JPH02126610A - チップコイルの製造方法 - Google Patents
チップコイルの製造方法Info
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- JPH02126610A JPH02126610A JP28087488A JP28087488A JPH02126610A JP H02126610 A JPH02126610 A JP H02126610A JP 28087488 A JP28087488 A JP 28087488A JP 28087488 A JP28087488 A JP 28087488A JP H02126610 A JPH02126610 A JP H02126610A
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Landscapes
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上にコイル導体を形成してなる高周波コ
イルに関し、特にコイルのQを向上できるようにした構
造及びその製造方法に関する。
イルに関し、特にコイルのQを向上できるようにした構
造及びその製造方法に関する。
従来から、コイルとして、金属導体を螺旋状に巻回して
なる空心コイル及びフェライトやアルミナ等のボビンに
巻線を施してなるボビン巻線コイル等がある。しかしこ
の両コイルは形状が大きく。
なる空心コイル及びフェライトやアルミナ等のボビンに
巻線を施してなるボビン巻線コイル等がある。しかしこ
の両コイルは形状が大きく。
特性が不安定であることから、高周波領域では採用でき
ない、これに対して絶縁体基板の表面に金属薄膜からな
る帯状のコイル導体を形成してなる高周波コイルは、部
品形状を小型化でき、しかもマイクロ波帯の高周波領域
に採用できる。この高周波コイルを製造する場合は、従
来、以下の方法が採用されている0例えばガラス、セラ
ミックス製基板の表面全面にスパッタリングあるいは蒸
着法等によりAg等の金属薄膜を形成し、該薄膜の上面
にコイルパターンに応じた形状のレジスト膜を形成し、
これにより上記薄膜の不要部分をエツチングにより除去
してコイル導体を形成する。
ない、これに対して絶縁体基板の表面に金属薄膜からな
る帯状のコイル導体を形成してなる高周波コイルは、部
品形状を小型化でき、しかもマイクロ波帯の高周波領域
に採用できる。この高周波コイルを製造する場合は、従
来、以下の方法が採用されている0例えばガラス、セラ
ミックス製基板の表面全面にスパッタリングあるいは蒸
着法等によりAg等の金属薄膜を形成し、該薄膜の上面
にコイルパターンに応じた形状のレジスト膜を形成し、
これにより上記薄膜の不要部分をエツチングにより除去
してコイル導体を形成する。
ところで、上記従来の高周波コイルにおいては、コイル
導体をスパッタリング等の薄膜技術により形成すること
から、このコイル導体の膜厚が薄い分導体抵抗が太き(
なり、Qが低いという問題があり、このQの向上が要請
されている。
導体をスパッタリング等の薄膜技術により形成すること
から、このコイル導体の膜厚が薄い分導体抵抗が太き(
なり、Qが低いという問題があり、このQの向上が要請
されている。
ここで、上記Qを向上させるには、コイル導体の膜厚を
厚くして導体抵抗を小さくしてやればよいことが知られ
ている。そこで、上記薄膜技術により形成されたコイル
導体の上面に、コイル4体を重ねて形成して膜厚を厚く
することが考えられる。しかしながら線幅9間隔が数十
μmと非常に細いコイル導体の上面にコイル導体を精度
よ(重ねて形成するのは困難であり、結局コイル導体の
膜厚を厚(することは現状では難しい。
厚くして導体抵抗を小さくしてやればよいことが知られ
ている。そこで、上記薄膜技術により形成されたコイル
導体の上面に、コイル4体を重ねて形成して膜厚を厚く
することが考えられる。しかしながら線幅9間隔が数十
μmと非常に細いコイル導体の上面にコイル導体を精度
よ(重ねて形成するのは困難であり、結局コイル導体の
膜厚を厚(することは現状では難しい。
本発明は上記従来の状況に鑑みてなされたもので、コイ
ル導体を重ねて形成する際の寸法精度を向上して厚膜化
を実現でき、Qを向上できる高周波コイル及びその製造
方法を提供することを目的としている。
ル導体を重ねて形成する際の寸法精度を向上して厚膜化
を実現でき、Qを向上できる高周波コイル及びその製造
方法を提供することを目的としている。
