JPH01169933A - ＺｎＳｅまたはＺｎＳの化合物結晶の熱処理方法 - Google Patents
ＺｎＳｅまたはＺｎＳの化合物結晶の熱処理方法Info
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- JPH01169933A JPH01169933A JP62328054A JP32805487A JPH01169933A JP H01169933 A JPH01169933 A JP H01169933A JP 62328054 A JP62328054 A JP 62328054A JP 32805487 A JP32805487 A JP 32805487A JP H01169933 A JPH01169933 A JP H01169933A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はＩｆ−ＶＩ族化合物結晶の熱処理方法に関し、
特にＩＩ−ＶＩ族化合物結晶中の不純物元素を活性化さ
せる等の目的で行なうＩＩ−ＶＩ族化合物結晶の熱処理
において、結晶の構造欠陥等の増加を防止するＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物結晶の熱処理方法に関する。
特にＩＩ−ＶＩ族化合物結晶中の不純物元素を活性化さ
せる等の目的で行なうＩＩ−ＶＩ族化合物結晶の熱処理
において、結晶の構造欠陥等の増加を防止するＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物結晶の熱処理方法に関する。
［従来の技術］
従来、Ｓｉ等の半導体に、ドナー又はアクセプタを作成
するための不純物を、イオンとして打込んだり拡散源か
ら拡散させたりして導入した後、熱処理を行なって該不
純物を活性化させる半導体の熱処理が行なわれている。
するための不純物を、イオンとして打込んだり拡散源か
ら拡散させたりして導入した後、熱処理を行なって該不
純物を活性化させる半導体の熱処理が行なわれている。
該熱処理の条件は、該熱処理中に結晶の構造欠陥等が増
加すると得られる半導体素子の性能が劣化するため、非
常に重要な条件であり、種々の研究が報告されている。
加すると得られる半導体素子の性能が劣化するため、非
常に重要な条件であり、種々の研究が報告されている。
（例えば「エレクトロニクス技術全書８巻「イオン注入
技術」６１〜１０７頁、工業調査会（１９しかしながら
、上記研究報告の大部分は現在の半導体産業で最も一般
的なシリコンに関するものであり、化合物半導体の熱処
理に関するものは少ない。又該化合物半導体の報告にお
いても、その大部分をしめるものはＧ ａ Ａ ｓ ＋
Ｉ ｎ Ｐ等に関する報告であり、ＺｎＳｅ等のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物結晶に関する報告はみられない。
技術」６１〜１０７頁、工業調査会（１９しかしながら
、上記研究報告の大部分は現在の半導体産業で最も一般
的なシリコンに関するものであり、化合物半導体の熱処
理に関するものは少ない。又該化合物半導体の報告にお
いても、その大部分をしめるものはＧ ａ Ａ ｓ ＋
Ｉ ｎ Ｐ等に関する報告であり、ＺｎＳｅ等のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物結晶に関する報告はみられない。
［発明が解決しようとする問題点コ
本発明は、ＺｎＳｅを用いた電気素子（例えば青色発光
素子）等のＩＩ−ＶＩ族化合物を用いた電気素子の製造
において、（イオン注入後の熱処理、電極形成時の熱処
理等その製造工程中で必要とされる熱処理の際） ＩＩ
−ＶＩ族化合物の構造欠陥の増加を防止できるＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物の熱処理方法を提供することを目的とする。
素子）等のＩＩ−ＶＩ族化合物を用いた電気素子の製造
において、（イオン注入後の熱処理、電極形成時の熱処
理等その製造工程中で必要とされる熱処理の際） ＩＩ
−ＶＩ族化合物の構造欠陥の増加を防止できるＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物の熱処理方法を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
って、ＩＩ−ＶＩ族化合物結晶を加熱して熱処理を行な
うＩＩ−ＶＩ族化合物結晶の熱処理方法において、該熱
処理を前記化合物中の■族元素と同じ■族元素の化合物
を含む雰囲気中で行なっている。該ＩＩ−ＶＩ族化合物
結晶としてはＺｎＳｅｓＺｎＳおよびこれらの混晶等の
結晶が例示され、該■族元素としてＺｎを用いたＩＩ−
ＶＩ族化合物結晶の熱処理時には、Ｚｎの化合物を含む
雰囲気中で熱処理される。
って、ＩＩ−ＶＩ族化合物結晶を加熱して熱処理を行な
うＩＩ−ＶＩ族化合物結晶の熱処理方法において、該熱
処理を前記化合物中の■族元素と同じ■族元素の化合物
を含む雰囲気中で行なっている。該ＩＩ−ＶＩ族化合物
結晶としてはＺｎＳｅｓＺｎＳおよびこれらの混晶等の
結晶が例示され、該■族元素としてＺｎを用いたＩＩ−
ＶＩ族化合物結晶の熱処理時には、Ｚｎの化合物を含む
雰囲気中で熱処理される。
該亜鉛の化合物としては、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛
等の亜鉛の有機化合物が好まれて使用される。
等の亜鉛の有機化合物が好まれて使用される。
又該■族元素の化合物を含む雰囲気は、ＩＩ−ＶＩ族化
合物結晶の酸化等を防止するために非酸化性の雰囲気と
される必要があり、特にＮ２．Ａｒ＋Ｈｅ＋ Ｎｅ等の
不活性ガスを用いた不活性ガス雰囲気中に微量の■族化
合物を混合させた雰囲気が好ましい。
