虞があ
る。シリカはケイ素を酸化させたＳｉＯx からなり、こ
のＸは一般に２に近いものである。シリカ層３８は後述
のようにマグネトロン・イン−ライン・スパッタリング
により垂直に適用される。
シリカターゲットに通過させながらマグネトロン・イン
−ライン・スパッタリングにより基板上にシリカ層を堆
積する工程とを具備してなる液晶装置の製造方法を提供
する。シリカ層を堆積した基板は好ましくはついで長鎖
アルコールで処理され、さらに液晶層で被覆される。基
板２０の詳細な構造が図４に示されている。基板２０は
透明支持板（一般にガラス、例えばＢＫ７Ａガラス、石
英）３２を有する。支持板３２の上には薄い導電層３４
が被覆されている。この導電層３４は一般に厚み約４０
０オングストロームのインジウム−錫−酸化物からな
る。この導電層３４は電界を発生させる電荷を支持し、
運ぶことができる。しかし、依然として光に対し透明で
ある。この支持板３２および導電層３４はときどき一緒
にして非処理基板３６とも呼ぶ。非処理基板３６の上に
は厚み約１２ないし３０００オングストローム、より好
ましくは約２５０ないし１５００オングストロームのシ
リカ層３８が被覆されている。シリカ層は３０００オン
グストロームより厚くても良好な液晶配向を達成するこ
とができるが、装置を操作させるのには好ましくない。
なぜならば、これらは下の電極を絶縁化させる虞があ
る。シリカはケイ素を酸化させたＳｉＯx からなり、こ
のＸは一般に２に近いものである。シリカ層３８は後述
のようにマグネトロン・イン−ライン・スパッタリング
により垂直に適用される。
【００２３】シリカ層３８を適用したのち、長鎖アルコ
ール、好ましくは１分子当たり炭素原子数６ないし３０
のもの、で米国特許４，４６４，１３４に記載の方法で
処理する。好ましい長鎖アルコールはＣＨ3 （ＣＨ2 ）
ｎＣＨ2 ＯＨ（但しｎは４ないし２８であり、したがっ
て全体の炭素原子数６ないし３０となる）からなるもの
で、その具体例は１−デカノール、１−ドデカノール、
１−ヘキサデカノール、１−オクタデカノール、１−エ
イコサノールである。これらおよび他の適当なアルコー
ルは市販されており、容易に入手可能である。
ール、好ましくは１分子当たり炭素原子数６ないし３０
のもの、で米国特許４，４６４，１３４に記載の方法で
処理する。好ましい長鎖アルコールはＣＨ3 （ＣＨ2 ）
ｎＣＨ2 ＯＨ（但しｎは４ないし２８であり、したがっ
て全体の炭素原子数６ないし３０となる）からなるもの
で、その具体例は１−デカノール、１−ドデカノール、
１−ヘキサデカノール、１−オクタデカノール、１−エ
イコサノールである。これらおよび他の適当なアルコー
ルは市販されており、容易に入手可能である。
【００２４】アミン、好ましくは脂肪族アミンを長鎖脂
肪族アルコールに混合して用いてもよい（米国特許４，
０３０，９９７参照）。アミンを用いる場合はアルコー
ルとアミンとを等モル量用いることが好ましい。特に第
１アミンが好ましい。好ましいアミンの例としては、１
−オクタデシルアミン、１−ヘキサデシルアミン、１−
テトラデシルアミン、１−ドデシルアミン、ジドデシル
アミン、トリドデシルアミン、Ｎ−メチルオクタデシル
アミン、およびＮ，Ｎ−ジメチルオクタデシルアミンで
ある。
肪族アルコールに混合して用いてもよい（米国特許４，
０３０，９９７参照）。アミンを用いる場合はアルコー
ルとアミンとを等モル量用いることが好ましい。特に第
１アミンが好ましい。好ましいアミンの例としては、１
−オクタデシルアミン、１−ヘキサデシルアミン、１−
テトラデシルアミン、１−ドデシルアミン、ジドデシル
アミン、トリドデシルアミン、Ｎ−メチルオクタデシル
アミン、およびＮ，Ｎ−ジメチルオクタデシルアミンで
ある。
【００２５】アルコール処理は液体アルコールまたはア
ルコール蒸気を用いておこなうことができる。好ましい
方法は１００℃、より好ましくは１２０℃ないし１６０
℃で基板をアルコール蒸気を用いて処理することであ
る。この処理は基板をこれらの温度条件でアルコール蒸
気に適当時間、例えば２時間さらすことにより行われる
（米国特許４，４６４，１３４参照）。
ルコール蒸気を用いておこなうことができる。好ましい
方法は１００℃、より好ましくは１２０℃ないし１６０
℃で基板をアルコール蒸気を用いて処理することであ
る。この処理は基板をこれらの温度条件でアルコール蒸
気に適当時間、例えば２時間さらすことにより行われる
（米国特許４，４６４，１３４参照）。
【００２６】アルコールは基板表面のヒドロキシ基と反
応し層４０で示される残渣を残す。しかし、この層４０
は極めて薄くおそらく単一分子の厚みしかない。アミン
はこの反応において触媒として機能し、表面においてシ
リコン原子に化学的に結合するアルコキシ基の層を生成
させるものと思われる。
応し層４０で示される残渣を残す。しかし、この層４０
は極めて薄くおそらく単一分子の厚みしかない。アミン
はこの反応において触媒として機能し、表面においてシ
リコン原子に化学的に結合するアルコキシ基の層を生成
させるものと思われる。
【００２７】シリカ層はマグネトロン・イン−ライン・
スパッタリングにより基板上に堆積され、この場合、基
板はスパッタリングターゲット上を通過するようにして
移動される。このスパッタリング装置は公知であり、Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａ
ｔｉｏｎ、ニューヨーク、米国から商品名ＭＲＣ ９４
３として販売されている。
スパッタリングにより基板上に堆積され、この場合、基
板はスパッタリングターゲット上を通過するようにして
移動される。このスパッタリング装置は公知であり、Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａ
ｔｉｏｎ、ニューヨーク、米国から商品名ＭＲＣ ９４
３として販売されている。
【００２８】図５は、そのようなスパッタリング装置５
０を示している。真空チャンバー５２は充填チャンバー
５４と、堆積チャンバー５６とを有し、これらの間に封
止可能なロック５８を設けられている。ロック５８およ
び堆積チャンバー５６は別々に真空ポート６０、６２を
介してポンピングされるようになっている。横断機構６
３が充填チャンバー５４から延び堆積チャンバー５６と
連通している。横断機構６３は基板を一方のチャンバー
から他方のチャンバーに移動させ、堆積肯定の間におい
ても後述のように使用される。
０を示している。真空チャンバー５２は充填チャンバー
５４と、堆積チャンバー５６とを有し、これらの間に封
止可能なロック５８を設けられている。ロック５８およ
び堆積チャンバー５６は別々に真空ポート６０、６２を
介してポンピングされるようになっている。横断機構６
３が充填チャンバー５４から延び堆積チャンバー５６と
連通している。横断機構６３は基板を一方のチャンバー
から他方のチャンバーに移動させ、堆積肯定の間におい
ても後述のように使用される。
【００２９】真空チャンバー５２は２つ（またはそれ以
上）のスパッタリング・アセンブリーを内蔵し、少なく
とも１つは導電層を堆積させ、他の少なくとも１つはシ
リカを堆積させる。すなわち、第１のものは導電層３４
を堆積させ、第２のものはシリカ層３８を堆積させる。
これらの２つの堆積は２つの別々の装置により行っても
よいし、１つのチャンバーで行い、シリカ層３８の堆積
