JPH06102086A - レ−ザ計測装置 - Google Patents
レ−ザ計測装置Info
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- JPH06102086A JPH06102086A JP4247800A JP24780092A JPH06102086A JP H06102086 A JPH06102086 A JP H06102086A JP 4247800 A JP4247800 A JP 4247800A JP 24780092 A JP24780092 A JP 24780092A JP H06102086 A JPH06102086 A JP H06102086A
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- laser
- laser light
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は核融合プラズマにおける電子温度
や電子密度を正確に測定することができるようにしたレ
−ザ計測装置を提供することにある。 【構成】 レ−ザ装置21からの直線偏光のパルスレ−
ザ光を反射しその偏光方向に対して90度回転した直線
偏光のレ−ザ光を透過する偏光素子23と、偏光素子で
反射したパルスレ−ザ光の偏光を円偏光にする偏光制御
素子24と、偏光制御素子を透過したパルスレ−ザ光を
反射して偏光制御素子に戻すことで円偏光のパルスレ−
ザ光を最初の状態に比べて90度回転した直線偏光に変
えて偏光素子を透過させる第1の反射ミラ−26と、偏
光素子を透過して被測定体を照射することで一部が散乱
光となった残りのパルスレ−ザ光を反射して偏光素子へ
戻す第2の反射ミラ−33と、レ−ザ装置からのパルス
レ−ザ光の発振と同期して偏光制御素子を駆動制御する
同期調整器27とを具備したことを特徴とする。
や電子密度を正確に測定することができるようにしたレ
−ザ計測装置を提供することにある。 【構成】 レ−ザ装置21からの直線偏光のパルスレ−
ザ光を反射しその偏光方向に対して90度回転した直線
偏光のレ−ザ光を透過する偏光素子23と、偏光素子で
反射したパルスレ−ザ光の偏光を円偏光にする偏光制御
素子24と、偏光制御素子を透過したパルスレ−ザ光を
反射して偏光制御素子に戻すことで円偏光のパルスレ−
ザ光を最初の状態に比べて90度回転した直線偏光に変
えて偏光素子を透過させる第1の反射ミラ−26と、偏
光素子を透過して被測定体を照射することで一部が散乱
光となった残りのパルスレ−ザ光を反射して偏光素子へ
戻す第2の反射ミラ−33と、レ−ザ装置からのパルス
レ−ザ光の発振と同期して偏光制御素子を駆動制御する
同期調整器27とを具備したことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は被測定体としてとくに
核融合プラズマの、とくに電子の温度密度の計測に適用
されるレ−ザ計測装置に関する。
核融合プラズマの、とくに電子の温度密度の計測に適用
されるレ−ザ計測装置に関する。
【0002】
【従来の技術】核融合反応においては、そのときのプラ
ズマの電子密度を測定することが非常に重要であり、従
来は図5に示すLIDAR(Light Detection And Rang
ing )トムソン散乱計測法による測定装置が用いられて
いる。すなわち、図中1はレ−ザ装置である。このレ−
ザ装置1から発振出力されたパルスレ−ザ光Lは第1の
ミラ−2によって反射し、第2のミラ−3に導かれる。
レ−ザ光Lはこの第2のミラ−3で反射し、核融合装置
の真空容器4に導入され、その内部におけるプラズマの
構成成分である、被測定物体としての電子を照射するこ
とで散乱光Sを発生する。電子からの散乱光Sはレンズ
5によってポリクロメ−タ式の分光器6に導入される。
ズマの電子密度を測定することが非常に重要であり、従
来は図5に示すLIDAR(Light Detection And Rang
ing )トムソン散乱計測法による測定装置が用いられて
いる。すなわち、図中1はレ−ザ装置である。このレ−
ザ装置1から発振出力されたパルスレ−ザ光Lは第1の
ミラ−2によって反射し、第2のミラ−3に導かれる。
レ−ザ光Lはこの第2のミラ−3で反射し、核融合装置
の真空容器4に導入され、その内部におけるプラズマの
