JPH02150728A - レーザ光検出装置 - Google Patents
レーザ光検出装置Info
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- JPH02150728A JPH02150728A JP30524588A JP30524588A JPH02150728A JP H02150728 A JPH02150728 A JP H02150728A JP 30524588 A JP30524588 A JP 30524588A JP 30524588 A JP30524588 A JP 30524588A JP H02150728 A JPH02150728 A JP H02150728A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザ光検出装置に関し、特に微弱なレーザ光
パルスを検出するためのレーザ光検出装置に関する。
パルスを検出するためのレーザ光検出装置に関する。
かかる高感度のレーザ光検出装置としてＳｌ型光電子増
倍管が知られている。その量子効率は、レーザレーダ等
に良く用いられているＮｄ：ＹＡＧレーザの発振光波長
１．０６μｍで、０．０１％程度である。
倍管が知られている。その量子効率は、レーザレーダ等
に良く用いられているＮｄ：ＹＡＧレーザの発振光波長
１．０６μｍで、０．０１％程度である。
ところで、レーザレーダ等において、１光子／パルス程
度の微弱なレーザ光を検出したいことがよくある。この
場合、用いるレーザ光検出装置の量子効率をηとすると
、１／η回のパルスを観測する必要がある。上述したよ
うに、従来のレーザ光検出装置は、その量子効率ηが１
に対して数桁小さいので、このように微弱なレーザ光を
検出するためにはきわめて多数回のパルスを観測しなけ
ればならない欠点がある。
度の微弱なレーザ光を検出したいことがよくある。この
場合、用いるレーザ光検出装置の量子効率をηとすると
、１／η回のパルスを観測する必要がある。上述したよ
うに、従来のレーザ光検出装置は、その量子効率ηが１
に対して数桁小さいので、このように微弱なレーザ光を
検出するためにはきわめて多数回のパルスを観測しなけ
ればならない欠点がある。
本発明の目的は、量子効率を等価的に１程度まで向上し
得るレーザ光検出装置を提供することにある。
得るレーザ光検出装置を提供することにある。
本発明のレーザ光検出装置は、レーザ増幅器と、このレ
ーザ増幅器が増幅出力した光を検出する光検知器とを備
えている。
ーザ増幅器が増幅出力した光を検出する光検知器とを備
えている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
第１図に示す実施例はＮｄ：ＹＡＧレーザの出力光であ
る波長１．０６μｍのレーザ光を検出するものである。
る波長１．０６μｍのレーザ光を検出するものである。
検出すべきレーザ光１０１以外の外部の光による雑音出
力を除去するため、光に関係する素子は暗箱１内に収容
されている。
力を除去するため、光に関係する素子は暗箱１内に収容
されている。
レーザ光１０１を暗箱に導入する可視光遮断フィルタ２
が暗箱１の側壁に設けられ、可視光遮断フィルタ２に続
いて、偏光器４．Ｎｄ ：ＹＡＧ結晶５．λ／４板６．
グイクロイックミラー７゜集光レンズ８．レーザダイオ
ード９がほぼ直線状に順次配置されている。又、これら
が配置されている直線とは別の直線にほぼそって、折曲
げミラー１０．偏光器１１．ポッケルスセル１２．偏光
器１３．干渉フィルタ１４．集光レンズ１５゜ピンホー
ル１６．Ｓｌ型光電子増倍管１７が順次配置されている
。レーザダイオード９及びＳｌ型光電子増倍管１７には
ペルチェ素子１８及び１９が取付けられている。
が暗箱１の側壁に設けられ、可視光遮断フィルタ２に続
いて、偏光器４．Ｎｄ ：ＹＡＧ結晶５．λ／４板６．
グイクロイックミラー７゜集光レンズ８．レーザダイオ
ード９がほぼ直線状に順次配置されている。又、これら
が配置されている直線とは別の直線にほぼそって、折曲
げミラー１０．偏光器１１．ポッケルスセル１２．偏光
器１３．干渉フィルタ１４．集光レンズ１５゜ピンホー
ル１６．Ｓｌ型光電子増倍管１７が順次配置されている
。レーザダイオード９及びＳｌ型光電子増倍管１７には
