CS199432B1 - Způsob temperování monokrystalu. molybdenanu ' olovnatého - Google Patents

Způsob temperování monokrystalu. molybdenanu ' olovnatého Download PDF

Info

Publication number
CS199432B1
CS199432B1 CS267078A CS267078A CS199432B1 CS 199432 B1 CS199432 B1 CS 199432B1 CS 267078 A CS267078 A CS 267078A CS 267078 A CS267078 A CS 267078A CS 199432 B1 CS199432 B1 CS 199432B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
tempering
lead molybdate
crystal
single crystal
crystals
Prior art date
Application number
CS267078A
Other languages
English (en)
Inventor
Walter Bollmann
Original Assignee
Walter Bollmann
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Walter Bollmann filed Critical Walter Bollmann
Publication of CS199432B1 publication Critical patent/CS199432B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Vynález se týká způsobu temperování monokrystalů molybdenanu olovnatého chemického složení PbMoO^, které byly vyrobeny metodou Czochralského za účelem odstranění ruSívéhó zbarvení.
Monokrystaly PbMoO^ nacházejí kromě použití jako optické prostředí na základě svého velmi příznivého Lucemburského jevu mezi akustickými vlnami a elektromagnetickým zářením ye viditelné a blízké infračervené oblasti spektra od λ = 400 až 4000 nm mnohostranným způsobem použití v optických a akustickooptických filtračních zařízeních, ve světelných systémech pro vychylování a v paměťových systémech o vyšší kapacitě a rozlišivosti.
Známý je Způsob výroby monokrystalů molybdenanu olovnatého metodou podle Czochralského růstem rotujícího, krystalograficky orientovaného očka z taveniny PbMoO^. Pro uvedené oblasti použití je nutné pěstovat velké monokrystaly PbMoO^ o průměru asi 30 mm a délce 50mm e dokonalou optickou homogennoští a-bez vnitřních pnutí. Tyto požadavky je možno dodržet za současné technické úrovně při dodržení optimálních mísících poměrů výchozích látek PbO a MoOj ve vsádkové tavenine při vysoké čiatótě a určitým přednostním orientováním zárodečných krystalů za podmínek růstu, které jsóu pro Czochralského metodu známy. Dále následuje zpracování monokrystalů temperováním při 800 až 900 °C
- 2 k odstranění pnutí (Fujitsu SCi. and Techn. J. £, δ. 4, 211-220 (1972))
J. Cryst. GroWth 24/25, 437-440 (1974).
Nevýhoda tohoto postupu však spočívá v tom, že takto vyrobené kryetaly jsou více nebo méně zbarveny žlutě až oranžově. Toto zabarvení je důsledkem širokopáemové absorpce β maximem 400 až 430 nm (Optika i spektroskopija,
14, 312-313, (1963). Připisuje se mezi jiným tvorbě iontů Fb^+ a v mnoha případech je zabarvení ještě intenzivnější v důsledku obohacení o stopové nečistoty, jako jsou na příklad sloučeniny železa (tvorba Fe^+) (Fujitsu Sči and Techn. J., g, č. 4, 226, (1972); J. Appl. Phys., 42, 2163-2164. (1971). Dosud známé postupy k odstranění tohoto nedostatku ee omezují ha použití PbO a MoO^ jako výchozích materiálů ve velmi vysoké čistotě (minimálně 99,99 %) a v přesně ekvimolekulárních směšovacích poměrech v násadě k tavení.
Avšak ani tak se dosud nepodařilo vzniku zabarvení zcela zabránit nebo je odstranit, neboť vlastní příčina pro vznik širokopásmové absorpce mezi‘ λ = 400 a 500 nm, způsobená výšemocnými kovovými ionty v krystalové mřížce (na příklad Pb^+, Fe^+ a pod.), tím evidentně nebyla odstraněna. Pokud při přebytku PbO ve výchozí směsi bylo dosaženo barevného vyjasnění, vyskytovaly se v krystalech PbMoO^ v každém případě ostatní defekty, jako tvoření trhlin zákal, tvoření bublin (Fujitsu Sci. and Techn. J. S,č. 4, 216-218 (1973)) Appl. Phye. Lettera 15, 83» (1969). Na druhé straně jsou známy práce, z jejichž výsledků vyplývá, že se přebytek MoO-j nebo PbO neprojeví na zabarvení krystalů PbMoO^ (J.Cryst. Growth 21, δ. 1, 1-11, (1974). Nedostatek těchtó metod spočívá v tom, že odhlédneme li od částečného úspěchu,' jejich výsledek není spolehlivý.