本件発明者らは、薄膜技術により形成したコイル導体の
上面に、コイル導体を重ねて形成して厚膜化する場合、
基板上に、コイル導体のパターン形状に応じた開口を有
する絶縁膜を形成し、これの開口内に導体膜を形成する
ようにすれば寸法精度のよい厚膜のコイル導体が得られ
ることを見出した。そしてさらに検討を重ねた結果、上
記コイル導体に応じたパターンの絶縁膜を形成するには
、該絶縁膜に微細加工ができなければならず、従ってこ
の絶縁膜の材料として微細加工ができるものを選定すれ
ば寸法精度のよい厚膜のコイル導体を実現できることに
想到し、本発明を成したものである。
上面に、コイル導体を重ねて形成して厚膜化する場合、
基板上に、コイル導体のパターン形状に応じた開口を有
する絶縁膜を形成し、これの開口内に導体膜を形成する
ようにすれば寸法精度のよい厚膜のコイル導体が得られ
ることを見出した。そしてさらに検討を重ねた結果、上
記コイル導体に応じたパターンの絶縁膜を形成するには
、該絶縁膜に微細加工ができなければならず、従ってこ
の絶縁膜の材料として微細加工ができるものを選定すれ
ば寸法精度のよい厚膜のコイル導体を実現できることに
想到し、本発明を成したものである。
そこで、本願第1項の発明は、基板の表面にコイル導体
を形成してなる高周波コイルにおいて、上記コイル導体
を、基板の表面に薄膜技術により形成された第1コイル
導体と、該第1コイル4体の上面にメッキにより形成さ
れた第2コイル導体とで構成し、上記基板上の、上記コ
イル導体以外の部分をポリイミドあるいはポリアミドか
らなる絶縁体で構成したことを特徴としている。
を形成してなる高周波コイルにおいて、上記コイル導体
を、基板の表面に薄膜技術により形成された第1コイル
導体と、該第1コイル4体の上面にメッキにより形成さ
れた第2コイル導体とで構成し、上記基板上の、上記コ
イル導体以外の部分をポリイミドあるいはポリアミドか
らなる絶縁体で構成したことを特徴としている。
また、本願第2項の発明は、上記高周波コイルの構造を
実現するための製造方法であって、基板の表面に薄膜状
の第1コイル導体をパターン形成し、該コイル導体の上
面を覆うように上記基板の表面にポリイミドあるいはポ
リアミドからなる絶縁膜をコーティングした後、該絶縁
膜の第1コイル導体に対応した所要部分をエツチング法
により除去する。つまり必ずしも第1コイル導体全面で
はなく、膜厚を厚くしたい要厚膜化部分に対応した部分
をエツチング法により除去し、しかる後上記第1コイル
導体の上面の上記所要部分にメッキ法により第2コイル
導体を形成したことを特徴としている。
実現するための製造方法であって、基板の表面に薄膜状
の第1コイル導体をパターン形成し、該コイル導体の上
面を覆うように上記基板の表面にポリイミドあるいはポ
リアミドからなる絶縁膜をコーティングした後、該絶縁
膜の第1コイル導体に対応した所要部分をエツチング法
により除去する。つまり必ずしも第1コイル導体全面で
はなく、膜厚を厚くしたい要厚膜化部分に対応した部分
をエツチング法により除去し、しかる後上記第1コイル
導体の上面の上記所要部分にメッキ法により第2コイル
導体を形成したことを特徴としている。
ここで、上記絶縁膜にポリイミドあるいはポリアミドを
採用した理由について説明する。
採用した理由について説明する。
このポリイミド、ポリアミドは、従来から絶縁膜として
採用されているS loz 、 S ls Na r
PSG、SOG等の無機材料に比べ、加工性、量産性、
及び品質に対する信転性に優れており、しかも誘電率が
小さい、また、感光性を有しているポリイミド、ポリア
ミドは、これを基板上にコーティングした後に、また非
感光性のものは、ホトレジストをコートした後に、それ
ぞれホトリソグラフィーの技術を採用することにより、
容易に微細加工ができる。
採用されているS loz 、 S ls Na r
PSG、SOG等の無機材料に比べ、加工性、量産性、
及び品質に対する信転性に優れており、しかも誘電率が
小さい、また、感光性を有しているポリイミド、ポリア
ミドは、これを基板上にコーティングした後に、また非
感光性のものは、ホトレジストをコートした後に、それ
ぞれホトリソグラフィーの技術を採用することにより、
容易に微細加工ができる。
また、本発明の高周波コイルは、基板上に第1゜第2コ
イル導体及び絶縁膜を一層だけ形成してなる単層のもの
、コイル導体と絶縁膜を交互に積層してなる多層のもの
が含まれる。
