JPH02154493A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH02154493A JPH02154493A JP30930688A JP30930688A JPH02154493A JP H02154493 A JPH02154493 A JP H02154493A JP 30930688 A JP30930688 A JP 30930688A JP 30930688 A JP30930688 A JP 30930688A JP H02154493 A JPH02154493 A JP H02154493A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光情報処理等に用いる半導体レーザに関する。
（従来技術）
光情報処理等に用いる半導体レーザの中でも、ビデオデ
ィスクや光デイスク上の読み取り用光源として使用する
ものでは、雑音特性、特に戻り光に誘起される雑音の特
性が問題となる。半纏体レザの戻り光誘起雑音を低減す
るために、種々の方式が試みられているか、特に、出力
コーヒーレンスの低裔は、鳴動である。この方式のひと
つとして、高周波重畳による半導体レーザの低雑廿化が
大石らにより１９８３年秋季応用物理学会関係連合講演
会予稿集１０２頁２６ａ−ｐ−６「高周波重畳による半
導体レーザの低雑音化と縦モード特性」において提案さ
れ、有効である事が示されている。
ィスクや光デイスク上の読み取り用光源として使用する
ものでは、雑音特性、特に戻り光に誘起される雑音の特
性が問題となる。半纏体レザの戻り光誘起雑音を低減す
るために、種々の方式が試みられているか、特に、出力
コーヒーレンスの低裔は、鳴動である。この方式のひと
つとして、高周波重畳による半導体レーザの低雑廿化が
大石らにより１９８３年秋季応用物理学会関係連合講演
会予稿集１０２頁２６ａ−ｐ−６「高周波重畳による半
導体レーザの低雑音化と縦モード特性」において提案さ
れ、有効である事が示されている。
又、自励振動を生じさせ、縦モードをマルチ化して低雑
音化する方式が、山中らにより、電子通信学会技術報告
、光童子エレクトロニクス０ＱＥ８８−５．３３頁、［
リッジ導波路ストライプ構造を持つ自励発振型半導体レ
ーザ」において提案され試みられている。この半導体レ
ーザは、第４図に示すように、ｐ形電椿６７より注入さ
れたキャリアが電流狭窄されたｐ形Ｇ ａ Ａ ｓ層６
４を通り、Ａｚ ｏ１５Ｇ ａ ｏ８５Ａｓ 活性層
６２に注入される。キャリアの再結合により発生した光
が両端面で光帰還をくり返され、レーザ発振が住じる。
音化する方式が、山中らにより、電子通信学会技術報告
、光童子エレクトロニクス０ＱＥ８８−５．３３頁、［
リッジ導波路ストライプ構造を持つ自励発振型半導体レ
ーザ」において提案され試みられている。この半導体レ
ーザは、第４図に示すように、ｐ形電椿６７より注入さ
れたキャリアが電流狭窄されたｐ形Ｇ ａ Ａ ｓ層６
４を通り、Ａｚ ｏ１５Ｇ ａ ｏ８５Ａｓ 活性層
６２に注入される。キャリアの再結合により発生した光
が両端面で光帰還をくり返され、レーザ発振が住じる。
この場合、メサストライプ幅及びメサ側面のｐ形りラッ
ド層厚を最適に１゛ると、キャリアは、メサストライフ
部分に主に注入されるとともにメサ（Ｉｌｉ１面にもキ
ャリアの横方向拡散により注入される。一方、活性Ｈ６
２は注入電流を減らすと可飽和吸収体として作用する。
ド層厚を最適に１゛ると、キャリアは、メサストライフ
部分に主に注入されるとともにメサ（Ｉｌｉ１面にもキ
ャリアの横方向拡散により注入される。一方、活性Ｈ６
２は注入電流を減らすと可飽和吸収体として作用する。