に悪影響を与える虞のある導電層３４表面の汚染を回避
するようにしてもよい。
上）のスパッタリング・アセンブリーを内蔵し、少なく
とも１つは導電層を堆積させ、他の少なくとも１つはシ
リカを堆積させる。すなわち、第１のものは導電層３４
を堆積させ、第２のものはシリカ層３８を堆積させる。
これらの２つの堆積は２つの別々の装置により行っても
よいし、１つのチャンバーで行い、シリカ層３８の堆積
に悪影響を与える虞のある導電層３４表面の汚染を回避
するようにしてもよい。
【００３０】第１のスパッタリング・アセンブリー６４
はＤＣマグネトロン・スパッタリング装置であり、ター
ゲット６６、マグネット６８およびＤＣ出力源７０を有
する。インジウムと錫の酸化物合金からなる好ましい導
電層３４を堆積するため、ターゲット６６は競技場トラ
ック形のインジウム−錫−酸化物であることが好まし
い。スパッタリングは従来のＤＣマグネトロン・スパッ
タリングと同様にしておこなわれる。インジウム−錫−
酸化物の厚みは限定されないが、一般に４００ないし１
０，０００オングストロームとして差支えない。導電層
３４堆積の間、横断機構６３は基板がターゲットを通過
するようにして前後に連続的に操作させる。この移動の
速さは所定の一定の速さとし、走行範囲も制御し、基板
の各端がターゲットを通過するようにする。この移動の
速さは重要ではないが、好ましくは１９ｃｍ／分とす
る。その結果、均一な堆積層３４が形成される。導電層
３４の堆積が完了したときに、シリカ層が堆積される。
はＤＣマグネトロン・スパッタリング装置であり、ター
ゲット６６、マグネット６８およびＤＣ出力源７０を有
する。インジウムと錫の酸化物合金からなる好ましい導
電層３４を堆積するため、ターゲット６６は競技場トラ
ック形のインジウム−錫−酸化物であることが好まし
い。スパッタリングは従来のＤＣマグネトロン・スパッ
タリングと同様にしておこなわれる。インジウム−錫−
酸化物の厚みは限定されないが、一般に４００ないし１
０，０００オングストロームとして差支えない。導電層
３４堆積の間、横断機構６３は基板がターゲットを通過
するようにして前後に連続的に操作させる。この移動の
速さは所定の一定の速さとし、走行範囲も制御し、基板
の各端がターゲットを通過するようにする。この移動の
速さは重要ではないが、好ましくは１９ｃｍ／分とす
る。その結果、均一な堆積層３４が形成される。導電層
３４の堆積が完了したときに、シリカ層が堆積される。
【００３１】第２のスパッタリング・アセンブリー７２
はマグネトロン・スパッタリング装置であり、マグネッ
ト７４、およびｒｆ（電波周波数）出力源７６を有す
る。スパッタリングターゲット７８は酸化シリコン、Ｓ
ｉＯ2 であり、図６に示すように競技場トラック形をな
している。このターゲット７８は長さが基板２０を支持
するパレット８０の幅より長くなっている。ターゲット
７８の両側端部８２は基板２０の両端から横方向に離れ
ている。なお、ターゲット６６も好ましくは同様の寸
法、形状とする。したがって、基板２０に堆積されるほ
とんど全てのシリカが上記競技場トラック形状の側部８
４からもたらされる。この側部８４は横断機構６３上の
パレット８０の走行方向８６に垂直に配向されている。
はマグネトロン・スパッタリング装置であり、マグネッ
ト７４、およびｒｆ（電波周波数）出力源７６を有す
る。スパッタリングターゲット７８は酸化シリコン、Ｓ
ｉＯ2 であり、図６に示すように競技場トラック形をな
している。このターゲット７８は長さが基板２０を支持
するパレット８０の幅より長くなっている。ターゲット
７８の両側端部８２は基板２０の両端から横方向に離れ
ている。なお、ターゲット６６も好ましくは同様の寸
法、形状とする。したがって、基板２０に堆積されるほ
とんど全てのシリカが上記競技場トラック形状の側部８
４からもたらされる。この側部８４は横断機構６３上の
パレット８０の走行方向８６に垂直に配向されている。
【００３２】ターゲット７８からシリカを堆積するた
め、スパッタリングは従来のｒｆマグネトロン・スパッ
タリングを用いて行われる。シリカの厚みは１２ないし
３０００オングストロームとして差支えないが、好まし
くは２５０ないし１５００オングストロームとする。電
波周波数出力レベルは約０．２ないし１．５ＫｗがＭＲ
Ｃユニットで可能であるが、約１Ｋｗが好ましい。
め、スパッタリングは従来のｒｆマグネトロン・スパッ
タリングを用いて行われる。シリカの厚みは１２ないし
３０００オングストロームとして差支えないが、好まし
くは２５０ないし１５００オングストロームとする。電
波周波数出力レベルは約０．２ないし１．５ＫｗがＭＲ
Ｃユニットで可能であるが、約１Ｋｗが好ましい。
【００３３】横断機構６３は堆積の間、基板２０がター
ゲット７８を前後に通過するようにして連続的に操作さ
せる。その走行範囲は、基板の各端がターゲットを通過
するようにする。この移動の速さは、２ｃｍ／分ないし
４００ｃｍ／分とする。ターゲットと基板との最小間隔
を５ｃｍ、出力レベルを約１Ｋｗ、合計１５００オング
ストロームのシリカを堆積するとした場合、走行速度は
約１９ｃｍ／分とする。横断機構６３はこの速度で走行
範囲の間を一定の速さで移動される。他の好ましい方法
は移動速度を約３．２ｃｍ／分程度に非常に遅くしてお
こない、１方向の１回の通過で必要なシリカ層を形成す
ることである。他の好ましい方法として、移動速度を約
１９ｃｍ／分程度にしておこない、１方向の１回の通過
で２５０オングストロームのシリカ層を形成することが
できる。ターゲット７８からのシリカの堆積の間、およ
びターゲット６６からの堆積の間、チャンバー５６に３
ｍＴｏｒｒないし２５ｍＴｏｒｒ、好ましくは１０ｍＴ
ｏｒｒのアルゴンガスの充填を行うことが好ましい。こ
れにより堆積されたシリカの品質の向上を図ることがで
き、ｒｆマグネトロン・スパッタリング装置の安定した
プラズマ放電を得ることができる。
ゲット７８を前後に通過するようにして連続的に操作さ
せる。その走行範囲は、基板の各端がターゲットを通過
するようにする。この移動の速さは、２ｃｍ／分ないし
４００ｃｍ／分とする。ターゲットと基板との最小間隔
を５ｃｍ、出力レベルを約１Ｋｗ、合計１５００オング
ストロームのシリカを堆積するとした場合、走行速度は
約１９ｃｍ／分とする。横断機構６３はこの速度で走行
範囲の間を一定の速さで移動される。他の好ましい方法
は移動速度を約３．２ｃｍ／分程度に非常に遅くしてお
こない、１方向の１回の通過で必要なシリカ層を形成す
ることである。他の好ましい方法として、移動速度を約
１９ｃｍ／分程度にしておこない、１方向の１回の通過
で２５０オングストロームのシリカ層を形成することが
できる。ターゲット７８からのシリカの堆積の間、およ
びターゲット６６からの堆積の間、チャンバー５６に３
ｍＴｏｒｒないし２５ｍＴｏｒｒ、好ましくは１０ｍＴ
ｏｒｒのアルゴンガスの充填を行うことが好ましい。こ
れにより堆積されたシリカの品質の向上を図ることがで
き、ｒｆマグネトロン・スパッタリング装置の安定した
プラズマ放電を得ることができる。
【００３４】処理された基板を製造するため、支持板３
２、例えばＢＫ７Ａガラスがパレット８０上に置かれ
る。また、このパレット８０は横断機構６３上に置かれ
る。基板上の所望の方位ライン３０および支持板３２が
走行方向８６と平行となるように種々の構成物が配向さ
れる。充填チャンバー５４が排気され、その代わりにア