イル導体及び絶縁膜を一層だけ形成してなる単層のもの
、コイル導体と絶縁膜を交互に積層してなる多層のもの
が含まれる。
さらに、本発明のコイル導体の形状としては、例えばス
パイラルタイプ、ミアンダタイプ等が考えられ、特に限
定されるものではない。
パイラルタイプ、ミアンダタイプ等が考えられ、特に限
定されるものではない。
さらにまた、上記第1コイル導体の形成方法としては、
スパッタリング、蒸着、イオンブレーティグ法等が採用
できる。
スパッタリング、蒸着、イオンブレーティグ法等が採用
できる。
本願第1項の発明に係る高周波コイルによれば、基板の
表面に薄膜技術により形成された第1コイル導体の上面
に、メッキにより第2コイル導体を形成してコイル導体
を構成したので、このコイル導体の膜厚を厚くすること
ができ、導体抵抗を小さくしてQを向上できる。
表面に薄膜技術により形成された第1コイル導体の上面
に、メッキにより第2コイル導体を形成してコイル導体
を構成したので、このコイル導体の膜厚を厚くすること
ができ、導体抵抗を小さくしてQを向上できる。
本願第2項の製造方法では、上記第1コイル厚体の上面
にポリイミド、ポリアミドからなる絶縁膜をコーティン
グして、該絶縁膜の第1コイル導体の厚くしたい部分を
エツチングで除去した後、第1コイル導体の上面にメッ
キ法により第2コイル導体を形成したので、上記エツチ
ングにより絶縁膜に微細加工ができるから、この絶縁膜
に線幅の細いコイルパターンに応じた開口を形成でき、
寸法精度を向上できる。
にポリイミド、ポリアミドからなる絶縁膜をコーティン
グして、該絶縁膜の第1コイル導体の厚くしたい部分を
エツチングで除去した後、第1コイル導体の上面にメッ
キ法により第2コイル導体を形成したので、上記エツチ
ングにより絶縁膜に微細加工ができるから、この絶縁膜
に線幅の細いコイルパターンに応じた開口を形成でき、
寸法精度を向上できる。
また、予め厚膜の導体膜を形成し、これをフォトエツチ
ングしてコイル導体を形成する方法の場合、コイル導体
の側面がエツチングによって侵食され、寸法精度が出な
いという問題があるが、本発明は、メッキ法で第2コイ
ル導体を形成することによって厚膜化する方法であるか
ら、上述のような侵食の問題が生じることはない。
ングしてコイル導体を形成する方法の場合、コイル導体
の側面がエツチングによって侵食され、寸法精度が出な
いという問題があるが、本発明は、メッキ法で第2コイ
ル導体を形成することによって厚膜化する方法であるか
ら、上述のような侵食の問題が生じることはない。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第1図ないし第3図は本発明の一実施例による高周波コ
イル、及びその製造方法を説明するための図である。
イル、及びその製造方法を説明するための図である。
まず、本願第1項の発明の一実施例による高周波コイル
の構造について説明する。
の構造について説明する。
保護被膜を除いた平面状態を示す第1図において、1は
本実施例のチップ型の高周波コイルであり、これはガラ
ス又はセラミックスからなる絶縁体基Fi2の上面に、
膜厚1〜20μ−の金属膜からなるコイル導体4をパタ
ーン形成して構成されている。このコイル導体4は、上
記基板2上面の左。
本実施例のチップ型の高周波コイルであり、これはガラ
ス又はセラミックスからなる絶縁体基Fi2の上面に、
膜厚1〜20μ−の金属膜からなるコイル導体4をパタ
ーン形成して構成されている。このコイル導体4は、上
記基板2上面の左。
右縁部に形成された端子電極3a、3b及び中央部に形
成されたスパイラルコイル5からなり、該コイル5の外
端5aは図面左側の端子’I極3aに接続されており、
内端5bは後述するリード電極8を介して図面右側の端
子it極3bに接続されている。
成されたスパイラルコイル5からなり、該コイル5の外
端5aは図面左側の端子’I極3aに接続されており、
内端5bは後述するリード電極8を介して図面右側の端
子it極3bに接続されている。
また、上記コイル1の断面状態を示す第2図において、
上記コイル導体4は、上記&fi縁体基板2に薄膜技術
により形成された第1コイル導体6と、該コイル導体6
の上面にメッキにより形成された第2コイル導体7とか
ら構成さ机た2層構造となっている。上記第1コイル導
体6は、Ti+ CrtPd等からなる金属膜の上面に
、さらにNi、Cu、Ag等からなる金属膜を蒸着、ス
パッタリングあるいはイオンブレーティング等の薄膜技
