JPH02146774A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02146774A JPH02146774A JP30173888A JP30173888A JPH02146774A JP H02146774 A JPH02146774 A JP H02146774A JP 30173888 A JP30173888 A JP 30173888A JP 30173888 A JP30173888 A JP 30173888A JP H02146774 A JPH02146774 A JP H02146774A
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- JP
- Japan
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- oxide film
- field oxide
- sides
- impurity diffusion
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＭＯ３型半導体装置に関する。
本発明は、ゲート酸化膜の両側にフィールド酸化膜を設
け、さらにフィールド酸化膜の両側からフィールド酸化
膜直下の領域とゲート酸化膜直下の領域の一部にまで延
在する不純物拡散領域を設けたことにより、高耐圧のト
ランジスタを少ないマスク数で、かつフィールド酸化膜
に対してセルフアライメント的に形成することを可能と
したものである。
け、さらにフィールド酸化膜の両側からフィールド酸化
膜直下の領域とゲート酸化膜直下の領域の一部にまで延
在する不純物拡散領域を設けたことにより、高耐圧のト
ランジスタを少ないマスク数で、かつフィールド酸化膜
に対してセルフアライメント的に形成することを可能と
したものである。
従来、第２図に示したように、アクティブ領域に半導体
基板１と逆導電型の低濃度不純物領域５をゲート電極８
に対してセルフアライメント的に形成し、マスクを用い
てゲート電極８に対してオフセントに半導体基板１と逆
導電型の高濃度不純物領域７を形成していた。なお、２
はフィールド酸化膜、５は低濃度不純物領域、６はゲー
ト酸化膜、７は高濃度不純物領域である。
基板１と逆導電型の低濃度不純物領域５をゲート電極８
に対してセルフアライメント的に形成し、マスクを用い
てゲート電極８に対してオフセントに半導体基板１と逆
導電型の高濃度不純物領域７を形成していた。なお、２
はフィールド酸化膜、５は低濃度不純物領域、６はゲー
ト酸化膜、７は高濃度不純物領域である。
しかし、従来の技術では、半導体基板と逆導電型の低濃
度不純物領域と高濃度不純物領域を形成するために少な
くとも２種のマスクを必要とするためコスト高になり、
またゲート電極と高濃度不純物領域とのマスクずれによ
り電圧伝達率が不安定になるという欠点を持っていた。
度不純物領域と高濃度不純物領域を形成するために少な
くとも２種のマスクを必要とするためコスト高になり、
またゲート電極と高濃度不純物領域とのマスクずれによ
り電圧伝達率が不安定になるという欠点を持っていた。
以上に述べた課題を解決するために、本発明では、フィ
ールド酸化膜の両側からフィールド酸化膜直下の領域と
さらにゲート酸化膜直下の領域の一部にまで延在する不
純物拡散領域を形成した。
ールド酸化膜の両側からフィールド酸化膜直下の領域と
さらにゲート酸化膜直下の領域の一部にまで延在する不
純物拡散領域を形成した。
上記のごとく形成された不純物拡散領域を有する半導体
装置は、低コスト化を電圧伝達率の安定化が実現できる
。
装置は、低コスト化を電圧伝達率の安定化が実現できる
。
したがって、高耐圧トランジスタの低価格化および信頼
性の向上を可能とした。
性の向上を可能とした。
本発明の実施例を図面に暴づいて詳細に説明する。第１
図（ａｌ〜Ｆｄｌは、本発明のＭＯ３型半導体装置を製
造するときの工程をｎチャネル形を例にとって示したも
のである。第１図（ａｌに示した工程で、Ｐ形半導体基
板１の表面付近に、素子分離用のフィールド酸化膜２を
形成する。次に第１図（ｂ）に示した工程で、全面に保
護膜を形成した後、フォトリソグラフィー技術を用いて
第１のマスクで窓開けし、この領域にＰ”、Ａｓ“、ｓ
ｂ＋等のｎ型ドーパントのイオン注入を行い、ｎ形不純
物領域５ａを形成する。次に第１図（Ｃ）に示した工程
で、ｎ形不純物領域５ａを長時間の拡散によりｎ形不純
物拡散領域５とした後、再び第１のマスクで窓開けし、
Ｐ” 、Ａｓ’ 、Ｓｂ”等のｎ形ドーパントのイオン
注入、拡散によりｎ形高濃度不純物領域７を形成し、ゲ
ート酸化膜６を設けた後、全面に多結晶シリコン膜を堆
積し、パターニングしてゲート電極８を形成する。この
後は図示しないが全面をＣＶＤ酸化膜で被い、コンタク
トホールをあけて必要な金属配線をして完成する。
図（ａｌ〜Ｆｄｌは、本発明のＭＯ３型半導体装置を製