そこで、メサ部分とメサストライプ両サイドとのキャリ
ア分布を変えると、メサストライプ両サイドは可飽和吸
収体として作用し、キャリアの変動にまり１己パルス変
調が生じる。前ｄ己報告によれば、活性層厚７００Ａ、
、 メサ側面のｐ形りンッド厚０，４〜０５μｎｌで
ストライプ幅５〜６μｍの時に自励発振が得られ、戻り
光量３％、光出力３ ｒＩＩＷで相対雑音強度でＩ Ｘ
１０” Ｈｚ以下を満足した。
ア分布を変えると、メサストライプ両サイドは可飽和吸
収体として作用し、キャリアの変動にまり１己パルス変
調が生じる。前ｄ己報告によれば、活性層厚７００Ａ、
、 メサ側面のｐ形りンッド厚０，４〜０５μｎｌで
ストライプ幅５〜６μｍの時に自励発振が得られ、戻り
光量３％、光出力３ ｒＩＩＷで相対雑音強度でＩ Ｘ
１０” Ｈｚ以下を満足した。
（発明が解決しようとする課題）
高周波重畳の場合には、高周波発振回路を付加的に付け
る必要があるとともに、発生した高周波が外部機能回路
に漏れて影＃ｒ（ｆ−もたらすことがある。−万、自励
振動を生じさせる方式では、キャリアが活性領域に到達
するまでに水平横力向へ拡散し、活性領域水平方向のギ
ヤリアの広がリヲ小さく、光の分布を広くすることか難
しい。実際には、活性ノー厚、メサ側面のｐ形りラッド
層の厚さ、ストライプ幅、メサ部分のｐ形りラッド層を
最適化しなければ実現し難く、従来技術では、自品力発
振が生じる素子の歩留は容易に向上しない。結局のとこ
ろ、前記、高周波重畳方法が一般的な低雑音用半導体レ
ーザの技術となっている。
る必要があるとともに、発生した高周波が外部機能回路
に漏れて影＃ｒ（ｆ−もたらすことがある。−万、自励
振動を生じさせる方式では、キャリアが活性領域に到達
するまでに水平横力向へ拡散し、活性領域水平方向のギ
ヤリアの広がリヲ小さく、光の分布を広くすることか難
しい。実際には、活性ノー厚、メサ側面のｐ形りラッド
層の厚さ、ストライプ幅、メサ部分のｐ形りラッド層を
最適化しなければ実現し難く、従来技術では、自品力発
振が生じる素子の歩留は容易に向上しない。結局のとこ
ろ、前記、高周波重畳方法が一般的な低雑音用半導体レ
ーザの技術となっている。
本発明の目的は、高周波重畳方式を採用しなくても低雑
音となる半導体レーザを得ることにある。
音となる半導体レーザを得ることにある。
（課題を解決するだめの手段）
前述の問題点を解決するために本発明が提供する手段の
］つけ、第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層よ
りもバンドギャップの小さい活性層と、光導波路層と、
前記活性層よりもバンドギャップが大きく、断面形状が
逆台形状のストライプ状メサ構造を有する第２のクラッ
ド層とが少くともＩＩＭ次積層され、さらに、前記光導
波路層上、前記第２のクラッド層の側面（メサ側面）に
、活性層で発光した元を吸収する電流ブロック層が形成
されている半導体レーザである。もう１つの手段は、発
光に与る活性層を内包する多層積層構造を形成する工程
と、前記多層積層構造をエツチングしてストライプ状メ
サ構造を形成する工程と、前記メサ構造の両側面に電流
ブロック層を形成する工程とを少くとも備えたＡＩ Ｘ
Ｇａ １−ｘ Ａｓ 糸の半導体レーザの製造方法であ
って、前記メサ構造形成工程が、ＡＩ！組成選択性の小
さいエツチング液でエツチングする第１のエツチング工
程と、ＡＪ組成比依存性のあるエツチング液でエツチン
グする第２のエツチング工程とから成ることを特徴とし
た栴成になっている。
］つけ、第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層よ
