JPH02119299A - 電子部品収納ケース - Google Patents
電子部品収納ケースInfo
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- JPH02119299A JPH02119299A JP27375888A JP27375888A JPH02119299A JP H02119299 A JPH02119299 A JP H02119299A JP 27375888 A JP27375888 A JP 27375888A JP 27375888 A JP27375888 A JP 27375888A JP H02119299 A JPH02119299 A JP H02119299A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波集積回路などの電子部品を収納
するケース、特にモジュール・ケースに関するものであ
る。
するケース、特にモジュール・ケースに関するものであ
る。
第６図は、従来−股肉に使われているケースの最も単純
な形状のケースを示す図である。前記ケースは全体が同
一の金属あるいはその他の材料で作られ、その代表的な
材料には、アルミニウムがある。他の材料として、文献
” Ｍｅ ｔａ １． Ｍａ ｔｒ ｉｘＣｏｍｐｏｓ
ｉｔｅｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏｄｕｃｔｉｏｎ Ｐａ
ｃｋａｇｉｎｇＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓ″Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ ＆ Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏ
ｎ 、（ＡＵＧＵＳＴ、１９８７）のＰ２７〜Ｐ２９の
Ｆｉｇ ２に記載されている。Ｋｏｖａｒ（コバール）
及０： Ｍｅｔａｌｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔ
韮（メタルマトリクスコンポジット）などがある。
な形状のケースを示す図である。前記ケースは全体が同
一の金属あるいはその他の材料で作られ、その代表的な
材料には、アルミニウムがある。他の材料として、文献
” Ｍｅ ｔａ １． Ｍａ ｔｒ ｉｘＣｏｍｐｏｓ
ｉｔｅｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏｄｕｃｔｉｏｎ Ｐａ
ｃｋａｇｉｎｇＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓ″Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ ＆ Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏ
ｎ 、（ＡＵＧＵＳＴ、１９８７）のＰ２７〜Ｐ２９の
Ｆｉｇ ２に記載されている。Ｋｏｖａｒ（コバール）
及０： Ｍｅｔａｌｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔ
韮（メタルマトリクスコンポジット）などがある。
ケースの材料の熱膨張率、熱伝導率は中に入れる電子部
品、例えばマイクロ波帯の回路に用いるガリウム砒素製
のモノリシック集積回路（以下ＭＭＩＣと称す）の熱膨
張率、発熱量、及び最高動作温度等によって適切な値が
選らばれる。さらにモジュールの重量を軽くするため、
ケース材料の比重も材料選定上の重要な要素となる。
品、例えばマイクロ波帯の回路に用いるガリウム砒素製
のモノリシック集積回路（以下ＭＭＩＣと称す）の熱膨
張率、発熱量、及び最高動作温度等によって適切な値が
選らばれる。さらにモジュールの重量を軽くするため、
ケース材料の比重も材料選定上の重要な要素となる。
例えばアルミニウムは、モジュール・ケース材料として
従来よく使われる。なぜなら前記アルミニウムは比重が
小さいので、ケースを軽量化できるとともに、前記アル
主ニウムは熱伝導率が大きいからである。しかし、前記
アルミニウムの熱膨張率は、前記ケース内に収納される
ＭＭＩＣ等の電子部品の材料に使われるＧａＡｓの熱膨
張率と比べ数倍大きいので、前記アルミニウム板上に前
記電子部品を取り付けた場合、温度変化が生じると前記
電子部品が割れたりするなどの障害が発生する。