術により形成して導体膜を形成し、上記コイル導体4及
び端子電ff13a、3b以外の部分をエツチングによ
り除去して形成されたものである。
上記コイル導体4は、上記&fi縁体基板2に薄膜技術
により形成された第1コイル導体6と、該コイル導体6
の上面にメッキにより形成された第2コイル導体7とか
ら構成さ机た2層構造となっている。上記第1コイル導
体6は、Ti+ CrtPd等からなる金属膜の上面に
、さらにNi、Cu、Ag等からなる金属膜を蒸着、ス
パッタリングあるいはイオンブレーティング等の薄膜技
術により形成して導体膜を形成し、上記コイル導体4及
び端子電ff13a、3b以外の部分をエツチングによ
り除去して形成されたものである。
さらに、上記第2コイル導体7は、上記第1コイル導体
6の上面の基板2上にポリイミドあるいはポリアミド樹
脂をコーティングして1色縁11!9を形成し、該絶縁
膜9の第1コイル導体6の上面部分をエツチングにより
除去して開口を形成し、この開口内に電解メッキあるい
は熱電解メッキによりAg、Cu、Au等を被覆して形
成されたものである。
6の上面の基板2上にポリイミドあるいはポリアミド樹
脂をコーティングして1色縁11!9を形成し、該絶縁
膜9の第1コイル導体6の上面部分をエツチングにより
除去して開口を形成し、この開口内に電解メッキあるい
は熱電解メッキによりAg、Cu、Au等を被覆して形
成されたものである。
また、上記コイル導体4の両端子1f極3a、3b部分
を除く基板2上にはポリイミドあるいはポリアミドから
なる保護被膜10が形成されており、該被膜10のスパ
イラルコイル5の内端5bを臨む部分にはスルーホール
11が形成されている。
を除く基板2上にはポリイミドあるいはポリアミドから
なる保護被膜10が形成されており、該被膜10のスパ
イラルコイル5の内端5bを臨む部分にはスルーホール
11が形成されている。
さらに、上記保護被膜10の上面にはり一ド電掻8が形
成されており、該電極8の一端は上記スルーホール11
を介して内端5bに接続され、他端は端子電極3bに接
続されている。これにより本実施例の高周波コイル1が
構成されている。
成されており、該電極8の一端は上記スルーホール11
を介して内端5bに接続され、他端は端子電極3bに接
続されている。これにより本実施例の高周波コイル1が
構成されている。
次に、本願第2項の発明の一実施例による上記高周波コ
イル1の製造方法を説明する。
イル1の製造方法を説明する。
第3図(δ)ないし第3図(1)は本実施例の製造工程
を示す断面図であり、この各図は第2図の中央部分を示
す。
を示す断面図であり、この各図は第2図の中央部分を示
す。
■ まず、鏡面研磨が施された厚さ0.6 mのガラス
基板2の上面に、密着性を向上させるためのTi膜13
aをスパッタリング法により形成し、次に該T、i膜1
3aの表面にTi、Agを同時に2元スパッタリングす
ることによりTi−Ag膜13bを形成し、続いてこの
Ti−Ag)l!13bの表面に導電性の良いAg膜1
3cを同じくスパッタリングにより形成して、3層構造
からなる厚さ2200人の導体膜13を形成する(第3
図+a+)。
基板2の上面に、密着性を向上させるためのTi膜13
aをスパッタリング法により形成し、次に該T、i膜1
3aの表面にTi、Agを同時に2元スパッタリングす
ることによりTi−Ag膜13bを形成し、続いてこの
Ti−Ag)l!13bの表面に導電性の良いAg膜1
3cを同じくスパッタリングにより形成して、3層構造
からなる厚さ2200人の導体膜13を形成する(第3
図+a+)。
■ 上記導体膜13の上面にレジスト膜12をコーティ
ングし、該レジスト膜12を予めスパイラルコイル5及
び端子電極3a、3bに応じてパターン設計されたマス
クで覆い、これを露光してレジスト膜12の残したい部
分に光りを当てる。
ングし、該レジスト膜12を予めスパイラルコイル5及
び端子電極3a、3bに応じてパターン設計されたマス
クで覆い、これを露光してレジスト膜12の残したい部
分に光りを当てる。
これを現像処理してレジスト膜12の不要部分を除去す
る(第3図山))。
る(第3図山))。
■ 次に、上記ガラス基板2にエツチング処理を施す、
すると上記レジスト膜12のない部分の導体膜13が除
去され、線幅40μ請1間隔40μ−のスパイラルコイ
ル5.端子電極3a、3bからなる第1コイル導体6が
形成される(第3図(C1)。
すると上記レジスト膜12のない部分の導体膜13が除