構成成分である、被測定物体としての電子を照射するこ
とで散乱光Sを発生する。電子からの散乱光Sはレンズ
5によってポリクロメ−タ式の分光器6に導入される。
【0003】上記分光器6は上記散乱光Sをスペクトル
分解する。それによって、上記散乱光Sのドプラ−広が
りと散乱強度を求めることができるから、これらの値か
ら電子密度と電子密度とを算出することができる。
分解する。それによって、上記散乱光Sのドプラ−広が
りと散乱強度を求めることができるから、これらの値か
ら電子密度と電子密度とを算出することができる。
【0004】図6は核融合プラズマにおける空間分解能
が10cmの場合、レ−ザ装置1にアレキサンドライトレ
−ザを用いたときと、ルビ−、YAG、エキシマレ−ザ
を用いたときの電子密度と必要レ−ザエネルギとの関係
を示す。この図から分かるように、電子密度が1×10
19/m-3を測定するためには、レ−ザ装置1の出力は1
J以上が必要である。
が10cmの場合、レ−ザ装置1にアレキサンドライトレ
−ザを用いたときと、ルビ−、YAG、エキシマレ−ザ
を用いたときの電子密度と必要レ−ザエネルギとの関係
を示す。この図から分かるように、電子密度が1×10
19/m-3を測定するためには、レ−ザ装置1の出力は1
J以上が必要である。
【0005】LIDARトムソン散乱計測法の空間分解
能は、計測器の装置係数と、レ−ザ光のパルス幅により
決まる。図7は計測器の応答速度をパラメ−タとした、
レ−ザ光のパルス幅と空間分解能の関係を示す。この図
から分かるように10cm以下の空間分解能を得るために
は、レ−ザ光のパルス幅を300psec 以下にする必要があ
る。
能は、計測器の装置係数と、レ−ザ光のパルス幅により
決まる。図7は計測器の応答速度をパラメ−タとした、
レ−ザ光のパルス幅と空間分解能の関係を示す。この図
から分かるように10cm以下の空間分解能を得るために
は、レ−ザ光のパルス幅を300psec 以下にする必要があ
る。
【0006】ところで、被測定体からの散乱光Sは微弱
であるから、レ−ザ出力が1Jでは図6から明らかなよ
うに、1×1019/m-3以下の電子密度の測定を行うこ
とが困難である。しかしながら、1Jの大出力あるいは
それ以上の出力でレ−ザ装置1を運転すると、そのレ−
ザ装置1に組込まれた光学部品などが早期に熱損するか
ら、長時間の安定的な運転が困難となる。
であるから、レ−ザ出力が1Jでは図6から明らかなよ
うに、1×1019/m-3以下の電子密度の測定を行うこ
とが困難である。しかしながら、1Jの大出力あるいは
それ以上の出力でレ−ザ装置1を運転すると、そのレ−
ザ装置1に組込まれた光学部品などが早期に熱損するか
ら、長時間の安定的な運転が困難となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は核
融合プラズマにおける電子密度を測定する場合、レ−ザ
出力を高くしなければならなかったので、レ−ザ装置が
早期に熱損するなどのことがあった。
融合プラズマにおける電子密度を測定する場合、レ−ザ
出力を高くしなければならなかったので、レ−ザ装置が
早期に熱損するなどのことがあった。
【0008】この発明は上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、出力の低いパルスレ−ザ
光によって電子密度を測定することができるようにした
レ−ザ計測装置を提供することにある。
で、その目的とするところは、出力の低いパルスレ−ザ
光によって電子密度を測定することができるようにした
レ−ザ計測装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に第1の発明は、レ−ザ装置から出力されたパルスレ−
ザ光を被測定体に照射し、この被測定体からの散乱光を
検出するレ−ザ計測装置において、上記レ−ザ装置から
の直線偏光のパルスレ−ザ光を反射しその偏光方向に対
して90度回転した直線偏光のレ−ザ光を透過する偏光
素子と、この偏光素子で反射したパルスレ−ザ光の偏光
を円偏光にする偏光制御素子と、この偏光制御素子を透
過したパルスレ−ザ光を反射して上記偏光制御素子に戻
すことで円偏光のパルスレ−ザ光を最初の状態に比べて
90度回転した直線偏光に変えて上記偏光素子を透過さ
せる第1の反射ミラ−と、上記偏光素子を透過して上記
被測定体を照射することで一部が上記散乱光となった残
