JPH02130523A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH02130523A JPH02130523A JP63284164A JP28416488A JPH02130523A JP H02130523 A JPH02130523 A JP H02130523A JP 63284164 A JP63284164 A JP 63284164A JP 28416488 A JP28416488 A JP 28416488A JP H02130523 A JPH02130523 A JP H02130523A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、所謂STN (スーパ・ツィステッド・ネマ
チック)型の液晶表示素子に関する。
チック)型の液晶表示素子に関する。
従来の技術
近年、この種の液晶表示素子にあっては、高表示容量化
、高デユーテイ化、高コントラスト化等を図るため、液
晶表示モードとして、従来のTN(ツィステッド・ネマ
チック)型に代わり、STN型が用いられるようになっ
ている。
、高デユーテイ化、高コントラスト化等を図るため、液
晶表示モードとして、従来のTN(ツィステッド・ネマ
チック)型に代わり、STN型が用いられるようになっ
ている。
第4図にその構造を示す。まず、ドットマトリツクス表
示用の透明電極パターン1,2及び配向膜3,4が形成
された一対の上下電極基鈑としてのガラス基板5,6が
設けられている。これらのガラス基板5.6は透明電極
パターン1,2(配向膜3,4)が対向するようにし、
かつ、スペーサ7を介して重ね合わせられる。そして、
周囲をシール材8でシールし、ガラス基板5,6間の空
間内に液晶を封入して液晶層9を挾持させてなる。
示用の透明電極パターン1,2及び配向膜3,4が形成
された一対の上下電極基鈑としてのガラス基板5,6が
設けられている。これらのガラス基板5.6は透明電極
パターン1,2(配向膜3,4)が対向するようにし、
かつ、スペーサ7を介して重ね合わせられる。そして、
周囲をシール材8でシールし、ガラス基板5,6間の空
間内に液晶を封入して液晶層9を挾持させてなる。
更に、ガラス基板5,6の外側には一対の偏光子として
の偏光板10.11が設けられる。反射型構成の場合に
は、下側の偏光板11は反射板付き偏光板とされる。
の偏光板10.11が設けられる。反射型構成の場合に
は、下側の偏光板11は反射板付き偏光板とされる。
ここに、STN型構造として液晶層9中の液晶分子のね
じれ角は180’〜270’の範囲内に設定される。ま
た、ガラス基板5,6上の液晶分子の配向方向とこれら
のガラス基板5,6に近接した偏光板10.11の透過
軸又は吸収軸とのなす角は各々液晶分子のねじれ方向に
対して30゜〜60’の範囲内に設定されている。
じれ角は180’〜270’の範囲内に設定される。ま
た、ガラス基板5,6上の液晶分子の配向方向とこれら
のガラス基板5,6に近接した偏光板10.11の透過
軸又は吸収軸とのなす角は各々液晶分子のねじれ方向に
対して30゜〜60’の範囲内に設定されている。
発明が解決しようとする課題
STN型では、表示に液晶の複屈折効果を利用している
ため、均一な表示を得るためには、±01μm以下の高
いセルギャップ精度が要求される。このため、表示面積
を大型化させようとする場合、基板5,6の平面性が厳
しくなる。具体的にはガラス表面を研磨し所望の平面性
を得なければならず、高価となる。また、ガラス基板5
,6も厚めのものとしなければならず、視角特性が劣化
する等、表示性能が劣る原因ともなっている。
ため、均一な表示を得るためには、±01μm以下の高
いセルギャップ精度が要求される。このため、表示面積
を大型化させようとする場合、基板5,6の平面性が厳
しくなる。具体的にはガラス表面を研磨し所望の平面性
を得なければならず、高価となる。また、ガラス基板5
,6も厚めのものとしなければならず、視角特性が劣化
する等、表示性能が劣る原因ともなっている。
このような欠点を解決するため、例えば特公昭62−6
1125号公報に示されるように、一対の電極基板の一
方をガラス基板製とするが、他方の電極基板を、外力に
より変形し物理的又は化学的処理により固化する材料又
は接着剤を基板と導電性フィルムで挾み込み上記の一方
のガラス基板と加圧密着させることによりこのガラス基