去され、線幅40μ請1間隔40μ−のスパイラルコイ
ル5.端子電極3a、3bからなる第1コイル導体6が
形成される(第3図(C1)。
しかる後、この第1コイル導体6の上面のレジスト膜1
2を除去する。
2を除去する。
■ 続いて、上記ガラス基板2の第1コイル導体6の上
面に、感光性ポリイミド樹脂からなる絶縁膜9を厚さl
Oμ−になるようにコーティングし、乾燥させる(第3
図fdl)。
面に、感光性ポリイミド樹脂からなる絶縁膜9を厚さl
Oμ−になるようにコーティングし、乾燥させる(第3
図fdl)。
■ そして、上記絶縁膜9の第1コイル導体6の厚くし
たい部分を、即ち、第1コイル導体6の全面を厚膜化す
る場合は全面を、一部のみ厚膜化する場合は該一部をマ
スクで覆い、これを露光した後、これを現像(エツチン
グ)する、すると、絶縁膜9は露光された第1コイル導
体6以外の部分だけが残り、第1コイル導体6に沿った
開口14が形成されて、上記スパイラルコイル5.端子
電極3a、3b部分が露出することになる(第3図fi
l) 、次に、上記ガラス基板2をN2ガス中にて40
0℃に加熱して絶縁膜9を硬化させる。なお、上記ポリ
イミドが非感光性の場合は、ポジ形レジストを塗布した
後、絶縁膜の残さない部分を露光してエツチングすれば
よい。
たい部分を、即ち、第1コイル導体6の全面を厚膜化す
る場合は全面を、一部のみ厚膜化する場合は該一部をマ
スクで覆い、これを露光した後、これを現像(エツチン
グ)する、すると、絶縁膜9は露光された第1コイル導
体6以外の部分だけが残り、第1コイル導体6に沿った
開口14が形成されて、上記スパイラルコイル5.端子
電極3a、3b部分が露出することになる(第3図fi
l) 、次に、上記ガラス基板2をN2ガス中にて40
0℃に加熱して絶縁膜9を硬化させる。なお、上記ポリ
イミドが非感光性の場合は、ポジ形レジストを塗布した
後、絶縁膜の残さない部分を露光してエツチングすれば
よい。
■ 上記ガラス基板2をシアン化銀浴に浸漬して電解メ
ッキを行う、すると、上記第1コイル導体6の上面部分
だけにAgメッキ膜が付着して第2コイル導体7が形成
される。これにより、第1゜第2コイル導体6,7から
なる厚膜状のコイル導体4が形成されることとなる。
ッキを行う、すると、上記第1コイル導体6の上面部分
だけにAgメッキ膜が付着して第2コイル導体7が形成
される。これにより、第1゜第2コイル導体6,7から
なる厚膜状のコイル導体4が形成されることとなる。
■ 次に、上記コイル導体4のガラス基板2上面に感光
性ポリイミド樹脂をコーティングして保護被膜10を形
成し、乾燥させる(第3図fgl)。
性ポリイミド樹脂をコーティングして保護被膜10を形
成し、乾燥させる(第3図fgl)。
そして、この保護被膜IOの、上記端子電極3a。
3b(第2図参照)、及びスルーホール11対応部を除
く部分にマスクをかけ、上記■工程と同様の方法にて露
光−現像を行う、すると、上記端子’を極3a、3b(
第2図参照)部分が露出されるとともに、内端5b部分
にスルーホール11が形成されることになる(第3図(
目)。
く部分にマスクをかけ、上記■工程と同様の方法にて露
光−現像を行う、すると、上記端子’を極3a、3b(
第2図参照)部分が露出されるとともに、内端5b部分
にスルーホール11が形成されることになる(第3図(
目)。
■ 最後に、上記保護被膜10の上面にスパッタリング
により導体膜を形成し、上記■工程と同様の方法にてリ
ード電極8を形成して上記内端5bと端子電極3bを接
続する(第3図(11)、これにより、本実施例の1.
6X3.2X0.7nからなる大きさの高周波コイル1
が製造される(第1図及び第2図参照)。
により導体膜を形成し、上記■工程と同様の方法にてリ
ード電極8を形成して上記内端5bと端子電極3bを接
続する(第3図(11)、これにより、本実施例の1.
6X3.2X0.7nからなる大きさの高周波コイル1
が製造される(第1図及び第2図参照)。
なお、上記■工程では、スパイラルコイル5の内端5b
と端子電極3bとをリードを極8で接続したが、上記両
者5b、3bをAu線によるワイヤボンディングにより
接続し、これをナイロン。
と端子電極3bとをリードを極8で接続したが、上記両
者5b、3bをAu線によるワイヤボンディングにより
接続し、これをナイロン。
エポキシ樹脂系の接着剤で固定してもよい。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例の高周波コイル1によれば、ガラス基板2の上