Cílem vynálezu je odstranit zabarvení a rušivé absorpce vznikající v mo nokrystalech PbMoO^. , ' .
Vynález má umožnit výrobu bezbarvých monokrystalů PbMoO^ zá současného potlačení tvorby iontů Pb^+ a ostatních výšemocných kovových iontů, pocházejících ze stopově obsažených nečistot. Způsobem podle vynálezu se odstraní předpoklady pro širokopásmovou absorpční oblast monokrystalů PbMoO^ s maximem při λ = 400 až 430 nm, která zvláště při větších tloušťkách vrstvy znač ně snižuje propustnost pod teoretickou hodnotu, která je dána indexem lomu.
Dalším užitečným přínosem je odstraněni lokálního rozdílného ohřevu a z toho vznikajícího pnutí v monokrystalech molybdenanu olovnatého v důeled ku absorbovaného světelného záření. Tím se zlepši funkční použitelnost odpovídajících optických, popřípadě opticko-akustických stavebních skupin, zvláš tě pro světlo, jehož vlnová délka leží mezi 400 až 500 run, jaké se například vyskytuje zvláště v případě argonového iontového laseru (lambda =488 nm).
Úkolem vynálezu je objevení způsobu temperování monokrystalů molybdenanu olovnatého, které byly vyrobeny metodou podle Czochralekého, u kterých jsou odstraněny rušivé absorpční pásy v oblasti lambda - 400 až 4000 nm, aniž by došlo ke zhoršení ostatních cenných vlastností, jako je optická homogenita a nepřítomnost pnutí.
199432,
- 3 Při známých postupech se po technologické®; stupni růistu zs<ts«erriny provádí k odstranění pnutí následující zpracovaní narostlých krystalů molybdenanu olovnatého temperováním při teplotě 800>až 900 °C na vzduchua při normálním tlaku. Oxidačním působením kysliku obsazeného' ve vzduchu vzniká možnost, že v krystalech molybdenanu olovnatého vzniknou, popřípadě se stabilisují ionty Pb^4 a rovtíěž ionty Fe^+, pocházející z nečistot, O další ionty, které snadno mění mocenství.
Toto pozorování je podpořeno tím, že monokrystaly molybdenanu olovnatého vykazují p-vodivost, což poukazuje na oxidační polovodiče (Z. f. Chem. 4, 81 - 94 /19640· Úkolem postupu podle vynálezu je především změna následného zpracování monokrystalů PbMoO^ temperováním tak, že působení kyslíku bude tak silně omezeno, popřípadě zcela vyloučeno, aby se odstranily příčiny vedoucí ke zbarvení a ke vzniku rušivých absorpčních pásů v důsledku vzniku vyšších oxidačních stupňů iontů.
Podle vynálezu se úkol řeší způsobem temperování monokrystalů molybdenanu olovnatého pro optické a akusticko-optické účely, vyrobených metodou podle Czochralského, který je vyznačen tím, že še temperování k odstraňování rušivých absorpčních oblastí provádí při teplotě v rozmezí 650 až 850 °C a za parciálního tlaku kyslíku 0 až 26,7 Pa.
Dalším znakem vynálezu je, že se proces temperování provádí v inertní atmosféře, jako například v dusíku nebo vzácných plynech, při normálním tlaku nebo ve vakuu při tlaku v rozmezí 133 až 0,001 Pa, výhodně 0,13 Pa.
Vynález bude blíže objasněn na následujících příkladech provedení. Na obr. 1 značí:
křivka 11 závislost propustnosti tau v % na Vlnové délce lambda krystalu molybdenanu olovnatého, vyrobeného podle současného stavu techniky;
křivka 12 závislost propustnosti tau v %na vlnové délce lambda krystalu molybdenanu olovnatého temperovaného ve vakuu při tlaku 1,33 Pa (příklad 1) ;