ルゴンが充填される。横断機構６３が操作され、第１の
スパッタリング・アセンブリー６４を通過するよにして
パレット８０を１方向に１回、または前後方向に複数回
移動させる。これにより導電層３４が上述のように堆積
される。ついで、横断機構６３が操作され、第２のスパ
ッタリング・アセンブリー７２を通過するよにしてパレ
ット８０を移動させる。これによりシリカ層３８が堆積
される。液晶がのちに、シリカ層３８に接触されたと
き、液晶が配向しシリカ層３８に対する投影が上記移動
方向と平行となり、かつ、最後の通過で走行方向から離
れた方向に傾きが伴う。
２、例えばＢＫ７Ａガラスがパレット８０上に置かれ
る。また、このパレット８０は横断機構６３上に置かれ
る。基板上の所望の方位ライン３０および支持板３２が
走行方向８６と平行となるように種々の構成物が配向さ
れる。充填チャンバー５４が排気され、その代わりにア
ルゴンが充填される。横断機構６３が操作され、第１の
スパッタリング・アセンブリー６４を通過するよにして
パレット８０を１方向に１回、または前後方向に複数回
移動させる。これにより導電層３４が上述のように堆積
される。ついで、横断機構６３が操作され、第２のスパ
ッタリング・アセンブリー７２を通過するよにしてパレ
ット８０を移動させる。これによりシリカ層３８が堆積
される。液晶がのちに、シリカ層３８に接触されたと
き、液晶が配向しシリカ層３８に対する投影が上記移動
方向と平行となり、かつ、最後の通過で走行方向から離
れた方向に傾きが伴う。
【００３５】このようなパラメータとパレット８０の移
動速度、約１９ｃｍ／分により、１回の走行で２５０オ
ングストロームのシリカが堆積される。最も好ましいシ
リカ層３８の厚みは約１５００オングストロームであ
り、６回の走行が必要となる。他の方法は移動速度を約
３．２ｃｍ／分程度に非常に遅くしておこない、１方向
の１回の通過で約１５００オングストロームのシリカ層
を形成することである。堆積は１方向の通過でおこなっ
てもよいし、両方向の通過でおこなってもよい。シリカ
の所望の厚みが得られたのち、横断機構６３を操作して
パレット８０を充填チャンバー５４に戻し、シリカ塗布
基板を除去する。この基板はのちにアルコールまたはア
ルコール−アミン混合液で上述のように処理される。
動速度、約１９ｃｍ／分により、１回の走行で２５０オ
ングストロームのシリカが堆積される。最も好ましいシ
リカ層３８の厚みは約１５００オングストロームであ
り、６回の走行が必要となる。他の方法は移動速度を約
３．２ｃｍ／分程度に非常に遅くしておこない、１方向
の１回の通過で約１５００オングストロームのシリカ層
を形成することである。堆積は１方向の通過でおこなっ
てもよいし、両方向の通過でおこなってもよい。シリカ
の所望の厚みが得られたのち、横断機構６３を操作して
パレット８０を充填チャンバー５４に戻し、シリカ塗布
基板を除去する。この基板はのちにアルコールまたはア
ルコール−アミン混合液で上述のように処理される。
【００３６】処理された基板は図７に示すように液晶装
置９０を製造するために用いられる。液晶２２が処理基
板２０上に置かれる。この特定の装置において、液晶物
質は負の誘電体異方性を有するものである。したがっ
て、電界を与えたとき、デレクターを電界に垂直な方向
に配向させる。なお、スペーサ９２が基板２０上に置か
れる。このスペーサ９２は、例えば厚み０．０００２５
ないし０．００１インチのマイラープラスチック片でよ
い。
置９０を製造するために用いられる。液晶２２が処理基
板２０上に置かれる。この特定の装置において、液晶物
質は負の誘電体異方性を有するものである。したがっ
て、電界を与えたとき、デレクターを電界に垂直な方向
に配向させる。なお、スペーサ９２が基板２０上に置か
れる。このスペーサ９２は、例えば厚み０．０００２５
ないし０．００１インチのマイラープラスチック片でよ
い。
【００３７】第２の処理基板２０´が第１の処理基板２
０の上に反対に配向させ、スペーサ９２に載るようにし
て置かれる。ここで、整列型の如何を問わず、第２の処
理基板２０´はその傾斜方向が第１の処理基板２０の傾
斜と一致するように対応させなければならない。すなわ
ち、基板は電界−オンの状態で液晶デレクターに曲げが
第１の処理基板２０の表面から第２の処理基板２０´の
表面に亘って生じるように配向させることができる。し
かし、通常の場合、曲げが全くないことが好ましく、デ
レクターが液晶層およびセル全体に亘って何処も同じに
配向されるように基板が配置される。この型の整列は図
７に示されている。ここで、傾斜ラインは模式的に液晶
デレクター２６を示しており、クロスハッチングではな
い。この型の整列は米国特許４，０３０，９９７に図１
および図２を参照して説明されている。この操作は複雑
でなく、スパッタリング装置内で基板の配向の痕跡を保
持するだけでよい。外部電圧源から端子９４を介しての
導電層３４への電気的接続は装置９０を組み立てたの
ち、または組み立てる前になされる。
０の上に反対に配向させ、スペーサ９２に載るようにし
て置かれる。ここで、整列型の如何を問わず、第２の処
理基板２０´はその傾斜方向が第１の処理基板２０の傾
斜と一致するように対応させなければならない。すなわ
ち、基板は電界−オンの状態で液晶デレクターに曲げが
第１の処理基板２０の表面から第２の処理基板２０´の
表面に亘って生じるように配向させることができる。し
かし、通常の場合、曲げが全くないことが好ましく、デ
レクターが液晶層およびセル全体に亘って何処も同じに
配向されるように基板が配置される。この型の整列は図
７に示されている。ここで、傾斜ラインは模式的に液晶
デレクター２６を示しており、クロスハッチングではな
い。この型の整列は米国特許４，０３０，９９７に図１
および図２を参照して説明されている。この操作は複雑
でなく、スパッタリング装置内で基板の配向の痕跡を保
持するだけでよい。外部電圧源から端子９４を介しての
導電層３４への電気的接続は装置９０を組み立てたの
ち、または組み立てる前になされる。
【００３８】装置９０内における液晶のデレクターは図
１、２に説明したように、基盤表面に垂直な線から約１
−３度、また選択された方位線から数度以内に均一に整
列されている。負の誘電体異方性を有する液晶物質につ
いては、端子９４間に電圧を増大させると、液晶のデレ
クターが表面２４にほぼ垂直なものから再配向して、そ
の傾斜を増大させながら、最大の電圧時に表面２４にほ
ぼ平行となる。デレクターを表面２４にほぼ平行にさせ
るために要する電圧は液晶層の厚み、誘電異方性および
シリカ整列層の厚みとに関連する。ほとんどの場合、デ
レクターの配向は、周波数１００ヘルツないし１０キロ
ヘルツで５〜３０ＡＣボルトで達成することができる。
１、２に説明したように、基盤表面に垂直な線から約１
−３度、また選択された方位線から数度以内に均一に整
列されている。負の誘電体異方性を有する液晶物質につ
いては、端子９４間に電圧を増大させると、液晶のデレ
クターが表面２４にほぼ垂直なものから再配向して、そ
の傾斜を増大させながら、最大の電圧時に表面２４にほ
ぼ平行となる。デレクターを表面２４にほぼ平行にさせ
るために要する電圧は液晶層の厚み、誘電異方性および
シリカ整列層の厚みとに関連する。ほとんどの場合、デ
レクターの配向は、周波数１００ヘルツないし１０キロ
ヘルツで５〜３０ＡＣボルトで達成することができる。