合物結晶の酸化等を防止するために非酸化性の雰囲気と
される必要があり、特にＮ２．Ａｒ＋Ｈｅ＋ Ｎｅ等の
不活性ガスを用いた不活性ガス雰囲気中に微量の■族化
合物を混合させた雰囲気が好ましい。
［作 用］
本発明は、例えばＮＩ Ｈｅ、Ａｒ＋ Ｎｅ等の不活性
ガス雰囲気下での加熱によって生じる■−■族化合物結
晶（例えばＺｎＳｅ結晶）の構造欠陥の発生が、表面に
生じる■族元素の空孔発生に基づくものが主であること
に鑑みなされたもので、■族元素の化合物を含む雰囲気
で熱処理を行なうことにより、■族元素の空孔の発生を
防止している。
ガス雰囲気下での加熱によって生じる■−■族化合物結
晶（例えばＺｎＳｅ結晶）の構造欠陥の発生が、表面に
生じる■族元素の空孔発生に基づくものが主であること
に鑑みなされたもので、■族元素の化合物を含む雰囲気
で熱処理を行なうことにより、■族元素の空孔の発生を
防止している。
［実 施 例コ
第２図は本実施例において使用した熱処理装置の概略を
示す断面図である。
示す断面図である。
セレン化亜鉛結晶４は、支持台３上に置かれた後炉心管
６内に設置される。熱処理中は、Ｈ２ガス４１／分にジ
メチル亜鉛を２×１０ モル７分で混合させた混合ガス
を雰囲気用ガスとして気体導入管１から炉心管６に導入
した。（排気口の圧力は常圧とした。）加熱には赤外線
ランプ２を用い、支持台３内に内蔵された熱電対７によ
り温度が測定された。
６内に設置される。熱処理中は、Ｈ２ガス４１／分にジ
メチル亜鉛を２×１０ モル７分で混合させた混合ガス
を雰囲気用ガスとして気体導入管１から炉心管６に導入
した。（排気口の圧力は常圧とした。）加熱には赤外線
ランプ２を用い、支持台３内に内蔵された熱電対７によ
り温度が測定された。
上記条件でセレン化亜鉛結晶が７００°Ｃとなるまで加
熱し、５分間保持した後放冷した。
熱し、５分間保持した後放冷した。
上記熱処理を行なったセレン化亜鉛結晶を用いて発光素
子を作成し、発光光線の分光光度を測定した。その結果
を第１図に示す。
子を作成し、発光光線の分光光度を測定した。その結果
を第１図に示す。
比較例−１
雰囲気ガスとしてＨ２ガスを４１／分流すことに変えた
以外は実施例と同様の条件でセレン化亜鉛結晶を熱処理
した。
以外は実施例と同様の条件でセレン化亜鉛結晶を熱処理
した。
該セレン化亜鉛結晶を用いた発光素子の分光光度を第３
図に示す。第３図からあきらかな通り、本比較例の熱処
理では結晶性が悪化していることを示す自己補償効果に
よる発光（Ｓｅｌｆ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ発光；以後
ＳＡ発光光略称）が強く生じていることがわかる。
図に示す。第３図からあきらかな通り、本比較例の熱処
理では結晶性が悪化していることを示す自己補償効果に
よる発光（Ｓｅｌｆ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ発光；以後
ＳＡ発光光略称）が強く生じていることがわかる。
父上記比較例においては、熱処理温度を７００°Ｃとし
ているが、ＺｎＳｅ結晶は５００°Ｃ以上の熱処理温度
でＨ２雰囲気で処理するとＺｎＳｅの構造欠陥が増加し
てしまうことが確認され、又熱処理時間と共に顕著にな
ることがわかった。そこでＺ ｒｌＳ ｅの熱処理方法
においては５００°Ｃ以上の熱処理に対して本発明の効
果が表われることがわかった。
ているが、ＺｎＳｅ結晶は５００°Ｃ以上の熱処理温度
でＨ２雰囲気で処理するとＺｎＳｅの構造欠陥が増加し
てしまうことが確認され、又熱処理時間と共に顕著にな
ることがわかった。そこでＺ ｒｌＳ ｅの熱処理方法
においては５００°Ｃ以上の熱処理に対して本発明の効
果が表われることがわかった。
また硫化亜鉛結晶の熱処理の場合においては、Ｈ２雰囲
気下において４５０℃以上の熱処理で構造欠陥が増加す
ることが確認され、本実施例と同様の条件で熱処理する
ことでＳＡ発光光抑制できることが確認された。
気下において４５０℃以上の熱処理で構造欠陥が増加す
ることが確認され、本実施例と同様の条件で熱処理する
ことでＳＡ発光光抑制できることが確認された。
また上記実施例においては、結晶の加熱に対し赤外ラン
プを用いているが、該加熱方式は本発明に実質的な影響
を持たず、抵抗加熱、高周波加熱等任意の加熱方法が使
用できる。
プを用いているが、該加熱方式は本発明に実質的な影響
を持たず、抵抗加熱、高周波加熱等任意の加熱方法が使
用できる。
また上記実施例においては、熱処理時の圧力を常圧とし
たが、該雰囲気は減圧状態であってもかまわない。又雰
囲気中の■族元素化合物の濃度も上記実施例にかぎらず
、圧力、共存気体の種類、熱処理温度等に基づき調整さ
れる。
たが、該雰囲気は減圧状態であってもかまわない。又雰
囲気中の■族元素化合物の濃度も上記実施例にかぎらず
、圧力、共存気体の種類、熱処理温度等に基づき調整さ
れる。
［発明の効果コ
本発明によれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物に対するイオン注
入後の熱処理等Ｉｆ−ＶＩ族化合物の高温熱処理が、構
造欠陥の増加することなく行なえ、特性の良好な電子素
子（例えば青色発光素子）を作成することができる。
入後の熱処理等Ｉｆ−ＶＩ族化合物の高温熱処理が、構
造欠陥の増加することなく行なえ、特性の良好な電子素
子（例えば青色発光素子）を作成することができる。
第１図は本発明を用いて７００℃で熱処理したＺｎＳｅ
発光素子の発光光の分光光度を示す図、第２図は実施例
で用いた熱処理装置の概略を示す断面図、第３図はＨ２
雰囲気で７００℃の熱処理したＺｎＳｅ発光素子の発光
光の分光光度を示す図である。 波 長（ｎｍ ） 第１図 第２図
発光素子の発光光の分光光度を示す図、第２図は実施例
で用いた熱処理装置の概略を示す断面図、第３図はＨ２