křivka 13 závislost zlepšení propustnosti tau na vlnové délce lambda krystalu molybdenanu olovnatého ve vakuu při tlaku 0,13 Pa ve srovnání se současným stavem techniky.
Obr. 2a v něm zobrazené křivky 21, 22, 23 znázorňujíanalogickým způsobem účinnost temperování krystalů v atmosféře argonu.
Přikladl
Prvním krokem postupu je pěstování monokrystalu PbMoO^ metodou podle
Czochralského. V platinovém kelímku o průměru 35 mm a délce 70 mm, ,-opatřeném zařízenímpro ohřev, se s pomocí krystalograficky orientovaného zárodečného krystalu PbMoO^, který rotuje β počtem otáček 20 ot/min, pěstuje monokrystal
- 4 PbMoO^ z taveniny PbMo04 (bod tání 1060 -1065 °C) při rychlosti zdvihu 3 nun/h. Atmosféru v Czochralského aparatuře tvoří vzduch za normálního tlaku, jak je obvyklé u stabilních chemických sloučenin, Po ochlazení rychlostí 8 °C/h v teplotním intervalu 1060 až 900 °C a rychlostí 20 °C/h mezi 900 a 700 °C se získá opticky homogenní, ale žlutě zbarvený monokrystal PbMoO^ o průměru 25 mm a délce 60 mm. Jestliže se zvolí rozměry platinového kelímku odpovídajícím způsobem větší ( průměr 40 až 50 mm, délka 70 mm), je možno připravovat stejným způsobem monokrystaly o průměru 30 až 35 wm a délce 60 až 70 mm.
Na obr. 1 je křivkou 11 znázorněna propustnost v % takového krystalu v závislosti na vlnové délce v oblasti 400 až 600 nm (tloušťka vrstvy d = 4,45 mm). .
V dalším technologickém kroku se tento monokrystal PbMoO^, odpovídající současné úrovni techniky, temperuje v křemenné trubici 3 hodiny při 750 °C ve vakuu při tlaku lO“^ ťorr. Krystal je přitom v platinové lodičce.
Po ochlazení rychlostí 40 °C/h na teplotu místnosti se získá zcela bezbarvý krystal bez rušivých absorpcí v oblasti λ 400 až 4000 nm. .
Na obr. 1 je křivkou 12 znázorněna propustnost T v % monokrystalu PbMoO^ po zpracování způsobem podle vynálezu vakuovým temperováním v závislosti na vlnové délce v oblasti 400 až 600 nm (tloušťka vrstvy d = 4,45 mm).
Účinnost postupu podle vynálezu je doložena na obr. 1 křivkou 13, znázorněním rozdílů propustnosti A V mezi křivkou 11 současný stav techniky a křivkou 12 (způsob podle vynálezu) v závislosti na vlnové délce v oblasti 400 až 600 nm.
Příklad 2
Stejným způsobem, jaký je popsán v prvním technologickém kroku příkladu 1, se vypěstuje další krystal PbMoO^ podle Czochralského metody.
Na Obr. 2 je křivkou 21 znázorněna propustnost V v % takového žlutě zbarveného krystalu v závislosti na vlnové délce v oblasti od λ = 400 až 600 nm tloušťka vrstvy 10,5 mm . V následujícím technologickém kroku se tento monokrystal PbMoOodpovídající současnému stavu techniky, temperuje v křemenné trubici 3 hodiny při teplotě 750 °C v atmosféře argonu. Krystal je přitom v platinové lodičce.
Na obr. 2 je křivkou 22 znázorněna propustnost £* v % monokrystalu PbMoO^ po zpracování způsobem podle vynálezu temperováním v atmosféře ochranného plynu (Ar) v závislosti na vlnové délce v oblasti 400 až 600 nm (tlošťka vrstvy 10,5 mm).
Účinnost postupu podle vynálezu je doložena na obr. 2 křivkou 23, znázorněním rozdílů propustnosti Δ T mezi křivkou 11 (současný stav techniky) a křivkou 12 způsob podle vynálezu v závislosti na vlnové délce v oblasti 400 až 600 nm.
, OPRAVA ...
popisu vynálezu k autorskému osvědčení č.139 432 (51) Int. Cl3 — B 01 J 17/00
V popisu vynálezu k autorskému osvědčení č. 199 432 má být v záhlaví:
Správné: „(32) (31) (33) Právo: přednosti od 27 04 77 ' (WP B Olí J/198 612) . Německá demokratická republika“
ÚŘAD PRO VYNÁLEZY A OBJEVY