りのパルスレ−ザ光を反射して上記偏光素子へ戻す第2
の反射ミラ−と、上記レ−ザ装置からのパルスレ−ザ光
の発振と同期して上記偏光制御素子を駆動制御する同期
駆動手段とを具備したことを特徴とする。
に第1の発明は、レ−ザ装置から出力されたパルスレ−
ザ光を被測定体に照射し、この被測定体からの散乱光を
検出するレ−ザ計測装置において、上記レ−ザ装置から
の直線偏光のパルスレ−ザ光を反射しその偏光方向に対
して90度回転した直線偏光のレ−ザ光を透過する偏光
素子と、この偏光素子で反射したパルスレ−ザ光の偏光
を円偏光にする偏光制御素子と、この偏光制御素子を透
過したパルスレ−ザ光を反射して上記偏光制御素子に戻
すことで円偏光のパルスレ−ザ光を最初の状態に比べて
90度回転した直線偏光に変えて上記偏光素子を透過さ
せる第1の反射ミラ−と、上記偏光素子を透過して上記
被測定体を照射することで一部が上記散乱光となった残
りのパルスレ−ザ光を反射して上記偏光素子へ戻す第2
の反射ミラ−と、上記レ−ザ装置からのパルスレ−ザ光
の発振と同期して上記偏光制御素子を駆動制御する同期
駆動手段とを具備したことを特徴とする。
【0010】第2の発明は、レ−ザ装置から出力された
パルスレ−ザ光を被測定体に照射し、この被測定体から
の散乱光を検出するレ−ザ計測装置において、上記被測
定体からの散乱光をスペクトル分解する分光手段と、こ
の分光手段によってスペクトル分解された光を光電子増
幅する増幅手段と、この増幅手段によって増幅された信
号を積算する積算手段と、上記レ−ザ装置から発振され
たレ−ザ光のパルス数が所定値に達したときに上記増幅
手段へのレ−ザ光の入射を遮断して上記積算手段に積算
された信号を取出す制御手段とを具備したことを特徴と
する。
パルスレ−ザ光を被測定体に照射し、この被測定体から
の散乱光を検出するレ−ザ計測装置において、上記被測
定体からの散乱光をスペクトル分解する分光手段と、こ
の分光手段によってスペクトル分解された光を光電子増
幅する増幅手段と、この増幅手段によって増幅された信
号を積算する積算手段と、上記レ−ザ装置から発振され
たレ−ザ光のパルス数が所定値に達したときに上記増幅
手段へのレ−ザ光の入射を遮断して上記積算手段に積算
された信号を取出す制御手段とを具備したことを特徴と
する。
【0011】
【作用】上記第1の発明によれば、1パルスのレ−ザ光
が第1の反射ミラ−と第2の反射ミラ−との間を往復し
て被測定体を繰り返して照射するから、その繰り返し数
に応じて被測定体からの散乱光の強度が積算されるか
ら、レ−ザ光の出力を上げることなく電子密度を測定で
きる。
が第1の反射ミラ−と第2の反射ミラ−との間を往復し
て被測定体を繰り返して照射するから、その繰り返し数
に応じて被測定体からの散乱光の強度が積算されるか
ら、レ−ザ光の出力を上げることなく電子密度を測定で
きる。
【0012】上記第2の発明によれば、レ−ザ装置から
出力されるパルスレ−ザ光のパルス数が所定の回数とな
るまで、そのパルスレ−ザ光が被測定体を照射すること
で生じる散乱光が積算されるから、レ−ザ光の出力を上
げることなく電子密度を測定できる。
出力されるパルスレ−ザ光のパルス数が所定の回数とな
るまで、そのパルスレ−ザ光が被測定体を照射すること
で生じる散乱光が積算されるから、レ−ザ光の出力を上
げることなく電子密度を測定できる。
【0013】
【実施例】以下この発明の第1の実施例を図1を参照し
て説明する。図1はこの発明のレ−ザ計測装置を示し、
21はたとえば波長649nm のパルスレ−ザ光Lを出力す
るルビ−レ−ザなどのレ−ザ装置である。このレ−ザ装
置21から出力されたパルスレ−ザ光Lは偏光板22を
通過することで直線偏光となって偏光素子23に入射す
る。この偏光素子23は上記レ−ザ装置21からの直線
偏光のレ−ザ光Lを反射し、その偏光方向に対して90
度回転した直線偏光を透過するようになっている。
て説明する。図1はこの発明のレ−ザ計測装置を示し、
21はたとえば波長649nm のパルスレ−ザ光Lを出力す
るルビ−レ−ザなどのレ−ザ装置である。このレ−ザ装
置21から出力されたパルスレ−ザ光Lは偏光板22を
通過することで直線偏光となって偏光素子23に入射す
る。この偏光素子23は上記レ−ザ装置21からの直線
偏光のレ−ザ光Lを反射し、その偏光方向に対して90
度回転した直線偏光を透過するようになっている。
【0014】上記偏光素子23で反射した上記レ−ザ光