板のうねりに合せて形成し、基板間のセルギャップの精
度を高めたものがある。しかし、このような電極基板構
造を用いたものでは液晶セル構造が複雑となってしまう
。
1125号公報に示されるように、一対の電極基板の一
方をガラス基板製とするが、他方の電極基板を、外力に
より変形し物理的又は化学的処理により固化する材料又
は接着剤を基板と導電性フィルムで挾み込み上記の一方
のガラス基板と加圧密着させることによりこのガラス基
板のうねりに合せて形成し、基板間のセルギャップの精
度を高めたものがある。しかし、このような電極基板構
造を用いたものでは液晶セル構造が複雑となってしまう
。
また、特開昭62−183432号公報に示されるよう
に、一方の電極基板をガラス基板製とし、他方の電極基
板をフィルム製とし、スペーサを介して対向配置させた
ものもある。即ち、第4図中のガラス基板6をフィルム
基板に代えたものに相当する。しかし、単にガラス基板
とフィルム基板とをスペーサを介して対向配置させただ
けの構成では、必ずしも、明るく広視角特性を有し高コ
ントラストなる液晶表示素子とし得るとは限らず、その
ための具体的な条件までは開示されていないものである
。特に、同公報中に示されるようなフィルム基板表面に
スペーサとしての突起部を均一に形成する方式の場合に
は、製造上の困難さを伴うものとなってしまう。
に、一方の電極基板をガラス基板製とし、他方の電極基
板をフィルム製とし、スペーサを介して対向配置させた
ものもある。即ち、第4図中のガラス基板6をフィルム
基板に代えたものに相当する。しかし、単にガラス基板
とフィルム基板とをスペーサを介して対向配置させただ
けの構成では、必ずしも、明るく広視角特性を有し高コ
ントラストなる液晶表示素子とし得るとは限らず、その
ための具体的な条件までは開示されていないものである
。特に、同公報中に示されるようなフィルム基板表面に
スペーサとしての突起部を均一に形成する方式の場合に
は、製造上の困難さを伴うものとなってしまう。
課題を解決するための手段
ドツトマトリックス表示用の透明電極パターンと配向膜
とを各々形成した上下一対の電極基板を、前記透明電極
パターン側を内側にしてスペーサを介して対向配置させ
、周囲をシール材でシールしたこれらの電極基板間に液
晶層を挾持させ、前記上下一対の電極基板の外側に一対
の偏光子を設け、前記液晶層中の液晶分子のねじれ角を
180°〜27o°の範囲内に設定し、前記一対の電極
基板上の液晶分子の配向方向とこれらの電極基板に近接
した偏光子の透過軸又は吸収軸とのなす角を各々液晶分
子のねじれ方向に対して30°〜60″′の範囲内に設
定した液晶表示素子において、前記上電極基板を1軸延
伸させたプラスチックフィルムにより形成し、その延伸
軸方向と隣接する偏光子の透過軸又は吸収軸とのなす角
度を±3°以内に形成し、前記下電極基板をガラスによ
り形成し、前記スペーサを粒径の標準偏差が0.3μm
以下、散布密度が50個/mm1〜300個/ mm
”の範囲内とした球状粒子により形成する。
とを各々形成した上下一対の電極基板を、前記透明電極
パターン側を内側にしてスペーサを介して対向配置させ
、周囲をシール材でシールしたこれらの電極基板間に液
晶層を挾持させ、前記上下一対の電極基板の外側に一対
の偏光子を設け、前記液晶層中の液晶分子のねじれ角を
180°〜27o°の範囲内に設定し、前記一対の電極
基板上の液晶分子の配向方向とこれらの電極基板に近接
した偏光子の透過軸又は吸収軸とのなす角を各々液晶分
子のねじれ方向に対して30°〜60″′の範囲内に設
定した液晶表示素子において、前記上電極基板を1軸延
伸させたプラスチックフィルムにより形成し、その延伸
軸方向と隣接する偏光子の透過軸又は吸収軸とのなす角
度を±3°以内に形成し、前記下電極基板をガラスによ
り形成し、前記スペーサを粒径の標準偏差が0.3μm
以下、散布密度が50個/mm1〜300個/ mm
”の範囲内とした球状粒子により形成する。
作用
まず、上電極基板がプラスチックフィルム族であるため
、ガラス基板製の場合に比して視角方向による色変化が
小さくなり、広視角特性を持たせることができる。また
、スペーサの形状を球状粒子とし、その分布条件を粒径
の標準偏差が0. 3μm以下、散布密度を50個/即
′〜300個/m”の範囲内としたので、液晶を注入し
た際には、プラスチックフィルム族の上電極基板がガラ
ス製の下電極基板の平面性にならうことになり、0゜1