従来よく使われる。なぜなら前記アルミニウムは比重が
小さいので、ケースを軽量化できるとともに、前記アル
主ニウムは熱伝導率が大きいからである。しかし、前記
アルミニウムの熱膨張率は、前記ケース内に収納される
ＭＭＩＣ等の電子部品の材料に使われるＧａＡｓの熱膨
張率と比べ数倍大きいので、前記アルミニウム板上に前
記電子部品を取り付けた場合、温度変化が生じると前記
電子部品が割れたりするなどの障害が発生する。
また熱膨張率の点では、前記電子部品の材料であるＧａ
Ａｓの熱膨張率にほぼ等しい熱膨張率である材料として
前記コバールがあるが、前記コバールの比重は大きいの
で、ケースの重量が大きくなる。又前記コバールの熱伝
導率は小さいので、発熱の大きい高出力ＦＥＴ増幅器の
ような回路を前記コバール板の上に取り付けると、放熱
効果が得られず前記ＦＥＴ増幅器回路に故障が発生する
。
Ａｓの熱膨張率にほぼ等しい熱膨張率である材料として
前記コバールがあるが、前記コバールの比重は大きいの
で、ケースの重量が大きくなる。又前記コバールの熱伝
導率は小さいので、発熱の大きい高出力ＦＥＴ増幅器の
ような回路を前記コバール板の上に取り付けると、放熱
効果が得られず前記ＦＥＴ増幅器回路に故障が発生する
。
近年これら３つの要素、すなわち比重、熱膨張率、及び
熱伝導率のいずれも優れた材料として、前記の文献にあ
る如き複合材料であるメタルマトリクスコンポジット（
以下ＭＭＣと記す）等が開発されている。このＭＭＣの
１ つニＦ ＲＭ （ＦｉｂｅｒＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄ
Ｍｅｔａｌ ：繊維強化金属）がある。ケース材料と
して使われる前記ＦＲＭの一つの例として、炭素繊維に
アルミニウムを高圧凝固鋳造法により含浸させたものが
ある（以下ＦＲＭ−（ＡＩ）と記す）。このＦＲＭ−（
ＡＩ）の比重、熱伝導率、熱膨張率は、ケース材料とし
て優れている。しかし、第６図の形状のケースを作る場
合、炭素繊維の織布をケースの底面（１）と平行な面内
に必要枚数重ね合せて、高圧凝固鋳造によりアルミニウ
ムを含浸させて板材をつくる。そして前記板材において
、前記電子部品を収納するための部分を、機械加工によ
り削りとりケースを形成しているため、第６表の側面部
（２）の機械的強度は弱くなっている。
熱伝導率のいずれも優れた材料として、前記の文献にあ
る如き複合材料であるメタルマトリクスコンポジット（
以下ＭＭＣと記す）等が開発されている。このＭＭＣの
１ つニＦ ＲＭ （ＦｉｂｅｒＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄ
Ｍｅｔａｌ ：繊維強化金属）がある。ケース材料と
して使われる前記ＦＲＭの一つの例として、炭素繊維に
アルミニウムを高圧凝固鋳造法により含浸させたものが
ある（以下ＦＲＭ−（ＡＩ）と記す）。このＦＲＭ−（
ＡＩ）の比重、熱伝導率、熱膨張率は、ケース材料とし
て優れている。しかし、第６図の形状のケースを作る場
合、炭素繊維の織布をケースの底面（１）と平行な面内
に必要枚数重ね合せて、高圧凝固鋳造によりアルミニウ
ムを含浸させて板材をつくる。そして前記板材において
、前記電子部品を収納するための部分を、機械加工によ
り削りとりケースを形成しているため、第６表の側面部
（２）の機械的強度は弱くなっている。
このために、前記ＦＲＭ−（ＡＩ）で作ったケースの側
面部（２）の厚みｔは、厚くしなければならない。
面部（２）の厚みｔは、厚くしなければならない。
上記のような従来のモジュール・ケースは、上記の様に
構成されているので、ケースの材料をアルミニウムにす
ると前記アルミニウムの熱膨張率は、収納する電子部品
の材料であるＧａＡｓの熱膨張率に比べて大きいので、
前記電子部品が割れたりするなどの障害が発生する。又
、ケースの材料をＦＲＭ−（ＡＩ）にすると、ＦＲＭ−
（ＡＩ）自体の価格が高価であると同時に、削り棄てら
れる部分もＦＲＭ−（Ａｌ）であるため、ケース全体の
価格が高くなり、更にケースの側板部分の強度が弱くな
るために側板部分を薄くできないなど、以上の様な問題
があった。
構成されているので、ケースの材料をアルミニウムにす
ると前記アルミニウムの熱膨張率は、収納する電子部品
の材料であるＧａＡｓの熱膨張率に比べて大きいので、
前記電子部品が割れたりするなどの障害が発生する。又
、ケースの材料をＦＲＭ−（ＡＩ）にすると、ＦＲＭ−
（ＡＩ）自体の価格が高価であると同時に、削り棄てら