ペルチェ素子１８及び１９が取付けられている。
暗箱１の外部には、レーザダイオード９及びＳｌ型光電
子増倍管１７の電源２０及び２１．ポッケルスセル１２
のドライバ２２．電源２０及びドライバ２２を制御する
タイミングコントローラ２３゜ペルチェ素子１８及び１
９のコントローラ２４及び２５が配置される。
子増倍管１７の電源２０及び２１．ポッケルスセル１２
のドライバ２２．電源２０及びドライバ２２を制御する
タイミングコントローラ２３゜ペルチェ素子１８及び１
９のコントローラ２４及び２５が配置される。
レーザダイオード９は発振光波長的８１０ｎｍ、光出力
２Ｗの励起光を発生する。この励起光は、第１図に点線
で図示したように、集光レンズ８で集束され、ダイクロ
イックミラー７、λ／４板６を通過し、Ｎｄ：ＹＡＧ結
晶５を直径１００μｍ程度の範囲で照射して励起する。
２Ｗの励起光を発生する。この励起光は、第１図に点線
で図示したように、集光レンズ８で集束され、ダイクロ
イックミラー７、λ／４板６を通過し、Ｎｄ：ＹＡＧ結
晶５を直径１００μｍ程度の範囲で照射して励起する。
その結果、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶５は波長１．０６．ｕｍの
レーザ光を増幅するようになる。寄生発振を防ぐため、
Ｎｄ：ＹＡＧ結晶５の端面は、無反射コートを旅すか、
又は、ブルースター角にカットされる。ダイクロイック
ミラー７は、波長８１０ｎｍの励起光は透過するが、波
長１．０６μｍでは全反射になる。なお、ペルチェ素子
１８及びコントローラ２４がレーザダイオード９を恒温
化し、励起光が一定波長に保たれる。
レーザ光を増幅するようになる。寄生発振を防ぐため、
Ｎｄ：ＹＡＧ結晶５の端面は、無反射コートを旅すか、
又は、ブルースター角にカットされる。ダイクロイック
ミラー７は、波長８１０ｎｍの励起光は透過するが、波
長１．０６μｍでは全反射になる。なお、ペルチェ素子
１８及びコントローラ２４がレーザダイオード９を恒温
化し、励起光が一定波長に保たれる。
レーザ光１０１は、可視光遮断フィルタ２．干渉フィル
タ３を通過し、更に偏光器４でＰ偏光成分のみ通過しＮ
ｄ：ＹＡＧ結晶５に入射して増幅され、λ／４板６で円
偏光に変換され、ダイクロイックミラー７で反射され、
λ／４板６でＳ成分の直線偏光に変換され、再びＮｄ：
ＹＡＧ結晶５で増幅される。この増幅出力は、Ｓ成分で
あるから、偏光器４で反射され、折曲げミラー１０で更
に反射され、偏光器１１に入射する。偏光器４゜Ｎｄ：
ＹＡＧ結晶５．λ／４板６．ダイクロイックミラー７、
集光レンズ８．レーザダイオード９は、以上説明したよ
うに、ダブルパスレーザ増幅器を構成している。なお、
可視光遮断フィルタ２及び干渉フィルタ３は、レーザ光
１０１以外の外部の光を阻止するのに用いられている。
タ３を通過し、更に偏光器４でＰ偏光成分のみ通過しＮ
ｄ：ＹＡＧ結晶５に入射して増幅され、λ／４板６で円
偏光に変換され、ダイクロイックミラー７で反射され、
λ／４板６でＳ成分の直線偏光に変換され、再びＮｄ：
ＹＡＧ結晶５で増幅される。この増幅出力は、Ｓ成分で
あるから、偏光器４で反射され、折曲げミラー１０で更
に反射され、偏光器１１に入射する。偏光器４゜Ｎｄ：
ＹＡＧ結晶５．λ／４板６．ダイクロイックミラー７、
集光レンズ８．レーザダイオード９は、以上説明したよ
うに、ダブルパスレーザ増幅器を構成している。なお、
可視光遮断フィルタ２及び干渉フィルタ３は、レーザ光
１０１以外の外部の光を阻止するのに用いられている。
偏光器１１は、折曲げミラー１０から入射した直線偏光
を全部通すように配置される。又、偏光器１３は、ポッ
ケルスセル１２に電圧を印加しないとき、偏光面が偏光
器１１の偏光面と直交するように配置される。ポケット
セル１２に半波長電圧ｖ、７２を印加すると、偏光器１
１を通過した直線偏光はすべて偏光器１３を通過し、電
圧を印加しなければすべて阻止される。従って、偏光器
１１、ポッケルスセル１２．偏光器１３はドライバ２２
の出力電圧で制御される光シャッタとして動作する。こ
の光シャッタを通過した光は、干渉フィルタ１４．集光
レンズ１５．ピンホール１６を通り、Ｓｌ型光電子増倍
管１７で検出され、検出結果が出力１０２として取出さ
れる。なお、干渉フィルタ１４は、レーザダイオード９