【００３９】上述の整列プロセスおよび整列層は、電界
あるいは液晶を通過する光線を様々な方法で変調し、制
御し、変化させるようにした複雑な多層基板の表面に対
しても適用することができる。このような複雑な多層基
板の例は、文献、ＬａｓｅｒＦｏｃｕｓ／Ｏｐｔｉｃ
ｓ、１９８３年１０月、ｐ１１１−１２０に記載されて
いる。この文献の図３に示されるような光弁基板は、光
学ガラス基板；インジウム−錫−酸化物のような透明導
電層；硫化カドミューム、非晶質シリコン、結晶質シリ
コン（これらは特別の特性または効果を持たせるため適
当なドーパントを含むものであってもよい）などの光セ
ンサー；テルル化カドミューム、セラミック−金属複合
体などの光阻止層；および誘電体ミラー（これは通常、
屈折率の異なる薄い絶縁フィルムの対を交互に重ねたも
のからなる）から形成されている。この光弁基板構造体
はさらに薄いフィルムトランジスタに基づく電気駆動回
路、または電荷結合装置回路からなるものでもよい。こ
の発明の整列物質はこのような複雑な基板に適用し、液
晶の所望の傾斜した垂直整列をこれらに接触させて導入
することができる。
あるいは液晶を通過する光線を様々な方法で変調し、制
御し、変化させるようにした複雑な多層基板の表面に対
しても適用することができる。このような複雑な多層基
板の例は、文献、ＬａｓｅｒＦｏｃｕｓ／Ｏｐｔｉｃ
ｓ、１９８３年１０月、ｐ１１１−１２０に記載されて
いる。この文献の図３に示されるような光弁基板は、光
学ガラス基板；インジウム−錫−酸化物のような透明導
電層；硫化カドミューム、非晶質シリコン、結晶質シリ
コン（これらは特別の特性または効果を持たせるため適
当なドーパントを含むものであってもよい）などの光セ
ンサー；テルル化カドミューム、セラミック−金属複合
体などの光阻止層；および誘電体ミラー（これは通常、
屈折率の異なる薄い絶縁フィルムの対を交互に重ねたも
のからなる）から形成されている。この光弁基板構造体
はさらに薄いフィルムトランジスタに基づく電気駆動回
路、または電荷結合装置回路からなるものでもよい。こ
の発明の整列物質はこのような複雑な基板に適用し、液
晶の所望の傾斜した垂直整列をこれらに接触させて導入
することができる。
【００４０】以下、具体的実施例について説明する。 例１ 図７に示すようなデバイスは、用意されると共に試験さ
れる。基板は、ＢＫ７Ａ光学ガラス平板である。これら
は、最初にアセトン中で洗浄し、Ｍｉｃｒｏ（コール−
パーマー機器株式会社から市販される研究用クリーナ）
で研摩し、無イオン化された水でリンスし、そしてトラ
ンセン（Ｔｒａｎｓｅｎｅ）でリンスすることによって
清浄化される。約４００オングストロームの厚さのイン
ジウム−錫−酸化物の電気導電層が堆積され、それから
シリカ層が１９ｃｍ／分の走行速度で以下に説明する方
法によって堆積された。マグネトロン・イン−ライン・
スパッタリング装置の運転条件は、既に述べてように１
ｋＷの高周波出力および１０ｍｔｏｒｒのアルゴン圧を
用いる。搬送速度と運転条件の共同は、１パス当たり２
５０オングストロームのシリカを生産し、それらはトー
タル１５００オングストロームシリカを生産するために
６パスであった。前記基板は、それから成膜装置から取
り出され、１−オクタデカノールの蒸気中に１４０℃で
２時間処理された。未反応アルコールは、ヘキサンおよ
びクロロホルム溶媒で洗うことによって除去された。デ
バイス９０は、既に述べたように負の誘電異方性を有す
るネマティク液晶を用いて組み立てられた。
れる。基板は、ＢＫ７Ａ光学ガラス平板である。これら
は、最初にアセトン中で洗浄し、Ｍｉｃｒｏ（コール−
パーマー機器株式会社から市販される研究用クリーナ）
で研摩し、無イオン化された水でリンスし、そしてトラ
ンセン（Ｔｒａｎｓｅｎｅ）でリンスすることによって
清浄化される。約４００オングストロームの厚さのイン
ジウム−錫−酸化物の電気導電層が堆積され、それから
シリカ層が１９ｃｍ／分の走行速度で以下に説明する方
法によって堆積された。マグネトロン・イン−ライン・
スパッタリング装置の運転条件は、既に述べてように１
ｋＷの高周波出力および１０ｍｔｏｒｒのアルゴン圧を
用いる。搬送速度と運転条件の共同は、１パス当たり２
５０オングストロームのシリカを生産し、それらはトー
タル１５００オングストロームシリカを生産するために
６パスであった。前記基板は、それから成膜装置から取
り出され、１−オクタデカノールの蒸気中に１４０℃で
２時間処理された。未反応アルコールは、ヘキサンおよ
びクロロホルム溶媒で洗うことによって除去された。デ
バイス９０は、既に述べたように負の誘電異方性を有す
るネマティク液晶を用いて組み立てられた。
【００４１】前記デバイス９０は、いくつかのアプロー
チによって評価された。傾斜角Ｔは２．５±０．５゜で
あることがわかった。傾斜角Ｔの熱安定性は優れ、２３
〜５５℃の範囲に亘る温度で１℃の上昇当たり平均０．
０１゜まで増加する。電極間での整列変化およびその結
果によるツイスト角は、デバイスの面に沿って１ｃｍ間
隔で９箇所測定された。方位角Ａにおける最大変化は、
電極間で約８゜であり、かつこれら９箇所におけるツイ
スト角は２゜より変化することはない。６Ｖの電圧を前
記液晶に印加すると、回位およびドメインが観測され
ず、液晶デイレクターは方位角方向に一様に傾斜され
た。理論的に、偏光に対するデバイスの第１透過ピーク
での透過率は、入射ビームの偏光方向Ｐと方位角方向３
０の間の角度が４５゜の時に最大になるべきである。前
記デバイス９０において、第１透過ピークでの実際に測
定された最大透過率は走行８６の方向に対して３９゜の
角度を生じ、予想と良好に一致する。
チによって評価された。傾斜角Ｔは２．５±０．５゜で
あることがわかった。傾斜角Ｔの熱安定性は優れ、２３
〜５５℃の範囲に亘る温度で１℃の上昇当たり平均０．
０１゜まで増加する。電極間での整列変化およびその結
果によるツイスト角は、デバイスの面に沿って１ｃｍ間
隔で９箇所測定された。方位角Ａにおける最大変化は、
電極間で約８゜であり、かつこれら９箇所におけるツイ
スト角は２゜より変化することはない。６Ｖの電圧を前
記液晶に印加すると、回位およびドメインが観測され
ず、液晶デイレクターは方位角方向に一様に傾斜され
た。理論的に、偏光に対するデバイスの第１透過ピーク
での透過率は、入射ビームの偏光方向Ｐと方位角方向３
０の間の角度が４５゜の時に最大になるべきである。前
記デバイス９０において、第１透過ピークでの実際に測
定された最大透過率は走行８６の方向に対して３９゜の
角度を生じ、予想と良好に一致する。
【００４２】例２ インジウム−錫−酸化物の薄い被覆で既に被覆されたガ
ラス板からなる６つの電極は、ステンレス鋼パレット上
に配置され、ＭＲＣ９４２成膜システム中のターゲット
下を左右に１回通過して１５００オングストロームのシ
リカが被覆された。前記ターゲット下での移行速度は、
３．２／分であった。電極Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ＥおよびＦ
として示される６つの電極の配置は、図８の平面図に示
される。前記パレットの走行方向は、矢印で示されるよ
うに右から左である。ダミーガラス板は、各電極列の端
に位置する前記パレットに置かれている。各電極の一端
は、“タブ保護”として図８に示されたステンレス鋼バ