れる部分もＦＲＭ−（Ａｌ）であるため、ケース全体の
価格が高くなり、更にケースの側板部分の強度が弱くな
るために側板部分を薄くできないなど、以上の様な問題
があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、熱膨張率が収納される電子部品の熱膨張率に近く
、熱伝導率が大きく、更に加工性に優れ、価格の安いケ
ースをつくることを目的とする。
ので、熱膨張率が収納される電子部品の熱膨張率に近く
、熱伝導率が大きく、更に加工性に優れ、価格の安いケ
ースをつくることを目的とする。
この発明に係る電子部品収納ケースは、電子部品の取り
付け面の少なくとも一部を、ｔａ維と金属との複合材料
で形成し、他の部分は熱伝導性に優れた材料で形成し、
これらを一体化成形する。
付け面の少なくとも一部を、ｔａ維と金属との複合材料
で形成し、他の部分は熱伝導性に優れた材料で形成し、
これらを一体化成形する。
この発明においては、電子部品の取り付け面が前記電子
部品の熱膨張率とほぼ等しい材料である繊維と金属との
複合材料（ＦＲＭ）で形成されているため、電子部品が
損傷することがなく、またケースを形成する他の部分は
、比重が小さく且つ前記繊維と金属との複合材料により
、安価で、熱伝導性に優れたアルミニウム等の金属で形
成されているため、加工性に優れ、機械的強度も複合材
料に比べて大きく、また価格も安価となる。
部品の熱膨張率とほぼ等しい材料である繊維と金属との
複合材料（ＦＲＭ）で形成されているため、電子部品が
損傷することがなく、またケースを形成する他の部分は
、比重が小さく且つ前記繊維と金属との複合材料により
、安価で、熱伝導性に優れたアルミニウム等の金属で形
成されているため、加工性に優れ、機械的強度も複合材
料に比べて大きく、また価格も安価となる。
第１図（ａ） （ｂ）は、この発明の一実施例を示す最
も単純な形状のケースを示す図である。第１図において
、（１）はＦＲＭ−（ＡＩ）で構成されたモジュール・
ケースの底板面部分で、電子部品の取り付け面となる部
分である。（２）はアルミニウム等の単一金属で構成し
た側板部分で、これら２つの部分（１）（２）は接合す
るのではなく、高圧凝固鋳造等により一体化成形で作ら
れる。
も単純な形状のケースを示す図である。第１図において
、（１）はＦＲＭ−（ＡＩ）で構成されたモジュール・
ケースの底板面部分で、電子部品の取り付け面となる部
分である。（２）はアルミニウム等の単一金属で構成し
た側板部分で、これら２つの部分（１）（２）は接合す
るのではなく、高圧凝固鋳造等により一体化成形で作ら
れる。
このケースの製造法の一例について説明する。
第２図の様に（３）は炭素繊維の織布、（４）はアルミ
ニウムの板であり、第２図において、炭素繊維の織布（
３）を必要枚数重ね合せ、その上下を高圧凝固鋳造の型
となるアルミニウムの板（４）ではさみ、このアルミニ
ウムと同質材料のアルミニウムをマトリックスとして、
高圧凝固鋳造を行うと、ＦＲＭの上下にアルミニウム層
のついた素材が出来る。この素材を第１図の如く底板面
部分（１）のみがＦＲＭとなる様に機械加工する。
ニウムの板であり、第２図において、炭素繊維の織布（
３）を必要枚数重ね合せ、その上下を高圧凝固鋳造の型
となるアルミニウムの板（４）ではさみ、このアルミニ
ウムと同質材料のアルミニウムをマトリックスとして、
高圧凝固鋳造を行うと、ＦＲＭの上下にアルミニウム層
のついた素材が出来る。この素材を第１図の如く底板面
部分（１）のみがＦＲＭとなる様に機械加工する。
又、ケースの他の製造方法としては、第３図の様に（５
）は電子部品収納ケースの型をとった鋳物であり、（６
）は高温化された液状アルミニウムを注入するための注
入口である。第３図において、電子部品収納ケースの型
をとった鋳物（５ンの（ａ）部に炭素繊維の織布（３）
を必要枚数重ね合せ、注入口（６）より液状のアルミニ
ウムを、前記電子部品収納ケースの型をとった鋳物（５
）の（ｂ）部にまで注入する。最後に高圧凝固鋳造を行
う。
）は電子部品収納ケースの型をとった鋳物であり、（６
）は高温化された液状アルミニウムを注入するための注
入口である。第３図において、電子部品収納ケースの型
をとった鋳物（５ンの（ａ）部に炭素繊維の織布（３）
を必要枚数重ね合せ、注入口（６）より液状のアルミニ
ウムを、前記電子部品収納ケースの型をとった鋳物（５
）の（ｂ）部にまで注入する。最後に高圧凝固鋳造を行
う。
このように複合材料のマトリクス金属と同じ金属をケー