の出射光を阻止すると共に、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶５の自然
放出光を帯域制限し、この自然放出光による雑音出力を
低減する。又、レーザ光１０１は、遠方から入射し、干
渉フィルタ３，１４で狭帯域化されるので拡がり角はき
わめて小さい。そのため、集光レンズ１５．ピンホール
１６からなる空間フィルタにより、Ｓｌ型光電子増倍管
１７の視野角を制限し、拡がり角の大きいＮｄ：ＹＡＧ
結晶５の自熱放出光がＳｌ型光電子増倍管１７に入射す
るのを阻止している。更に、ペルチェ阻止１９は、Ｓｌ
型光電子増倍管１７を冷却し、暗電流雑音を低減してい
る。
を全部通すように配置される。又、偏光器１３は、ポッ
ケルスセル１２に電圧を印加しないとき、偏光面が偏光
器１１の偏光面と直交するように配置される。ポケット
セル１２に半波長電圧ｖ、７２を印加すると、偏光器１
１を通過した直線偏光はすべて偏光器１３を通過し、電
圧を印加しなければすべて阻止される。従って、偏光器
１１、ポッケルスセル１２．偏光器１３はドライバ２２
の出力電圧で制御される光シャッタとして動作する。こ
の光シャッタを通過した光は、干渉フィルタ１４．集光
レンズ１５．ピンホール１６を通り、Ｓｌ型光電子増倍
管１７で検出され、検出結果が出力１０２として取出さ
れる。なお、干渉フィルタ１４は、レーザダイオード９
の出射光を阻止すると共に、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶５の自然
放出光を帯域制限し、この自然放出光による雑音出力を
低減する。又、レーザ光１０１は、遠方から入射し、干
渉フィルタ３，１４で狭帯域化されるので拡がり角はき
わめて小さい。そのため、集光レンズ１５．ピンホール
１６からなる空間フィルタにより、Ｓｌ型光電子増倍管
１７の視野角を制限し、拡がり角の大きいＮｄ：ＹＡＧ
結晶５の自熱放出光がＳｌ型光電子増倍管１７に入射す
るのを阻止している。更に、ペルチェ阻止１９は、Ｓｌ
型光電子増倍管１７を冷却し、暗電流雑音を低減してい
る。
第２図は第１図に示す実施例のタイムチャートである。
第２図を参照して第１図に示す実施例の全体の動作につ
いて説明する。
いて説明する。
タイミングコントローラ２３は、レーザ光１０１のパル
ス入射予定時間の約２００μｓ前に、電源２０を制御し
てレーザダイオード９を発振させる。その結果、Ｎｄ：
ＹＡＧ結晶５が励起され、レーザ光１０１に対し利得を
もつようになる。なお、２００μＳはＮｄ：ＹＡＧ結晶
の上準位寿命に相当する時間である。１００ｎｓの時間
幅内でパルス入射予定時間が推定できるものとし、タイ
ミングコントローラ２３は、この約１００ｎｓの間ドラ
イバ２２を制御して、ポッケルスセル１２に半波長電圧
ｖ、／２を印加させる。その結果、この約１００ｎｓの
間だけ（ポッケルスセル１２及び偏光器１１．１３から
なる）光ゲートが開き、Ｓｌ型光電子増幅管１７の出力
１０２は第２図に示すごとくになる。但し、ｖｌはＳｌ
型光電子増倍管１７の暗電流による雑音、Ｖ、−Ｖ、は
Ｎｄ：ＹＡＧ結晶５の自然放出光による雑音、Ｖ３
Ｖ２は入射したレーザ光１０１が（Ｎｄ：ＹＡＧ結晶５
で増幅され）検出された信号成分である。
ス入射予定時間の約２００μｓ前に、電源２０を制御し
てレーザダイオード９を発振させる。その結果、Ｎｄ：
ＹＡＧ結晶５が励起され、レーザ光１０１に対し利得を
もつようになる。なお、２００μＳはＮｄ：ＹＡＧ結晶
の上準位寿命に相当する時間である。１００ｎｓの時間
幅内でパルス入射予定時間が推定できるものとし、タイ
ミングコントローラ２３は、この約１００ｎｓの間ドラ
イバ２２を制御して、ポッケルスセル１２に半波長電圧
ｖ、／２を印加させる。その結果、この約１００ｎｓの
間だけ（ポッケルスセル１２及び偏光器１１．１３から
なる）光ゲートが開き、Ｓｌ型光電子増幅管１７の出力
１０２は第２図に示すごとくになる。但し、ｖｌはＳｌ
型光電子増倍管１７の暗電流による雑音、Ｖ、−Ｖ、は
Ｎｄ：ＹＡＧ結晶５の自然放出光による雑音、Ｖ３
Ｖ２は入射したレーザ光１０１が（Ｎｄ：ＹＡＧ結晶５
で増幅され）検出された信号成分である。
第１図に示す実施例の感度、Ｓ／Ｎについて説明する。
Ｎｄ：ＹＡＧ結晶５による力方向パス利得Ｇは次式の如
くになる。
くになる。
Ｇ＝ｅ ｘ ｐ（Ｎｃｙｊ２）
