JPH0214900A - 熱処理方法 - Google Patents
熱処理方法Info
- Publication number
- JPH0214900A JPH0214900A JP16403288A JP16403288A JPH0214900A JP H0214900 A JPH0214900 A JP H0214900A JP 16403288 A JP16403288 A JP 16403288A JP 16403288 A JP16403288 A JP 16403288A JP H0214900 A JPH0214900 A JP H0214900A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- oxygen
- yvo4
- heat treatment
- excitation light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 12
- QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N trioxido(oxo)vanadium;yttrium(3+) Chemical compound [Y+3].[O-][V]([O-])([O-])=O QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 9
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 6
- 229910017502 Nd:YVO4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は酸化物単結晶を育成する際、並び励起光により
発生するカラーセンターを酸素雰囲中で、特定の温度保
持条件により減衰させるための熱処理方法に関する。
発生するカラーセンターを酸素雰囲中で、特定の温度保
持条件により減衰させるための熱処理方法に関する。
（従来技術）
ＹＶＯ４並びＮｄ ： ＹＶＯ４は酸素濃度２．０％雰
囲気ガス中でチョクラルスキー法によって単結晶化が行
なわれている。
囲気ガス中でチョクラルスキー法によって単結晶化が行
なわれている。
育成に用いるイリジウム製るつぼの関係で雰囲気ガス中
の酸素濃度をこれ以上高濃度にすることは困難であるた
め、酸素１度がこのように低い状態で単結晶化しなけれ
ばならない。そのため単結晶中に酸素欠陥が発生し光学
材料として問題になるカラーセンターが生じる。
の酸素濃度をこれ以上高濃度にすることは困難であるた
め、酸素１度がこのように低い状態で単結晶化しなけれ
ばならない。そのため単結晶中に酸素欠陥が発生し光学
材料として問題になるカラーセンターが生じる。
（発明が解決しようとする問題点）
チョクラルスキー法によるＹＶＯ４、Ｎｄ：ＹＶＯ４結
晶育成に最適な酸素濃度を確かめるため育成雰囲気中の
酸素濃度を０．１〜２．０％の範囲で種々変えて実験を
行なったところ酸素濃度が２．０％が最良であった。従
って、より高濃度の方が良いことが当然考えられたが、
これ以上育成雰囲気中の酸素濃度を上げることは、育成
に用いるイリジウム製るつぼの消耗が著しく、るつぼの
寿命が短縮されることになるので実行不可能であった。
晶育成に最適な酸素濃度を確かめるため育成雰囲気中の
酸素濃度を０．１〜２．０％の範囲で種々変えて実験を
行なったところ酸素濃度が２．０％が最良であった。従
って、より高濃度の方が良いことが当然考えられたが、
これ以上育成雰囲気中の酸素濃度を上げることは、育成
に用いるイリジウム製るつぼの消耗が著しく、るつぼの
寿命が短縮されることになるので実行不可能であった。
つまり、カラーセンターの発生を抑制する点では不充分
な状況にあった。
な状況にあった。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、チョクラルスキー法で育成したイノトリウム
バナデイト（ＹＶＯ４）単結晶並びに不純物としてネオ
ジムを添加したイットリウムバナデイト （Ｎｄ ：
ＹＶＯ４）単結晶を酸素雰囲気中で１４００°Ｃ以内の
温度で且つ１時間以上保持することで育成中に、あるい
はレーザ素子として使用する際に励起光により発生した
酸素欠陥を補い光学的に有害なカラーセンターを減衰さ
せることを特徴とする。
バナデイト（ＹＶＯ４）単結晶並びに不純物としてネオ
ジムを添加したイットリウムバナデイト （Ｎｄ ：
ＹＶＯ４）単結晶を酸素雰囲気中で１４００°Ｃ以内の
温度で且つ１時間以上保持することで育成中に、あるい
はレーザ素子として使用する際に励起光により発生した
酸素欠陥を補い光学的に有害なカラーセンターを減衰さ
せることを特徴とする。
（作用）
本発明の方法、すなわち電気炉中で酸素濃度１００％に
して温度１２００°Ｃで１０時間保持することで育成中
に生じる酸素欠陥によるカラーセンターを除去できる。
して温度１２００°Ｃで１０時間保持することで育成中
に生じる酸素欠陥によるカラーセンターを除去できる。
本発明は育成中の酸素欠陥並び励起光によるカラーセン
ターのいずれの場合でも有効に作用することを特徴とす
る。
ターのいずれの場合でも有効に作用することを特徴とす
る。
（実施例）
以下、本発明は図面を参照して説明する。
第一図は本発明の熱処理方法による分光吸収特性の変化
を示す図である。チョクラルスキー法によって、育成雰
囲気中の酸素濃度２％でｙｖｏ４ヲ単結晶化シ、１０１
１′ＩＩ＋×１０１′１ｆｆｌ×３０ｒｒＩｍノ試料ヲ
作成して１４００〜２００．ｎ ｍの範囲で分光吸収測
定を行なった。
を示す図である。チョクラルスキー法によって、育成雰
囲気中の酸素濃度２％でｙｖｏ４ヲ単結晶化シ、１０１
１′ＩＩ＋×１０１′１ｆｆｌ×３０ｒｒＩｍノ試料ヲ
作成して１４００〜２００．ｎ ｍの範囲で分光吸収測
定を行なった。
未処理の試料では８００ｎｍ附近より吸光度が増加し始
め、酸素欠陥によるカラーセンターが生じている。この
試料を電気炉中で純酸素を２１／ｍｉｎ流しつづけ、最
高温度１２００°Ｃで１０時間保持したところ、分光吸
収曲線は３のように変化し、約５００ｎｍ附近よりわず
かづつ増加が始まるようになり酸素欠陥によるカラーセ
ンサーは改善されている。更に前記２または３の試料に
キセノンランプからのパルス光（５０ジユルを５０回）
を照射し、光吸収が飽和状態１になった試料を前記の熱
処理条件で処理後、再び吸収測定を行ったところ曲線３
に戻り、カラーセンターが除去できることがわかった。
め、酸素欠陥によるカラーセンターが生じている。この
試料を電気炉中で純酸素を２１／ｍｉｎ流しつづけ、最
高温度１２００°Ｃで１０時間保持したところ、分光吸
収曲線は３のように変化し、約５００ｎｍ附近よりわず
かづつ増加が始まるようになり酸素欠陥によるカラーセ
ンサーは改善されている。更に前記２または３の試料に
