JPH02151656A

JPH02151656A - 樹脂組成物

Info

Publication number: JPH02151656A
Application number: JP30744688A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Izutsu; 井筒　齊; Toshihide Yamaguchi; 敏秀山口
Original assignee: Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Current assignee: DIC Corp
Priority date: 1988-12-05
Filing date: 1988-12-05
Publication date: 1990-06-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は耐熱性の改善されたポリフェニレンスルフィド
とポリフェニレンスルフィドケトンから成る樹脂組成物
であり、該樹脂組成物は射出成形、圧縮成形押出成形か
どの公知成形法によって各種形状の成形品を４えること
ができ、耐熱性が必要とされる各種の用途分野に利用さ
れる。

（従来の技術および発明が解決しようとする課題）ポリ
フェニレンスルフ（ド（以後、ｐｐｓと略す。）は耐熱
性、機械的性質、電気的性質、耐薬品性、成形性等に優
れ、高性能エンジニアリングゲラステックとして有用で
ある。しかしながら融点が約２８０℃であるため短時間
の耐熱温度は２６０〜２７０℃が上限であり、−層の耐
熱性を必要とする用途では使用上の制限がある。一方最
近、注目されつつあるポリフェニン／スルフィドケトン
（以後、ＰＰ８にと略す。）は、ｐｐｓに比較し極めて
高い耐熱性を有しておシ例えば特開昭６３−１１３０２
０号公報によればＰＰ５Ｋの融点は３４０℃である。

＃　ＰＰ５Ｋを用いる場合の問題点は、ｐｐｓに比較し
て大巾に価格が高いことであシ、かつ、用途的にもＰＰ
５Ｋはどの耐熱性を必要としない場合も多く、むしろＰ
ＰＳとＰＰ５Ｋの中間の耐熱性のポリマーを低価格で得
ることが要望されている。該目的のためにＰＰＳとＰＰ
８にとのポリマーブレンドを試みることができるが、低
価格のｐｐｓをよシ有効に使用してよシ高い耐熱性を得
ることが課題となっている。

（課題を解決するための手段）本発明者らは上記の如き状況に鑑みｐｐｓとＰＰ５Ｋと
の中間的性質をもちつつ、より低価格でよシ高い耐熱性
を有するｐｐｓとＰＰ５Ｋとの樹脂組成物を得るべく鋭
意検討した結果、使用するＰＰ５Ｋよ）低いメルトフロ
ーレートを有するＰＰＳをブレンドすることによってよ
シ高い耐熱性が得られることを見出し、本発明に至った
ものである。

即ち、本発明は、ポリフェニレンスルフィＰケトン囚と
同一条件下でのメルトフローレートカ該ポリフェニレン
スルフィドケトンよシ低いポリフェニレンスルフィド（
Ｂ）からなる樹脂組成物、および該樹脂組成物を用いて
なる電子部品に関する。

本発明によればＰＰＳとＰＰ５Ｋとの単なるブレンド物
に比較し同一のＰＰ５Ｋ成分量であるにかかわらず、よ
シ高い耐熱性を与える。

される繰シ返し単位を有し、架橋物、未架橋物およびこ
れらの混合物が含まれる。該ＰＰ５Ｋのメルトフローレ
ートはＡＳＴＭ　０１２３８−７４　（３６０℃、５ｋ
ｇ荷重）で１〜４０．（）００＃７１０分であシよル好
ましる繰り返し単位を有し、架橋物、未架橋物およびこ
れらの混合物が含まれる。とくに架橋物は耐熱性を高め
る上で好ましい。該ＰＰＳのメルトフローレートはＡ８
ＴＭ　Ｄ１２３８−７４　（３６０℃、５ゆ荷重）で１
〜３０，０００１Ｉ／１０分であシ、よシ好ましくは２
〜２０．０ＯＯ＃７１０分である。更に本発明において
は、同時に使用するＰＰ８にのメルトフロートよシ同−
温度で比較して低いことが必要であシ、更に好ましくは
同時に使用するＰＰ５Ｋのメルトフローレートよりも２
０％低いことが必要である。逆にＰＰＳのメルトフロー
レートがＰＰ８によシ高いと、ＰＰ５Ｋによる耐熱性改
善効果が弱まシ好ましくない。

本発明のＰＰ５ＫおよびＰＰＳの両者共に、本発明の目
的を損わぬ範囲（０゜１〜３０モルｌでその共重合物、
例えばランダム、ｆロック、グラフト共重合物およびこ
れらの混合物が含まれる。

該共重合物の共重合結合基の具体例としては、フェニル
基、カル−キシル基、カルが７酸の金属が挙げられる。

本発明では、ＰＰ５ＫとＰＰＳとのブレンド１比は、所
望する用途に応じて任意の値をとることができるが、好
ましい範囲け１：９９から９９＝１である。

更に特に好ましい範囲は５：９５から６０：４０である
。

本発明では各種の公知充填材を用いることができ、その
使用割合は本発明組成物において０．１〜８０重量ｇの
範囲であり、よシ好ましくは５〜７０１１［［量係であ
る。該公知充填材として具体的ＫＦｉ、シリカ、ケイ藻
土、アルミナ、酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マ
グネシウム、アンチモン酸。