ーで覆われ、前記電極の一端上へのシリカの堆積を防い
でいる。これは、未被覆インジウム−錫−酸化物のタブ
として残存させ、ここに電気的接続部が作られる。向か
い合う電極は、液晶テストセル（例えばＡとＤ、ＢとＥ
およびＣとＦ）を用意するのに決りきった対をなす。シ
リカの被覆後、前記電極は例１で説明したように１−オ
クタデカノールの蒸気で処理される。
ラス板からなる６つの電極は、ステンレス鋼パレット上
に配置され、ＭＲＣ９４２成膜システム中のターゲット
下を左右に１回通過して１５００オングストロームのシ
リカが被覆された。前記ターゲット下での移行速度は、
３．２／分であった。電極Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ＥおよびＦ
として示される６つの電極の配置は、図８の平面図に示
される。前記パレットの走行方向は、矢印で示されるよ
うに右から左である。ダミーガラス板は、各電極列の端
に位置する前記パレットに置かれている。各電極の一端
は、“タブ保護”として図８に示されたステンレス鋼バ
ーで覆われ、前記電極の一端上へのシリカの堆積を防い
でいる。これは、未被覆インジウム−錫−酸化物のタブ
として残存させ、ここに電気的接続部が作られる。向か
い合う電極は、液晶テストセル（例えばＡとＤ、ＢとＥ
およびＣとＦ）を用意するのに決りきった対をなす。シ
リカの被覆後、前記電極は例１で説明したように１−オ
クタデカノールの蒸気で処理される。
【００４３】液晶セルは、０．００１インチマイラース
ペーサで分離された電極対を互いに対向させ、それら電
極間にＨＲＬ１０４液晶を充填することによって作製さ
れる。各セル中の２つの電極のタブは、セルの向かい合
う端に配置され、シリカオーバーコートを有する電極表
面は前記液晶に接して互いに対向される。これら電極の
配置は、セル全体に亘って一様である各セルに液晶ディ
レクターの傾きを生じる。ミラーは、“遠い”電極（図
８図示）を有する側の前記セルの外側に密着される。
ペーサで分離された電極対を互いに対向させ、それら電
極間にＨＲＬ１０４液晶を充填することによって作製さ
れる。各セル中の２つの電極のタブは、セルの向かい合
う端に配置され、シリカオーバーコートを有する電極表
面は前記液晶に接して互いに対向される。これら電極の
配置は、セル全体に亘って一様である各セルに液晶ディ
レクターの傾きを生じる。ミラーは、“遠い”電極（図
８図示）を有する側の前記セルの外側に密着される。
【００４４】近接ランプからの光は、５４０ｎｍを中心
とする波長を透過するコーニング４−６４グリーンフィ
ルタおよび偏光子を通過される。前記偏光子は、前記２
つの電極上へのシリカの堆積中の走行方向に対して平行
な偏光面に配向され、かつ検光子の偏光面に対して直交
に配向されている。光は、前記電極表面に対して垂直方
向に前記液晶セルを通過し、前記ミラーで反射され、そ
の走行と反対方向に前記液晶を通過し、前記検光子を通
る。電界は、１０ｋＨｚ電源を用いて前記液晶を横切っ
て印加され、電圧は０から１５Ｖｒｍｓまで上昇され
る。前記テストセルは、光伝達方向と一致する軸で回転
され、前記検光子を通して受けた光感度が測定された。
セル回転角は、観測された最高透過ピークで最大感度と
なる位置で測定された。理論的に、最高透過ピークでの
最大感度は４５゜の回転で観察されるべきである。前記
３つのセルにおいて、最高透過ピークで最大感度を達成
する測定回転角は、３９゜、３９゜および４２゜であっ
た。
とする波長を透過するコーニング４−６４グリーンフィ
ルタおよび偏光子を通過される。前記偏光子は、前記２
つの電極上へのシリカの堆積中の走行方向に対して平行
な偏光面に配向され、かつ検光子の偏光面に対して直交
に配向されている。光は、前記電極表面に対して垂直方
向に前記液晶セルを通過し、前記ミラーで反射され、そ
の走行と反対方向に前記液晶を通過し、前記検光子を通
る。電界は、１０ｋＨｚ電源を用いて前記液晶を横切っ
て印加され、電圧は０から１５Ｖｒｍｓまで上昇され
る。前記テストセルは、光伝達方向と一致する軸で回転
され、前記検光子を通して受けた光感度が測定された。
セル回転角は、観測された最高透過ピークで最大感度と
なる位置で測定された。理論的に、最高透過ピークでの
最大感度は４５゜の回転で観察されるべきである。前記
３つのセルにおいて、最高透過ピークで最大感度を達成
する測定回転角は、３９゜、３９゜および４２゜であっ
た。
【００４５】この例は、多数の類似電極を作製する能力
を示し、かつ別々のセルを形成する対をなす電極への１
つのアプローチを示す。本発明のアプローチで得られる
ことができる良好な再生産性も同様に示す。
を示し、かつ別々のセルを形成する対をなす電極への１
つのアプローチを示す。本発明のアプローチで得られる
ことができる良好な再生産性も同様に示す。
【００４６】例３ 液晶セルを作るのに互いに対をなす一対の電極はパレッ
ト上に平らに置かれるが、電極の両端で配向し、シリカ
堆積中の走行方向に対して４５゜の角度、つまり一方の
電極は時計回り方向に４５゜で、他方の電極は半時計回
り方向に４５゜で配向された以外、例２を繰り返した。
例２のテスト装置は、最高透過ピークの最大透過率が３
゜の回転のみで生じることを決定するのに使用され、理
論的に予測された０゜に良好に一致する。液晶の傾斜角
は１．８゜であった。
ト上に平らに置かれるが、電極の両端で配向し、シリカ
堆積中の走行方向に対して４５゜の角度、つまり一方の
電極は時計回り方向に４５゜で、他方の電極は半時計回
り方向に４５゜で配向された以外、例２を繰り返した。
例２のテスト装置は、最高透過ピークの最大透過率が３
゜の回転のみで生じることを決定するのに使用され、理
論的に予測された０゜に良好に一致する。液晶の傾斜角
は１．８゜であった。
【００４７】別の一対の電極は、シリカ堆積中の電極角
度を４０゜とする以外、同様に作製された。最大透過率
は、５゜の回転で測定され、理論値に正確に一致してい
る。液晶の傾斜角は、垂直から２．３゜であることが測
定された。
度を４０゜とする以外、同様に作製された。最大透過率
は、５゜の回転で測定され、理論値に正確に一致してい
る。液晶の傾斜角は、垂直から２．３゜であることが測
定された。
【００４８】２つのセルの整列一様性は、偏光マイクロ
スコープで評価された。評価されるべきセルは、マイク
ロスコープステージ上に置かれ、偏光された光で前記セ
ルに上側に通過して照射し、マイクロスコープの光学シ
ステムの検光子に入射される。１ｋＨｚ、２０Ｖｒｍｓ
の電界は、電極表面に対して殆ど平行な配向方向に液晶
ディレクターを再配向するために印加される。最低透過
率状況を見付けるために固定された偏光子を保持し、か
つ前記ステージおよび検光子の両者を回転することによ
って、両電極表面での傾斜方位を決定することができ
る。液晶整列におけるツイストは、２つの対向表面での
整列間で異なった。測定は、前記セルを横切るグリッド
パターンにおいて１ｃｍ間隔の９箇所でなされた。整列
の一様性は、最大変化の用語で述べられるか、または前
記８箇所における最高と最低量の間の差である。その結
果は、４５゜セル（“４５セル”）および４０゜セル
（“４０セル”）として次の表に表わされる。
スコープで評価された。評価されるべきセルは、マイク
ロスコープステージ上に置かれ、偏光された光で前記セ
ルに上側に通過して照射し、マイクロスコープの光学シ