面に第1コイル導体6を形成し、これの上面に第2コイ
ル導体7を形成してコイル導体4を構成したので、例え
ば1〜20μ面の厚さからなるコイル導体4を形成する
ことができるから、それだけ導体抵抗を小さくでき、Q
を向上できる。
面に第1コイル導体6を形成し、これの上面に第2コイ
ル導体7を形成してコイル導体4を構成したので、例え
ば1〜20μ面の厚さからなるコイル導体4を形成する
ことができるから、それだけ導体抵抗を小さくでき、Q
を向上できる。
これにより、高周波領域、 G)IZ帯まで自己共振し
ない小型の平面コイルが得られる。
ない小型の平面コイルが得られる。
また、本実施例の製造方法では、第1コイル導体6の上
面にポリイミド樹脂からなる絶縁膜9を形成し、これの
第1コイル導体6部分をエツチングして開口14を形成
し、該開口14内の第1コイル導体6上にメッキにより
第2コイル導体7を形成したので、線幅が細く厚みの厚
いパターン形成する際の微細加工を可能にして寸法精度
を向上でき、品質の信顛性を向上できる。
面にポリイミド樹脂からなる絶縁膜9を形成し、これの
第1コイル導体6部分をエツチングして開口14を形成
し、該開口14内の第1コイル導体6上にメッキにより
第2コイル導体7を形成したので、線幅が細く厚みの厚
いパターン形成する際の微細加工を可能にして寸法精度
を向上でき、品質の信顛性を向上できる。
さらに、本実施例では絶縁膜9にポリイミドあるいはポ
リアミドを採用することにより、耐熱性。
リアミドを採用することにより、耐熱性。
耐湿性に優れ、かつヒートシラツク性、耐振動性特性に
も優れた部品が得られる。
も優れた部品が得られる。
なお、上記実施例では、ガラス基板2上に、コイル導体
4及び保護被膜10を一層形成した場合を例にとって説
明したが、本発明は上記実施例のコイル1において、上
記保j!!被膜10の上面にさらにコイル導体、絶縁膜
を操り返し形成してなる多層コイルにも適用でき、また
上記基板2を挟んだ両表面にコイルを形成してなるもの
にも適用できる。
4及び保護被膜10を一層形成した場合を例にとって説
明したが、本発明は上記実施例のコイル1において、上
記保j!!被膜10の上面にさらにコイル導体、絶縁膜
を操り返し形成してなる多層コイルにも適用でき、また
上記基板2を挟んだ両表面にコイルを形成してなるもの
にも適用できる。
また、上記実施例では、第1コイル導体6の上面に絶縁
膜9をコーティングした後、エツチングして第1コイル
導体6を露出させたが、本発明の技術思想は、第1コイ
ル導体6の所定の部分を露出させるようにして、スクリ
ーン印刷などを用いて所定の位置にポリイミドあるいは
ポリアミドからなる絶縁膜を形成し、しかる後、メッキ
により第2コイル導体7を形成する場合も包含するもの
である。
膜9をコーティングした後、エツチングして第1コイル
導体6を露出させたが、本発明の技術思想は、第1コイ
ル導体6の所定の部分を露出させるようにして、スクリ
ーン印刷などを用いて所定の位置にポリイミドあるいは
ポリアミドからなる絶縁膜を形成し、しかる後、メッキ
により第2コイル導体7を形成する場合も包含するもの
である。
さらに、上記実施例ではスパイラル状のコイルを例にと
って説明したが、本発明は勿論これに限られるものでは
ない0例えば、第4図に示すようなミアンダタイプのコ
イル導体20にも適用でき、この場合も上記実施例と同
様の効果が得られる。
って説明したが、本発明は勿論これに限られるものでは
ない0例えば、第4図に示すようなミアンダタイプのコ
イル導体20にも適用でき、この場合も上記実施例と同
様の効果が得られる。
さらにまた、上記実施例では高周波コイルlを例にとっ
たが、本発明はコイルとコンデンサとを組み合わせてな
るLCフィルタ、あるいはトランスなどにも適用できる
。
たが、本発明はコイルとコンデンサとを組み合わせてな
るLCフィルタ、あるいはトランスなどにも適用できる
。
以上のように本願第1項の発明によれば、基板の表面に
第1コイル導体を形成し、該コイル導体の上面にメッキ
により第2コイル導体を形成してコイル導体を構成し、
また第2項の発明による製造方法では、上記第1コイル
導体の上面にポリイミドあるいはポリアミドからなる絶
縁膜を形成し、該絶縁膜の所要部分をエツチング法によ
り除去した後、第1コイル導体の上面にメッキ法により
第2コイル導体を形成したので、微細加工を可能にして
寸法精度の高い、膜厚の厚いコイル導体を形成でき、Q
を向上できる効果がある。