μm以下の均一なセルギャップ精度を確保することがで
き、均一な表示が得られる。このため、ガラス製の下電
極基板としては通常のガラス基板を用いてもよく、表面
研磨処理等を特に必要としない。
、ガラス基板製の場合に比して視角方向による色変化が
小さくなり、広視角特性を持たせることができる。また
、スペーサの形状を球状粒子とし、その分布条件を粒径
の標準偏差が0. 3μm以下、散布密度を50個/即
′〜300個/m”の範囲内としたので、液晶を注入し
た際には、プラスチックフィルム族の上電極基板がガラ
ス製の下電極基板の平面性にならうことになり、0゜1
μm以下の均一なセルギャップ精度を確保することがで
き、均一な表示が得られる。このため、ガラス製の下電
極基板としては通常のガラス基板を用いてもよく、表面
研磨処理等を特に必要としない。
実施例
本発明の一実施例を第1図ないし第3図に基づいて説明
する。まず、ドツトマトリックス表示用の透明電極パタ
ーン2]、、22及び配向膜23゜24が形成された一
対の上・下電極基板25,26が設けられている。ここ
に、上電極基板25はプラスチックフィルム基板、より
具体的には、例えば光学的に異方性を持つ1軸延伸され
たポリエチレンテレフタレートフィルムであり、下電極
基板26はガラス基板である。これらの電極基板25.
26は透明電極パターン21.22側が対向するよう、
スペーサ27を介して重ね合わせられる。そして、その
周囲をシール材28により接着シールし、電極基板25
.26間の空間内に液晶を封入して液晶層29を挾持さ
せる。ここに、STN型構造として液晶層29中の液晶
分子のねじれ角は180°〜270°の範囲内に設定さ
れる。
する。まず、ドツトマトリックス表示用の透明電極パタ
ーン2]、、22及び配向膜23゜24が形成された一
対の上・下電極基板25,26が設けられている。ここ
に、上電極基板25はプラスチックフィルム基板、より
具体的には、例えば光学的に異方性を持つ1軸延伸され
たポリエチレンテレフタレートフィルムであり、下電極
基板26はガラス基板である。これらの電極基板25.
26は透明電極パターン21.22側が対向するよう、
スペーサ27を介して重ね合わせられる。そして、その
周囲をシール材28により接着シールし、電極基板25
.26間の空間内に液晶を封入して液晶層29を挾持さ
せる。ここに、STN型構造として液晶層29中の液晶
分子のねじれ角は180°〜270°の範囲内に設定さ
れる。
また、スペーサ27の形状、分布条件としては、球状粒
子、例えばプラスチックビーズによるものであり、その
粒径の標準偏差が0.3μm以下、散布密度が50個/
mm ”〜300個/mm”の範囲内とされている。
子、例えばプラスチックビーズによるものであり、その
粒径の標準偏差が0.3μm以下、散布密度が50個/
mm ”〜300個/mm”の範囲内とされている。
電極基板25.26の外側には一対の偏光子としての偏
光板30.31が設けられる。ここに。
光板30.31が設けられる。ここに。
ガラス基板による下電極基板26に対する下偏光板31
は、液晶分子の配向方向と透過軸又は吸収軸とのなす角
が液晶分子のねじれ方向に対して30°〜60’の範囲
内に設定されたもので、下電極基板26の下面に密着さ
せて貼り合わせである。
は、液晶分子の配向方向と透過軸又は吸収軸とのなす角
が液晶分子のねじれ方向に対して30°〜60’の範囲
内に設定されたもので、下電極基板26の下面に密着さ
せて貼り合わせである。
液晶セルが透過型構成の場合には偏光板31のみとされ
るが、反射型構成の場合にはこの下偏光板31は反射板
付き偏光板とされる。また、プラスチックフィルム基板
による上電極基板25の上方には、この下電極基板26
の延伸軸方向と透過軸又は吸収軸とのなす角度を±3°
以内に形成した上偏光板30とされている。上偏光板3
0はこの条件を満たすものであれば、上電極基板25に
密着貼り合せて設けても、他の図示しない基台、例えば
パッケージ裏面に貼り合わせて構成したものでも1表示
品質には何んら支障ない。
るが、反射型構成の場合にはこの下偏光板31は反射板
付き偏光板とされる。また、プラスチックフィルム基板
による上電極基板25の上方には、この下電極基板26
の延伸軸方向と透過軸又は吸収軸とのなす角度を±3°
以内に形成した上偏光板30とされている。上偏光板3
0はこの条件を満たすものであれば、上電極基板25に
密着貼り合せて設けても、他の図示しない基台、例えば