ステムの検光子に入射される。１ｋＨｚ、２０Ｖｒｍｓ
の電界は、電極表面に対して殆ど平行な配向方向に液晶
ディレクターを再配向するために印加される。最低透過
率状況を見付けるために固定された偏光子を保持し、か
つ前記ステージおよび検光子の両者を回転することによ
って、両電極表面での傾斜方位を決定することができ
る。液晶整列におけるツイストは、２つの対向表面での
整列間で異なった。測定は、前記セルを横切るグリッド
パターンにおいて１ｃｍ間隔の９箇所でなされた。整列
の一様性は、最大変化の用語で述べられるか、または前
記８箇所における最高と最低量の間の差である。その結
果は、４５゜セル（“４５セル”）および４０゜セル
（“４０セル”）として次の表に表わされる。
【００４９】 表 度数（゜） 測 定 ４５セル ４０セル 電極の長端に関連する傾斜方位 上部表面電極 ４５．２ ４９．８ 下部表面電極 ４５．３ ４９．８ 傾斜方位での最大変化 上部表面電極 ２．８ ２．４ 下部表面電極 １．８ １．０ 最大ツイスイ １．０ ０．９ ツイストの最大変化 １．６ １．７ 前記４５゜セルの測定された傾斜方向は、４５゜の理論
量と良好に一致し、前記４０゜セルの測定された傾斜方
向は、５０゜の理論量と良好に一致した。
量と良好に一致し、前記４０゜セルの測定された傾斜方
向は、５０゜の理論量と良好に一致した。
【００５０】この例は、液晶ディレクターの傾斜方位は
シリカ堆積中の相対的な走行方向に関連して前記電極を
配向する単純な手段を用いることで随意に一致できるこ
とを示している。この作用は、矩形液晶表示セルの端面
に平行である投影光の偏光面を持つことが望ましいある
投影システムに有用である。
シリカ堆積中の相対的な走行方向に関連して前記電極を
配向する単純な手段を用いることで随意に一致できるこ
とを示している。この作用は、矩形液晶表示セルの端面
に平行である投影光の偏光面を持つことが望ましいある
投影システムに有用である。
【００５１】例４ この例は、本発明を実施に用いることができるアルコー
ルの化学構造の変化、処理のための異なるアルコールを
用いることによって得られる傾斜角の変化、同様なアル
コールを用い、異なる液晶に対して得られる傾斜角の変
化を表わす。
ルの化学構造の変化、処理のための異なるアルコールを
用いることによって得られる傾斜角の変化、同様なアル
コールを用い、異なる液晶に対して得られる傾斜角の変
化を表わす。
【００５２】各々のインジウム−錫−酸化物の薄いコー
ティングで被覆された一対のガラス電極は、さらに例２
で述べた同様なアプローチを用いて単一の右から左への
通過で１５００オングストロームのシリカで被覆され
た。シリカ堆積後、堆積された表面は次の表のアルコー
ルの一つの中に２時間浸漬され、前記アルコールを１２
０〜１６０℃で加熱され、溶融された。電極は、ヘキサ
ン、メタノールおよびクロロホルムのいくつかの洗浄剤
でアルコールがなくなるまで洗われた。テストセルは、
液晶ＨＲＬ１０４を用いて例２で述べたように作られ、
評価された。評価につづいて、電極は分離され、液晶を
洗い流し、異なる液晶、ＨＲＬ１０２で再組み立てさ
れ、再度評価された。例１で述べたように１−オクタデ
カノールで作製されたテストセルは、比較として含む。
液晶傾斜角は、例１のように測定され、次のような結果
となる。
ティングで被覆された一対のガラス電極は、さらに例２
で述べた同様なアプローチを用いて単一の右から左への
通過で１５００オングストロームのシリカで被覆され
た。シリカ堆積後、堆積された表面は次の表のアルコー
ルの一つの中に２時間浸漬され、前記アルコールを１２
０〜１６０℃で加熱され、溶融された。電極は、ヘキサ
ン、メタノールおよびクロロホルムのいくつかの洗浄剤
でアルコールがなくなるまで洗われた。テストセルは、
液晶ＨＲＬ１０４を用いて例２で述べたように作られ、
評価された。評価につづいて、電極は分離され、液晶を
洗い流し、異なる液晶、ＨＲＬ１０２で再組み立てさ
れ、再度評価された。例１で述べたように１−オクタデ
カノールで作製されたテストセルは、比較として含む。
液晶傾斜角は、例１のように測定され、次のような結果
となる。
【００５３】 表 傾斜角（゜） アルコール 炭素数 ＨＲＬ１０４ ＨＲＬ１０２ 1-ドデカノール １２ １．５ ２．４ 1-オクタデカノール １８ − ２．２ 1-トリアコンタノール ３０ １．１ １．１ 2-ヘキサデカノール １６ ２．６ ３．７ 1,2-オクタデカンジオール １８ ０．２ ０．６ コレステロール ２７ ２．７ ３．１ 前記表中の最初の３つのアルコールは、本発明の実施に
とって通常、好ましい種類の直鎖一級アルコールであ
る。2-ヘキサデカノールは、α炭素にメチル置換基をプ
ラスした１５炭素鎖をもつ二級アルコールである。1,2-
オクタデカンジオールは、２つのヒドロキシ基、１つは
一級ヒドロキシ基、もう一つは二級ヒドロキシ基をもつ
アルコールである。それは、二級ヒドロキシ基が付加さ
れた１７炭素鎖を有する。この長鎖ジオールで得られた
傾斜角は、小さいが、このアルコールと別のアルコール
の混合物での処理は中間的な傾斜角を得ることを達成で
きる。コレステロールは、光学的活性であり、環の１つ
に二重結合を有するアリシリックアルコールである。
とって通常、好ましい種類の直鎖一級アルコールであ
る。2-ヘキサデカノールは、α炭素にメチル置換基をプ
ラスした１５炭素鎖をもつ二級アルコールである。1,2-
オクタデカンジオールは、２つのヒドロキシ基、１つは
一級ヒドロキシ基、もう一つは二級ヒドロキシ基をもつ
アルコールである。それは、二級ヒドロキシ基が付加さ
れた１７炭素鎖を有する。この長鎖ジオールで得られた
傾斜角は、小さいが、このアルコールと別のアルコール
の混合物での処理は中間的な傾斜角を得ることを達成で
きる。コレステロールは、光学的活性であり、環の１つ
に二重結合を有するアリシリックアルコールである。
【００５４】例５ この例は、２５０オングストローム厚さと同じぐらい薄
いシリカ被覆が液晶整列を引き起こすのに用いることが
できること、アルコール処理後、溶剤で必ずしも洗浄し
なくてもよいことを証明した。他の考察は、１２オング
ストロームと同じくらい薄い被覆がそのような整列を引
き起こすことを示す。
いシリカ被覆が液晶整列を引き起こすのに用いることが
できること、アルコール処理後、溶剤で必ずしも洗浄し
なくてもよいことを証明した。他の考察は、１２オング
ストロームと同じくらい薄い被覆がそのような整列を引
き起こすことを示す。
【００５５】ガラス上に薄いインジウム−錫−酸化物被
覆を有する２つの対をなす電極は、２５０オングストロ
ームのシリカを１パスのみ堆積して作られる以外、例１
で述べたようにシリカでオーバーコートされた。シリカ
の堆積後、電極は例１のように１−オクタデカノール蒸
気で処理された。前記処理後、１つの対をなす電極は、
ヘキサン、メタノールおよびクロロホルムで洗浄され、
他の対をなす電極は洗浄しなかった。各対は、液晶ＨＲ
Ｌ１０４を用いてテストセルを組立てられた。洗浄およ
び未洗浄電極セルの傾斜角は、それぞれ２．８２゜およ
び３．５５゜であった。
覆を有する２つの対をなす電極は、２５０オングストロ
ームのシリカを１パスのみ堆積して作られる以外、例１
で述べたようにシリカでオーバーコートされた。シリカ
の堆積後、電極は例１のように１−オクタデカノール蒸
気で処理された。前記処理後、１つの対をなす電極は、