りもバンドギャップの小さい活性層と、光導波路層と、
前記活性層よりもバンドギャップが大きく、断面形状が
逆台形状のストライプ状メサ構造を有する第２のクラッ
ド層とが少くともＩＩＭ次積層され、さらに、前記光導
波路層上、前記第２のクラッド層の側面（メサ側面）に
、活性層で発光した元を吸収する電流ブロック層が形成
されている半導体レーザである。もう１つの手段は、発
光に与る活性層を内包する多層積層構造を形成する工程
と、前記多層積層構造をエツチングしてストライプ状メ
サ構造を形成する工程と、前記メサ構造の両側面に電流
ブロック層を形成する工程とを少くとも備えたＡＩ Ｘ
Ｇａ １−ｘ Ａｓ 糸の半導体レーザの製造方法であ
って、前記メサ構造形成工程が、ＡＩ！組成選択性の小
さいエツチング液でエツチングする第１のエツチング工
程と、ＡＪ組成比依存性のあるエツチング液でエツチン
グする第２のエツチング工程とから成ることを特徴とし
た栴成になっている。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第１図は本発明により得られた半導体レーザの構造を示
す概略図で、第２図は本発明の製造方法を示す工程概略
図である。（１００）ｎ形０ａＡｓ基根１上に有機金属
気相成長（ＭＯＶＰＥ）技術により、ｎ形Ａ ｌ ｏ、
３ Ｇ ａ ｏ、５ Ａ Ｓ クラッドＪｍ２（Ｓｉ
ドープ、不純物５ａｔ−ＩＸＩ Ｏ” ｃｕｔ ” ）
ｆｒ： ２．Ｏμｍ、ＡＩ！６，１５ Ｇ ａ ６．
Ｂ ５ Ａ Ｓ活性層３（ノンドープ）葡６００Ａ、
ｐ形Ａ７ ｏ、４ Ｇ ａ Ｏ，６Ａｓ Ｌ４導波路
４（Ｍｇドープ、不純物磯度ＩＸＩ ０１８ｃｍ ’
） ｆｚ−６＝ ０８μｍ１ 次にｐ形Ａｌ！ｏ、ｓ Ｇａ ｏ、ｓ Ａ
ｓクラッド層５（Ｍｇドーグ、不純物濃度ｌＸｌ０１８
ｃｍ−３） を１．０μｍ、 最後にｐ＋形Ｇ ａ
Ａ ｓキーｗツブ１）６（Ｍｇドープ、不縄物訳度５
Ｘ ］ Ｏ” ｃｍ−３） ’ｃ １ ／４ｍを順次
連続成長して多ｊナク蹟Ｊし構造を形成する（第２図（
ａ））。
す概略図で、第２図は本発明の製造方法を示す工程概略
図である。（１００）ｎ形０ａＡｓ基根１上に有機金属
気相成長（ＭＯＶＰＥ）技術により、ｎ形Ａ ｌ ｏ、
３ Ｇ ａ ｏ、５ Ａ Ｓ クラッドＪｍ２（Ｓｉ
ドープ、不純物５ａｔ−ＩＸＩ Ｏ” ｃｕｔ ” ）
ｆｒ： ２．Ｏμｍ、ＡＩ！６，１５ Ｇ ａ ６．
Ｂ ５ Ａ Ｓ活性層３（ノンドープ）葡６００Ａ、
ｐ形Ａ７ ｏ、４ Ｇ ａ Ｏ，６Ａｓ Ｌ４導波路
４（Ｍｇドープ、不純物磯度ＩＸＩ ０１８ｃｍ ’
） ｆｚ−６＝ ０８μｍ１ 次にｐ形Ａｌ！ｏ、ｓ Ｇａ ｏ、ｓ Ａ
ｓクラッド層５（Ｍｇドーグ、不純物濃度ｌＸｌ０１８
ｃｍ−３） を１．０μｍ、 最後にｐ＋形Ｇ ａ
Ａ ｓキーｗツブ１）６（Ｍｇドープ、不縄物訳度５
Ｘ ］ Ｏ” ｃｍ−３） ’ｃ １ ／４ｍを順次
連続成長して多ｊナク蹟Ｊし構造を形成する（第２図（
ａ））。
次に、多ハ’ｊ：’ｊ！ｔ ｉ會栴造辰面に５ｉＯｚｌ
模 ２０を５０００Ａ 付け、さらに、この上にフォト
レジスト２１を形成し、フォトリソグラフィ技術により
、幅８μｍの５ＩＯ２マスク２０を形成する。さらに、
Ａｉｍ成運択性の小さいリン酸エツチング液により、ｐ
形Ａ ｉ ｏ、４ Ｇ ａ Ｏ，６Ａ Ｓ光導波路層４
を０．４μｍの層厚になるまで多層槓層溝造をエツチン
グする。この時のメサストライプ幅は、ｐクラッド層で
４μｒｎ 暢であるが、エツチング底面でのストライプ
幅は、６μｎ〕である（第２図（ｂ））。
模 ２０を５０００Ａ 付け、さらに、この上にフォト
レジスト２１を形成し、フォトリソグラフィ技術により
、幅８μｍの５ＩＯ２マスク２０を形成する。さらに、