Claims (1)

  1. Předmět vynálezu
    Způsob temperování monokrystalů molybdenanu olovnatého získaných metodou podle Czochralského, vyznačený tím, že se temperování provádí při teplotě v rozmezí 650 až 850 °C zaparciálního tlaku kyslíku v rozmezí O až 26,7 Pa, který je nastaven atmosférou dusíku nebo vzácného plynu při normálním tlaku nebo pomoci vakua při tlaku 133 až 0,001 Pa, výhodně při 0,13 Pa.
CS267078A 1977-04-27 1978-04-25 Způsob temperování monokrystalu. molybdenanu ' olovnatého CS199432B1 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD19861277A DD134423A3 (de) 1977-04-27 1977-04-27 Verfahren zur herstellung farbloser bleimolybdat-einkristalle

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS199432B1 true CS199432B1 (cs) 1980-07-31

Family

ID=5508150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS267078A CS199432B1 (cs) 1977-04-27 1978-04-25 Způsob temperování monokrystalu. molybdenanu ' olovnatého

Country Status (3)

Country Link
CS (1) CS199432B1 (cs)
DD (1) DD134423A3 (cs)
SU (1) SU1081244A1 (cs)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59232995A (ja) * 1983-06-10 1984-12-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 引上単結晶の冷却方法

Also Published As

Publication number Publication date
DD134423A3 (de) 1979-02-28
SU1081244A1 (ru) 1984-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69611189T2 (de) Planarer Wellenleiter und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0241614B1 (en) Process for enhancing ti:al2o3 tunable laser crystal fluorescence by controlling crystal growth atmosphere
DE69414652T2 (de) Verbessertes Verfahren zur Bildung von Siliconkristallen
Erdei et al. Growth studies of YVO4 crystals (II). Changes in Y V O‐stoichiometry
CS199432B1 (cs) Způsob temperování monokrystalu. molybdenanu &#39; olovnatého
EP0328073B1 (en) Processes for enhancing fluorescence of ti:a12o3 tunable laser crystals
US4587035A (en) Process for enhancing Ti:Al2 O3 tunable laser crystal fluorescence by annealing
EP1219724B1 (de) Aufdampfmaterial zur Herstellung hochbrechender optischer Schichten
EP0374880B1 (en) Processes for enhancing fluorescence of tunable titanium-doped oxide laser crystals
CN113151899A (zh) 一种光功能晶体硼酸钙氧钬及其生长方法与应用
CS209657B1 (en) Method of making the colourless monocrystals of the plumbate molybdate
US5599751A (en) Alkaline earth modified germanium sulfide glass
JPS63210100A (ja) 単分域タンタル酸リチウム単結晶の製造方法
US20040089024A1 (en) Preparation of high purity, low water content fused silica glass
JPH07101800A (ja) 1−lll−VI2 族化合物単結晶の製造方法
JPH042558B2 (cs)
CZ306642B6 (cs) Způsob zvýšení luminiscenční účinnosti titanem dopovaného oxidového krystalu
JP2588632B2 (ja) シリコン単結晶の酸素析出方法
CN121451296A (zh) 一种钼铬酸锂单晶、其制备方法及滤光片
CN119038874A (zh) 低羟基光学玻璃的制备方法
EP3438332B1 (en) Optical component comprising aluminum oxide
JP3617128B2 (ja) 化合物半導体単結晶の熱処理方法
JPH0214900A (ja) 熱処理方法
DE102005043398A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Titan-Saphir-Laserkristalls
JP2000072596A (ja) 偏光素子用イットリウムバナデイト単結晶およびその製造方法