第1コイル導体を形成し、該コイル導体の上面にメッキ
により第2コイル導体を形成してコイル導体を構成し、
また第2項の発明による製造方法では、上記第1コイル
導体の上面にポリイミドあるいはポリアミドからなる絶
縁膜を形成し、該絶縁膜の所要部分をエツチング法によ
り除去した後、第1コイル導体の上面にメッキ法により
第2コイル導体を形成したので、微細加工を可能にして
寸法精度の高い、膜厚の厚いコイル導体を形成でき、Q
を向上できる効果がある。
第1図ないし第3図は本発明の一実施例による高周波コ
イル及びその製造方法を説明するための図であり、第1
図はその平面図、第2図はその断面図、第3図+11な
いし第3図+11はそれぞれ製造工程を示す断面図、第
4図は上記実施例の変形例を示す斜視図である。 図において、1は高周波コイル、2はガラス基板(基板
)、4はコイル導体、6は第1コイル導体、7は第2コ
イル導体、9は絶縁膜である。
イル及びその製造方法を説明するための図であり、第1
図はその平面図、第2図はその断面図、第3図+11な
いし第3図+11はそれぞれ製造工程を示す断面図、第
4図は上記実施例の変形例を示す斜視図である。 図において、1は高周波コイル、2はガラス基板(基板
)、4はコイル導体、6は第1コイル導体、7は第2コ
イル導体、9は絶縁膜である。
Claims (2)
- (1)基板の表面にコイル導体をパターン形成してなる
高周波コイルにおいて、上記コイル導体が、基板の表面
に薄膜技術により形成された第1コイル導体と、該第1
コイル導体の上面にメッキにより形成された第2コイル
導体とから構成されており、上記基板上の、上記コイル
導体以外の部分がポリイミドあるいはポリアミドからな
る絶縁体で構成されていることを特徴とする高周波コイ
ル。 - (2)基板の表面に薄膜状の第1コイル導体をパターン
形成し、該コイル導体の上面を覆うように上記基板の表
面にポリイミドあるいはポリアミドからなる絶縁膜をコ
ーティングした後、該絶縁膜の上記第1コイル導体に対
応した所要部分をエッチング法により除去し、しかる後
該第1コイル導体の上面の所要部分にメッキ法により第
2コイル導体を形成したことを特徴とする高周波コイル
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63280874A JP3000579B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | チップコイルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63280874A JP3000579B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | チップコイルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02126610A true JPH02126610A (ja) | 1990-05-15 |
JP3000579B2 JP3000579B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=17631156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63280874A Expired - Lifetime JP3000579B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | チップコイルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3000579B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0461210A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | インダクタンス素子形成法 |
JPH0430707U (ja) * | 1990-07-04 | 1992-03-12 | ||
JPH04276608A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | インダクタンス素子 |
JPH0653052A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-25 | Murata Mfg Co Ltd | ライントランス |