（１）Ｎ＝ ７７ｏ ・Ｐ−Ｔ／ （ｈ ｖ ｙｒ ａ
Ｊ） （２）Ｎ：反転分布密度 η。：ｆ＃子効率×集光効率（０，４と仮定）Ｐ：レー
ザダイオード９の出力（２Ｗ）Ｔ：レーザダイオード９
のパルス幅（２００μｓ）ａ：レーザダイオード９によ
るＮｄ ：ＹＡＧ結晶５の照射域半径（５０μｍ） １ ： Ｎｄ ：ＹＡＧ結晶５の光軸方向長さ（１ｃｍ
）σ：Ｎｄ：ＹＡＧ誘導放出断面積 （５Ｘ １０−”ｃｎｔ） ｈニブランク定数（６，６Ｘ １０”−”Ｊ−ｓ）シ：
Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光周波数 （２，８Ｘ １０”Ｈｚ） 上記数値を代入すると、Ｎ＝ ｌ ｘ １０ ”／ＣＩ
＋！。
（１）Ｎ＝ ７７ｏ ・Ｐ−Ｔ／ （ｈ ｖ ｙｒ ａ
Ｊ） （２）Ｎ：反転分布密度 η。：ｆ＃子効率×集光効率（０，４と仮定）Ｐ：レー
ザダイオード９の出力（２Ｗ）Ｔ：レーザダイオード９
のパルス幅（２００μｓ）ａ：レーザダイオード９によ
るＮｄ ：ＹＡＧ結晶５の照射域半径（５０μｍ） １ ： Ｎｄ ：ＹＡＧ結晶５の光軸方向長さ（１ｃｍ
）σ：Ｎｄ：ＹＡＧ誘導放出断面積 （５Ｘ １０−”ｃｎｔ） ｈニブランク定数（６，６Ｘ １０”−”Ｊ−ｓ）シ：
Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光周波数 （２，８Ｘ １０”Ｈｚ） 上記数値を代入すると、Ｎ＝ ｌ ｘ １０ ”／ＣＩ
＋！。
Ｇ＝１４８となる。従って、レーザ光１０１の光子１個
に対し、Ｓｌ型光電子増倍管１７へは１×Ｇ２＝２．２
Ｘ１０’個の光子が入射する。Ｓｌ型光電子増倍管１７
の量子効率を０．０１％として、２個の光電子が発生す
るから、雑音による光電子がこれ以下であれば、第１図
に示す実施例は１光子／パルスという微弱なレーザ光１
０１を検出可能である。
に対し、Ｓｌ型光電子増倍管１７へは１×Ｇ２＝２．２
Ｘ１０’個の光子が入射する。Ｓｌ型光電子増倍管１７
の量子効率を０．０１％として、２個の光電子が発生す
るから、雑音による光電子がこれ以下であれば、第１図
に示す実施例は１光子／パルスという微弱なレーザ光１
０１を検出可能である。
Ｎｄ：ＹＡＧ結晶５の自然放出光のうちＳｌ型光電子増
倍管１７に入射する成分は、レーザ光１０１のパルス幅
ｔ、（Ｉｏｎｓとする）当りの光子数にして ２ ｈντ ４π Δλ。
倍管１７に入射する成分は、レーザ光１０１のパルス幅
ｔ、（Ｉｏｎｓとする）当りの光子数にして ２ ｈντ ４π Δλ。
θ：集光レンズ１５．ピンホール１６による空間フィル
タの視野（０，１ｍｒａｄ）ΔλＦ：干渉フィルタ１４
のスペクトル幅（０，１人） ΔλＳ：自然放出光のスペクトル＠（４人）τ：Ｎｄ：
ＹＡＧの上準位寿命 （２００μｓ） である。上記数値を代入すると、３式の数値は１．６５
となり、先に計算した信号成分による光子数より小さい
。Ｓｌ型光電子増倍管１７の暗電流による雑音はＮｄ：
ＹＡＧ結晶５の自然放出光による雑音に対して無視でき
るから、第１図に示す実施例はｌ光子／パルスの微弱な
レーザ光１０１を検出可能な感度、Ｓ／Ｎを有している
。なお、３式における係数１／２は偏光器４が自然放射
光のＳ成分のみを折曲げミラー１０の方へ反射すること
による。
タの視野（０，１ｍｒａｄ）ΔλＦ：干渉フィルタ１４
のスペクトル幅（０，１人） ΔλＳ：自然放出光のスペクトル＠（４人）τ：Ｎｄ：
ＹＡＧの上準位寿命 （２００μｓ） である。上記数値を代入すると、３式の数値は１．６５
となり、先に計算した信号成分による光子数より小さい
。Ｓｌ型光電子増倍管１７の暗電流による雑音はＮｄ：
ＹＡＧ結晶５の自然放出光による雑音に対して無視でき
るから、第１図に示す実施例はｌ光子／パルスの微弱な
レーザ光１０１を検出可能な感度、Ｓ／Ｎを有している
。なお、３式における係数１／２は偏光器４が自然放射
光のＳ成分のみを折曲げミラー１０の方へ反射すること
による。
以上、第１図に示す実施例について説明した。
第１図に示す実施例は端面励起のＮｄ ：ＹＡＧレーザ
増幅器を用いているが、側面励起のＮｄ：ＹＡＧレーザ
増幅器も使用できる。８１０ｎｍの励起先約２５Ｗを約
１ｃｍ長の線状に出力するレーザダイオードが実現され
ている。このレーザダイオードで、シリンドリカルレン