Ａｉｍ成運択性の小さいリン酸エツチング液により、ｐ
形Ａ ｉ ｏ、４ Ｇ ａ Ｏ，６Ａ Ｓ光導波路層４
を０．４μｍの層厚になるまで多層槓層溝造をエツチン
グする。この時のメサストライプ幅は、ｐクラッド層で
４μｒｎ 暢であるが、エツチング底面でのストライプ
幅は、６μｎ〕である（第２図（ｂ））。
リン酸系のエノチノグ７俟でエツチングしｆｃ’ｌｋ、
第３図に示−夕’ −’−’ｊ ｖシＡｌ 組５Ａ比Ｘ
依存１（にの有るＩＩＦ糸エッチ／ダ７Ｋによる工！づ
一／ダをそｒなう。このエツチング液りよ、Ｘ ＝ １
）、 ＃↓に対してμ、はとんどエツチングされず、ｐ
形光導波路層４の形状、ストライプ幅は、変らない。こ
れに反して、Ｘ−０５の組成のｐ形りラッド層５では、
９０秒エッチ／グすることにより、ストライプ幅は、３
μｍ幅となるとともに、ｐ形光導波路ノー境界部分とは
、なだらかなエツチング形状断面２２となる（第２図（
Ｃ））。さらに、７．ｔトレジスト除去後、５ｉＯｚ
腺２（１−付けたままで、ＭＯＶＰＥ技術により、ｎ
形Ｇ ａ Ａ ｓ 電流ブロック層７（８１ドープ、不
純物濃度３Ｘ１０１８ｃｍ−３） を選択埋込み成長
する（第２図（ｄ））。
第３図に示−夕’ −’−’ｊ ｖシＡｌ 組５Ａ比Ｘ
依存１（にの有るＩＩＦ糸エッチ／ダ７Ｋによる工！づ
一／ダをそｒなう。このエツチング液りよ、Ｘ ＝ １
）、 ＃↓に対してμ、はとんどエツチングされず、ｐ
形光導波路層４の形状、ストライプ幅は、変らない。こ
れに反して、Ｘ−０５の組成のｐ形りラッド層５では、
９０秒エッチ／グすることにより、ストライプ幅は、３
μｍ幅となるとともに、ｐ形光導波路ノー境界部分とは
、なだらかなエツチング形状断面２２となる（第２図（
Ｃ））。さらに、７．ｔトレジスト除去後、５ｉＯｚ
腺２（１−付けたままで、ＭＯＶＰＥ技術により、ｎ
形Ｇ ａ Ａ ｓ 電流ブロック層７（８１ドープ、不
純物濃度３Ｘ１０１８ｃｍ−３） を選択埋込み成長
する（第２図（ｄ））。
最後に、５ｉＯｚ Ｍ２Ｏを除去し、ｐ 形キャップ
層６を０．５μｍエツチング後、ｎ形電極８及び基板畳
面にｎ形電極９を形成し、本発明の半導体レーザが完成
する（第１図、第２図（ｅｌ ）。
層６を０．５μｍエツチング後、ｎ形電極８及び基板畳
面にｎ形電極９を形成し、本発明の半導体レーザが完成
する（第１図、第２図（ｅｌ ）。
（作用効果）
上述の第１図の実施例の構造において、自励発振型半導
体レーザの動作について以下に説明する。
体レーザの動作について以下に説明する。
ｎ形電極８より注入されたキャリアは、ｎ形Ｇ ａ Ａ
ｓ電流ブロック層７により、効率よく、ｐ形” ｏ、
ｓ Ｇ ａ ｏ、 ５ Ａ ｓ クラッド層５の電流狭
窄部分２３を通り、ｉ ｏ□５Ｇａ Ｏ，８５Ａｓ活性
層３に注入される。活性層に注入されたキャリアは、活
性層水平横方向に拡散し、利得分布を彫成し、レーザ発
振を開始する。本実施例の場合、発光領域と電流ブロッ
ク領域との実効的な屈折率差は１〜２×１０ となる。
ｓ電流ブロック層７により、効率よく、ｐ形” ｏ、
ｓ Ｇ ａ ｏ、 ５ Ａ ｓ クラッド層５の電流狭
窄部分２３を通り、ｉ ｏ□５Ｇａ Ｏ，８５Ａｓ活性
層３に注入される。活性層に注入されたキャリアは、活
性層水平横方向に拡散し、利得分布を彫成し、レーザ発
振を開始する。本実施例の場合、発光領域と電流ブロッ
ク領域との実効的な屈折率差は１〜２×１０ となる。
ところで、キャリアが活性層３に注入され、利得分布が
形成されると、屈折率のキャリア密度に対する負の依存
性のため、屈折率は減少する。しかし、そのｆ［Ｕ、３
〜４×１０ 程度であるから、本実施例では、レーザ