パッケージ裏面に貼り合わせて構成したものでも1表示
品質には何んら支障ない。
また、電極基板25.26の周囲を接着する前構造を有
し、分子中に−(CnHtn o)。−なる構造を少
なくとも1つ以上有するエポキシ化ポリエーテルグリコ
ールを主成分とするエポキシ樹脂と、硬化剤としてポリ
アミドアミン、フィシとして金属酸化物からなる微粉末
を充填した熱硬化型シール材料よりなる。
し、分子中に−(CnHtn o)。−なる構造を少
なくとも1つ以上有するエポキシ化ポリエーテルグリコ
ールを主成分とするエポキシ樹脂と、硬化剤としてポリ
アミドアミン、フィシとして金属酸化物からなる微粉末
を充填した熱硬化型シール材料よりなる。
このような構成において、液晶のねじれ角ωをω=2o
O°とした場合の、各構成要素間の関係を、前述した条
件に従い図示すると、第2図のようになる。図中、Rt
+は上電極基板25のラビング方向、RLは下電極基板
26のラビング方向、Tu(Pu)は1軸延伸されたポ
リエチレンテレフタレートフィルムによる上電極基板2
5の延伸軸(TD)方向及び上偏光板30の透過軸方向
PU、PLは下偏光板31の透過軸方向、Lは視角方向
を示す。
O°とした場合の、各構成要素間の関係を、前述した条
件に従い図示すると、第2図のようになる。図中、Rt
+は上電極基板25のラビング方向、RLは下電極基板
26のラビング方向、Tu(Pu)は1軸延伸されたポ
リエチレンテレフタレートフィルムによる上電極基板2
5の延伸軸(TD)方向及び上偏光板30の透過軸方向
PU、PLは下偏光板31の透過軸方向、Lは視角方向
を示す。
しかして、この第2図に例示した条件に従い、第1図構
造の液晶セルを作製する工程を説明する。
造の液晶セルを作製する工程を説明する。
まず、表面抵抗が70〜75Ω/ nun ”のITO
電極がスパッタ法により表面に形成された、厚さ100
μmの1軸延伸のポリエチレンテレフタレートフィルム
(上電極基板25)を、延伸軸TD力方向ら35°方向
に切り出し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターン
加工し、透明電極パターン21(コモン電極)を形成す
る。同様に、ITO電極が表面に形成された厚さIMの
フロートガラス(下電極基板26)を用いてフォトリソ
グラフィ技術によりパターン加工し、透明電極パターン
22(セグメント電極)を形成する。このような画電極
基板25.26の表面に配向膜23,24(日立化成製
HL−1110)を厚さ1200人に形成する。これら
の配向膜23,24は画電極基板25.26を貼り合わ
せた時に液晶のツイスト角ωがω=200’ となるよ
うに水平方向から各々10°の方向に、通常のラビング
方式により、ラビングされる。
電極がスパッタ法により表面に形成された、厚さ100
μmの1軸延伸のポリエチレンテレフタレートフィルム
(上電極基板25)を、延伸軸TD力方向ら35°方向
に切り出し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターン
加工し、透明電極パターン21(コモン電極)を形成す
る。同様に、ITO電極が表面に形成された厚さIMの
フロートガラス(下電極基板26)を用いてフォトリソ
グラフィ技術によりパターン加工し、透明電極パターン
22(セグメント電極)を形成する。このような画電極
基板25.26の表面に配向膜23,24(日立化成製
HL−1110)を厚さ1200人に形成する。これら
の配向膜23,24は画電極基板25.26を貼り合わ
せた時に液晶のツイスト角ωがω=200’ となるよ
うに水平方向から各々10°の方向に、通常のラビング
方式により、ラビングされる。
次に、上電極基板25上に粒径が7μm(粒径の標準偏
差は0.3μm以下)のプラスチックビーズ(スペーサ
27)を、50個/m1T12〜30゜個/nun”の
範囲内、より好ましくは100個/M〜200個/mm
”の範囲内なる密度となるように散布した。一方、下電
極基板26上の周囲には、液晶注入口を残した形状にて
、前述した熱硬化型シール材料よりなる可撓性のエポキ
シシール材28をスクリーン印刷する。そして、このシ
ール材28を用いて画電極基板25.26を貼り合わせ
、このシール材28の硬化条件を変化させて加圧加熱し
複数のセルを形成し、その後、カイラルネマチック液晶
を添加したネマチック液晶をこれらのセル内に減圧法を
