Изобретение касаетс метода .изготовлени бесцветных свинцово-молибдатных монокристаллов химическо го состава РЪМоО. Нар ду с примене нием в качестве оптической среды РЬМоО -монокристаллы благодар их очень хорошему эффекту взаимодействи между акустическими волнами и электромагнитным излучением в видимой и ближней инфракрасной области спектра с Д 400-4000 нм наход т разнообразное применение в оптичес ких и акустико-оптических фильтрую . щих приспособлени х, светоотклон ю1ДИХ и накопительных системах высоко емкости и разрешающей способности. Известен способ изготовлени свинцово-молибдатных монокристаллов по методу Чохр льского путем.выращи вани с помощью вращающегос , кристаллографически ориентированного затравочного кристалла из расплава РЬМоО. Дл указанных областей применени необходимо выращивать большие РЬМоО.-монокристаллы приблизительно 30 мм диаметром и 50 мм длиной с безупречной оптической гомогенностью и без внутренних напр жений . Эти услови можно реализовать исход из уровн техники, путем соблюдени оптимальных соотношений смешени исходных субстанций РЬО и MoOj дл исходной смеси расплава при высокой степени чистоты и определенной преимущественной, ориентации зародышевых кристаллов в услови х выращивани , известнь1Х дл метода Чохральского, и с последующей обработкой отжигом при 800-900С дл устранени напр жений. Однако недостаток этого метода состоит в том, что изготовленные, таким образом, кристаллы в большей или меньшей степени окрашены в тона от желтого до оранжевого. Это окрашивание вл етс следствием широкополосной абсорбции с максимумом при 400-430 HMi. Его приписывают образованию ионов РЬ, которое еще усиливаетс в результате концентрации содержащихс в виде следов загр знений , таких например, как соединени железа (образование Fe ). Известные до сих пор методы ограничиваютс дл устранени этого недос татка применением ГЬО и МоО в качестве исходных материалов очень вы сокой степени чистоты {минимально 99,99%) и в ;точном эквимол рном соотношении в исходной смеси расплава Однако и таким образом до сих пор не удалось полностью предотвратить или устранить окрашивание, поскольку истинные причины возникнове ни широкопблосной абсорции между Л :-400 и 500 нм из-за ионов металлов в кристаллической решетке с более высокой валентностью ( РЪ, F др.). очевидно при этом не были устранены. Поскольку с помощью избытка РЬО в исходной смеси можно добитьс осветлени окраски, в каждом случае по вл лись одновременно другие дефекты, такие как образование трещин, помутнени , образование пузырьков в РЬМоО -кристаллах. С другой стороны известны исследовани , в которых вы вилс тот результат, что избыток MoOj или РЬО не оказывает вли ни на окраску РЬМоО -кристаллов. Поэтому все эти методы имеют тот недостаток, что они, помимо неполного успеха, еще и ненадежны по результату . Цель изобретени состоит в устранении окрашивани и мешающих поглощений , возникающих в }ЪМо-04-монокристалл ах. Изобретение должно позволить изготовление бесцветных РЬМо04-монокристаллов путем устранени образовани ионов РЪ 3-«- и других более высоковалентных , абсорбирующихс в видимой области спектра ионов металлов , происход щих из содержащихс в виде следов загр знений (например, Fe).Таким образом, устран ютс предпосылки дл широкополосной области абсорбции в РЪМоО -монокристаллов с максимумом при Л 400-430 нм, котора , в особенности при больших толщинах сло , существенно снижает пропускание ниже теоретического значени , заданного показателем преломлени . С этим, кроме того, св зан тот полезный эффект, что предотвращаиотс локально различные нагревы и вытекающие отсюда влени напр жений в РЪ..оО.-монокристаллах вследствие абсорбированного излучени света. Благодар этому улучшаетс работоспособность соответствующих оптических или акустиско-оптических узлов , в особенности если они пбдвергаютс световой нагрузке, длина волн которой лежит между 400 и 500 нм, что касаетс аргонового ионного лазера (Л 488 нм ). Задачей изобретени вл етс метод изготовлени бесцветных РЬМоО -кристаллов без мешающих абсорбционных полос в области Д 400-4000 нм, не снижа при этом прочие ценные качества, такие как оптическа гомогенность и ненапр женность . При известных способах после ступени выращивани из расплава дл устранени напр жений предпринимаетс последующа обработка выращенных РЪМоО -кристаллов путем отжига при 800-900°С в воздухе и при нормальном давлении. В результате окисл ющего действи , содержащегос в воздухе кислорода, по вл етс возможность возникновени или стабилизации в РЬМоОф-кристаллах ионов РЬ, а также происход щих из загр знений ионов Fe и других, легко мен ющих валентность ионов. Их следует рассматривать в кристаллической решетке как электронные центры дефектов , и в качестве таковых он.