スの側板部分（２）に用いることで、一体化成形は容易
となる。
スの側板部分（２）に用いることで、一体化成形は容易
となる。
アルミニウムの熱膨張係数は約２４ Ｘ １０−’／℃
であり、前記モジュール・ケースの中に収納する電子部
品の材料であるＧａＡｓの熱膨張係数は約６×１１１−
’／’”Ｃであり、前記アルミニウムの熱膨張係数は
前記ＧａＡｓの熱膨張係数に比べると約４倍である。こ
こで熱膨張係数が小さいという事は、熱膨張率が小さい
という事である。このため、モジュール・ケース全体を
アルミニウムで作り、前記アルミニウム板上に直接、成
るいはキャリア等を介してＧａＡｓテップを取り付ける
場合、温度変化が生じると、前記ＧａＡｓチップに亀裂
が入るなどの問題が生じる。しかし、前記アルミニウム
の場合、比重、熱伝導率とも他の金属に比べて非常に優
れているので、これらの値を大幅に劣化させることなし
に熱膨張率を小さくすれば、ケースに収納する電子部品
との取り付け面の材料として望ましい材料となる。その
材料の一つに従来から知られているＦＲＭ−（Ａｔ）が
ある。炭素繊維に前記アルミニウムをマトリックスとし
たＦＲＭ−（ＡＩ）は、炭素繊維の繊維方向の熱膨張係
数は０．０１位で非常に小さい。したがって、炭素ａ維
とアルミニウムの含有率を調整すると、ＧａＡｓチップ
の熱膨張係数に合わせることができる。ところが、この
場合のＦＲＭ−（ＡＩ）の炭素繊維の含有率は、体積比
の５０％前後にもなり、繊維と直角方向の引張り強さは
、かなり劣化する。このため第１図において、側板部分
（２）はアルミニウムを用いる。前記アルミニウムはＦ
ＲＭ−（ＡＩ ）と比べ強度面が優れているし、前記
述べたように、比重及び熱伝導率が優れているので、側
板部分く２）の厚みｔを薄く出来る。
であり、前記モジュール・ケースの中に収納する電子部
品の材料であるＧａＡｓの熱膨張係数は約６×１１１−
’／’”Ｃであり、前記アルミニウムの熱膨張係数は
前記ＧａＡｓの熱膨張係数に比べると約４倍である。こ
こで熱膨張係数が小さいという事は、熱膨張率が小さい
という事である。このため、モジュール・ケース全体を
アルミニウムで作り、前記アルミニウム板上に直接、成
るいはキャリア等を介してＧａＡｓテップを取り付ける
場合、温度変化が生じると、前記ＧａＡｓチップに亀裂
が入るなどの問題が生じる。しかし、前記アルミニウム
の場合、比重、熱伝導率とも他の金属に比べて非常に優
れているので、これらの値を大幅に劣化させることなし
に熱膨張率を小さくすれば、ケースに収納する電子部品
との取り付け面の材料として望ましい材料となる。その
材料の一つに従来から知られているＦＲＭ−（Ａｔ）が
ある。炭素繊維に前記アルミニウムをマトリックスとし
たＦＲＭ−（ＡＩ）は、炭素繊維の繊維方向の熱膨張係
数は０．０１位で非常に小さい。したがって、炭素ａ維
とアルミニウムの含有率を調整すると、ＧａＡｓチップ
の熱膨張係数に合わせることができる。ところが、この
場合のＦＲＭ−（ＡＩ）の炭素繊維の含有率は、体積比
の５０％前後にもなり、繊維と直角方向の引張り強さは
、かなり劣化する。このため第１図において、側板部分
（２）はアルミニウムを用いる。前記アルミニウムはＦ
ＲＭ−（ＡＩ ）と比べ強度面が優れているし、前記
述べたように、比重及び熱伝導率が優れているので、側
板部分く２）の厚みｔを薄く出来る。
一方、底板面部分（１）は、前記で述べた様に電子部品
との熱膨張率の問題から前記ＦＲＭ−（ＡＩ）を用いる
。
との熱膨張率の問題から前記ＦＲＭ−（ＡＩ）を用いる
。
さらに、ＦＲＭのコストのうち、炭素繊維の価格が占め
る割合が大きいので、底板面部分（１）のみに炭素繊維
を入れることにより、ケース全体に入れるより、ケース
全体の厚みと底板（１）の厚みの比率だけ、使用する炭
素繊維が少くて済み価格が安価となる。
る割合が大きいので、底板面部分（１）のみに炭素繊維
を入れることにより、ケース全体に入れるより、ケース
全体の厚みと底板（１）の厚みの比率だけ、使用する炭
素繊維が少くて済み価格が安価となる。
上記の実施例では、前記モジュール・ケースの底板面部
分（１）において内側表面から外側表面までを、前記Ｆ
ＲＭ−（ＡＩ ）とした実施例であるが、第４図（ａ
） （ｂ）は底板面部分（１）の内側表面及び外側表面
に底板面部分（１）の厚みと比べると、充分に薄い前記
アルミニウム層（３ａ） 、 （３ｂ） 、 （３ｃ）
が残るように加工した一例である。このようにすること
により、前記モジュール・ケースの外観（外から見える
部分）は、すべてアルミニウムとなり、ケースにメツキ
