JPH02132836A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02132836A JPH02132836A JP28711088A JP28711088A JPH02132836A JP H02132836 A JPH02132836 A JP H02132836A JP 28711088 A JP28711088 A JP 28711088A JP 28711088 A JP28711088 A JP 28711088A JP H02132836 A JPH02132836 A JP H02132836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- film
- pad
- electrode
- corrosion resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018885 Pt—Au Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野１
本発明はパッド電極部にバンブを有する牟導体装置のパ
ッド電極部の製法に関する。
ッド電極部の製法に関する。
従来．Ａｕバンブあるいは半田バンブ等のバンブをＡ
！２ ’Ｑｆ極パッド部に形成する半導体装置に於では
、ＡＩ２電極パッド表面にＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ、Ａｕ．
Ｔ ｉ −Ｎ ｉ−Ａｕ． Ｔ ｉ −Ｗ−Ａｕ、等の
多層膜構造をとっていた。多層ＲＱ構造におけるＴｉや
Ｃｒ膿は下地Ａβ電極との密着性を向上すると共に、Ｃ
工膜やＰｔ．Ｐｄ．Ｎｉ、Ｗ、あるいはＣｕ膜等は更に
その上に形成されるＡｕＵｉやＡｕボール・バンブ等と
の下地Ａεバッド電極との合金化を防止するバリャー層
としての作用をもたせていた． ［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術によると、Ｔｉ−Ｐｔ−ＡｕやＴ
ｉ−Ｐｄ−Ａｕでは高価につき，且つｐｔやＰｄのエッ
チングが困難であると云う課題があり、その他の多層膜
横造では、ＣｒやＮｉ，Ｗ等の耐蝕性が劣ると云う課題
があった。 本発明は、かかる従来技術の課題を解決し，低廉で且つ
エッチングが容易であり，且つ耐蝕性にすぐれたバンプ
部の電極膜構造とその製法を提供する事を目的とする． ［課題を解決するための千段］ 上記課題を解決するために、半導体装置のパッド電極部
に於で、Ａｊ２パッド表面には、少なくとも、ＴｉＮ膜
が形成し、該ＴｉＮＩＦＪ上にバンプな形成する手段を
とる事を基本とする。 ［実 施 例］ 以下，実施例により本発明を詳述する。 第１図は本発明の一実施例を示すバンブをＡＩ２パッド
部に有する半導体装置のバンプ部の断面図である。すな
わち，Ｓｉ基板１の表面にはＳｉＯ２膿２が形成され、
該ＳｉＯ２膜２上にＡｆｆ配線３が施され、更にその上
にＡＲパッド部を窓開けした層間絶縁ｔｌｉ４が形成さ
れ、前記八βパッド部の表面にスバック法等により．１
５００人厚程度のＴｉＮ膜５に引続き．１５００人厚程
度のＡｕ膜６が蒸着され，ホトレジスト、露光によりＡ
ｕバンブ部を窓開けし、電気メッキ法等によりＡｕバン
ブ７を形成後，下地Ａ ｕ ＤＩ ６とＴｉＮ膜５をＡ
ｕバンブ７をマスクにして等してプラズマエッチングあ
るいはイオンエッヂングで除去したものである。 尚ＴｉＮＩＩＡ５は、チタン・ターゲットを用いて予め
窒素雰囲気でＴｉＮｌ！！を形成し，その後、アルゴン
雰囲気に切換えて、Ｔ ｉ ＩＱを形成し、該Ｔｉ膜上
にＡ ｕ １１２ ６を形成したＴｉＮ−Ｔｉ −Ａｕ
構造となす事も出来る。ＴｉＮ膜５の作用は、下地ＡＲ
配線３と、Ａｕとの合金化を防ぐバＪヤ効果があり，最
小限必要な股である。 更にＡｕバンブ７は半田バンブ等他のバンブ材であって
も良いことは云うまでもない．又、ＴｉＮ膜は勿論Ｔｉ
膜は耐蝕性にすぐれた材料である。 ［発明の効果］ 本発明により低廉で、且つエッチングが容易で、且つ耐
蝕性にすぐれたパンブ部の電極膜構造を提供できる効果
がある。
！２ ’Ｑｆ極パッド部に形成する半導体装置に於では
、ＡＩ２電極パッド表面にＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ、Ａｕ．
Ｔ ｉ −Ｎ ｉ−Ａｕ． Ｔ ｉ −Ｗ−Ａｕ、等の
多層膜構造をとっていた。多層ＲＱ構造におけるＴｉや
Ｃｒ膿は下地Ａβ電極との密着性を向上すると共に、Ｃ
工膜やＰｔ．Ｐｄ．Ｎｉ、Ｗ、あるいはＣｕ膜等は更に
その上に形成されるＡｕＵｉやＡｕボール・バンブ等と
の下地Ａεバッド電極との合金化を防止するバリャー層
としての作用をもたせていた． ［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術によると、Ｔｉ−Ｐｔ−ＡｕやＴ
ｉ−Ｐｄ−Ａｕでは高価につき，且つｐｔやＰｄのエッ
チングが困難であると云う課題があり、その他の多層膜
横造では、ＣｒやＮｉ，Ｗ等の耐蝕性が劣ると云う課題
があった。 本発明は、かかる従来技術の課題を解決し，低廉で且つ
エッチングが容易であり，且つ耐蝕性にすぐれたバンプ
部の電極膜構造とその製法を提供する事を目的とする． ［課題を解決するための千段］ 上記課題を解決するために、半導体装置のパッド電極部
に於で、Ａｊ２パッド表面には、少なくとも、ＴｉＮ膜
が形成し、該ＴｉＮＩＦＪ上にバンプな形成する手段を
とる事を基本とする。 ［実 施 例］ 以下，実施例により本発明を詳述する。 第１図は本発明の一実施例を示すバンブをＡＩ２パッド
部に有する半導体装置のバンプ部の断面図である。すな
わち，Ｓｉ基板１の表面にはＳｉＯ２膿２が形成され、
該ＳｉＯ２膜２上にＡｆｆ配線３が施され、更にその上
にＡＲパッド部を窓開けした層間絶縁ｔｌｉ４が形成さ
れ、前記八βパッド部の表面にスバック法等により．１
５００人厚程度のＴｉＮ膜５に引続き．１５００人厚程
度のＡｕ膜６が蒸着され，ホトレジスト、露光によりＡ
ｕバンブ部を窓開けし、電気メッキ法等によりＡｕバン
ブ７を形成後，下地Ａ ｕ ＤＩ ６とＴｉＮ膜５をＡ
ｕバンブ７をマスクにして等してプラズマエッチングあ
るいはイオンエッヂングで除去したものである。 尚ＴｉＮＩＩＡ５は、チタン・ターゲットを用いて予め
窒素雰囲気でＴｉＮｌ！！を形成し，その後、アルゴン
雰囲気に切換えて、Ｔ ｉ ＩＱを形成し、該Ｔｉ膜上
にＡ ｕ １１２ ６を形成したＴｉＮ−Ｔｉ −Ａｕ
構造となす事も出来る。ＴｉＮ膜５の作用は、下地ＡＲ
配線３と、Ａｕとの合金化を防ぐバＪヤ効果があり，最
小限必要な股である。 更にＡｕバンブ７は半田バンブ等他のバンブ材であって
も良いことは云うまでもない．又、ＴｉＮ膜は勿論Ｔｉ
膜は耐蝕性にすぐれた材料である。 ［発明の効果］ 本発明により低廉で、且つエッチングが容易で、且つ耐
蝕性にすぐれたパンブ部の電極膜構造を提供できる効果
がある。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置におけるバ
ンプ部の断面図である。 ｌ・・・Ｓｉ基板 ・ ＳｉＯ− 膜 ・Ａε配線 ・層間絶縁模 ・ＴｉＮＩｌ＠ ・Ａ １１ ｊｉ菓 Ａｕバンブ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 １卯 雅 誉（他１名）第１図
ンプ部の断面図である。 ｌ・・・Ｓｉ基板 ・ ＳｉＯ− 膜 ・Ａε配線 ・層間絶縁模 ・ＴｉＮＩｌ＠ ・Ａ １１ ｊｉ菓 Ａｕバンブ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 １卯 雅 誉（他１名）第１図
Claims (1)
- 半導体装置のパッド電極部に於て、Ａｌパッド表面に
は少なくともＴｉＮ膜が形成され、該ＴｉＮ膜上にバン
