JPH02135906A - 低歪増幅器 - Google Patents
低歪増幅器Info
- Publication number
- JPH02135906A JPH02135906A JP29049788A JP29049788A JPH02135906A JP H02135906 A JPH02135906 A JP H02135906A JP 29049788 A JP29049788 A JP 29049788A JP 29049788 A JP29049788 A JP 29049788A JP H02135906 A JPH02135906 A JP H02135906A
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- modulation distortion
- detection diode
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- amplifier
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- Pending
Links
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 7
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
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- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
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- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、信号の混変調歪を低減する機能を有する低
歪増幅器に関するものである。
歪増幅器に関するものである。
第２図は従来の低歪増幅器を示す構成図の一実施例であ
り２図中（Ｉａｌ （Ｉｂ）は第１及び第２の電界効果
トランジスタ（以下ＦＥＴと称するｌ、（２１１よ化け
端子、（３）はＦ Ｅ Ｔ （Ｉａ）と（１ｂ）ノ間を
直流的ニ分離するブロックコンデンサ、（４）はＦ Ｅ
Ｔ ｔｌ）にバイアスを供給ずろバイアス端子、（５
）はバイアス端子（４）にＦ Ｅ Ｔ （１１から信号
周波数が洩れないようにするチョーク、（６１はＦ Ｅ
Ｔ （Ｉｂｌのバイアス端子（４ｃ）とチョーク（５
Ｃ）の間に接続された帰還抵抗、（７１は帰ｌｉｉ抵抗
（６）と接地間に接続されたバイパスコンデンサである
。
り２図中（Ｉａｌ （Ｉｂ）は第１及び第２の電界効果
トランジスタ（以下ＦＥＴと称するｌ、（２１１よ化け
端子、（３）はＦ Ｅ Ｔ （Ｉａ）と（１ｂ）ノ間を
直流的ニ分離するブロックコンデンサ、（４）はＦ Ｅ
Ｔ ｔｌ）にバイアスを供給ずろバイアス端子、（５
）はバイアス端子（４）にＦ Ｅ Ｔ （１１から信号
周波数が洩れないようにするチョーク、（６１はＦ Ｅ
Ｔ （Ｉｂｌのバイアス端子（４ｃ）とチョーク（５
Ｃ）の間に接続された帰還抵抗、（７１は帰ｌｉｉ抵抗
（６）と接地間に接続されたバイパスコンデンサである
。
従来の増幅器の中でも特に高レベル信号増幅を行う増幅
器において（よＦＥＴを用いた増幅器が。
器において（よＦＥＴを用いた増幅器が。
ＦＥＴ増幅器と対立する立場を有する進行波管増幅器な
どに比べて数々の利点を有ずろため、その利用度が高ま
りつつある。利点としては、低位相部・低飽和特性によ
る低屁変調歪、固体化による信頼性向上、小形・軽量化
があげられる。そして利用分野として、上記利点を生か
すことができろマイクロ波帯の通信装置が大きな位置を
占めている。第１図の増幅器は、上述中の低混変７Ａ歪
特性を更に改善することができろもので、帰還抵抗（６
）を用いてＦ Ｅ Ｔ （Ｉｂ）の飽和時に流れるゲー
ト電流ΔＩｇを電圧変化へ■にとして捕え、ＦＥＴ（ｌ
ｂ）のゲート電圧に帰還をかけるものである。これを第
３図を用いて説明する。
どに比べて数々の利点を有ずろため、その利用度が高ま
りつつある。利点としては、低位相部・低飽和特性によ
る低屁変調歪、固体化による信頼性向上、小形・軽量化
があげられる。そして利用分野として、上記利点を生か
すことができろマイクロ波帯の通信装置が大きな位置を
占めている。第１図の増幅器は、上述中の低混変７Ａ歪
特性を更に改善することができろもので、帰還抵抗（６
）を用いてＦ Ｅ Ｔ （Ｉｂ）の飽和時に流れるゲー
ト電流ΔＩｇを電圧変化へ■にとして捕え、ＦＥＴ（ｌ
ｂ）のゲート電圧に帰還をかけるものである。これを第
３図を用いて説明する。
第３図は混変調歪を説明する図であり、第２図の増幅器
にｆｌとｆ２の信号を入力した場合のスペクトラム例を
示す。増幅器にｆｌとｆ２の同レベル信号を入力した場
合、若し増幅器が少しでも非線形特性を示せばｒ ｆ３
＋ｆｚ’＋’ｓ、ｆｓ’ノヨウナス”７”Ｊ ７スが発
生する。これを混変調歪と呼び、各周波数の間隔ばｆ、
−ｆ□であるΔｆに等しい。ここで増幅器としてはｆ、
、 ｆ２の他の信号との振幅比が大きいこと２つまり第
３図のＤ／Ｌが大きいことが望ましい。
にｆｌとｆ２の信号を入力した場合のスペクトラム例を
示す。増幅器にｆｌとｆ２の同レベル信号を入力した場
合、若し増幅器が少しでも非線形特性を示せばｒ ｆ３