する等、表面処理を行う場合、全てアルミニウムケース
と同一に行なうことが出来る。この場の全体の厚さに比
べて、充分に薄くしておけば、はぼＦＲＭ−（ＡＩ）の
熱膨張率に近い値を保っている。
分（１）において内側表面から外側表面までを、前記Ｆ
ＲＭ−（ＡＩ ）とした実施例であるが、第４図（ａ
） （ｂ）は底板面部分（１）の内側表面及び外側表面
に底板面部分（１）の厚みと比べると、充分に薄い前記
アルミニウム層（３ａ） 、 （３ｂ） 、 （３ｃ）
が残るように加工した一例である。このようにすること
により、前記モジュール・ケースの外観（外から見える
部分）は、すべてアルミニウムとなり、ケースにメツキ
する等、表面処理を行う場合、全てアルミニウムケース
と同一に行なうことが出来る。この場の全体の厚さに比
べて、充分に薄くしておけば、はぼＦＲＭ−（ＡＩ）の
熱膨張率に近い値を保っている。
第５図（ａ） （ｂ）は、第４図の実施例と同様、他の
実施例である。底板面部分（１）の全面に前記ＦＲＭ−
（Ａ１）を入れず、部分的に前記ＦＲＭ−（ＡＩ）を入
れた場合の実施例である。底板面部分（１）をＦＲＭ−
（Ａｌ）にする目的は、そこに取り付ける前記電子部品
の熱膨張係数と同じにすることにより、温度変化があっ
たとき、取り付ける前記電子部品に応力が発生して、破
損酸るいは応力の繰返しにより劣化することを防ぐこと
である。従って第３図において、モジュール・ケースの
底板面部分（１）に対して、前記電子部品の取り付け面
積が小さい前記電子部品又は、発熱量の少ない前記電子
部品を取り付ける場合は、底板面部分（１）の全面を前
記ＦＲＭ−（ＡＩ）にする必要はない。このようにする
事により炭素繊維の使用量を、必要最小限にしてコスト
低減を計った一実施例である。
実施例である。底板面部分（１）の全面に前記ＦＲＭ−
（Ａ１）を入れず、部分的に前記ＦＲＭ−（ＡＩ）を入
れた場合の実施例である。底板面部分（１）をＦＲＭ−
（Ａｌ）にする目的は、そこに取り付ける前記電子部品
の熱膨張係数と同じにすることにより、温度変化があっ
たとき、取り付ける前記電子部品に応力が発生して、破
損酸るいは応力の繰返しにより劣化することを防ぐこと
である。従って第３図において、モジュール・ケースの
底板面部分（１）に対して、前記電子部品の取り付け面
積が小さい前記電子部品又は、発熱量の少ない前記電子
部品を取り付ける場合は、底板面部分（１）の全面を前
記ＦＲＭ−（ＡＩ）にする必要はない。このようにする
事により炭素繊維の使用量を、必要最小限にしてコスト
低減を計った一実施例である。
第１図、第４図、第５図の実施例、他の実施例において
、側板部分（２）の材料としてアルミニウムを使用した
が、比重が小さ（、熱伝導性に優れた他の材料を使用し
てもよい。
、側板部分（２）の材料としてアルミニウムを使用した
が、比重が小さ（、熱伝導性に優れた他の材料を使用し
てもよい。
またケースの底板面部分（１）にＦＲＭ−（ＡＩ）を用
いた例を説明したが、この複合材料Ｆ ＲＩ’ｌ／Ｉ
−（ＡＩ）は電子部品の熱膨張にもとづく熱応力を減少
させるものであるから、電子部品が取り付けられる個所
であれば底板面部分（１）に限らず、側板部分（２）の
一部分に用いてもよい。
いた例を説明したが、この複合材料Ｆ ＲＩ’ｌ／Ｉ
−（ＡＩ）は電子部品の熱膨張にもとづく熱応力を減少
させるものであるから、電子部品が取り付けられる個所
であれば底板面部分（１）に限らず、側板部分（２）の
一部分に用いてもよい。
以上の様にこの発明によれば、収納する電子部毒が取り
付けられるケースの面の少なくとも一部を、繊維と金属
の複合材料で構成したので、熱膨張によって、収納する
電子部品に生ずる熱応力を減少させると同時に、ケース
の他の部分を形成する材料は、良熱伝導性の金属である
ため、ケースの側板部分の面を従来の複合材料に比べて
薄く加工できるとともに、ケース全体の価格は安価とな
る。
付けられるケースの面の少なくとも一部を、繊維と金属
の複合材料で構成したので、熱膨張によって、収納する
電子部品に生ずる熱応力を減少させると同時に、ケース
の他の部分を形成する材料は、良熱伝導性の金属である
ため、ケースの側板部分の面を従来の複合材料に比べて
薄く加工できるとともに、ケース全体の価格は安価とな
る。
第１図（ａ） （ｂ）は、この発明の一実施例による電
子部品収納ケースの斜視図及び断面図、第２図、第３図
は、それぞれこの発明のケースの製造方法に関する説明
図、第４図（ａ）（ｂ） 、第５図（ａ）（ｂ）はそれ