ヘキサン、メタノールおよびクロロホルムで洗浄され、
他の対をなす電極は洗浄しなかった。各対は、液晶ＨＲ
Ｌ１０４を用いてテストセルを組立てられた。洗浄およ
び未洗浄電極セルの傾斜角は、それぞれ２．８２゜およ
び３．５５゜であった。
【００５６】例６ いくつかの液晶混合物は、しばしばアルコール処理をせ
ずとも、本発明の方法によって用意されたシリカコート
表面傾斜垂直整列を自発的に受容する。整列の性状は、
アルコール処理で達成されたのと同様に良好ではない。
ずとも、本発明の方法によって用意されたシリカコート
表面傾斜垂直整列を自発的に受容する。整列の性状は、
アルコール処理で達成されたのと同様に良好ではない。
【００５７】薄いインジウム−錫−酸化物のコーティン
グを持つ２つの対をなす電極は、３．２ｃｍ／分で１回
の右から左へのパスで１５００オングストロームのシリ
カで被覆された。電極は、いかなるアルコール処理をせ
ずに液晶セルを用意するのに用いられた。Ｅ．マークか
ら入手される商業的液晶形態ＺＬＩ２８５７の０．００
１インチ厚さは、１つのセルに用いられ、ＨＲＬ１０４
は他のセルに用いられる。両方の液晶は傾きを任意に受
容し、ＺＬＩ２８５７液晶セルに対して３．０゜、ＨＲ
Ｌ１０４液晶セルに対して３．１゜であることが測定さ
れた。測定は、例４と同様な手順にしたがってセルを横
切る９箇所でなされた。２つの液晶による結果は次の通
りである。
グを持つ２つの対をなす電極は、３．２ｃｍ／分で１回
の右から左へのパスで１５００オングストロームのシリ
カで被覆された。電極は、いかなるアルコール処理をせ
ずに液晶セルを用意するのに用いられた。Ｅ．マークか
ら入手される商業的液晶形態ＺＬＩ２８５７の０．００
１インチ厚さは、１つのセルに用いられ、ＨＲＬ１０４
は他のセルに用いられる。両方の液晶は傾きを任意に受
容し、ＺＬＩ２８５７液晶セルに対して３．０゜、ＨＲ
Ｌ１０４液晶セルに対して３．１゜であることが測定さ
れた。測定は、例４と同様な手順にしたがってセルを横
切る９箇所でなされた。２つの液晶による結果は次の通
りである。
【００５８】 度数（゜） 測 定 ＺＬＩ２８５７ ＨＲＬ１０４ 傾斜方位の最大変化 上部表面電極 ２０．５ ３４．２ 下部表面電極 １７．４ ２７．４ ツイストの最大変化 ３．７ ８．７ これらの結果を例３のそれらと比較すると、アルコール
処理はアルコール処理をしない場合より非常に均一さを
導く。
処理はアルコール処理をしない場合より非常に均一さを
導く。
【００５９】例７ 液晶テストセルは、シリカでオーバコートされている
が、例６のようにアルコールで処理されない電極から構
成された。例７で用いられる液晶は、ブリティシュドラ
ッグハウスから入手される商業的液晶ＢＤＨ−Ｅ７であ
った。この液晶は、そのディレクターを前記電極表面と
実質的に平行に整列されるが、前記整列はセル全体に一
様ではない。その代わり、セルの各個所で液晶は偏光マ
イクロスコープで光学的観察によって決定されるように
前記液晶が電極表面に初めに接触しかつセルを通して流
れた瞬間に所有される整列を採用される。
が、例６のようにアルコールで処理されない電極から構
成された。例７で用いられる液晶は、ブリティシュドラ
ッグハウスから入手される商業的液晶ＢＤＨ−Ｅ７であ
った。この液晶は、そのディレクターを前記電極表面と
実質的に平行に整列されるが、前記整列はセル全体に一
様ではない。その代わり、セルの各個所で液晶は偏光マ
イクロスコープで光学的観察によって決定されるように
前記液晶が電極表面に初めに接触しかつセルを通して流
れた瞬間に所有される整列を採用される。
【００６０】この例は、本アプローチと傾斜垂直配列を
達成するための他の知られた方法との間の充分な差を示
す。他の方法は、一様な同質か表面平行整列を作る技術
を同型か表面垂直整列を作る技術と結合する。これに対
し、もし本発明の方法はアルコール処理なしで実施さ
れ、液晶がシリカ表面に対して平行に整列されことに用
いられれば、整列は完全に不均質である。本アプローチ
によって作られたシリカ表面構造は、同質または表面平
行整列で整列方向に一様に実施することを失敗する。本
発明の方法によって作られたシリカ表面は、傾斜垂直整
列を引き起こす他の方法を伴う表面と本質的に異なる。
達成するための他の知られた方法との間の充分な差を示
す。他の方法は、一様な同質か表面平行整列を作る技術
を同型か表面垂直整列を作る技術と結合する。これに対
し、もし本発明の方法はアルコール処理なしで実施さ
れ、液晶がシリカ表面に対して平行に整列されことに用
いられれば、整列は完全に不均質である。本アプローチ
によって作られたシリカ表面構造は、同質または表面平
行整列で整列方向に一様に実施することを失敗する。本
発明の方法によって作られたシリカ表面は、傾斜垂直整
列を引き起こす他の方法を伴う表面と本質的に異なる。
【００６１】例８ 本発明のアプローチは、液晶光弁基板に液晶の配向を得
るのに有効である。光弁デバイスに有用である基板の種
類は、Ｒｏｄｎｅｙ Ｄ．Ｓｔｅｒｌｉｎｇ，Ｒｏｂｅ
ｒｔ Ｄ．Ｔｅ Ｋｏｌｓｔｅ，Ｊｏｓｅｐｈ Ｍ．Ｈ
ａｇｇｅｒｔｙ，Ｔｈｏｍａｓ Ｃ．Ｂｏｒａｈ，およ
びＷｉｌｌｉａｍ Ｐ．Ｂｌｅｈａ“非晶質シリコン光
導体を用いるビデオ−レイト 光弁”ＳＩＤ ９０ ダ
イジェスト，ｐ３２７〜３２９（１９９０）の文献に述
べられている。前記デバイスの１つの基板は、被覆イン
ジウム−錫−酸化物導体層、アモルファスシリコン光導
体光センサおよび誘電ミラーを持つ石英窓を有する。こ
れらの場合、シリコン層は堆積され、前記シリコン層は
ここで議論された好ましいアプローチを用いてアルコー
ルにより処理された。良好で、一様な傾斜整列が達成さ
れた。
るのに有効である。光弁デバイスに有用である基板の種
類は、Ｒｏｄｎｅｙ Ｄ．Ｓｔｅｒｌｉｎｇ，Ｒｏｂｅ
ｒｔ Ｄ．Ｔｅ Ｋｏｌｓｔｅ，Ｊｏｓｅｐｈ Ｍ．Ｈ
ａｇｇｅｒｔｙ，Ｔｈｏｍａｓ Ｃ．Ｂｏｒａｈ，およ
びＷｉｌｌｉａｍ Ｐ．Ｂｌｅｈａ“非晶質シリコン光
導体を用いるビデオ−レイト 光弁”ＳＩＤ ９０ ダ
イジェスト，ｐ３２７〜３２９（１９９０）の文献に述
べられている。前記デバイスの１つの基板は、被覆イン
ジウム−錫−酸化物導体層、アモルファスシリコン光導
体光センサおよび誘電ミラーを持つ石英窓を有する。こ
れらの場合、シリコン層は堆積され、前記シリコン層は
ここで議論された好ましいアプローチを用いてアルコー
ルにより処理された。良好で、一様な傾斜整列が達成さ
れた。
【００６２】このアプローチで得られた結果は、他の手
順によって得られたそれらに対して技術的に優れ、多く
の場合、低コストである。本発明の初期整列特性は、充
分に知られていないが、それらは堆積ターゲットと基板
の間の同時に起こる相対的動作によるシリカの堆積から
明確に起こる。他の従来技術では、傾斜垂直液晶整列を
達成するためのそのような相対動作を用いることは全く
知られていない。
順によって得られたそれらに対して技術的に優れ、多く
の場合、低コストである。本発明の初期整列特性は、充
分に知られていないが、それらは堆積ターゲットと基板
の間の同時に起こる相対的動作によるシリカの堆積から
明確に起こる。他の従来技術では、傾斜垂直液晶整列を
達成するためのそのような相対動作を用いることは全く
知られていない。
【００６３】本発明のアプローチは、本発明者が知られ