＋ｆｚ’＋’ｓ、ｆｓ’ノヨウナス”７”Ｊ ７スが発
生する。これを混変調歪と呼び、各周波数の間隔ばｆ、
−ｆ□であるΔｆに等しい。ここで増幅器としてはｆ、
、 ｆ２の他の信号との振幅比が大きいこと２つまり第
３図のＤ／Ｌが大きいことが望ましい。
第３図において、上記のｆ、、 ｆ２近傍の周波数の他
に△ｆ、２Δｆ、−ｎ△ｆという信号がビート成分とし
て発生する。このビート成分の中、レベルが最大となる
△ｆを利用して混変調歪を低減するのが第２図であり、
チョーク（５Ｃ）が△ｒに対して作用せぬように設定す
ればゲート電流△［ｇはΔ「て振動し、よって△ｖｇも
Δｆで振動する。この時・バイパスコンデンサ（７）は
上記の振動を円滑にするためのエネルギーバンクとして
作用する。△ＶｇがＦ Ｅ Ｔ （ｌｂ）に対して負帰
還電圧となり、最終的に△ｆを抑圧する方向に働Ｑば、
混変調歪は改善されることになる。
に△ｆ、２Δｆ、−ｎ△ｆという信号がビート成分とし
て発生する。このビート成分の中、レベルが最大となる
△ｆを利用して混変調歪を低減するのが第２図であり、
チョーク（５Ｃ）が△ｒに対して作用せぬように設定す
ればゲート電流△［ｇはΔ「て振動し、よって△ｖｇも
Δｆで振動する。この時・バイパスコンデンサ（７）は
上記の振動を円滑にするためのエネルギーバンクとして
作用する。△ＶｇがＦ Ｅ Ｔ （ｌｂ）に対して負帰
還電圧となり、最終的に△ｆを抑圧する方向に働Ｑば、
混変調歪は改善されることになる。
上記の様な従来の増幅器において２次のような課題があ
った。すなわら、上記で述べたような低歪増幅器は、ゲ
ート電流へＩ（が流れなければ低歪化が達成されない。
った。すなわら、上記で述べたような低歪増幅器は、ゲ
ート電流へＩ（が流れなければ低歪化が達成されない。
しかしながら、増幅器はゲート電流が微小または零の領
域でも非線形による混変調歪が発生しており、上記従来
の増幅器では低歪化に限度があった。
域でも非線形による混変調歪が発生しており、上記従来
の増幅器では低歪化に限度があった。
この発明は係る課題を解決するためになされたもので、
上記のようなゲート電流が微小な領域での混変調歪を改
善することを目的としている。
上記のようなゲート電流が微小な領域での混変調歪を改
善することを目的としている。
乙の発明（ζ係ろ低歪増幅器は、従来装置のＦＥＴ帰還
抵抗を検波ダイオードに変え、上記検波ダイオードによ
る検波電流を抵抗を用いて電圧変換後、コントローラを
経由して上記とは別のＦＥＴに印加するものである。
抵抗を検波ダイオードに変え、上記検波ダイオードによ
る検波電流を抵抗を用いて電圧変換後、コントローラを
経由して上記とは別のＦＥＴに印加するものである。
この発明においては、従来の低歪増幅器に帰還抵抗にか
わって接続された検波ダイオードが、ゲート電流微小領
域でもビート周波数△ｆを検出し２混変調歪を低下させ
ろ。
わって接続された検波ダイオードが、ゲート電流微小領
域でもビート周波数△ｆを検出し２混変調歪を低下させ
ろ。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図であり２図中
（１）〜（５）は従来装置と全く同一のものである。（
８）はＦ Ｅ Ｔ （Ｉｂ）のバイアス端子（４ｄ）に
ブロックコンデンサ（３ｂ）を介して接続された検波ダ
イオード、（９）は検波ダイオード（８）の検波電流を
電圧変換するバイアス抵抗、００）はバイアス抵抗（９
）の電圧を制御するコントローラである。
（１）〜（５）は従来装置と全く同一のものである。（
８）はＦ Ｅ Ｔ （Ｉｂ）のバイアス端子（４ｄ）に
ブロックコンデンサ（３ｂ）を介して接続された検波ダ
イオード、（９）は検波ダイオード（８）の検波電流を
電圧変換するバイアス抵抗、００）はバイアス抵抗（９
）の電圧を制御するコントローラである。
上記のように構成された低歪増幅器において。
第２のＦ Ｅ Ｔ （ｌｂ）に接続されたチョーク（５
Ｃ）及びブロックコンデンサ（３ｂ）は第３図で示した
ビート成分△ｆを通過するような定数が選ばれる。ブロ
ックコンデンサ（３ｂ）を通った△ｆば検波ダイオード
（８）で検波され、その際発生ずる検波電流がバイアス
抵抗（９）において電圧変換されコントローラ００）に
入力されろ。その後、コントローラ００）の出力が。
Ｃ）及びブロックコンデンサ（３ｂ）は第３図で示した
ビート成分△ｆを通過するような定数が選ばれる。ブロ
ックコンデンサ（３ｂ）を通った△ｆば検波ダイオード
（８）で検波され、その際発生ずる検波電流がバイアス
抵抗（９）において電圧変換されコントローラ００）に
入力されろ。その後、コントローラ００）の出力が。
第１のＦ Ｅ Ｔ （Ｉａｌのバイアス端子（４ａ）に
入力されろ。ことて、コントローラ００１は検波ダイオ
ード（８）の△ｆによるビート電圧をＦ Ｅ Ｔ （Ｉ
ａ）に対して負帰還させるため２結果、△ｆが抑圧され
ることになる。△ｆが抑圧されれば、第２図と同様、混
変ＦＩ歪を低減することが可能となるばかりか、従来の
技術で説明したまうなＦＥＴのゲート電流を用いておら
ず、Δｒそのものを検波するために、混変調歪を低減で
きる信号の高低差（ダイナミックレンジ）を拡大するこ
とができる。
入力されろ。ことて、コントローラ００１は検波ダイオ
ード（８）の△ｆによるビート電圧をＦ Ｅ Ｔ （Ｉ
ａ）に対して負帰還させるため２結果、△ｆが抑圧され