ぞれこの発明の他の実施例を示す斜視図及び断面図、第
６図は従来のケースを示す斜視図である。 （１）はケースの底板面部分、（２）はケースの側板部
分である。 なお図中、同一符号は、同−又は相当部分を示す。
子部品収納ケースの斜視図及び断面図、第２図、第３図
は、それぞれこの発明のケースの製造方法に関する説明
図、第４図（ａ）（ｂ） 、第５図（ａ）（ｂ）はそれ
ぞれこの発明の他の実施例を示す斜視図及び断面図、第
６図は従来のケースを示す斜視図である。 （１）はケースの底板面部分、（２）はケースの側板部
分である。 なお図中、同一符号は、同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 電子部品を収納するケースにおいて、前記電子部品の取
り付け面の少なくとも一部を、前記電子部品とほぼ等し
い熱膨張率を有した繊維と金属との複合材料で形成し、
他の部分を良熱伝導性の金属で形成し、これらを一体化
成形した事を特徴とする電子部品収納ケース。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63273758A JPH0752793B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 電子部品収納ケース |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63273758A JPH0752793B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 電子部品収納ケース |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02119299A true JPH02119299A (ja) | 1990-05-07 |
| JPH0752793B2 JPH0752793B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=17532171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63273758A Expired - Fee Related JPH0752793B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 電子部品収納ケース |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752793B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993016882A1 (en) * | 1992-02-26 | 1993-09-02 | Seiko Epson Corporation | Additional electronic device and electronic system |
| WO1993016883A1 (en) * | 1992-02-26 | 1993-09-02 | Seiko Epson Corporation | Additional electronic device and electronic system |
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| JP2001223310A (ja) * | 2000-02-11 | 2001-08-17 | Abb Semiconductors Ag | 高出力半導体モジュール用冷却デバイス |
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-
1988
- 1988-10-28 JP JP63273758A patent/JPH0752793B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP4651827B2 (ja) * | 2000-02-11 | 2011-03-16 | アーベーベー シュヴァイツ アクチェンゲゼルシャフト | 高出力半導体モジュール用冷却デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0752793B2 (ja) | 1995-06-05 |
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