Lはポッケルス結晶からなる偏光制御素子24に入射す
る。この偏光制御素子24にはドライバ25が接続さ
れ、このドライバ25によって所定の電圧が印加される
と、直線偏光の上記レ−ザ光Lは45度偏光されて円偏
光となる。円偏光となったレ−ザ光Lは、上記偏光制御
素子24を透過して第1の反射ミラ−26で反射し、こ
の偏光制御素子24に再度、入射する。それによって、
円偏光のレ−ザ光Lは、最初のときに比べて偏光方向が
90度回転した直線偏光となる。
Lはポッケルス結晶からなる偏光制御素子24に入射す
る。この偏光制御素子24にはドライバ25が接続さ
れ、このドライバ25によって所定の電圧が印加される
と、直線偏光の上記レ−ザ光Lは45度偏光されて円偏
光となる。円偏光となったレ−ザ光Lは、上記偏光制御
素子24を透過して第1の反射ミラ−26で反射し、こ
の偏光制御素子24に再度、入射する。それによって、
円偏光のレ−ザ光Lは、最初のときに比べて偏光方向が
90度回転した直線偏光となる。
【0015】上記ドライバ25には同期調整器27が接
続されている。この同期調整器27は上記レ−ザ装置2
1の作動と、上記ドライバ25を駆動して上記偏光制御
素子24へ電圧を印加するタイミングとを後述するごと
く同期させる。
続されている。この同期調整器27は上記レ−ザ装置2
1の作動と、上記ドライバ25を駆動して上記偏光制御
素子24へ電圧を印加するタイミングとを後述するごと
く同期させる。
【0016】上記偏光制御素子24によって最初の状態
に比べて90度回転した直線偏光に変換されたレ−ザ光
Lは上記偏光素子23を透過して導入ミラ−28で反射
し、核融合装置の真空容器29に形成された窓30から
その内部へ入射する。それによって、レ−ザ光Lは、上
記真空容器29内におけるプラズマの構成成分である、
被測定物体としての電子を照射することで散乱する。
に比べて90度回転した直線偏光に変換されたレ−ザ光
Lは上記偏光素子23を透過して導入ミラ−28で反射
し、核融合装置の真空容器29に形成された窓30から
その内部へ入射する。それによって、レ−ザ光Lは、上
記真空容器29内におけるプラズマの構成成分である、
被測定物体としての電子を照射することで散乱する。
【0017】上記電子からの散乱光Sはレンズ31で集
束されてポリクロメ−タ式の分光器32に入射する。こ
の分光器32には、散乱光Sを複数のスペクトル成分に
分光するナイフエッジと、このナイフエッジによって分
光された各スペクトル成分を検出する検出器(ともに図
示せず)とが内蔵されている。それによって、各検出器
からの検出信号で上記散乱光Sのドプラ−広がりと散乱
強度を求め、これらの値から上記真空容器29内の電子
密度や電子温度を算出することができるようになってい
る。
束されてポリクロメ−タ式の分光器32に入射する。こ
の分光器32には、散乱光Sを複数のスペクトル成分に
分光するナイフエッジと、このナイフエッジによって分
光された各スペクトル成分を検出する検出器(ともに図
示せず)とが内蔵されている。それによって、各検出器
からの検出信号で上記散乱光Sのドプラ−広がりと散乱
強度を求め、これらの値から上記真空容器29内の電子
密度や電子温度を算出することができるようになってい
る。
【0018】上記レ−ザ光Lは、その一部が上記電子で
散乱し、残りは上記真空容器29内に配設された第2の
反射ミラ−33で反射して上記導入ミラ−27を経て上
記偏光素子23へ戻り、この偏光素子23を通過する。
散乱し、残りは上記真空容器29内に配設された第2の
反射ミラ−33で反射して上記導入ミラ−27を経て上
記偏光素子23へ戻り、この偏光素子23を通過する。
【0019】上記偏光素子23を通過したレ−ザ光Lは
電圧が印加されていない上記偏光制御素子24に入射す
る。したがって、この偏光制御素子24を通過し、第1
の反射ミラ−26で反射して再度、上記偏光制御素子2
4を通過したレ−ザ光Lは、最初の状態に比べて90度
回転した直線偏光の状態が維持される。そのため、レ−
ザ光Lは上記偏光素子23を通過して真空容器29内へ
再び導入されるから、真空容器29内の電子を照射して
新たな散乱光Sを発生する。つまり、レ−ザ装置21か
ら出力されたレ−ザ光Lは、第1の反射ミラ−26と第
2の反射ミラ−33との間で反射を繰り返して往復し、
真空容器29内に導入される度に電子を照射して散乱光
Sを発生するようになっている。