キセノンランプからのパルス光（５０ジユルを５０回）
を照射し、光吸収が飽和状態１になった試料を前記の熱
処理条件で処理後、再び吸収測定を行ったところ曲線３
に戻り、カラーセンターが除去できることがわかった。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、高融点中で育成し
た単結晶中の酸素欠陥によるカラーセンター、並びに励
起光によるカラーセンターのいずれも結晶を電気炉中で
雰囲気を純酸素に保ち熱処理することで容易に改善され
る。
た単結晶中の酸素欠陥によるカラーセンター、並びに励
起光によるカラーセンターのいずれも結晶を電気炉中で
雰囲気を純酸素に保ち熱処理することで容易に改善され
る。
第一図は本発明の効果をしらべるための吸収測定の一実
施例の図である。 図中、１．２．３はそれぞれ光吸収が飽和状態、未処理
の状態、本発明の処理を行なった状態の曲線である。
施例の図である。 図中、１．２．３はそれぞれ光吸収が飽和状態、未処理
の状態、本発明の処理を行なった状態の曲線である。
Claims (1)
- イットリウムバナデイト（ＹＶＯ＿４）単結晶あるいは
不純物としてネオジムを添加したイットリウムバナデイ
ト（Ｎｄ：ＹＶＯ＿４）単結晶を酸素雰囲気中で１４０
０℃以内の温度で、且つ１時間以上保持することを特徴
とする熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16403288A JPH0214900A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16403288A JPH0214900A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214900A true JPH0214900A (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=15785515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16403288A Pending JPH0214900A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0214900A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1041004C (zh) * | 1995-08-15 | 1998-12-02 | 中国科学院物理研究所 | 掺镱的钒酸钇激光晶体及其制备方法 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP16403288A patent/JPH0214900A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1041004C (zh) * | 1995-08-15 | 1998-12-02 | 中国科学院物理研究所 | 掺镱的钒酸钇激光晶体及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Shimamura et al. | Growth of Ce-doped LiCaAlF6 and LiSrAlF6 single crystals by the Czochralski technique under CF4 atmosphere | |
| JPH0419200B2 (ja) | ||
| JPH0419199B2 (ja) | ||
| JPH0214900A (ja) | 熱処理方法 | |
| JP2008050240A (ja) | セシウムホウ酸化合物結晶の製造方法及びそれにより得られたセシウムホウ酸化合物 | |
| JPH02283082A (ja) | 同調可能なチタンドープ酸化物レーザー結晶の蛍光を向上させる方法 | |
| EP0067521B1 (en) | Process for maximizing laser crystal efficiency by effecting single site for dopant | |
| JPS63210100A (ja) | 単分域タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| KR960000065B1 (ko) | 티탄산 바륨 단결정의 제조방법 | |
| JP2882351B2 (ja) | 固体レーザ用結晶とその製造方法およびレーザ装置 | |
| JP4575561B2 (ja) | 光学材料の製造方法 | |
| JPS63274694A (ja) | 高品質チタンサフアイヤ単結晶の製造方法 | |
| Guretskii et al. | Growth of lithium triborate single crystals from molten salt solution under various temperature gradients | |
| US11591713B2 (en) | Aluminum oxide, method for manufacturing aluminum oxide and optical component | |
| JP3531254B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2832267B2 (ja) | フォルステライト単結晶およびその製造方法 | |
| JPH05238897A (ja) | 希土類バナデイト単結晶 | |
| RU1440098C (ru) | Способ термообработки монокристаллов дигидрофосфата кали | |
| JPH01169933A (ja) | ＺｎＳｅまたはＺｎＳの化合物結晶の熱処理方法 | |
| JPS6344720B2 (ja) | ||
| RU2261295C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов германия | |
| Kawamura et al. | Characterization of CsLiB6O10 crystal grown in a dry atmosphere | |
| SU1081244A1 (ru) | Способ получени бесцветных монокристаллов молибдата свинца | |
| JPH01242499A (ja) | ＺｎＳｅ単結晶の転位減少法 | |
| RU1526303C (ru) | Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка |