JPH02119170A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02119170A JPH02119170A JP27223888A JP27223888A JPH02119170A JP H02119170 A JPH02119170 A JP H02119170A JP 27223888 A JP27223888 A JP 27223888A JP 27223888 A JP27223888 A JP 27223888A JP H02119170 A JPH02119170 A JP H02119170A
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- film
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Links
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にＭＩＳコン
デンサを有する半導体装置の製造方法に関する。
デンサを有する半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体装置のＭＩＳコンデンサを形成する場合は
、第２図に示すように、シリコン基板１上に形成したＮ
＋型型数散層１０一方の電極とし、その上部に誘電体と
しての窒化膜６（又は酸化膜）を形成し、さらにこの窒
化膜６上にアルミ電極１３を形成する方法が主に用いら
れていた。
、第２図に示すように、シリコン基板１上に形成したＮ
＋型型数散層１０一方の電極とし、その上部に誘電体と
しての窒化膜６（又は酸化膜）を形成し、さらにこの窒
化膜６上にアルミ電極１３を形成する方法が主に用いら
れていた。
上述した従来構造のＭＩＳコンデンサを有する半導体装
置においては、片方の電極にシリコン基板１のＮ＋型型
数散層使用するため、ＭＩＳ構造のＣ−■特性により、
コンデンサーの容量値がシリコン基板に印加される電圧
により変化し、更にＮ＋型型数散層１０おいて直列寄生
抵抗が生じるため、デバイスの周波数特性が悪化すると
いう欠点があった。また半導体素子の形成途中でコンデ
ンサーを形成しているため、誘電体膜は酸化膜や窒化膜
などの物質に限られ、製造プロセスや誘電率の面からも
、大容量のコンデンサーを作るとチップ面積が大幅に増
大するという欠点もあった。
置においては、片方の電極にシリコン基板１のＮ＋型型
数散層使用するため、ＭＩＳ構造のＣ−■特性により、
コンデンサーの容量値がシリコン基板に印加される電圧
により変化し、更にＮ＋型型数散層１０おいて直列寄生
抵抗が生じるため、デバイスの周波数特性が悪化すると
いう欠点があった。また半導体素子の形成途中でコンデ
ンサーを形成しているため、誘電体膜は酸化膜や窒化膜
などの物質に限られ、製造プロセスや誘電率の面からも
、大容量のコンデンサーを作るとチップ面積が大幅に増
大するという欠点もあった。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第１
の絶縁膜を介して金属膜からなる第１の電極を形成する
工程と、全面に第２の絶縁膜を形成したのち前記第１の
電極上の所定部分に開口部を形成する工程と、前記開口
部を含む全面に誘電体膜を形成したのちパターニングす
る工程と、前記第１の電極上の前記誘電体膜上に金属膜
からなる第２の電極を形成する工程とを含んで構成され
る。
の絶縁膜を介して金属膜からなる第１の電極を形成する
工程と、全面に第２の絶縁膜を形成したのち前記第１の
電極上の所定部分に開口部を形成する工程と、前記開口
部を含む全面に誘電体膜を形成したのちパターニングす
る工程と、前記第１の電極上の前記誘電体膜上に金属膜
からなる第２の電極を形成する工程とを含んで構成され
る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ＞に示すように、半導体素子が形成され
たシリコン基板１上のフィールド酸化膜２上に、厚さ約
６００ ＯＡのアルミニウム膜を形成する。次でフォト
レジスト膜４Ａをマスクとして用い、異方性エツチング
法によりアルミニウム膜をエツチングして第１のアルミ
電極３を形成する。
たシリコン基板１上のフィールド酸化膜２上に、厚さ約
６００ ＯＡのアルミニウム膜を形成する。次でフォト
レジスト膜４Ａをマスクとして用い、異方性エツチング
法によりアルミニウム膜をエツチングして第１のアルミ
電極３を形成する。
次に第１図（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜４Ａ
を除去したのち、第１のアルミ電極３を含む全面にＣＶ
Ｄ法により厚さ約１μｍの窒化膜等からなる眉間絶縁膜
５を形成し、パターニングしてコンデンサ形成部及び引
出し電極形成部に開口部９を形成する。
を除去したのち、第１のアルミ電極３を含む全面にＣＶ
Ｄ法により厚さ約１μｍの窒化膜等からなる眉間絶縁膜
５を形成し、パターニングしてコンデンサ形成部及び引
出し電極形成部に開口部９を形成する。
次に第１図（ｃ）に示すように、開口部９を含む全面に
誘電体膜として厚さ約５００Ａの窒化膜６をスパッタ法
により形成する。次でコンデンサ形成部の窒化膜６上に
フォトレジスト膜４Ｂからなるマスクを形成したのち、
コンデンサ形成部以外の窒化膜をエツチングして除去す
る。
誘電体膜として厚さ約５００Ａの窒化膜６をスパッタ法
により形成する。次でコンデンサ形成部の窒化膜６上に
フォトレジスト膜４Ｂからなるマスクを形成したのち、
コンデンサ形成部以外の窒化膜をエツチングして除去す
る。
次に第１図（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜４Ｂ
を除去したのち全面に厚さ約１．１μｍのアルミニウム
膜を形成する。次でこのアルミニウム膜をパターニング
し、コンデンサ形成部及び引出し電極形成部に第２のア
ルミ環！！７及び引出し電極８を形成しＭＩＳコンデン
サを完成させる。
を除去したのち全面に厚さ約１．１μｍのアルミニウム
膜を形成する。次でこのアルミニウム膜をパターニング
し、コンデンサ形成部及び引出し電極形成部に第２のア
ルミ環！！７及び引出し電極８を形成しＭＩＳコンデン
サを完成させる。
このように本実施例によれば、コンデンサを構成する二
つの電極がアルミニウムにより形成されるため、従来の
ように容量値が電圧により変化することはなくなる。ま
た電極における直列寄生抵抗も大幅に減少する。更に誘
電膜の種類も多くなるため、面積を増加させることなく
大容量のコンデンサを形成できる。
つの電極がアルミニウムにより形成されるため、従来の
ように容量値が電圧により変化することはなくなる。ま
た電極における直列寄生抵抗も大幅に減少する。更に誘
電膜の種類も多くなるため、面積を増加させることなく
大容量のコンデンサを形成できる。
尚、上記実施例においては誘電膜としての窒化膜６をコ
ンデンサ形成部のみに残した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、引出し電極形成部以外
の領域に残してもよい。
ンデンサ形成部のみに残した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、引出し電極形成部以外
の領域に残してもよい。
この場合、第２のアルミ電極７と引出し電極８に接続す
る配線間の容量が小さくなる。更に窒化膜が保護膜とし
て作用するため、例えば樹脂封止した場合、封止樹脂に
よる応力を緩和できるため、半導体基板表面にクラック
が発生するのを防止できる効果がある。
る配線間の容量が小さくなる。更に窒化膜が保護膜とし
て作用するため、例えば樹脂封止した場合、封止樹脂に
よる応力を緩和できるため、半導体基板表面にクラック
が発生するのを防止できる効果がある。
以上説明したように本発明は、ＭＩＳコンデンサーを構
成する二つの電極を金属膜を用いて形成することにより
、容量値の電圧依存性をなくし、かつ電極の寄生直列抵
抗を小さくできるという効果がある。更に、トランジス
タなどの素子形成終了後にコンデンサーを形成するため
、高誘電率の誘電体膜が使用でき、大容量のコンデンサ
ーを小さい面積で形成できるという効果もある。
成する二つの電極を金属膜を用いて形成することにより
、容量値の電圧依存性をなくし、かつ電極の寄生直列抵
抗を小さくできるという効果がある。更に、トランジス
タなどの素子形成終了後にコンデンサーを形成するため
、高誘電率の誘電体膜が使用でき、大容量のコンデンサ
ーを小さい面積で形成できるという効果もある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図、第２図は従
来の半導体装置におけるＭＩＳコンデンサーの一例の断
面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・フィールド酸化膜、３
・・・第１のアルミ電極、４Ａ、４Ｂ・・・フォトレジ
スト膜、５・・・層間絶縁膜、６・・・窒化膜、７・・
・第２のアルミ電極、８．８Ａ・・・引出し電極、９・
・・開口部、１０・・・Ｎ＋型型数散層１３・・・アル
ミ電極。
めの工程順に示した半導体チップの断面図、第２図は従
来の半導体装置におけるＭＩＳコンデンサーの一例の断
面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・フィールド酸化膜、３
・・・第１のアルミ電極、４Ａ、４Ｂ・・・フォトレジ
スト膜、５・・・層間絶縁膜、６・・・窒化膜、７・・
・第２のアルミ電極、８．８Ａ・・・引出し電極、９・
・・開口部、１０・・・Ｎ＋型型数散層１３・・・アル
ミ電極。
Claims (1)
- 半導体基板上に第１の絶縁膜を介して金属膜からなる第
１の電極を形成する工程と、全面に第２の絶縁膜を形成
したのち前記第１の電極上の所定部分に開口部を形成す
る工程と、前記開口部を含む全面に誘電体膜を形成した
のちパターニングする工程と、前記第１の電極上の前記
誘電体膜上に金属膜からなる第２の電極を形成する工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27223888A JPH02119170A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27223888A JPH02119170A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02119170A true JPH02119170A (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=17511051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27223888A Pending JPH02119170A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02119170A (ja) |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP27223888A patent/JPH02119170A/ja active Pending
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