電圧が印加されていない上記偏光制御素子24に入射す
る。したがって、この偏光制御素子24を通過し、第1
の反射ミラ−26で反射して再度、上記偏光制御素子2
4を通過したレ−ザ光Lは、最初の状態に比べて90度
回転した直線偏光の状態が維持される。そのため、レ−
ザ光Lは上記偏光素子23を通過して真空容器29内へ
再び導入されるから、真空容器29内の電子を照射して
新たな散乱光Sを発生する。つまり、レ−ザ装置21か
ら出力されたレ−ザ光Lは、第1の反射ミラ−26と第
2の反射ミラ−33との間で反射を繰り返して往復し、
真空容器29内に導入される度に電子を照射して散乱光
Sを発生するようになっている。
【0020】このような構成のレ−ザ計測装置によれ
ば、1パルスのレ−ザ光Lが第1の反射ミラ−26と第
2の反射ミラ−33との間を往復し、真空容器29に入
射する度に散乱光Sを発生する。電子からの散乱光Sは
分光器32に内蔵されたナイフエッジによってスペクト
ル分解される。各スペクトル成分は、パルスレ−ザ光L
が往復した回数分、つまり発生した散乱光Sの数に応じ
て積算される。そのため、微弱な散乱光Sであっても、
積算することで測定可能な強度になるから、レ−ザ光L
の出力を高くせずに電子密度や電子温度の測定が行え
る。
ば、1パルスのレ−ザ光Lが第1の反射ミラ−26と第
2の反射ミラ−33との間を往復し、真空容器29に入
射する度に散乱光Sを発生する。電子からの散乱光Sは
分光器32に内蔵されたナイフエッジによってスペクト
ル分解される。各スペクトル成分は、パルスレ−ザ光L
が往復した回数分、つまり発生した散乱光Sの数に応じ
て積算される。そのため、微弱な散乱光Sであっても、
積算することで測定可能な強度になるから、レ−ザ光L
の出力を高くせずに電子密度や電子温度の測定が行え
る。
【0021】また、1パルス当たりのレ−ザ強度を、従
来必要であったレ−ザ光Lの強度に比べ、レ−ザ光Lの
往復回数で割った値まで低下させることが可能となる。
そのため、レ−ザ装置21に組み込まれたり、レ−ザ光
Lの光路に設けられる光学部品が上記レ−ザ光Lによっ
て熱損させられるようなことがなくなる。
来必要であったレ−ザ光Lの強度に比べ、レ−ザ光Lの
往復回数で割った値まで低下させることが可能となる。
そのため、レ−ザ装置21に組み込まれたり、レ−ザ光
Lの光路に設けられる光学部品が上記レ−ザ光Lによっ
て熱損させられるようなことがなくなる。
【0022】図2は上記第1の実施例の真空容器29変
形例を示す。この実施例は真空容器29に一対の窓30
a、30bを形成し、一方の窓30aから入射したレ−
ザ光Lを他方の窓30bから出射させ、この他方の窓3
0bに対向して配設された第2の反射ミラ−33で上記
レ−ザ光Lを反射させて戻すようにした構成である。
形例を示す。この実施例は真空容器29に一対の窓30
a、30bを形成し、一方の窓30aから入射したレ−
ザ光Lを他方の窓30bから出射させ、この他方の窓3
0bに対向して配設された第2の反射ミラ−33で上記
レ−ザ光Lを反射させて戻すようにした構成である。
【0023】図3はこの発明の第2の実施例のレ−ザ計
測装置を示す。この第2の実施例の計測装置は、レ−ザ
装置21から出力されたパルスレ−ザ光Lが反射ミラ−
41および導入ミラ−42で反射して窓30aから真空
容器29に導入される。真空容器29内で電子を照射す
ることで発生した散乱光Sは第1のレンズ43で集束さ
れ、第2のレンズ44で平行光線にされて分光手段であ
る透過型の回析格子45に入射する。
測装置を示す。この第2の実施例の計測装置は、レ−ザ
装置21から出力されたパルスレ−ザ光Lが反射ミラ−
41および導入ミラ−42で反射して窓30aから真空
容器29に導入される。真空容器29内で電子を照射す
ることで発生した散乱光Sは第1のレンズ43で集束さ
れ、第2のレンズ44で平行光線にされて分光手段であ
る透過型の回析格子45に入射する。
【0024】この回析格子45でスペクトル分解された
各スペクトルは、第3のレンズ46でそれぞれのスペク
トルごとに集束されて増幅手段としてのマイクロチャン
ネルプレ−ト47に入射し、光電変換されて増幅された
のち、積算手段としての固体撮像素子48に貯えられ
る。
各スペクトルは、第3のレンズ46でそれぞれのスペク
トルごとに集束されて増幅手段としてのマイクロチャン
ネルプレ−ト47に入射し、光電変換されて増幅された