ることになる。△ｆが抑圧されれば、第２図と同様、混
変ＦＩ歪を低減することが可能となるばかりか、従来の
技術で説明したまうなＦＥＴのゲート電流を用いておら
ず、Δｒそのものを検波するために、混変調歪を低減で
きる信号の高低差（ダイナミックレンジ）を拡大するこ
とができる。
上記（こおいて、帰還の方向をＦ Ｅ Ｔ （Ｉｂ）か
ら（１ａ）に向けて行ったが、逆にＦ Ｅ Ｔ （Ｉａ
）に検波ダイオード（８）を取り付けＦ Ｅ Ｔ （ｌ
ｂ）に向けてフィードフォワードを行っても差し支えな
い。
ら（１ａ）に向けて行ったが、逆にＦ Ｅ Ｔ （Ｉａ
）に検波ダイオード（８）を取り付けＦ Ｅ Ｔ （ｌ
ｂ）に向けてフィードフォワードを行っても差し支えな
い。
この発明は以上の説明通り、多段増幅器のＦＥＴバイア
ス回路に接続された検波ダイオードが、混変調歪発生時
に生じるビート成分を検波して、それを上記とは別のＦ
ＥＴに帰還させることによって多段増幅器の混変調歪を
広いダイナミックレンジで改善するという効果を有する
。
ス回路に接続された検波ダイオードが、混変調歪発生時
に生じるビート成分を検波して、それを上記とは別のＦ
ＥＴに帰還させることによって多段増幅器の混変調歪を
広いダイナミックレンジで改善するという効果を有する
。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図、第２図は従
来の低歪増幅器の構成図例、第３図は混変調歪の説明図
である。 図中、（１）はＦＥＴ、（８１は検波ダイオード、（９
）はバイアス回路抗、００１はコントローラである。な
お。 各図中同一符号は同一また（よ相当部分を示す。
来の低歪増幅器の構成図例、第３図は混変調歪の説明図
である。 図中、（１）はＦＥＴ、（８１は検波ダイオード、（９
）はバイアス回路抗、００１はコントローラである。な
お。 各図中同一符号は同一また（よ相当部分を示す。
Claims (1)
- 電界効果トランジスタから構成されたｎ段増幅器におい
て、上記ｎ段増幅器に使用された電界効果トランジスタ
の中、第２の電界効果トランジスタのドレイン側端子に
接続された検波ダイオード及びバイアス抵抗と、上記バ
イアス抵抗に接続されたコントローラと、上記第２の電
界効果トランジスタとは別の第１の電界効果トランジス
タのゲート側端子と上記コントローラ出力とを接続する
回路とによって構成された低歪増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29049788A JPH02135906A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 低歪増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29049788A JPH02135906A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 低歪増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02135906A true JPH02135906A (ja) | 1990-05-24 |
Family
ID=17756789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29049788A Pending JPH02135906A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 低歪増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02135906A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111461A (en) * | 1997-10-15 | 2000-08-29 | Nec Corporation | High frequency amplifier circuit |
| JP2004297794A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 歪検知装置、自動歪回避装置及び高周波増幅器 |
| JP2010141921A (ja) * | 2003-03-13 | 2010-06-24 | Yagi Antenna Co Ltd | 高周波増幅装置 |
-
1988
- 1988-11-17 JP JP29049788A patent/JPH02135906A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111461A (en) * | 1997-10-15 | 2000-08-29 | Nec Corporation | High frequency amplifier circuit |
| JP2004297794A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 歪検知装置、自動歪回避装置及び高周波増幅器 |
| JP2010141921A (ja) * | 2003-03-13 | 2010-06-24 | Yagi Antenna Co Ltd | 高周波増幅装置 |
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