雰囲気で７００℃の熱処理したＺｎＳｅ発光素子の発光
光の分光光度を示す図である。 波 長（ｎｍ ） 第１図 第２図
Claims (3)
- （１）II−VI族化合物結晶を加熱して熱処理を行なうI
I−VI族化合物結晶の熱処理方法において、該熱処理を
前記化合物中のII族元素と同じII族元素の化合物を含む
雰囲気中で行なうことを特徴とするII−VI族化合物結晶
の熱処理方法。 - （２）該II−VI族化合物がＺｎＳｅ又はＺｎＳ又はこれ
らの混晶ある特許請求の範囲第１項記載のII−VI族化合
物結晶の熱処理方法。 - （３）該II族元素の化合物がジメチル亜鉛又はジエチル
亜鉛である特許請求の範囲第２項記載のII−VI族化合物
結晶の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32805487A JP2583543B2 (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | ＺｎＳｅまたはＺｎＳの化合物結晶の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32805487A JP2583543B2 (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | ＺｎＳｅまたはＺｎＳの化合物結晶の熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01169933A true JPH01169933A (ja) | 1989-07-05 |
| JP2583543B2 JP2583543B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=18205995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32805487A Expired - Lifetime JP2583543B2 (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | ＺｎＳｅまたはＺｎＳの化合物結晶の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2583543B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000046862A1 (fr) * | 1999-02-05 | 2000-08-10 | Japan Energy Corporation | Element fonctionnel de conversion photoelectrique et procede de fabrication correspondant |
| US10488040B2 (en) | 2013-09-04 | 2019-11-26 | Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. | Duct wall surface structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131150U (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-03 | 三洋電機株式会社 | 化合物半導体の熱処理装置 |
| JPS6286830A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Nippon Mining Co Ltd | 化合物半導体の熱処理用器具 |
-
1987
- 1987-12-24 JP JP32805487A patent/JP2583543B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131150U (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-03 | 三洋電機株式会社 | 化合物半導体の熱処理装置 |
| JPS6286830A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Nippon Mining Co Ltd | 化合物半導体の熱処理用器具 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000046862A1 (fr) * | 1999-02-05 | 2000-08-10 | Japan Energy Corporation | Element fonctionnel de conversion photoelectrique et procede de fabrication correspondant |
| US6791257B1 (en) | 1999-02-05 | 2004-09-14 | Japan Energy Corporation | Photoelectric conversion functional element and production method thereof |
| US10488040B2 (en) | 2013-09-04 | 2019-11-26 | Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. | Duct wall surface structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2583543B2 (ja) | 1997-02-19 |
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