酸化アンチモン、バリウムフェライト、ストロンチウム
フェライト、酸化ベリリウム、軽石、４！石バルーン、
アルミナ繊維、酸化鉛、酸化ビスマス。

酸化ジルコニウムなどの酸化物；水酸化アルミニウム、
水酸化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウムなどの水
酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ドロマイ
ト、ドーソナイト、炭酸リチウムなどの炭酸塩；硫酸カ
ルシウム、硫酸バリウム、硫酸アンモニウム、亜硫酸カ
ルシウムなどの硫酸又は亜硫酸塩；タルク、クレー、マ
イカ、アスベスト、ガラス繊維、ガラスバルーン、ガラ
スピーズ、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベン
トナイトなどのケイ酸塩：その他力−ボンブラック、グ
ラファイト、炭素繊維２．炭素中空球、鉄粉、銅粉、鉛
粉、アルミニウム粉、硫化モリブデン、ポロン繊維、炭
化ケ９素繊維、ステンレス繊維、黄銅繊維、チタン酸カ
リウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ホウ酸亜鉛、メタホウ
酸バリウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなど
の無機充填材の粒子状、薄片状、繊維状０球状、中空状
物が挙げられる。

更に本発明においては、本発明の目的を損わぬ範囲（本
発明組成物中０．１〜３０を量４）において、その他の
樹脂を添加することができる。該樹脂としては、例えば
、ポリフェニレンエーテル、ボリアリレート、ポリアミ
ド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフ
タレート、ぼりカーゼネート、ポリサルホン、ポリエー
テルサルホン、ポリアリルサルホ／、ポリエーテルケト
ン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレン、−リ
プロピレン、ペリメチルペンテン、芳香族ボリアミド繊
維、芳香族ポリエステルなどの液晶ポリマー　ポリスチ
レン、スチレンブタジェンゴム、エチレンプロピレンゴ
ム、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ポリブテン、
エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリテトラフルオロエチレン、シリコノコ０ムなど
が含まれる。

又、本発明組成物には、公知の添加剤、例えば有機シラ
ン、チタネート、ジルコネート、ジルコ７　Ａ／　ｚネ
ート、アルミニウムキレート化合物系カップリング剤な
どの表面処理剤、酸化防止剤、熱安定剤、腐食防止剤、
滑剤１着色剤、結晶核剤、及びシリコンオイルなどを加
えることができる。

更に本発明組成物は押出機、パンパリ　Ｓキサ−などの
公知混線機械を用いて、２６０〜４２０℃の温度で％溶
融混練し得ることができる。

本発明の組成物は、各種成形品に使用できるが、特Ｋｔ
子部品に用いるのに適する。該電子部品の具体例として
は、ＩＣ、ノーイブリッドＩＣ１トランジスター、ダイ
オード、トリオード、キャノ母ジター　レソスタ、サイ
リスター　コイル、ノ童リスター　フィルター　トラン
ス、サージアブソー／４−モーター　コネクター　トラ
ンスデエーサーフォトカデラー、ホール電子、水晶発撮
器、センサー　ヒユーズ、整流器、電源スイツチ類及び
これらの複合部品などがある。

（発明の効果）本発明組成物は改善された耐熱性を有するため、従来Ｐ
ＰＳで不足していた高耐熱性を要する用途にも使用する
ことができる。その際ＰＰ５Ｋのブレンド量が少なくて
も、耐熱性が優れるために側路的に有利となる。改善さ
れた耐熱性を利用して電子部品の封止材料としても好適
に用いることができる。

注１）　　ＡＳＴＭＤ１２３８・７４（３６０℃、５ｋ
ｇ荷重）数字のあとの０内のＣは酸素架橋品を示す。

注２）組成物中の重量係を示す。

注３）　１０℃ごとのハンダ浴にテストピース（３，２
Ｘ１２．７Ｘ１２．７ｍｍ）をすべて浸漬し、形状変化
を示さない最高の温度を示す。

（実施例８）３６０℃、５ｋＪ？荷重でのメルトフローレートが６０
の酸素架橋されたＰＰＳと同メルトフローレートが２０
０の未架橋のＰＰ５Ｋを７：３の比で４０重量部、ガラ
ス繊維１５重量部、炭酸カルシウム４５重量部を混合、
混練し、実施例１〜７と同様にテストピースを作成した
。該テストピースを用いてハンダ耐熱試験を行ったとこ
ろ、３１０℃のハンダ浴に浸漬して形状変化がなかった
。

（比較例５）実施例８のＰＰ５Ｏ代シに、メルト７０−レートが３０
００の未架橋のＰＰＳを用いて実施例８と同様に行った
ところ、＃組成物によるテストピースは、２９０℃のハ
ンダ浴で形状が変化した。

Claims

【特許請求の範囲】

１．ポリフェニレンスルフィドケトン（Ａ）と、同一温
度条件下でのメルトフローレートが該ポリフェニレンス
ルフィドケトンより低いポリフェニレンスルフィド（Ｂ
）からなる樹脂組成物。
２．ポリフェニレンスルフィド（Ｂ）が架橋構造を有す
るものである請求項第１項記載の樹脂組成物。
３．ポリフェニレンスルフィドケトン（Ａ）とポリフェ
ニレンスルフィド（Ｂ）との重量比が５：９５〜６０：
４０の範囲である請求項第１項および第２項記載の樹脂
組成物。
４．請求項第３項記載の樹脂組成物を用いてなる電子部
品。