用いて注入し、液晶注入口を封止して第1図のような構
造の液晶セルを形成した。
差は0.3μm以下)のプラスチックビーズ(スペーサ
27)を、50個/m1T12〜30゜個/nun”の
範囲内、より好ましくは100個/M〜200個/mm
”の範囲内なる密度となるように散布した。一方、下電
極基板26上の周囲には、液晶注入口を残した形状にて
、前述した熱硬化型シール材料よりなる可撓性のエポキ
シシール材28をスクリーン印刷する。そして、このシ
ール材28を用いて画電極基板25.26を貼り合わせ
、このシール材28の硬化条件を変化させて加圧加熱し
複数のセルを形成し、その後、カイラルネマチック液晶
を添加したネマチック液晶をこれらのセル内に減圧法を
用いて注入し、液晶注入口を封止して第1図のような構
造の液晶セルを形成した。
このようにして得られた硬化条件の異なる液晶セルにつ
き、その目視及びり、u、v 色空間表示における色
差ΔE を用いて背景色の均一化を評価したところ、プ
ラスチックフィルム製の上電極基板25の歪みによるギ
ャップムラの生じない貼り合わせ後のシール硬化温度と
しては100℃以下、より好ましくは80℃以下で硬化
させたものが良好なる結果が得られたものである。
き、その目視及びり、u、v 色空間表示における色
差ΔE を用いて背景色の均一化を評価したところ、プ
ラスチックフィルム製の上電極基板25の歪みによるギ
ャップムラの生じない貼り合わせ後のシール硬化温度と
しては100℃以下、より好ましくは80℃以下で硬化
させたものが良好なる結果が得られたものである。
第3図は、8o℃、80分の硬化条件でシール材28を
硬化させた液晶セルについてのΔE 測定結果を示すも
のである。図中の横軸は液晶セルの長手方向の中心線上
に沿った測定距離を示し、測定間隔は1mmである。こ
の測定結果によれば、第4図に示したような、実際に市
販されている上下電極基板がガラス基板製の2種類のS
TN型液晶セル(第4図のようなもの)についての色差
ΔE*測定結果を示す第5図及び第6図(これらの第5
図及び第6図中の横軸は液晶セルの長手方向の中心線上
に沿った測定距離を示し、第5図は測定間隔が0.35
mm、第6図は測定間隔が0.47M)と比較しても、
遜色ないことが判る。
硬化させた液晶セルについてのΔE 測定結果を示すも
のである。図中の横軸は液晶セルの長手方向の中心線上
に沿った測定距離を示し、測定間隔は1mmである。こ
の測定結果によれば、第4図に示したような、実際に市
販されている上下電極基板がガラス基板製の2種類のS
TN型液晶セル(第4図のようなもの)についての色差
ΔE*測定結果を示す第5図及び第6図(これらの第5
図及び第6図中の横軸は液晶セルの長手方向の中心線上
に沿った測定距離を示し、第5図は測定間隔が0.35
mm、第6図は測定間隔が0.47M)と比較しても、
遜色ないことが判る。
このように、本実施例構造のSTN型液晶セルによれば
、まず、上電極基板25がプラスチックフィルム基板に
よるため(実施例では、光学的に異方性を持つものとし
たが、光学的に等方性を持つものでもよい)、ガラス基
板によるものに比べ、明るく、かつ、視角方向による色
変化が小さくなり、広視角化が達成される。また、球状
粒子形状のスペーサ27を所定の分布条件で一方の基板
、例えば上電極基板25上に散布し、所定の特性の熱硬
化型シール材料によるシール材28により画電極基板2
5.26を貼り合わせるので、貼り合わせ時のガラスと
プラスチックフィルムとの熱収縮率の差による歪みの影
響によるセルギャップの不均一性を防止できる。即ち、
本実施例で用いた熱硬化型シール材料によるシール材2
8の貼り合わせ条件は、ガラス基板に比べ特に熱収縮性
の大きいプラスチックフィルム基板の伸縮を抑えること
を主目的としており、このようにシール材28により低
温にしてガラスとプラスチックフィルムとの異種基板に
対しても十分な接着強度を確保できる。そして、貼り合
わせ後、基板間に通常の減圧法により液晶を注入すると
、この液晶と電極基板との間に働く吸引力にまり、上電
極基板25がガラス基板製の下電極基板26の平面性に
ならって均一なセルギャップを形成することになる。こ
の時、本実施例のスペーサ27の形状及び分布条件によ
れば、±O,1μm以下のセルギャップ精度を確保でき
る。この結果、ガラス基板製の下電極基板26として、
特別なセル製造工程の不要な通常のガラス基板を用いて
も広面積にわたって高精度なセルギャップを持つ液晶セ