и приво д т к мешающим окрашивани м и абсорбционным полосам. Эти выводы подтверждаютс тем фактом, что РЪМоО.-монокристаллы имеют р-электропроводимость, что указывает на них как на окисленные полупроводники. Поэтому задача пред ложенного способа состоит, в частности в таком изменении последующей обработки РЬМоО -монокристалловпутем отжига, которое позвол ет сильное ограчение действи кислс ода или полное исключение его, с целью устранени причин, вызывающих окраску или меыа1ощие абсорбционные полосы в результате наличи ионов более высоких ступеней окислени . Поставленна цель достигаетс тем, что согласно способу получени бесцветных свинцово-молибдатных монокристаллов (РЪМоО) дл оптиТгеских и акустико-оптических целей по методу Чохральского с последующей обработкой отжигом, отжиг осуществл ют в атмосфере инертного газа при нормальном давлении с пар циальным давлением кислорода не более 2 -10 мм рт.ст. или в вакууме при давлении от 1 до 10, преимуще венно 10 3м рт.ст. На фиг. 1 графически изображены крива 1 - зависимость пропускани Е в % от длины волны А РЪМоО кристалла, изготовленного в соотве ствии с уровнем развити техники; крива 2 - зависимость пропускани f в % от длины волны Д РЪМоО кристалла, подвергшегос обжигу в вакууме при 10 мм рт.ст) крива 3. - зависимость улучшени пропускани I от длины волны Л в результате отжига РЪМоО.-кристалла в вакууме при 10 мм рт.ст. в срав нении с уровнем развити техники, на фиг. 2 - кривые 4-6 отображгиот аналогичным образом эффективность отжига РЬМоО.-кристаллов в атмосфе ре аргона. Пример 1. Сущность способ состоит в выращивании РЪМоО -крист ла по методу Чохральского. В плати новом тигле диаметром 35 мм и длиной 70 мм, снабженном дополнительн и основным подогревом, с помощью кристаллографически ориентированно го затравочного кристалла из PbMoO вращающегос с числом оборотов 20 об/мин, при подаче 3 мм/ч выращ ваетсд РЬМоО -монокристалл из расплава РЬМо04 (точка плавлени 106010 , . Атмосфера в аппаратуре Чохральского состоит, как обычно прин то при химически стабильных соединени х , из воздуха при нормальном давлении . После охлаждени со скоростью 8°С/ч между 1060°С и900 С и 20°С/ч между 900°С и 700°С в наличии оптически гомогенный, но.окрашенный в желтый цвет РЬМоО -монокристалл диаметром 25 мм и длиной 60 мм. Если размеры платинового тител выбираютс соответственно больше (диаметр 40-50 мм, длина 70 мм), могут выращиват,ьс и кристаллы диаметром 30-35 IV1M и длиной 60-70 мм. На фиг. 1 (крива 1), изображено пропускание и в % такого кристалла в зависимости от длины волны в диапазоне Л 400-600 нм (толщина сло d 4,45 мм). На следующем этапе способа этот соответствующий уровень развити техники РЬМоО -монокристалл подвергаетс отжигу в трубке из кварцевого стекла в течение 3 ч при 750°С в вакууме при lOl мм рт.ст. 1фисталл находитс при этом в платиновой лодочке . По достижении комнатной температуры после охлаждени со скоростью 40°С/ч имеетс в наличии кристалл совершенно бесцветный и без мешающей абсорбции в диапазоне Л 4004000 нм. На фиг. 1 (крива 2) изображено пропускание Т в % РЪМо04.-моно- кристалл после предложенной способом последующей обработки отжигом в вакууме в зависимости от длины волны в диапазоне от 400 нм до 600 нм (толщина сло d 4,45 мм). Эффективность предложенного способа представлена на фиг. 1 (крива 3 ) путем изобргикени разни1№1 пропускани лТ между кривой 1 (уровень развити техники) и кривой 2 (предложенный способ в зависимости от длины волны в диапазоне от 400 нм до 600 нм. Пример 2. Как описано в первом этапе способа в примере 1, выращив аетс другой РЪМоО -кристалл по методу Чохральского аналогичным образом . На фиг. 2 (крива 4) изображено пропускание и в % такого окрашенного желтым кристалла в зависимости от длины волны в диапазоне Л 400 600 нм (толщина сло d 10,5 мм), На следующем этапе способа этот соответствующий уровню развити техники рьМоО -монокрксталл подэергаетс отжигу в трубке из кварцевого стекла в течение 3 ч при 750°С в атмосфере аргона. Кристалл находитс при этом в платиновой лодочке.
Hadiir. 2 (крива 5 I изображено пропускание f в % РЬМоО -монокристалла после .предложенной способом последующей обработки отжигом в защитном газе (аргон) в зависимости от длины волны в диапазоне от 400 нм до 600 нм (толщина сло d 10,5 мм).
Эффективность предложенного способа представлена на фиг. 2 (крива 6) путем изображени разницы пропускани лТ между кривой 1 (уровень развити техники и кривой 2 (предложенный способ в зависимости длины волны в диапазоне от 400 нм до 600 нм.