ズを介して、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶を側面励起すれば、先に
述べたよう更に高利得のレーザ増幅器を得ることができ
る。
増幅器を用いているが、側面励起のＮｄ：ＹＡＧレーザ
増幅器も使用できる。８１０ｎｍの励起先約２５Ｗを約
１ｃｍ長の線状に出力するレーザダイオードが実現され
ている。このレーザダイオードで、シリンドリカルレン
ズを介して、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶を側面励起すれば、先に
述べたよう更に高利得のレーザ増幅器を得ることができ
る。
第３図は、本発明の一応用例であるレーザレーダの斜視
図である。
図である。
第３図に示すレーザレーダは、送信光学系Ａと、受信光
学系Ｂと、送信光学系Ａ及び受信光学系Ｂを共通に所定
の方向に向ける走査部Ｃと、Ｎｄ：ＹＡＧレーザにより
１．０６μｍのレーザ光パルスを発生し送信光学系Ａへ
出力する狭帯域レーザ発振装置りと、送信光学系Ａが送
出したレーザ光パルスのエコーを受信光学系Ｂを介して
受信するレーザ光検出装置Ｅと、レーザ光検出装置Ｅの
検出信号を入力する信号処理装置Ｆと、狭帯域レーザ発
振装置りの電源Ｇと、レーザレーダ全体を制御し信号処
理装置Ｆの処理結果を表示する制御表示部Ｈとを備えて
構成されている。第１図に示す実施例をレーザ光検出装
置Ｅとして用いることにより、第３図に示すレーザレー
ダの受信感度を向上できる。
学系Ｂと、送信光学系Ａ及び受信光学系Ｂを共通に所定
の方向に向ける走査部Ｃと、Ｎｄ：ＹＡＧレーザにより
１．０６μｍのレーザ光パルスを発生し送信光学系Ａへ
出力する狭帯域レーザ発振装置りと、送信光学系Ａが送
出したレーザ光パルスのエコーを受信光学系Ｂを介して
受信するレーザ光検出装置Ｅと、レーザ光検出装置Ｅの
検出信号を入力する信号処理装置Ｆと、狭帯域レーザ発
振装置りの電源Ｇと、レーザレーダ全体を制御し信号処
理装置Ｆの処理結果を表示する制御表示部Ｈとを備えて
構成されている。第１図に示す実施例をレーザ光検出装
置Ｅとして用いることにより、第３図に示すレーザレー
ダの受信感度を向上できる。
以上説明したように本発明は、検出すべきレーザ光を増
幅するレーザ増幅器を備え、レーザ光をこのレーザ増幅
器で増幅してから既知の光検知器に入力することにより
、１光子／パルスの微弱なレーザ光パルスでも１回の計
測で検出できる効果がある。
幅するレーザ増幅器を備え、レーザ光をこのレーザ増幅
器で増幅してから既知の光検知器に入力することにより
、１光子／パルスの微弱なレーザ光パルスでも１回の計
測で検出できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
第１図に示す実施例のタイムチャート、第３図は本発明
の一応用例であるレーザレーダの斜視図である。 １・・・・・・暗箱、２・・・・・・可視光遮断フィル
タ、３゜１４・・・・・・干渉フィルタ、４，１１，１
３・・・・・・偏光器、５・・・・・・Ｎｄ：ＹＡＧ結
晶、６・・・・・・λ／４板、７・・・・・・ダイクロ
イックミラー ８，１５・・・・・・集光レンズ、９・
・・・・・レーザダイオード、１０・・・・・・折曲げ
ミラー １２・・・・・・ポッケルスセル、１６・・・
・・・ピンホール、１７・・・・・・Ｓｌ型光電子増倍
管、１８゜１９・・・・・・ペルチェ素子、２０，２１
・・・・・・電源、２２・・・・・・ドライバ、２３・
・・・・・タイミングコントロー５％ ２４．２５・
・・・・・コントローラ。 代理人 弁理士 内 原 晋 ５ｚ図 Ｆ信引勢理競デ ２箭δ 図
第１図に示す実施例のタイムチャート、第３図は本発明
の一応用例であるレーザレーダの斜視図である。 １・・・・・・暗箱、２・・・・・・可視光遮断フィル
タ、３゜１４・・・・・・干渉フィルタ、４，１１，１
３・・・・・・偏光器、５・・・・・・Ｎｄ：ＹＡＧ結
晶、６・・・・・・λ／４板、７・・・・・・ダイクロ
イックミラー ８，１５・・・・・・集光レンズ、９・
・・・・・レーザダイオード、１０・・・・・・折曲げ
ミラー １２・・・・・・ポッケルスセル、１６・・・
・・・ピンホール、１７・・・・・・Ｓｌ型光電子増倍
管、１８゜１９・・・・・・ペルチェ素子、２０，２１
・・・・・・電源、２２・・・・・・ドライバ、２３・