プが形成されて成る事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28711088A JPH02132836A (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28711088A JPH02132836A (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132836A true JPH02132836A (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=17713189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28711088A Pending JPH02132836A (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02132836A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5309025A (en) * | 1992-07-27 | 1994-05-03 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Semiconductor bond pad structure and method |
| WO1994024694A1 (en) * | 1993-04-14 | 1994-10-27 | Amkor Electronics, Inc. | Interconnection of integrated circuit chip and substrate |
| JPH07122604A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| US5795818A (en) * | 1996-12-06 | 1998-08-18 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit chip to substrate interconnection and method |
| US11499506B2 (en) | 2019-03-05 | 2022-11-15 | Honda Motor Co., Ltd. | Opening/closing mechanism of intake member |
-
1988
- 1988-11-14 JP JP28711088A patent/JPH02132836A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5309025A (en) * | 1992-07-27 | 1994-05-03 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Semiconductor bond pad structure and method |
| WO1994024694A1 (en) * | 1993-04-14 | 1994-10-27 | Amkor Electronics, Inc. | Interconnection of integrated circuit chip and substrate |
| US5478007A (en) * | 1993-04-14 | 1995-12-26 | Amkor Electronics, Inc. | Method for interconnection of integrated circuit chip and substrate |
| JPH07122604A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| US5795818A (en) * | 1996-12-06 | 1998-08-18 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit chip to substrate interconnection and method |
| US6163463A (en) * | 1996-12-06 | 2000-12-19 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit chip to substrate interconnection |
| US11499506B2 (en) | 2019-03-05 | 2022-11-15 | Honda Motor Co., Ltd. | Opening/closing mechanism of intake member |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06151815A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH02132836A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03244126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3348564B2 (ja) | 誘電体キャパシタの製造方法 | |
| JPH04199628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05267290A (ja) | 半導体集積回路およびその製造方法 | |
| JP3349001B2 (ja) | 金属膜の形成方法 | |
| JPH03101233A (ja) | 電極構造及びその製造方法 | |
| JPH0536839A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3096461B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS62287645A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0754848B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5966125A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100252757B1 (ko) | 금속패턴 형성방법 | |
| JPH01155641A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3114196B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62281466A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0337857B2 (ja) | ||
| JPS6118153A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH04196539A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH01272137A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6254957A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH04186730A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6116516A (ja) | 電極形成方法 | |
| JPH06163545A (ja) | 半導体装置の配線構造及びその製造方法 |