発振時では、１〜２×１０−３の屈折率差が作りつけら
れており、この屈折率導波と電流ブロック層による光の
急激な吸収との相乗効果より基本横モード発振を維持す
ることができる。
形成されると、屈折率のキャリア密度に対する負の依存
性のため、屈折率は減少する。しかし、そのｆ［Ｕ、３
〜４×１０ 程度であるから、本実施例では、レーザ
発振時では、１〜２×１０−３の屈折率差が作りつけら
れており、この屈折率導波と電流ブロック層による光の
急激な吸収との相乗効果より基本横モード発振を維持す
ることができる。
また、本実施例の構造では、光の広がりの幅が利得分布
の幅に比べて広いので、光は利得領域からその外部の損
失領域まで広がっており、これは、等測的には可飽和吸
収体をもっていることになり、自励振動が生じ易くなる
。したがって戻り光による雑音は発生し難く、低雑音の
半導体レーザが得られる。
の幅に比べて広いので、光は利得領域からその外部の損
失領域まで広がっており、これは、等測的には可飽和吸
収体をもっていることになり、自励振動が生じ易くなる
。したがって戻り光による雑音は発生し難く、低雑音の
半導体レーザが得られる。
ｉ１図は、本発明の一実施例の構造概略図であり、第２
図は、その製造工程概略図であり、第３図は、実施例で
用いたＨ Ｆ系エツチング液のＡｌｘＧ ａ １− ｘ
Ａ ｓ 組成比Ｘの依存性ケ示す図である。 第４図は従来の自励発振型半導体レーザの構造概略図で
ある。 １・・・・・・ｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・・
・ｎ形ＡＪｏ５Ｇ ａ （１，５Ａ ｓクラッド層、３
・・・・・・ｈｔ （１，１６Ｇ ａ Ｏ，８ＳＡＳ活
性層、４・・・・・・ｐ形Ａｌ！。４ Ｇ ａ Ｏ，６
Ａ Ｓ光導波路層、５・・・・・・ｐ形Ａ ｌ ６，５
Ｇ ａ ｏ、５ Ａ ｓクラッド層、６・・・・・・
ｐ＋形Ｇ ａ Ａ ｓ キャップ層、７・・・・・・ｎ
形ＧａＡｓ篭流ブロック層、８・・・・・・ｎ形電極、
９・・・・・・ｎ形電極、２０・・・・・・Ｓ ｉ ０
２ 膜、２１−・＝ＶＪ ｌ・レジスト、６２°−””
Ａｌ ｏ□、 Ｇａ Ｏ，１）ｓ Ａｓ 活性層、６４
−−−−・−ｐ形Ｇａ Ａ Ｓ ／ｍｓ ６７・・・・
・・ｎ形電極。 代理人 弁理士 内 原 晋
図は、その製造工程概略図であり、第３図は、実施例で
用いたＨ Ｆ系エツチング液のＡｌｘＧ ａ １− ｘ
Ａ ｓ 組成比Ｘの依存性ケ示す図である。 第４図は従来の自励発振型半導体レーザの構造概略図で
ある。 １・・・・・・ｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・・
・ｎ形ＡＪｏ５Ｇ ａ （１，５Ａ ｓクラッド層、３
・・・・・・ｈｔ （１，１６Ｇ ａ Ｏ，８ＳＡＳ活
性層、４・・・・・・ｐ形Ａｌ！。４ Ｇ ａ Ｏ，６
Ａ Ｓ光導波路層、５・・・・・・ｐ形Ａ ｌ ６，５
Ｇ ａ ｏ、５ Ａ ｓクラッド層、６・・・・・・
ｐ＋形Ｇ ａ Ａ ｓ キャップ層、７・・・・・・ｎ
形ＧａＡｓ篭流ブロック層、８・・・・・・ｎ形電極、
９・・・・・・ｎ形電極、２０・・・・・・Ｓ ｉ ０
２ 膜、２１−・＝ＶＪ ｌ・レジスト、６２°−””
Ａｌ ｏ□、 Ｇａ Ｏ，１）ｓ Ａｓ 活性層、６４
−−−−・−ｐ形Ｇａ Ａ Ｓ ／ｍｓ ６７・・・・
・・ｎ形電極。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (2)
- （１）第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層より
もバンドギャップの小さい活性層と、光導波路層と、前
