SU1256399A1 - Способ обработки кристаллов рубина - Google Patents
Способ обработки кристаллов рубина Download PDFInfo
- Publication number
- SU1256399A1 SU1256399A1 SU843752429A SU3752429A SU1256399A1 SU 1256399 A1 SU1256399 A1 SU 1256399A1 SU 843752429 A SU843752429 A SU 843752429A SU 3752429 A SU3752429 A SU 3752429A SU 1256399 A1 SU1256399 A1 SU 1256399A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- ruby
- crystals
- working
- intensity
- energy
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Изобретение относитс к технолоии получени монокристаллических еществ, а именно к способу обработи кристаллов рубина, используемых квантовой электронике и космичес- 5 ом приборостроении.
Цель изобретени - повьппение ин- тенсивности фотолюминесценции кристаллов рубина.
Предлагаемый способ заключаетс 10 в том, что при облучении высокоэнергетическими электронами в монокристаллах рубина возникают радиационные центры с различной термической устойчивостью . При последующей термообработке температурно-нестабильные дефекты , присутствие которых понижает квантовый выход люминесценгщи рубина, дтжиггиотс ,а оставшиес температурно- устойчивые центры окраски обуславливают возможность дополнительной передачи энергии возбуждени к ионам хрома, что приводит к повьппению интенсивности фотолюминесценции,.
. Выбор условий облучени и отжига обусловлен необходимостью достижени максимального повьшени интенсивности фотолюминесценции кристаллов рубина . При этом облучение электронами с меньше 10
15
20
25
энергией ниже 210 эВ и до дозы
эл/см не приводит к уве30
личеншо интенсивности люминесценции, а при энергии электронов выше 510 э и дозах больше 10 эл/см образуютс сложные структурные дефекты, что приводит к снижению интенсивности люминесценции .
При температурах отжига ниже 300 ° и времени меньше 20 мин не происхо- дит полного,отжига нестабильных дефектов и интенсивность люминесценции падает, а при температурах вьппе 350 с и времени отжига более 30 мин разрушаютс радиационные центры,обеспечивающие повышение интенсивности люминесценции, ,
Пример. Монокристалл рубина , выращенный методом Вернейл и отожженный в вакууме при 1950°С, вырезанный в виде кубика со стороной I см и отполированный обычным методом по двенадцатому классу, облучают на воздухе при комнатной температуре электронами с энергией 510 эВ до дозы 3-10 ал/см. После.этсого облученный кристалл рубина отжигают на воздухе при 300°С в течение 30 мин. Спектр люминесценции обработанного кристалла в области R -линий регистрируют при возбуждении в интервале 290-635 нм,
П р и м е р 2, Исходный монокристалл рубина, полученный аналогично примеру 1, облучают электронами с энергией до дозы 3 10 эл/см в течение 30 мин. Спектры люминесценции полученного образца регистри- руют аналогично примеру 1 ,
В таблице hpивoд тc сравнительные данные по относительной интенсивности фотолюминесценции образцов рубина, обработанных по предла10
15 гаемому способу, образцов .
и исходных
3.12363994
Как видно из приведенних данных, . тпллов в 1,3-3,3 раэа в интенсивность фотолюминесценции об-то врем как интенсивность люминес- ,
работанных по предлагаемому способуценции кристаллов, облученных по изкристаллов рубина превышает интен-вестному способу, в среднем во стольсивность свечени необлученных крис-ко же раз уменьшаетс .
Составитель В.Божевольнов Редактор Л.Курасова Техред :М.Дидык .Корректор М.Шароши
Заказ 5162Тираж 646; Подписное
ВИНИЛИ Государственного комитета СССР .
по делам изобретений и открытий 113035, Москва Ж-35, Раушска наб., д.4/5
Производственно-:-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна , 4
Claims (1)
- СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ РУБИНА, включающий облучение ионизирующим излучением,о т л и чающийся тем, что, с целью повышения интенсивности фотолюминесценции, кристалл облучают потоком электронов с энергией 210* - 5 10 т эВ до доза 101β - 101ί эл/см4 и затем отжигают при 300 - 350аС в течение '20-30 мни.сл оэ со со со1 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU843752429A SU1256399A1 (ru) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | Способ обработки кристаллов рубина |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU843752429A SU1256399A1 (ru) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | Способ обработки кристаллов рубина |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1256399A1 true SU1256399A1 (ru) | 1988-09-15 |
Family
ID=21123546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU843752429A SU1256399A1 (ru) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | Способ обработки кристаллов рубина |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1256399A1 (ru) |
-
1984
- 1984-06-06 SU SU843752429A patent/SU1256399A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Невструев В,Б. Труды ФИАН СССР, Т.79, С.9, 1974. Архайгельский Г.Е. и др. - В сб. Спектроскопи кристаллов. М.: Наука, 1970, с.273-279. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Michel et al. | Impurity enhancement of the 1.54‐μm Er3+ luminescence in silicon | |
| Handelman et al. | The effects of low temperature heat treatments on the conductivity and photoluminescence of CdS | |
| Han et al. | Annealing effects and radiation damage mechanisms of PbWO 4 single crystals | |
| SU1083915A3 (ru) | Способ получени полупроводникового алмаза | |
| US4181627A (en) | High fluorescent efficiency zinc oxide crystals and method of making same | |
| Zanatta et al. | Visible luminescence from a-SiN films doped with Er and Sm | |
| SU1256399A1 (ru) | Способ обработки кристаллов рубина | |
| Baltog et al. | Optical investigations of PbI2 single crystals after thermal treatment | |
| TWI801586B (zh) | 單晶矽基板中的缺陷密度的控制方法 | |
| JPS57100999A (en) | Heat treatment of single crystal of tungstic acid compound | |
| JPS61266394A (ja) | アニ−リングによつてＴｉ：Ａ１↓２Ｏ↓３同調可能レ−ザ−結晶の螢光度を高める方法 | |
| Kishida et al. | The photosensitive optical absorption bands in zn‐treated and neutron‐irradiated znse single crystals | |
| Kristianpoller et al. | On glow curves obtained by ionizing and non‐ionizing radiation | |
| Sastry et al. | Thermoluminescence, Fluorescence, and Optical Absorption Studies on Europium‐Doped Rubidium chloride | |
| Ueta et al. | Thermal Glow Luminescence in Plastically Deformed KCl Crystal irradiated by X-Ray and Ultra Violet Light | |
| Kvapil et al. | The luminescence efficiency of YAG: Ce phosphors | |
| JPH0376129A (ja) | 窒化ホウ素を用いた電子装置の作製方法 | |
| SU1346418A1 (ru) | Способ изготовлени алмазного инструмента | |
| Kovaleva et al. | Formation of color centers in yttrium orthoaluminate crystals | |
| Bryant et al. | Characterization of luminescence centres in neodymium implanted zinc sulphide | |
| JPH01169933A (ja) | ＺｎＳｅまたはＺｎＳの化合物結晶の熱処理方法 | |
| Antoxov et al. | Colour centres in yttrium aluminate crystals activated with transition metal ions | |
| SU1316323A1 (ru) | Способ получени активной среды из кристаллов фторида лити | |
| RU2081950C1 (ru) | Способ окрашивания кристаллов природного берилла и изделий из них | |
| JP3114259B2 (ja) | 新規なＰＬ発光を示すＧａＡｓ結晶とその製造方法 |