のち、積算手段としての固体撮像素子48に貯えられ
る。
【0025】上記レ−ザ装置21から出力されるレ−ザ
光Lのパルス数は制御装置49によってカウントされ
る。制御装置49がレ−ザ光Lのパルス数を予め定めら
れた回数だけカウントすると、上記制御装置49から上
記マイクロチャンネルプレ−ト47へ駆動信号が出力さ
れてそれに内蔵された図示しないゲ−トを閉じ、光が入
射するのを遮断する。ついで、上記制御装置49は上記
固体撮像素子48に貯えられた各スペクトルの情報を取
り出し、その情報をもとにして電子密度や電子温度を演
算する。
光Lのパルス数は制御装置49によってカウントされ
る。制御装置49がレ−ザ光Lのパルス数を予め定めら
れた回数だけカウントすると、上記制御装置49から上
記マイクロチャンネルプレ−ト47へ駆動信号が出力さ
れてそれに内蔵された図示しないゲ−トを閉じ、光が入
射するのを遮断する。ついで、上記制御装置49は上記
固体撮像素子48に貯えられた各スペクトルの情報を取
り出し、その情報をもとにして電子密度や電子温度を演
算する。
【0026】上記構成によれば、1パルスのレ−ザ光L
によって発生する散乱光Sが微弱であっても、その散乱
光Sをスペクトル分解することで得られる情報は、制御
装置49に設定されたパルス数分が積算されるから、そ
の強度はパルス数に比例した強度となる。そのため、1
パルス当たりの散乱光Sの強度が微弱であっても、積算
されることで測定可能な強度にできるから、レ−ザ光L
の出力を高くせずに電子密度や電子温度の測定が行え
る。
によって発生する散乱光Sが微弱であっても、その散乱
光Sをスペクトル分解することで得られる情報は、制御
装置49に設定されたパルス数分が積算されるから、そ
の強度はパルス数に比例した強度となる。そのため、1
パルス当たりの散乱光Sの強度が微弱であっても、積算
されることで測定可能な強度にできるから、レ−ザ光L
の出力を高くせずに電子密度や電子温度の測定が行え
る。
【0027】図4(a)は電子密度と時間との関係を示
し、同図にΔTで示す約1秒の間は電子密度がほとんど
変化しないと考えられる。同図(b)は従来のパルスレ
−ザ光Lの強度とパルス幅とを示し、通常は1Jの強度
で、300psec のパルス幅に設定される。このときのレ−
ザ光Lのパルス幅は、図6から分かるように、空間分解
能10cmを得るために、上記300psec 以下にする必要が
ある。
し、同図にΔTで示す約1秒の間は電子密度がほとんど
変化しないと考えられる。同図(b)は従来のパルスレ
−ザ光Lの強度とパルス幅とを示し、通常は1Jの強度
で、300psec のパルス幅に設定される。このときのレ−
ザ光Lのパルス幅は、図6から分かるように、空間分解
能10cmを得るために、上記300psec 以下にする必要が
ある。
【0028】これに対してこの発明は、同図(c)に示
すようにパルス幅300psec 、パルス間隔1msec、出力1
mJのパルス列とした。したがって、1秒の間に1000
回、つまり1kHzの周波数で出力されるパルスレ−ザ
光Lからの散乱光Sを積算すれば、レ−ザ強度1Jの場
合と同等の強度が得られることになる。つまり、レ−ザ
光Lの強度を高くせずに、散乱光Sを確実に検出するこ
とができる強度にできるから、レ−ザ光Lが通る光学部
品を早期に熱損させるのを防止できる。
すようにパルス幅300psec 、パルス間隔1msec、出力1
mJのパルス列とした。したがって、1秒の間に1000
回、つまり1kHzの周波数で出力されるパルスレ−ザ
光Lからの散乱光Sを積算すれば、レ−ザ強度1Jの場
合と同等の強度が得られることになる。つまり、レ−ザ
光Lの強度を高くせずに、散乱光Sを確実に検出するこ
とができる強度にできるから、レ−ザ光Lが通る光学部
品を早期に熱損させるのを防止できる。
【0029】なお、第2の実施ではレ−ザ光Lのパルス
幅を300psec としたが、それに限定されるものでなく、
空間分解能に応じて変化するものである。また、レ−ザ
光Lの繰り返し数も、1kHzに限定されるものでな
い。
幅を300psec としたが、それに限定されるものでなく、
空間分解能に応じて変化するものである。また、レ−ザ
光Lの繰り返し数も、1kHzに限定されるものでな
い。
【0030】
【発明の効果】以上述べたように第1の発明によれば、
レ−ザ光を第1の反射ミラ−と第2の反射ミラ−との間