ている最も良好な従来技術と比較される。米国特許第
４，０３０，９９７の手順は、傾斜方向でより大きい変
化をもたらし、かつ温度に対してより大きい感度をもた
らす。Ｊ．Ｃｏｇｎａｒｄ，“Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌ
ｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．Ｓｕｐｐ．Ｓｅｒ”Ｓｕｐｐ １，
１−７４（１９８２）の堆積手順は、より大きい傾斜変
化および低い予想性を生じ、かつそれをなすのに非常に
複雑で高価になる。Ｊ．Ｃｏｇｎａｒｄによる同様な文
献で述べられた低角度ＳｉＯX 堆積は、使用するのには
余りにも高い傾斜角を生じる。
ている最も良好な従来技術と比較される。米国特許第
４，０３０，９９７の手順は、傾斜方向でより大きい変
化をもたらし、かつ温度に対してより大きい感度をもた
らす。Ｊ．Ｃｏｇｎａｒｄ，“Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌ
ｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．Ｓｕｐｐ．Ｓｅｒ”Ｓｕｐｐ １，
１−７４（１９８２）の堆積手順は、より大きい傾斜変
化および低い予想性を生じ、かつそれをなすのに非常に
複雑で高価になる。Ｊ．Ｃｏｇｎａｒｄによる同様な文
献で述べられた低角度ＳｉＯX 堆積は、使用するのには
余りにも高い傾斜角を生じる。
【００６４】
【発明の効果】本発明は、液晶デバイスの分野で有用さ
を提供する。本発明の特別の例は例証の目的で詳細に説
明したが、種々の変更は本発明の精神および範囲から離
れずになしてもよい。したがって、本発明は添えられた
請求の範囲によって除外されて限定されるものではない
を提供する。本発明の特別の例は例証の目的で詳細に説
明したが、種々の変更は本発明の精神および範囲から離
れずになしてもよい。したがって、本発明は添えられた
請求の範囲によって除外されて限定されるものではない
【図１】処理され、電界−オフ状態の電界をもつ基板の
側面図。
側面図。
【図２】電界−オフ状態の電界をもつ図１の基板の平面
図。
図。
【図３】電界−オン状態の電界をもつ図１の基板の側面
図。
図。
【図４】処理された基板の側前面図。
【図５】マグネトロンイン−ラインスパッタリング装置
の側面図。
の側面図。
【図６】マグネトロンスパッタリングターゲットと基板
の関係を示す図５の装置詳細の平面図。
の関係を示す図５の装置詳細の平面図。
【図７】液晶デバイスの側面図。
【図８】例２で述べられたアプローチでの形態中の電極
配列の平面図。
配列の平面図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヒュー・エル・ガービン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90265、マリブ、ホライズン・ドライブ 5540 (72)発明者 クラウス・ロビンソン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 91367、ウッドランド・ヒルズ、ナンバ ー13、カルバート・ストリート 22040 (72)発明者 リーロイ・ジェイ・ミラー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 91304、カノガ・パーク、ヒラリー・ド ライブ 8313 (56)参考文献 特開 平１−501574（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−151926（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 傾斜配列の液晶を基板上に形成するため
の方法であって、 一対の基板をシリカターゲット源への移動方向に対して
直角な同一線上にそれら端面が互いに一致して対向する
ように隣接して配置した状態で前記シリカターゲット源
の方向に移動させる工程と、 前記一対の基板の移動により前記シリカターゲット源を
通過させて前記一対の基板上にシリカ層を堆積する工程
と、 前記一対の基板上に堆積したシリカ層を長鎖アルコール
処理を施すことにより前記シリカ層の傾斜配列を所定の
形状にする工程と、 前記一対の基板をそれらのシリカ層が対向すると共に、
前記シリカ層の傾斜配列が一致するように所望の隙間を
あけて配置して組み立てる工程と、 組み立てられた一対の基板間に液晶を挿入する工程とを
具備した方法 。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US71553791A | 1991-06-14 | 1991-06-14 | |
| US715537 | 1991-06-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05188376A JPH05188376A (ja) | 1993-07-30 |
| JP2672233B2 true JP2672233B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=24874451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4155381A Expired - Lifetime JP2672233B2 (ja) | 1991-06-14 | 1992-06-15 | 傾斜配列の液晶を基板上に形成するための方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0518333B1 (ja) |
| JP (1) | JP2672233B2 (ja) |
| DE (1) | DE69232747T2 (ja) |
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-
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- 1992-06-11 EP EP92109861A patent/EP0518333B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-11 DE DE69232747T patent/DE69232747T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-15 JP JP4155381A patent/JP2672233B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-03-22 US US08/034,626 patent/US5350498A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-06-15 US US08/260,146 patent/US5620755A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US5350498A (en) | 1994-09-27 |
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