造するときの工程をｎチャネル形を例にとって示したも
のである。第１図（ａｌに示した工程で、Ｐ形半導体基
板１の表面付近に、素子分離用のフィールド酸化膜２を
形成する。次に第１図（ｂ）に示した工程で、全面に保
護膜を形成した後、フォトリソグラフィー技術を用いて
第１のマスクで窓開けし、この領域にＰ”、Ａｓ“、ｓ
ｂ＋等のｎ型ドーパントのイオン注入を行い、ｎ形不純
物領域５ａを形成する。次に第１図（Ｃ）に示した工程
で、ｎ形不純物領域５ａを長時間の拡散によりｎ形不純
物拡散領域５とした後、再び第１のマスクで窓開けし、
Ｐ” 、Ａｓ’ 、Ｓｂ”等のｎ形ドーパントのイオン
注入、拡散によりｎ形高濃度不純物領域７を形成し、ゲ
ート酸化膜６を設けた後、全面に多結晶シリコン膜を堆
積し、パターニングしてゲート電極８を形成する。この
後は図示しないが全面をＣＶＤ酸化膜で被い、コンタク
トホールをあけて必要な金属配線をして完成する。
この発明は以上の説明で明らかなように、ＭＯ８型半導
体装置において、フィールド酸化膜の両側からフィール
ド酸化膜直下の領域とさらにゲー酸化膜直下の領域の一
部にまで延在する不純物拡散領域を形成することによっ
て、ソース、ドレイン耐圧の高耐圧化とコスト数が削減
されることによる低コスト化とまたセルフアライメント
が用いられることによる特性の安定化という効果を有す
る。したがって本発明は、信頼性の向上を可能にしたも
のである。
体装置において、フィールド酸化膜の両側からフィール
ド酸化膜直下の領域とさらにゲー酸化膜直下の領域の一
部にまで延在する不純物拡散領域を形成することによっ
て、ソース、ドレイン耐圧の高耐圧化とコスト数が削減
されることによる低コスト化とまたセルフアライメント
が用いられることによる特性の安定化という効果を有す
る。したがって本発明は、信頼性の向上を可能にしたも
のである。
６・・・ゲート酸化膜
７・・・ｎ形高濃度不純物領域
８・・・ゲート電極
以上
出願人 セイコー電子工業株式会社
代理人 弁理士 林 敬 之 助
第１図（ａｌ〜（ｄ）は、本発明のＭＯ３型半導体装置
を製造するときの工程順を示す断面図で、第２図は従来
のＭＯ３型半導体装置の断面図である。 ・Ｐ形半導体基板 フィールド酸化膜 フォトレジスト 保護膜 ｎ形不純物領域 ｎ形不純物拡散領域 １ ・ ・ ２ ・ ・ ３ ・ ・ ・ ４ ・ ・ ・ ５ ａ ・ ・ ５ ・ ・ ・
を製造するときの工程順を示す断面図で、第２図は従来
のＭＯ３型半導体装置の断面図である。 ・Ｐ形半導体基板 フィールド酸化膜 フォトレジスト 保護膜 ｎ形不純物領域 ｎ形不純物拡散領域 １ ・ ・ ２ ・ ・ ３ ・ ・ ・ ４ ・ ・ ・ ５ ａ ・ ・ ５ ・ ・ ・
Claims (1)
- 半導体基板表面付近にゲート酸化膜を設け、前記ゲート
酸化膜の両側にフィールド酸化膜を間隔をあけずに設け
、前記ゲート酸化膜の上方と、前記両側のフィールド酸
化膜の上方の一部との間に間隔をあけずにゲート電極を
設け、前記両側のフィールド酸化膜直下の領域から前記
ゲート酸化膜の両端付近直下の領域の一部にそれぞれ延
在する第１と第２の不純物拡散領域を設け、前記第１と
第２の不純物拡散領域の表面部分に前記半導体基板と逆
導電型の高濃度不純物領域を設けたことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30173888A JPH02146774A (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30173888A JPH02146774A (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02146774A true JPH02146774A (ja) | 1990-06-05 |
Family
ID=17900570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30173888A Pending JPH02146774A (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02146774A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102478A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-11-28 JP JP30173888A patent/JPH02146774A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102478A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Nec Corp | 半導体装置 |
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