で繰り返して反射させ、被測定体を照射する度に発生す
る散乱光を積算するようにした。第2の発明は、被測定
体をパルス列によって照射し、各パルス毎に発生する散
乱光を積算するようにした。
レ−ザ光を第1の反射ミラ−と第2の反射ミラ−との間
で繰り返して反射させ、被測定体を照射する度に発生す
る散乱光を積算するようにした。第2の発明は、被測定
体をパルス列によって照射し、各パルス毎に発生する散
乱光を積算するようにした。
【0031】したがって、散乱光の強度が微弱であって
も、積算されることで測定可能な強度に達するから、そ
の測定を確実に行うことができる。つまり、パルスレ−
ザ光の強度を高くせずに、被測定体からの散乱光の測定
を行えるから、レ−ザ光が通過する光学部品を早期に熱
損させるようなことがない。
も、積算されることで測定可能な強度に達するから、そ
の測定を確実に行うことができる。つまり、パルスレ−
ザ光の強度を高くせずに、被測定体からの散乱光の測定
を行えるから、レ−ザ光が通過する光学部品を早期に熱
損させるようなことがない。
【図1】この発明の第1の一実施例を示すレ−ザ計測装
置の構成図。
置の構成図。
【図2】第1の実施例における真空容器の変形例を示す
構成図。
構成図。
【図3】この発明の第2の実施例を示すレ−ザ計測装置
の構成図。
の構成図。
【図4】(a)は電子密度と時間との関係の説明図、
(b)は従来のパルスレ−ザ光の強度とパルス幅の説明
図、(c)はこの発明のパルス列の説明図。
(b)は従来のパルスレ−ザ光の強度とパルス幅の説明
図、(c)はこの発明のパルス列の説明図。
【図5】従来のレ−ザ計測装置の構成図。
【図6】レ−ザエネルギと電子密度との関係を示すグラ
フ。
フ。
【図7】計測器の応答速度をパラメ−タとした空間分解
能とパルス間隔との関係を示すグラフ。
能とパルス間隔との関係を示すグラフ。
21…レ−ザ装置、23…偏光素子、24…偏光制御素
子、26…第1の反射ミラ−、27…同期調整器、33
…第2の反射ミラ−、L…レ−ザ光。
子、26…第1の反射ミラ−、27…同期調整器、33
…第2の反射ミラ−、L…レ−ザ光。
Claims (2)
- 【請求項1】 レ−ザ装置から出力されたパルスレ−ザ
光を被測定体に照射し、この被測定体からの散乱光を検
出するレ−ザ計測装置において、上記レ−ザ装置からの
直線偏光のパルスレ−ザ光を反射しその偏光方向に対し
て90度回転した直線偏光のレ−ザ光を透過する偏光素
子と、この偏光素子で反射したパルスレ−ザ光の偏光を
円偏光にする偏光制御素子と、この偏光制御素子を透過
したパルスレ−ザ光を反射して上記偏光制御素子に戻す
ことで円偏光のパルスレ−ザ光を最初の状態に比べて9
0度回転した直線偏光に変えて上記偏光素子を透過させ
る第1の反射ミラ−と、上記偏光素子を透過して上記被
測定体を照射することで一部が上記散乱光となった残り
のパルスレ−ザ光を反射して上記偏光素子へ戻す第2の
反射ミラ−と、上記レ−ザ装置からのパルスレ−ザ光の
発振と同期して上記偏光制御素子を駆動制御する同期駆
動手段とを具備したことを特徴とするレ−ザ計測装置。 - 【請求項2】 レ−ザ装置から出力されたパルスレ−ザ
光を被測定体に照射し、この被測定体からの散乱光を検
出するレ−ザ計測装置において、上記被測定体からの散
乱光をスペクトル分解する分光手段と、この分光手段に
よってスペクトル分解された光を光電子増幅する増幅手
段と、この増幅手段によって増幅された信号を積算する
積算手段と、上記レ−ザ装置から発振されたレ−ザ光の
パルス数が所定値に達したときに上記増幅手段へのレ−
ザ光の入射を遮断して上記積算手段に積算された信号を
取出す制御手段とを具備したことを特徴とするレ−ザ計
測装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4247800A JPH06102086A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | レ−ザ計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4247800A JPH06102086A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | レ−ザ計測装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06102086A true JPH06102086A (ja) | 1994-04-12 |