US5307045A (en) * | 1989-12-28 | 1994-04-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency inductor and manufacturing method thereof |
JPH06204041A (ja) * | 1991-05-31 | 1994-07-22 | Amorphous Denshi Device Kenkyusho:Kk | 分割コイル型インダクタンス素子 |
JPH06290951A (ja) * | 1991-12-27 | 1994-10-18 | Avx Corp | 高精度表面実装型インダクタ |
US5515022A (en) * | 1991-05-13 | 1996-05-07 | Tdk Corporation | Multilayered inductor |
JP2000323345A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-11-24 | Tdk Corp | 高周波電子部品及びその製造方法 |
US6771463B2 (en) | 2000-05-10 | 2004-08-03 | Tdk Corporation | Thin-film coil and thin-film magnetic head having two patterned conductor layers that are coil-shaped and stacked |
US7176773B2 (en) | 2003-02-21 | 2007-02-13 | Tdk Corporation | High density inductor and method for producing same |
JP2013135220A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | チップインダクタ及びその製造方法 |
JP2015032625A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 新光電気工業株式会社 | コイル基板及びその製造方法、インダクタ |
JP2017034227A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | コイル電子部品及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5955366B2 (ja) | 2014-09-30 | 2016-07-20 | 富士重工業株式会社 | 車両用制御装置 |
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JPS5147259A (ja) * | 1974-10-22 | 1976-04-22 | Soshin Electric | Maikabanjonikeiseishitapurintokoiru |
JPS5974608A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-27 | Hitachi Ltd | 配線構造体の成形方法 |
JPS60254403A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Fujitsu Ltd | 薄膜コイル製造方法 |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP63280874A patent/JP3000579B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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JP2017034227A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | コイル電子部品及びその製造方法 |
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JP3000579B2 (ja) | 2000-01-17 |
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