記活性層よりもバンドギャップが大きく、断面形状が逆
台形状のストライプ状メサ構造を有する第２のクラッド
層とが少くとも順次積層され、さらに、前記光導波路層
上、前記第２のクラッド層の側面（メサ側面）に、活性
層で発光した光を吸収する電流ブロック層が形成されて
いることを特徴とする半導体レーザ。 - （２）発光に与る活性層を内包する多層積層構造を形成
する工程と、前記多層積層構造をエッチングしてストラ
イプ状メサ構造を形成する工程と、前記メサ構造の両側
面に電流ブロック層を形成する工程とを少くとも備えた
Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ系の半導体レーザの製造
方法において、前記メサ構造形成工程が、Ａｌ組成選択
性の小さいエッチング液でエッチングする第１のエッチ
ング工程と、Ａｌ組成比依存性のあるエッチング液でエ
ッチングする第２のエッチング工程とから成ることを特
徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30930688A JPH02154493A (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30930688A JPH02154493A (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02154493A true JPH02154493A (ja) | 1990-06-13 |
Family
ID=17991420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30930688A Pending JPH02154493A (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02154493A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001050553A3 (de) * | 1999-12-30 | 2002-11-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Streifenlaserdiodenelement |
| WO2012048962A3 (de) * | 2010-09-28 | 2013-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kantenemittierende halbleiterlaserdiode und verfahren zu dessen herstellung |
-
1988
- 1988-12-06 JP JP30930688A patent/JPH02154493A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8995490B2 (en) | 2010-09-28 | 2015-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Edge-emitting semiconductor laser diode and method for producing the same |
| CN105006743A (zh) * | 2010-09-28 | 2015-10-28 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法 |
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