Family
ID=17168845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4247800A Pending JPH06102086A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | レ−ザ計測装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06102086A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100946702B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2010-03-12 | 한국기초과학지원연구원 | 광 수집계가 내장된 카세트 |
KR101647062B1 (ko) * | 2016-01-08 | 2016-08-10 | 서강대학교산학협력단 | 다중경로 톰슨 산란을 이용한 플라즈마 진단 시스템 |
KR101647063B1 (ko) * | 2016-01-08 | 2016-08-10 | 서강대학교산학협력단 | 다중 왕복경로 톰슨 산란을 이용한 플라즈마 진단 시스템 |
US10811145B2 (en) | 2016-01-08 | 2020-10-20 | Industry-University Cooperation Foundation Sogang University | Plasma diagnosis system using multiple-path Thomson scattering |
CN114694855A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-07-01 | 核工业西南物理研究院 | 一种用于测量磁约束聚变装置主离子温度的光谱诊断系统 |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP4247800A patent/JPH06102086A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100946702B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2010-03-12 | 한국기초과학지원연구원 | 광 수집계가 내장된 카세트 |
KR101647062B1 (ko) * | 2016-01-08 | 2016-08-10 | 서강대학교산학협력단 | 다중경로 톰슨 산란을 이용한 플라즈마 진단 시스템 |
KR101647063B1 (ko) * | 2016-01-08 | 2016-08-10 | 서강대학교산학협력단 | 다중 왕복경로 톰슨 산란을 이용한 플라즈마 진단 시스템 |
WO2017119551A1 (ko) * | 2016-01-08 | 2017-07-13 | 서강대학교 산학협력단 | 다중경로 톰슨 산란을 이용한 플라즈마 진단 시스템 |
WO2017119552A1 (ko) * | 2016-01-08 | 2017-07-13 | 서강대학교 산학협력단 | 다중 왕복경로 톰슨 산란을 이용한 플라즈마 진단 시스템 |
US10803996B2 (en) | 2016-01-08 | 2020-10-13 | Industry-University Cooperation Foundation Sogang University | Plasma diagnosis system using multiple-reciprocating-pass Thompson scattering |
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CN114694855A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-07-01 | 核工业西南物理研究院 | 一种用于测量磁约束聚变装置主离子温度的光谱诊断系统 |
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