ルとすることができる。
、まず、上電極基板25がプラスチックフィルム基板に
よるため(実施例では、光学的に異方性を持つものとし
たが、光学的に等方性を持つものでもよい)、ガラス基
板によるものに比べ、明るく、かつ、視角方向による色
変化が小さくなり、広視角化が達成される。また、球状
粒子形状のスペーサ27を所定の分布条件で一方の基板
、例えば上電極基板25上に散布し、所定の特性の熱硬
化型シール材料によるシール材28により画電極基板2
5.26を貼り合わせるので、貼り合わせ時のガラスと
プラスチックフィルムとの熱収縮率の差による歪みの影
響によるセルギャップの不均一性を防止できる。即ち、
本実施例で用いた熱硬化型シール材料によるシール材2
8の貼り合わせ条件は、ガラス基板に比べ特に熱収縮性
の大きいプラスチックフィルム基板の伸縮を抑えること
を主目的としており、このようにシール材28により低
温にしてガラスとプラスチックフィルムとの異種基板に
対しても十分な接着強度を確保できる。そして、貼り合
わせ後、基板間に通常の減圧法により液晶を注入すると
、この液晶と電極基板との間に働く吸引力にまり、上電
極基板25がガラス基板製の下電極基板26の平面性に
ならって均一なセルギャップを形成することになる。こ
の時、本実施例のスペーサ27の形状及び分布条件によ
れば、±O,1μm以下のセルギャップ精度を確保でき
る。この結果、ガラス基板製の下電極基板26として、
特別なセル製造工程の不要な通常のガラス基板を用いて
も広面積にわたって高精度なセルギャップを持つ液晶セ
ルとすることができる。
発明の効果
本発明は、上述したようにガラス製造の下電極基板に対
し上電極基板を1軸延伸させたプラスチックフィルムに
より形成し、その延伸軸方向と隣接する偏光子の透過軸
又は吸収軸とのなす角度を±3°以内に形成したので、
上電極基板がガラス基板製の場合に比して、明るく、か
つ、視角方向による色変化を小さくし、広視角特性を持
たせることができ、また、スペーサの形状を球状粒子と
し、その分布条件を粒径の標準偏差が0.3μm以下、
散布密度を50個/−〜300個/鵬2の範囲内とした
ので、液晶を注入した際には、プラスチックフィルム類
の上電極基板がガラス製の下電極基板の平面性にならう
ことになり、0.1μm以下の均一なセルギャップ精度
を広面積にわたつて確保することができ、均一な表示を
得ることができ、この結果、ガラス製の下電極基板とし
ては表面研磨処理等の特別なセル製造工程を必要としな
い通常のガラス基板を用いることができる9
し上電極基板を1軸延伸させたプラスチックフィルムに
より形成し、その延伸軸方向と隣接する偏光子の透過軸
又は吸収軸とのなす角度を±3°以内に形成したので、
上電極基板がガラス基板製の場合に比して、明るく、か
つ、視角方向による色変化を小さくし、広視角特性を持
たせることができ、また、スペーサの形状を球状粒子と
し、その分布条件を粒径の標準偏差が0.3μm以下、
散布密度を50個/−〜300個/鵬2の範囲内とした
ので、液晶を注入した際には、プラスチックフィルム類
の上電極基板がガラス製の下電極基板の平面性にならう
ことになり、0.1μm以下の均一なセルギャップ精度
を広面積にわたつて確保することができ、均一な表示を
得ることができ、この結果、ガラス製の下電極基板とし
ては表面研磨処理等の特別なセル製造工程を必要としな
い通常のガラス基板を用いることができる9
第1図は本発明の一実施例を示す断面構造図、第2図は
角度関係を示す説明図、第3図は液晶セルの色差測定図
、第4図は従来例を示す断面構造図、第5図及び第6図
は液晶セルの色差測定図である。 21、.22・・・透明電極パターン、23.24・・
・配向膜、25・・・上電極基板、26・・・下電極基
板、27・・・スペーサ、28・・・シール材TLI
角度関係を示す説明図、第3図は液晶セルの色差測定図
、第4図は従来例を示す断面構造図、第5図及び第6図
は液晶セルの色差測定図である。 21、.22・・・透明電極パターン、23.24・・
・配向膜、25・・・上電極基板、26・・・下電極基
板、27・・・スペーサ、28・・・シール材TLI
Claims (1)
- ドットマトリックス表示用の透明電極パターンと配向膜
とを各々形成した上下一対の電極基板を、前記透明電極
パターン側を内側にしてスペーサを介して対向配置させ
、周囲をシール材でシールしたこれらの電極基板間に液