・・・・・タイミングコントロー５％ ２４．２５・
・・・・・コントローラ。 代理人 弁理士 内 原 晋 ５ｚ図 Ｆ信引勢理競デ ２箭δ 図
Claims (1)
- レーザ増幅器と、このレーザ増幅器が増幅した光を検
出する光検知器とを備えたことを特徴とするレーザ光検
出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63305245A JP2785285B2 (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | レーザ光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63305245A JP2785285B2 (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | レーザ光検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02150728A true JPH02150728A (ja) | 1990-06-11 |
| JP2785285B2 JP2785285B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=17942781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63305245A Expired - Lifetime JP2785285B2 (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | レーザ光検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2785285B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5963830A (ja) * | 1982-10-04 | 1984-04-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光信号増幅器 |
| JPS59126696A (ja) * | 1983-01-10 | 1984-07-21 | Nec Corp | 光通信用光増幅装置 |
| JPS60145694A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-08-01 | エステイ−シ− ピ−エルシ− | 光増幅器及び増幅方法 |
| JPH022532A (ja) * | 1988-06-14 | 1990-01-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光増幅モジュール |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP63305245A patent/JP2785285B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5963830A (ja) * | 1982-10-04 | 1984-04-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光信号増幅器 |
| JPS59126696A (ja) * | 1983-01-10 | 1984-07-21 | Nec Corp | 光通信用光増幅装置 |
| JPS60145694A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-08-01 | エステイ−シ− ピ−エルシ− | 光増幅器及び増幅方法 |
| JPH022532A (ja) * | 1988-06-14 | 1990-01-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光増幅モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2785285B2 (ja) | 1998-08-13 |
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