晶層を挾持させ、前記上下一対の電極基板の外側に一対
の偏光子を設け、前記液晶層中の液晶分子のねじれ角を
180°〜270°の範囲内に設定し、前記一対の電極
基板上の液晶分子の配向方向とこれらの電極基板に近接
した偏光子の透過軸又は吸収軸とのなす角を各々液晶分
子のねじれ方向に対して30°〜60°の範囲内に設定
した液晶表示素子において、前記上電極基板を1軸延伸
させたプラスチックフィルムにより形成し、その延伸軸
方向と隣接する偏光子の透過軸又は吸収軸とのなす角度
を±3°以内に形成し、前記下電極基板をガラスにより
形成し、前記スペーサを粒径の標準偏差が0.3μm以
下、散布密度が50個/mm^2〜300個/mm^2
の範囲内とした球状粒子により形成したことを特徴とす
る液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63284164A JPH02130523A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63284164A JPH02130523A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02130523A true JPH02130523A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17675012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63284164A Pending JPH02130523A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02130523A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0895068A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-04-12 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2001221998A (ja) * | 1991-08-01 | 2001-08-17 | Seiko Epson Corp | 液晶表示素子及び電子機器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57128319A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-09 | Hitachi Ltd | Display panel |
JPS58143305A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-25 | Hitachi Ltd | 表示パネル |
JPS63204231A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶装置 |
-
1988
- 1988-11-10 JP JP63284164A patent/JPH02130523A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57128319A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-09 | Hitachi Ltd | Display panel |
JPS58143305A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-25 | Hitachi Ltd | 表示パネル |
JPS63204231A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001221998A (ja) * | 1991-08-01 | 2001-08-17 | Seiko Epson Corp | 液晶表示素子及び電子機器 |
JPH0895068A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-04-12 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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